標準解讀
《GB/T 29057-2012 用區(qū)熔拉晶法和光譜分析法評價多晶硅棒的規(guī)程》是一項國家標準,旨在規(guī)范采用區(qū)熔拉晶技術(shù)和光譜分析技術(shù)對多晶硅棒進行質(zhì)量評估的方法。該標準適用于半導體工業(yè)中使用的多晶硅材料的質(zhì)量控制過程。
根據(jù)這項標準,首先定義了使用區(qū)熔拉晶方法來制備單晶硅樣品的過程。區(qū)熔拉晶是一種提純技術(shù),通過局部加熱并移動熱源的方式,在多晶硅棒上形成一個狹窄的熔化區(qū)域,隨著熱源的移動,熔融物質(zhì)重新結(jié)晶成單晶體。此過程中雜質(zhì)會集中在最后一個凝固的部分或被排出到系統(tǒng)之外,從而實現(xiàn)材料的提純。標準詳細規(guī)定了從選擇合適的多晶硅棒開始,直到完成單晶生長為止的具體操作步驟和技術(shù)要求。
其次,對于經(jīng)過區(qū)熔處理后得到的單晶硅樣品,《GB/T 29057-2012》還提出了利用光譜分析法對其進行進一步檢測的要求。這里所說的光譜分析通常指的是原子吸收光譜法(AAS)、電感耦合等離子體發(fā)射光譜法(ICP-OES)或其他類似的技術(shù)手段,用來測定樣品中的微量雜質(zhì)元素含量。標準指出了如何準備測試樣本、設置儀器參數(shù)以及記錄和解釋實驗數(shù)據(jù)等方面的內(nèi)容。
此外,本文件還包括了一些輔助性條款,比如術(shù)語定義、符號說明等,以確保使用者能夠準確理解和執(zhí)行相關(guān)操作。同時,它也強調(diào)了在實際應用中需要注意的安全事項和個人防護措施,保證實驗人員健康的同時提高工作效率。
如需獲取更多詳盡信息,請直接參考下方經(jīng)官方授權(quán)發(fā)布的權(quán)威標準文檔。
....
查看全部
文檔簡介
ICS29045
H80.
中華人民共和國國家標準
GB/T29057—2012
用區(qū)熔拉晶法和光譜分析法評價
多晶硅棒的規(guī)程
Practiceforevaluationofpolocrystallinesiliconrodsbyfloat-zone
crystalgrowthandspectroscopy
(SEMIMF1723-1104,MOD)
2012-12-31發(fā)布2013-10-01實施
中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布
中國國家標準化管理委員會
GB/T29057—2012
前言
本標準按照給出的規(guī)則起草
GB/T1.1—2009。
本標準修改采用國際標準用區(qū)熔拉晶法和光譜分析法評價多晶硅棒的規(guī)
SEMIMF1723-1104《
程為方便比較資料性附錄中列出了本標準章條和對應的國際標準章條的對照一覽表
》。,A。
本標準在采用時進行了修改這些技術(shù)差異用垂直單線標識在它們所涉及
SEMIMF1723-1104。
的條款的頁邊空白處主要技術(shù)差異如下
。:
在規(guī)范性引用文件中凡我國已有國家標準的均用相應的國家標準代替
———“”,,SEMIMF1723-
中的引用文件
1104“”。
增加規(guī)范性引用文件硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測定光電導衰減法
———GB/T1553《》。
將中中規(guī)定的級改為中規(guī)定的級
———6.2“…ISO14644-1ISO5…”“…GB500735…”。
將中中規(guī)定的級改為中規(guī)定的級
———7.2.1“…ISO14644-1ISO6…”“…GB500736…”。
將中中規(guī)定的級改為中規(guī)定的級
———7.3.1“…ISO14644-1ISO6…”“…GB500736…”。
將中-6改為-4
———7.3.1“…1×10torr…”“…1.3×10Pa…”。
將中硝酸符合級改為硝酸符合優(yōu)
———8.1“(HNO3)———SEMIC352”“(HNO3)———GB/T626
級純
”。
將中氫氟酸符合級改為氫氟酸符合優(yōu)
———8.2“(HF)———SEMIC282”“(HF)———GB/T620
級純
”。
將中去離子水純度等于或優(yōu)于中的級改為去離子水純度
———8.4“———ASTMD5127E-2”“———
等于或優(yōu)于中的級
GB/T11446.1EW-2”。
將中高純氬氣符合改為高純氬氣符合優(yōu)等品
———8.5“———SEMIC3.42”“———GB/T4842”。
增加按照檢測晶棒體內(nèi)少數(shù)載流子壽命
———12.5.2.4“GB/T1553。”
將中根據(jù)分析碳含量改為根據(jù)分析碳含量
———12.6.1“…SEMIMF1391…”“…GB/T1558…”。
將中按測試方法改為按測試方法
———12.6.3.3“…SEMIMF1391…”“…GB/T1558…”。
將中見改為見
———13.3.5.1“…SEMIMF723…”“…GB/T13389…”。
將中在中改為在中
———14.1“…SEMIMF1391…”“…GB/T1558…”。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術(shù)委員會提出并歸口
(SAC/TC203)。
本標準起草單位四川新光硅業(yè)科技有限責任公司樂山樂電天威硅業(yè)科技有限責任公司天威四
:、、
川硅業(yè)有限責任公司
。
本標準主要起草人梁洪劉暢陳自強張新藍志張華端瞿芬芬
:、、、、、、。
Ⅰ
GB/T29057—2012
用區(qū)熔拉晶法和光譜分析法評價
多晶硅棒的規(guī)程
1目的
11本標準采用區(qū)熔拉晶法和光譜分析法來測量多晶硅棒中的施主受主雜質(zhì)濃度測得的施主受
.、。、
主雜質(zhì)濃度可以用來計算按一定的目標電阻率生長單晶硅棒所需要的摻雜量也可以用來推算非摻雜
,
硅棒的電阻率
。
12多晶硅中施主受主雜質(zhì)的濃度及碳濃度可以用來判定多晶硅材料是否滿足要求
.、。
13多晶硅中的雜質(zhì)濃度可以用來監(jiān)測多晶硅生產(chǎn)原料的純度生產(chǎn)工藝以及產(chǎn)品的合格性
.、。
14本標準描述了分析多晶硅中施主受主及碳元素所采用的取樣和區(qū)熔拉晶制樣工藝
.、。
2范圍
21本標準包括多晶硅棒取樣將樣品區(qū)熔拉制成單晶以及通過光譜分析法對拉制好的單晶硅棒進行
.、
分析以確定多晶硅中痕量雜質(zhì)的程序這些痕量雜質(zhì)包括施主雜質(zhì)通常是磷或砷或二者兼有受主
。(,)、
雜質(zhì)通常是硼或鋁或二者兼有及碳雜質(zhì)
(,)。
22本標準中適用的雜質(zhì)濃度測定范圍施主和受主雜質(zhì)為十億分之一原子比
.:(0.002~100)ppba(),
碳雜質(zhì)為百萬分之一原子比樣品中的這些雜質(zhì)是通過低溫紅外光譜法或光致發(fā)
(0.02~15)ppma()。
光光譜法分析的
。
23本標準僅適用于評價在硅芯上沉積生長的多晶硅棒
.。
3局限性
31有裂縫高應力或深度枝狀生長的多晶硅棒在取樣過程中容易碎裂不宜用來制備樣芯
.、,。
32鉆取的樣芯應通過清洗去除油脂或加工帶來的沾污表面有裂縫或空隙的多晶硅樣芯不易清洗
.。,
其裂縫或空隙中的雜質(zhì)很難被完全腐蝕清除同時腐蝕殘渣也可能留在樣芯裂縫中造成污染
;,。
33腐蝕用的器皿酸及去離子水中的雜質(zhì)都會對分析的準確性重復性產(chǎn)生影響因此應嚴格控制酸
.、、,
和去離子水的純度空氣墻壁地板和家具也可能造成污染因此應在潔凈室中進行腐蝕和區(qū)熔其
。、、,。
他如酸的混合比例酸腐蝕溫度酸腐蝕剝離的速率腐蝕沖洗次數(shù)以及暴露時間等都可能產(chǎn)生雜質(zhì)干
、、、
擾應加以控制所有與腐蝕后的樣芯接觸的材料和容器都可能沾污應在使用前清洗手套和其他用來
,;,;
包裹腐蝕后樣芯的材料應檢測和監(jiān)控
。
34區(qū)熔爐的爐壁預熱器線圈和密封圈等都是常見的污染源應保持潔凈
.、、,。
35區(qū)熔過程的任何波動都會影響易揮發(fā)雜質(zhì)在氣相液相和固相中的分布從而改變測試結(jié)果樣
.、,。
芯直徑熔區(qū)尺寸拉速密封圈純度與爐膛條件的變化都可能改變有效分凝系數(shù)或蒸發(fā)速率使晶體中
、、、
溫馨提示
- 1. 本站所提供的標準文本僅供個人學習、研究之用,未經(jīng)授權(quán),嚴禁復制、發(fā)行、匯編、翻譯或網(wǎng)絡傳播等,侵權(quán)必究。
- 2. 本站所提供的標準均為PDF格式電子版文本(可閱讀打印),因數(shù)字商品的特殊性,一經(jīng)售出,不提供退換貨服務。
- 3. 標準文檔要求電子版與印刷版保持一致,所以下載的文檔中可能包含空白頁,非文檔質(zhì)量問題。
最新文檔
- 《知識產(chǎn)權(quán)前沿問題》課件
- 《支氣管哮喘防治》課件
- 地理(河南)-【八省聯(lián)考】河南、山西、陜西、內(nèi)蒙古、四川、云南、寧夏、青海八省2025年高考綜合改革適應性演練
- 《對標管理咨詢》課件
- 人教版八年級上冊地理第2章《中國的自然環(huán)境》教案
- 小學數(shù)學二年級數(shù)學加減法練習題
- 一模閱卷語知作文評分說明南京市一模閱卷語知閱讀評分細則
- 上杭一中屆模擬試卷語文試題
- 寵物用品設計師職位概述
- 促進學生學業(yè)成績提高的班級計劃
- 車間現(xiàn)場安全培訓內(nèi)容課件參考
- 油藏工程-油藏物質(zhì)平衡方法-1課件
- 三上書法《撇》教學課件
- 河北省廊坊市藥品零售藥店企業(yè)藥房名單目錄
- 超星爾雅學習通《三國志導讀》章節(jié)測試(含答案)
- 簡單的個人原因辭職報告(通用17篇)
- 交響曲欣賞-完整版PPT
- 公司軟件銷售管理制度
- micro810可編程控制器用戶手冊
- CVC導管維護技術(shù)評分標準
- 東風7C型(DF7C)內(nèi)燃機車
評論
0/150
提交評論