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  • 正在執(zhí)行有效
  • 2013-11-12 頒布
  • 2014-04-15 實施
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GB/T 29851-2013光伏電池用硅材料中B、Al受主雜質(zhì)含量的二次離子質(zhì)譜測量方法_第1頁
GB/T 29851-2013光伏電池用硅材料中B、Al受主雜質(zhì)含量的二次離子質(zhì)譜測量方法_第2頁
GB/T 29851-2013光伏電池用硅材料中B、Al受主雜質(zhì)含量的二次離子質(zhì)譜測量方法_第3頁
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文檔簡介

ICS29045

H82.

中華人民共和國國家標準

GB/T29851—2013

光伏電池用硅材料中BAl受主雜質(zhì)

、

含量的二次離子質(zhì)譜測量方法

Testmethodformeasuringboronandaluminiuminsiliconmaterialsusedfor

photovoltaicapplicationsbysecondaryionmassspectrometry

2013-11-12發(fā)布2014-04-15實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

中華人民共和國

國家標準

光伏電池用硅材料中BAl受主雜質(zhì)

、

含量的二次離子質(zhì)譜測量方法

GB/T29851—2013

*

中國標準出版社出版發(fā)行

北京市朝陽區(qū)和平里西街甲號

2(100013)

北京市西城區(qū)三里河北街號

16(100045)

網(wǎng)址

:

服務(wù)熱線

/p>

年月第一版

20141

*

書號

:155066·1-48021

版權(quán)專有侵權(quán)必究

GB/T29851—2013

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構(gòu)不承擔識別這些專利的責任

。。

本標準由全國半導體設(shè)備和材料標準化技術(shù)委員會提出并歸口

(SAC/TC203)。

本標準起草單位信息產(chǎn)業(yè)專用材料質(zhì)量監(jiān)督檢驗中心中國電子技術(shù)標準化研究院國家電子功

:、、

能與輔助材料質(zhì)量監(jiān)督檢驗中心天津市環(huán)歐半導體材料技術(shù)有限公司

、。

本標準主要起草人何友琴馬農(nóng)農(nóng)王東雪何秀坤裴會川馮亞彬張雪囡

:、、、、、、。

GB/T29851—2013

光伏電池用硅材料中BAl受主雜質(zhì)

、

含量的二次離子質(zhì)譜測量方法

1范圍

本標準規(guī)定了用二次離子質(zhì)譜儀測定光伏電池用硅材料中硼和鋁含量的方法

(SIMS)。

本標準適用于光伏電池用硅材料中受主雜質(zhì)硼和鋁含量的定量分析其中硼和鋁的濃度均大于

,

133其他受主雜質(zhì)的測量也可參照本標準

1×10atoms/cm。。

2方法原理

在高真空條件下氧離子源產(chǎn)生的一次離子經(jīng)過加速純化聚焦后轟擊樣品表面濺射出多種粒

,,、、,,

子將其中的離子即二次離子引出通過質(zhì)譜儀將不同荷質(zhì)比的離子分開記錄并計算樣品中硼鋁分

,(),,、

別與硅的二次離子強度比++++然后利用其相對靈敏度因子進行定量

(B)/(Si)、(Al)/(Si),。

3干擾因素

31樣品表面吸附的硼和鋁會干擾樣品中硼和鋁的測量

.。

32從儀器樣品室吸附到樣品表面的硼和鋁會干擾樣品中硼和鋁的測量

.SIMS。

33在樣品架窗口范圍內(nèi)的樣品表面應(yīng)平整以保證每個樣品移動到分析位置時其表面與離子收集

.,,

光學系統(tǒng)的傾斜度不變否則測量的準確度和精度會降低

,。

34測量的準確度和精度隨著樣品表面粗糙度的增大而顯著降低可通過對樣品表面進行化學機械拋

.,

光予以消除

。

35標準樣品中硼和鋁分布不均勻會影響測量精度

.。

36標準樣品中硼和鋁標稱濃度的偏差會導致測量結(jié)果的偏差

.。

37因儀器不同或者同一儀器的狀態(tài)不同檢測限可能不同

.,。

38因為二次離子質(zhì)譜分析是破壞性的試驗所以應(yīng)進行取樣且所取樣品應(yīng)能代表該批硅料的性質(zhì)

.,,。

本標準未規(guī)定統(tǒng)一的取樣方法因為大多數(shù)合適的取樣計劃根據(jù)樣品情況不同而有區(qū)別為了達到仲

,。

裁目的取樣計劃應(yīng)在測試之前得到測試雙方的認可

,。

4儀器及設(shè)備

41扇形磁場二次離子質(zhì)譜儀

.

儀器需要裝備氧一次離子源能檢測正二次離子的電子倍增器和法拉第杯檢測器質(zhì)量分辨率應(yīng)優(yōu)

,,

1500。

42液氮或者液氦冷卻低溫板

.

如果分析室的真空度大于-6應(yīng)用液氮或者液氦冷卻的低溫板環(huán)繞分析室中的樣品架

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