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文檔簡(jiǎn)介

7/7半導(dǎo)體器件(附答案)第一章、半導(dǎo)體器件(附答案)

一、選擇題

1.PN結(jié)加正向電壓時(shí),空間電荷區(qū)將________

A.變窄

B.基本不變

C.變寬

2.設(shè)二極管的端電壓為u,則二極管的電流方程是________

A.B.C.

3.穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓是其工作在________

A.正向?qū)?/p>

B.反向截止

C.反向擊穿區(qū)

4.VUGS0=時(shí),能夠工作在恒流區(qū)的場(chǎng)效應(yīng)管有________

A.結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管

B.增強(qiáng)型MOS管

C.耗盡型MOS管

5.對(duì)PN結(jié)增加反向電壓時(shí),參與導(dǎo)電的是________

A.多數(shù)載流子

B.少數(shù)載流子

C.既有多數(shù)載流子又有少數(shù)載流子

6.當(dāng)溫度增加時(shí),本征半導(dǎo)體中的自由電子和空穴的數(shù)量_____

A.增加

B.減少

C.不變

7.用萬用表的R×100Ω檔和R×1KΩ檔分別測(cè)量一個(gè)正常二極管的正向電阻,兩次測(cè)

量結(jié)果______

A.相同

B.第一次測(cè)量植比第二次大

C.第一次測(cè)量植比第二次小

8.面接觸型二極管適用于____

A.高頻檢波電路

B.工頻整流電路

9.下列型號(hào)的二極管中可用于檢波電路的鍺二極管是:____

A.2CZ11

B.2CP10

C.2CW11

D.2AP6

10.當(dāng)溫度為20℃時(shí)測(cè)得某二極管的在路電壓為VUD7.0=。若其他參數(shù)不變,當(dāng)溫度上

升到40℃,則DU的大小將____

A.等于0.7V

B.大于0.7V

C.小于0.7V

11.當(dāng)兩個(gè)穩(wěn)壓值不同的穩(wěn)壓二極管用不同的方式串聯(lián)起來,可組成的穩(wěn)壓值有_____

A.兩種

B.三種

C.四種

12.在圖中,穩(wěn)壓管1WV和2WV的穩(wěn)壓值分別為6V和7V,且工作在穩(wěn)壓狀態(tài),由此可知輸

出電壓OU為_____

A.6V

B.7V

C.0V

D.1V

13.將一只穩(wěn)壓管和一只普通二極管串聯(lián)后,可得到的穩(wěn)壓值是()

A.兩種

B.三種

C.四種

14.在雜質(zhì)半導(dǎo)體中,多數(shù)載流子的濃度主要取決于__(1)__,而少數(shù)載流子的濃度與__

(2)__有很大關(guān)系。

(1)A.溫度B.摻雜工藝C.雜質(zhì)濃度D.晶體缺陷

(2)A.溫度B.摻雜工藝C.雜質(zhì)濃度D.晶體缺陷

15.當(dāng)PN結(jié)外加正向電壓時(shí),擴(kuò)散電流__(1)__漂移電流,耗盡層__(2)__,當(dāng)PN結(jié)

外加反向電壓時(shí),擴(kuò)散電流__(3)__漂移電流,耗盡層__(4)__。

(1)A.大于B.小于C.等于D.變寬E.變窄F.不變

(2)A.大于B.小于C.等于D.變寬E.變窄F.不變

(3)A.大于B.小于C.等于D.變寬E.變窄F.不變

(4)A.大于B.小于C.等于D.變寬E.變窄F.不變

16.甲、乙、丙三個(gè)二極管的正、反向特性如表1.6所示,你認(rèn)為哪一個(gè)二極管的性能最

好?

A.甲

B.乙

C.丙

17.一個(gè)硅二極管在正向電壓VUD6.0=時(shí),正向電流mAID10=。若DU增大到0.66V

(即增加10%),則電流DI________

A.約為11mA(也增加10%)

B.約為20mA(增大1倍)

C.約為100mA(增大到原先的10倍)

D.仍為10mA(基本不變)

18.在如下圖所示的電路中,當(dāng)電源V1=5V時(shí),測(cè)得I=1mA。若把電源電壓調(diào)整V1=10V,

則電流的大小將V1=5V是________。

A.I=2mA

B.I〈2mA

C.I〉2mA

21.在P型半導(dǎo)體中,多數(shù)載流子是_(1)_,在N型半導(dǎo)體中,多數(shù)載流子是_(2)

(1)A.正離子B.自由電子C.負(fù)離子D.空穴

(1)A.正離子B.自由電子C.負(fù)離子D.空穴

23.本征半導(dǎo)體溫度升高以后,自由電子和空穴的變化情況是________。

A.自由電子數(shù)目增加,空穴數(shù)目不變

B.空穴數(shù)目增加,自由電子數(shù)目不變

C.自由電子和空穴數(shù)目等量增加

24.N型半導(dǎo)體__(1)__,P型半導(dǎo)體__(2)__。

(1)A.帶正電B.帶負(fù)電C.呈電中性

(2)A.帶正電B.帶負(fù)電C.呈電中性

26.PN結(jié)外加反向電壓時(shí),其內(nèi)電場(chǎng)________。

A.減弱

B.不變

C.增強(qiáng)

27.PN結(jié)在外加正向電壓的作用下,擴(kuò)散電流_______漂移電流。

A.大于

B.小于

C.等于

28.在本征半導(dǎo)體中加入__(1)__元素可形成N型半導(dǎo)體,加入__(2)__元素可形成P型半導(dǎo)體。

(1)A.五價(jià)B.四價(jià)C.三價(jià)

(2)A.五價(jià)B.四價(jià)C.三價(jià)

29.當(dāng)溫度升高時(shí),二極管的反向飽和電流將_________

A.增大

B.不變

C.減小

30.工作在放大區(qū)的某三極管,如果當(dāng)BI從12μA增大22μA時(shí),CI從1mA變?yōu)?mA,那么它的β約為__________

A.83

B.91

C.100

31.硅二極管上外加正向電壓很低時(shí),正向電流幾乎為零,只有在外加電壓達(dá)到約_____V時(shí),正向電流才明顯增加,這個(gè)電壓稱為硅二極管的死區(qū)電壓。與硅二極管一樣,只有在鍺三極管上外加正向電壓達(dá)到約_____V時(shí),正向電流才明顯增加。這個(gè)電壓稱為鍺二極管的死區(qū)電壓。

(1)A.0.7VB.0.2VC.0.5VD.0.3V

(2)A.0.7VB.0.2VC.0.5VD.0.3V

二、判斷題(正確的選“Y”,錯(cuò)誤的選“N”)

1.P型半導(dǎo)體可通過在純凈半導(dǎo)體中摻入五價(jià)磷元素而獲得。(Y)(N)

2.在N型半導(dǎo)體中,摻入高濃度的三價(jià)雜質(zhì)改型為P型半導(dǎo)體。(Y)(N)

3.P型半導(dǎo)體帶正電,N型半導(dǎo)體帶負(fù)電。(Y)(N)

4.PN結(jié)內(nèi)的擴(kuò)散電流是載流子在電場(chǎng)作用下形成的。(Y)(N)

5.漂移電流是少數(shù)載流子在內(nèi)電場(chǎng)作用下形成的。(Y)(N)

6.由于PN結(jié)交界面兩邊存在電位差,所以,當(dāng)把PN結(jié)兩端短路時(shí)就有電流流過。(Y)(N)

7.PN結(jié)方程可以描述PN結(jié)的正向、特性和反向特性,也可以描述PN結(jié)的反向擊穿特性。(Y)(N)

8.N型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子是電子,因此N型半導(dǎo)體帶負(fù)電。(Y)(N)

11.在外電場(chǎng)作用下,半導(dǎo)體中同時(shí)出現(xiàn)電子電流和空穴電流。(Y)(N)

12.當(dāng)外加反向電壓增加時(shí),PN結(jié)的結(jié)電容將會(huì)增大。(Y)(N)

13.通常的BJT管在集電極和發(fā)射極互換使用時(shí),仍有較大的電流放大作用。(Y)(N)

14.通常的JEFT管在漏極和源極互換使用時(shí),仍有正常的放大作用。(Y)(N)

15.當(dāng)環(huán)境溫度升高時(shí),本征半導(dǎo)體中自由電子的數(shù)量增加,而空穴的數(shù)量基本不變。(Y)(N)

16.當(dāng)環(huán)境溫度升高時(shí),本征半導(dǎo)體中空穴和自由電子的數(shù)量都增加,且它們?cè)黾拥臄?shù)量相等。(Y)(N)

17.P型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子都是空穴,因此,P型半導(dǎo)體帶正電。(Y)(N)

18.PN結(jié)中的空間電荷區(qū)是由帶電的正,負(fù)離子形成的,因而它的電阻率很高。(Y)(N)

19.半導(dǎo)體二極管是根據(jù)PN結(jié)單向?qū)щ姷奶匦灾瞥?。因此,半?dǎo)體二極管也具有單向?qū)щ娦?。(Y)(N)

21.當(dāng)二極管兩端加正向電壓時(shí),二極管中有很大的正向電流通過。這個(gè)正向電流是由P型和N型半導(dǎo)體中多數(shù)載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生的。(Y)(N)

22.用萬用表判斷二極管的極性,若測(cè)得二極管的電阻很小,那么,與萬用表的紅表筆相接的電極是二極管的負(fù)極,與黑表筆相接的是二極管的正極。(Y)(N)

24.用萬用表歐姆擋測(cè)量二極管的正相電阻,用R×1檔測(cè)出的電阻值和用R×100擋測(cè)出的電阻值不相同,說明這個(gè)二極管的性能不穩(wěn)定。(Y)(N)

25.漂移電流是少數(shù)載流子形成的。(Y)(N)

26.當(dāng)晶體二極管加反向電壓時(shí),將有很小的反向電流通過,這個(gè)反向電流是由P型和N型半導(dǎo)體中少數(shù)載流子的漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生的。(Y)(N)

27.普通二極管反向擊穿后立即損壞,因?yàn)閾舸┒际遣豢赡娴摹#╕)(N)

28.正偏時(shí)二極管的動(dòng)態(tài)內(nèi)阻隨著流過二極管的正向電流的增加而減小。(Y)(N)

29.發(fā)光二極管內(nèi)部仍有一個(gè)PN結(jié),因而他同普通二極管一樣導(dǎo)通后的正向壓降為0.3V或0.7V。(Y)(N)

30.發(fā)光二極管的發(fā)光顏色是由采用的半導(dǎo)體的材料決定的。(Y)(N)

31.穩(wěn)壓二極管只要加上反向電壓就能起到穩(wěn)壓作用。(Y)(N)

32.整流二極管一般都采用面接觸型或平面型硅二極管。(Y)(N)

33.硅二極管存在一個(gè)結(jié)電容,這僅是由引腳和殼體形成的。(Y)(N)

34.P型半導(dǎo)體可以通過在本征半導(dǎo)體中摻入五價(jià)磷元素而得到。(Y)(N)

35.N型半導(dǎo)體可以通過在本征半導(dǎo)體正摻入三價(jià)銦元素而得到。(Y)(N)

36.N型半導(dǎo)體中,摻入高濃度的三價(jià)元素,可以改變?yōu)镻型半導(dǎo)體。(Y)(N)37.漂移電流是在內(nèi)電場(chǎng)作用先形成的。(Y)(N)

38.導(dǎo)體的價(jià)電子易于脫離原子核的束縛而在晶格中運(yùn)動(dòng)。(Y)(N)

39.導(dǎo)體中的空穴的移動(dòng)是借助于相鄰價(jià)電子于空穴復(fù)合而移動(dòng)的。(Y)(N)

40.施主雜質(zhì)成為離子后是正離子。(Y)(N)

41.受主雜質(zhì)成為離子后是負(fù)離子。(Y)(N)

43.極管的伏安特性方程式除了可以描述正向特性和反向特性外,還可以描述二極管的擊穿特性。(Y)(N)

題目系太原電力高等專科學(xué)校精品課程—電子技術(shù)基礎(chǔ)

4/wljx/jpkc/dzjs/exam/md01.asp

其中缺少題號(hào)的題目是與已有的題目重復(fù),故沒有寫出。答案是本人參考各資料整理,旨在學(xué)習(xí)交流,如有錯(cuò)誤,敬請(qǐng)指正。liuyj_chuxi@http://./doc/04801bd280eb6294dd886c96.html

答案:

選擇題:

1~5.ACCAB6~10.ACBDC

第9題中,2表示二極管,三極管則為3,A、B表示材料鍺,C、D表示材料硅,A、C表示N型,P表示普通,W表示穩(wěn)壓,Z表示整流,后面阿拉伯?dāng)?shù)字表示序號(hào)。

11~15.CDA(1)C(2)A(1)A(2)E(3)B(4)D

11題中兩個(gè)穩(wěn)壓管D1和D2,穩(wěn)定電壓分別是V1和V2,正向?qū)妷憾际?.7V,當(dāng)D1和D2都反接即工作在穩(wěn)壓狀態(tài)時(shí),穩(wěn)定電壓為V1+V2,若都正接即導(dǎo)通狀態(tài)時(shí),穩(wěn)定電壓為07V+0.7V=1.4V,若一個(gè)反接一個(gè)正接,則為V1+0.7V或V2+0.7V,所以共有4個(gè)穩(wěn)壓值。

13題中,穩(wěn)壓管D1和普通二極管D2,D1的穩(wěn)定電壓是V1,二者的正向?qū)妷憾际?.7V,

當(dāng)二者都反接時(shí),則輸出電壓為輸入電壓;若D1反接,D2正接,則穩(wěn)壓值為V1+0.7V,當(dāng)二者都正接,則穩(wěn)壓值為0.7+0.7=1.4V,若D1正接,D2反接,則輸出仍為輸入電壓。故只有兩種穩(wěn)壓值。

16.B17.C18.C

17題中,正向電流與正向電壓的關(guān)系為第2題C中的公式,電流隨電壓按指數(shù)形式增加。18題中,原題無圖,故從別的資料中找到的一幅圖,序號(hào)不相對(duì)應(yīng)。

21.(1)D(2)B23.C24.(1)C(2)C

26.C27.A28.(1)A(2)C29.A30.C

31.(1)C(2)B

一般典型值鍺管VVon3.0=,VVth1.0=,硅管VVon7.0=,VVth5.0=

此處選項(xiàng)只有0.2V,故第(2)選B。

判斷題:

1~5.NYNYY6~8.NNN

11.N12.N13.N14.N15.N

11題與選擇題第5題類似,對(duì)PN結(jié)加正向電壓,擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)大于漂移運(yùn)動(dòng),PN結(jié)內(nèi)的電流便由起支配地位的擴(kuò)散電流所決定;對(duì)PN結(jié)加反向電壓,漂移運(yùn)動(dòng)大于擴(kuò)散運(yùn)動(dòng),PN結(jié)內(nèi)的電流便由起支配地位的漂移電流所決定。

12題中PN結(jié)的結(jié)電容是勢(shì)壘電容和擴(kuò)散電容的總效果,結(jié)電容的大小除了與本身結(jié)構(gòu)和工藝有關(guān)外,還與外加電壓有關(guān)。當(dāng)PN結(jié)處于正向偏置時(shí),正向電阻很小,結(jié)電容較大,主要取決于擴(kuò)散電容;當(dāng)PN結(jié)處于反向偏置時(shí),反向電阻很大,結(jié)電容較小,主要取決于勢(shì)壘電容。當(dāng)反向電壓增加時(shí),PN結(jié)厚度增大,PN結(jié)厚度跟勢(shì)壘電容的關(guān)系,類似平板電容器跟極間距離成反比的關(guān)系。故PN結(jié)的結(jié)電容應(yīng)該是減小。

16.Y17.N18.N19.Y

18題半導(dǎo)體的電導(dǎo)率很高,但摻入微量雜質(zhì)后,電阻率會(huì)發(fā)生很大的變化,導(dǎo)電能力可增加幾十萬乃至幾百萬倍。

21.Y22.N24.N25.Y

26~30.YNYNY

29題中

二極管的管壓降:硅二極管(不發(fā)光類型)正向管壓降0.7V,鍺管正向管壓降為0.3V,發(fā)光二極管正向管壓降為隨不同發(fā)光顏色而不同。

1.直插超亮發(fā)光二極管壓降

主要有三種顏色,然而三種發(fā)光二極管的壓降都不相同,具體壓降參考值如下:紅色發(fā)光二極管的壓降為2

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