GB/T 2900.32-1994電工術(shù)語電力半導(dǎo)體器件

9DS621382.213：001.4K04中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T2900.32-94電工術(shù)語電力半導(dǎo)體器件ElectrotechnicalterminologyPowersemiconductordevice1994-05-16發(fā)布1995-01-01實施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T2900.32-94電工術(shù)語電力半導(dǎo)體器件Electrotechnicalterminology代替GB2900.32-82Powersemiconductordevice本標(biāo)準(zhǔn)參照采用了國際電工委員會（IEC）出版物747《半導(dǎo)體器件》和出版物50（521）《國際電工詞匯半導(dǎo)體器件和集成電路》中有關(guān)整流管、品體管、晶閘管及其通用的術(shù)語。主題內(nèi)容與適用范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了電力半導(dǎo)體器件的專用術(shù)語，本標(biāo)準(zhǔn)適用于制訂標(biāo)準(zhǔn)、編訂技術(shù)文件、編寫和翻譯專業(yè)手冊、教材及書刊?；A(chǔ)術(shù)語2.1物物理學(xué)名詞2.1.1半導(dǎo)體：semiconductor一種電阻率通常在金屬和絕緣體之間，并在一定溫度范圍內(nèi)載流子濃度隨溫度升高而增加的物質(zhì)。2.1.2本征半導(dǎo)體intrinsicsemiconductor；I-型半導(dǎo)體I-typesemiconductor一種在熱平衡下傳導(dǎo)電子和可動空穴密度幾乎相等的高純半導(dǎo)體或完全相等的理想半導(dǎo)體。2.1.3非本征半導(dǎo)體extrinsicsemiconductor一種載流子濃度取決于雜質(zhì)或其他缺陷的半導(dǎo)體。2.1.4N型半導(dǎo)體N-typesemiconductor電子型半導(dǎo)體electronsemiconductor一種在熱平衡下傳導(dǎo)電子密度顯著大于可動空穴密度的非本征半導(dǎo)體。2.1.5P型半導(dǎo)體P-typesemiconductori空穴型半導(dǎo)體holesemiconductor一種在熱平衡下可動空穴密度顯著大于傳導(dǎo)電子密度的非本征半導(dǎo)體。2.1.6結(jié)iunction在半導(dǎo)體中或金屬與半導(dǎo)體之間,具有不同電特性兩區(qū)域之間的過渡區(qū)域。2.1.7PN結(jié)PNjunction半導(dǎo)體P型區(qū)和N型區(qū)之間的結(jié)。2.1.8合金結(jié)alloyediunction由由一種或幾種金屬材料與半導(dǎo)體品體合金化形成的結(jié)。2.1.9擴散結(jié)diffusediunction由雜質(zhì)擴散進入半導(dǎo)體品體內(nèi)形成的結(jié)。2.1.10生長結(jié)grownjunction由熔融態(tài)半導(dǎo)體生長晶體形成的結(jié).2.1.11外延結(jié)epitaxyjunctio