標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 30652-2014 硅外延用三氯氫硅》是中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)之一,該標(biāo)準(zhǔn)主要針對(duì)用于制造半導(dǎo)體材料中硅外延生長(zhǎng)過程的三氯氫硅(TCS, Trichlorosilane)制定了技術(shù)要求和測(cè)試方法。根據(jù)這一標(biāo)準(zhǔn)文件,三氯氫硅作為重要的半導(dǎo)體原材料,在其純度、物理性質(zhì)等方面都有嚴(yán)格規(guī)定。

在純度方面,標(biāo)準(zhǔn)明確了不同等級(jí)三氯氫硅的具體指標(biāo),包括但不限于主成分含量、雜質(zhì)元素的最大允許濃度等。這些指標(biāo)直接關(guān)系到最終產(chǎn)品的性能與質(zhì)量,因此對(duì)于生產(chǎn)者而言至關(guān)重要。同時(shí),還詳細(xì)列出了檢測(cè)上述參數(shù)所需采用的方法和技術(shù)條件,確保了測(cè)試結(jié)果的一致性和準(zhǔn)確性。


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....

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  • 2014-12-31 頒布
  • 2015-09-01 實(shí)施
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文檔簡(jiǎn)介

ICS29045

H83.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T30652—2014

硅外延用三氯氫硅

Trichlorosilaneforsiliconepitaxial

2014-12-31發(fā)布2015-09-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T30652—2014

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別這些專利的責(zé)任

。。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)和全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會(huì)材料分會(huì)共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位中鍺科技有限公司南京國(guó)盛電子有限公司南京中鍺科技股份有限公司

:、、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人柯尊斌劉新軍鄭華榮譚衛(wèi)東金龍

:、、、、。

GB/T30652—2014

硅外延用三氯氫硅

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅外延用三氯氫硅的要求試驗(yàn)方法檢驗(yàn)規(guī)則和標(biāo)志包裝運(yùn)輸貯存

(SiHCl3)、、、、、、

質(zhì)量證明書以及訂貨單或合同內(nèi)容

()。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于以粗三氯氫硅為原料經(jīng)過提純而制得的硅外延用三氯氫硅以下簡(jiǎn)稱產(chǎn)品

()。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

危險(xiǎn)貨物包裝標(biāo)志

GB190

包裝儲(chǔ)運(yùn)圖示標(biāo)志

GB/T191

化學(xué)品安全技術(shù)說明書內(nèi)容和項(xiàng)目順序

GB16483

工業(yè)三氯氫硅

GB28654

硅外延用三氯氫硅化學(xué)分析方法硼鋁磷釩鉻錳鐵鈷鎳銅鉬砷和銻量

GB/T29056、、、、、、、、、、、

的測(cè)定電感耦合等離子體質(zhì)譜法

氯硅烷中碳雜質(zhì)的測(cè)定方法甲基二氯氫硅的測(cè)定

YS/T987

國(guó)務(wù)院令第號(hào)危險(xiǎn)化學(xué)品安全管理?xiàng)l例

591

3要求

31外觀

.

產(chǎn)品應(yīng)為無色透明液體

。

32化學(xué)成分

.

321產(chǎn)品的化學(xué)成分應(yīng)符合表的規(guī)定

..1。

表1化學(xué)成分

%

其他氯硅烷雜質(zhì)含量-7不大于

SiHCl3/(×10),

不小于不大于

FeCrNiAlMoAsSbPMnBCuCoVC

99.950.0551.51110.50.50.30.20.10.050.020.015000

注硅外延用三氯氫硅的含量為減去表中其他氯硅烷和雜質(zhì)實(shí)測(cè)總和的余量

:100%。

33其他

.

需方如對(duì)硅外延用

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