GB/T 31472-2015X光電子能譜中荷電控制和荷電基準技術標準指南

ICS1722020

N26..

中華人民共和國國家標準

GB/T31472—2015

X光電子能譜中荷電控制和

荷電基準技術標準指南

Standardguidetochargecontrolandchargereferencing

techniquesinX-rayphotoelectronspectroscopy

2015-05-15發(fā)布2016-01-01實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

GB/T31472—2015

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會提出并歸口

(SAC/TC203)。

本標準起草單位信息產(chǎn)業(yè)專用材料質(zhì)量監(jiān)督檢驗中心中國電子技術標準化研究院蘇州晶瑞化

:、、

學有限公司天津中環(huán)領先材料技術有限公司

、。

本標準主要起草人李雨辰何秀坤劉筠劉兵李翔

:、、、、。

Ⅰ

GB/T31472—2015

引言

射線光電子能譜用于固體材料表面元素組成和元素化合態(tài)的測試與表征通過某一元素結(jié)合能

X,

的細微變化可獲得該元素化合態(tài)信息

。

對于絕緣樣品表面光激發(fā)的光電子發(fā)射會導致表面正電荷積累改變表面電勢因此使測得的

,X,,

光電子譜峰位向高結(jié)合能偏移表面感生電荷的數(shù)量在樣品表面的分布及其與試驗條件的依賴關系

。、

決定于許多因素包括樣品成分樣品的均勻性表面電導率總光致電離截面表面形貌激發(fā)光的

,、、、、、X

特殊空間分布中和電子等荷電積累是發(fā)生在樣品表面和材料內(nèi)部的三維現(xiàn)象

、。。

本標準描述了各種已經(jīng)或即將用于采集和解析絕緣樣品表面的射線光電子能譜數(shù)據(jù)的荷電控

X

制與針對荷電偏移的校正方法目的是通過控制荷電積累校正由于表面充電引起的結(jié)合能飄移以得

,,,

到有意義且可重現(xiàn)的絕緣樣品的測試數(shù)據(jù)

。

Ⅱ

GB/T31472—2015

X光電子能譜中荷電控制和

荷電基準技術標準指南

1范圍

本標準規(guī)定了射線光電子能譜的荷電控制和荷電基準技術

X(XPS)。

本標準適用于荷電控制和荷電定位技術不適用于其他電子激發(fā)系統(tǒng)

XPS,。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

表面化學分析詞匯

GB/T22461—2008(ISO18115:2001,IDT)

表面化學分析射線光電子能譜儀能量標尺的校準

GB/T22571—2008X

俄歇電子能譜術和射線光電子能譜術的樣品處理標準導則

SJ/T10458—1993X

3術語和定義

界定的術語和定義適用于本文件

GB/T22461—2008。

4符號和縮略語

下列符號和縮略語適用于本文件

。

BE結(jié)合能單位為電子伏

———,(eV);

BE校準后結(jié)合能單位為電子伏

corr———,(eV);

BE測量結(jié)合能單位為電子伏

meas———,(eV);

BE參考結(jié)合能單位為電子伏

ref———,(eV);

BE參考線的標準結(jié)合能單位為電子伏

meas,ref———,(eV);

譜峰在背底以上半高峰寬單位為電子伏

FWHM———,(eV);

Δ荷電校正時與測得的結(jié)合能相加的校準能量值單位為電子伏

corr———,(eV)。

5儀器

51實際的譜儀可能應用了本標準中涉及的一個或多個荷電補償技術在儀器操作過程中應遵

.XPS。

循廠家提供的手冊和其他說明文件進行

。

52荷電控制需要特殊的儀器附件如電子中和槍或沉積物蒸發(fā)源

.,。

53特定樣品裝備程序例如將樣品安裝在細金屬網(wǎng)眼下[5