半導(dǎo)體器件(附答案)

7/7半導(dǎo)體器件(附答案)第一章、半導(dǎo)體器件（附答案）

一、選擇題

1．PN結(jié)加正向電壓時(shí)，空間電荷區(qū)將________

A.變窄

B.基本不變

C.變寬

2．設(shè)二極管的端電壓為u，則二極管的電流方程是________

A.B.C.

3．穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓是其工作在________

A.正向?qū)?/p>

B.反向截止

C.反向擊穿區(qū)

4．VUGS0=時(shí)，能夠工作在恒流區(qū)的場(chǎng)效應(yīng)管有________

A.結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管

B.增強(qiáng)型MOS管

C.耗盡型MOS管

5．對(duì)PN結(jié)增加反向電壓時(shí)，參與導(dǎo)電的是________

A.多數(shù)載流子

B.少數(shù)載流子

C.既有多數(shù)載流子又有少數(shù)載流子

6．當(dāng)溫度增加時(shí)，本征半導(dǎo)體中的自由電子和空穴的數(shù)量_____

A.增加

B.減少

C.不變

7．用萬(wàn)用表的R×100Ω檔和R×1KΩ檔分別測(cè)量一個(gè)正常二極管的正向電阻，兩次測(cè)

量結(jié)果______

A.相同

B.第一次測(cè)量植比第二次大

C.第一次測(cè)量植比第二次小

8．面接觸型二極管適用于____

A.高頻檢波電路

B.工頻整流電路

9．下列型號(hào)的二極管中可用于檢波電路的鍺二極管是：____

A.2CZ11

B.2CP10

C.2CW11

D.2AP6

10．當(dāng)溫度為20℃時(shí)測(cè)得某二極管的在路電壓為VUD7.0=。若其他參數(shù)不變，當(dāng)溫度上

升到40℃，則DU的大小將____

A.等于0.7V

B.大于0.7V

C.小于0.7V

11．當(dāng)兩個(gè)穩(wěn)壓值不同的穩(wěn)壓二極管用不同的方式串聯(lián)起來(lái)，可組成的穩(wěn)壓值有_____

A.兩種

B.三種

C.四種

12．在圖中，穩(wěn)壓管1WV和2WV的穩(wěn)壓值分別為6V和7V，且工作在穩(wěn)壓狀態(tài)，由此可知輸

出電壓OU為_(kāi)____

A.6V

B.7V

C.0V

D.1V

13．將一只穩(wěn)壓管和一只普通二極管串聯(lián)后，可得到的穩(wěn)壓值是（）

A.兩種

B.三種

C.四種

14．在雜質(zhì)半導(dǎo)體中，多數(shù)載流子的濃度主要取決于__（1）__，而少數(shù)載流子的濃度與__

（2）__有很大關(guān)系。

（1）A.溫度B.摻雜工藝C.雜質(zhì)濃度D.晶體缺陷

（2）A.溫度B.摻雜工藝C.雜質(zhì)濃度D.晶體缺陷

15．當(dāng)PN結(jié)外加正向電壓時(shí)，擴(kuò)散電流__（1）__漂移電流，耗盡層__（2）__，當(dāng)PN結(jié)

外加反向電壓時(shí)，擴(kuò)散電流__（3）__漂移電流，耗盡層__（4）__。

（1）A.大于B.小于C.等于D.變寬E.變窄F.不變

（2）A.大于B.小于C.等于D.變寬E.變窄F.不變

（3）A.大于B.小于C.等于D.變寬E.變窄F.不變

（4）A.大于B.小于C.等于D.變寬E.變窄F.不變

16．甲、乙、丙三個(gè)二極管的正、反向特性如表1.6所示，你認(rèn)為哪一個(gè)二極管的性能最

好？

A.甲

B.乙

C.丙

17.一個(gè)硅二極管在正向電壓VUD6.0=時(shí)，正向電流mAID10=。若DU增大到0.66V

（即增加10%），則電流DI________

A.約為11mA（也增加10%）

B.約為20mA（增大1倍）

C.約為100mA（增大到原先的10倍）

D.仍為10mA（基本不變）

18.在如下圖所示的電路中，當(dāng)電源V1=5V時(shí)，測(cè)得I=1mA。若把電源電壓調(diào)整V1=10V，

則電流的大小將V1=5V是________。

A.I=2mA

B.I〈2mA

C.I〉2mA

21.在P型半導(dǎo)體中，多數(shù)載流子是_（1）_，在N型半導(dǎo)體中，多數(shù)載流子是_（2）

（1）A.正離子B.自由電子C.負(fù)離子D.空穴

（1）A.正離子B.自由電子C.負(fù)離子D.空穴

23.本征半導(dǎo)體溫度升高以后，自由電子和空穴的變化情況是________。

A.自由電子數(shù)目增加，空穴數(shù)目不變

B.空穴數(shù)目增加，自由電子數(shù)目不變

C.自由電子和空穴數(shù)目等量增加

24.N型半導(dǎo)體__（1）__，P型半導(dǎo)體__（2）__。

（1）A.帶正電B.帶負(fù)電C.呈電中性

（2）A.帶正電B.帶負(fù)電C.呈電中性

26.PN結(jié)外加反向電壓時(shí)，其內(nèi)電場(chǎng)________。

A.減弱

B.不變

C.增強(qiáng)

27.PN結(jié)在外加正向電壓的作用下，擴(kuò)散電流_______漂移電流。

A.大于

B.小于

C.等于

28.在本征半導(dǎo)體中加入__（1）__元素可形成N型半導(dǎo)體，加入__（2）__元素可形成P型半導(dǎo)體。

（1）A.五價(jià)B.四價(jià)C.三價(jià)

（2）A.五價(jià)B.四價(jià)C.三價(jià)

29.當(dāng)溫度升高時(shí)，二極管的反向飽和電流將_________

A.增大

B.不變

C.減小

30.工作在放大區(qū)的某三極管，如果當(dāng)BI從12μA增大22μA時(shí)，CI從1mA變?yōu)?mA，那么它的β約為_(kāi)_________

A.83

B.91

C.100

31.硅二極管上外加正向電壓很低時(shí)，正向電流幾乎為零，只有在外加電壓達(dá)到約_____V時(shí)，正向電流才明顯增加，這個(gè)電壓稱(chēng)為硅二極管的死區(qū)電壓。與硅二極管一樣，只有在鍺三極管上外加正向電壓達(dá)到約_____V時(shí)，正向電流才明顯增加。這個(gè)電壓稱(chēng)為鍺二極管的死區(qū)電壓。

（1）A.0.7VB.0.2VC.0.5VD.0.3V

（2）A.0.7VB.0.2VC.0.5VD.0.3V

二、判斷題(正確的選“Y”，錯(cuò)誤的選“N”)

1.P型半導(dǎo)體可通過(guò)在純凈半導(dǎo)體中摻入五價(jià)磷元素而獲得。（Y）（N）

2.在N型半導(dǎo)體中，摻入高濃度的三價(jià)雜質(zhì)改型為P型半導(dǎo)體。（Y）（N）

3.P型半導(dǎo)體帶正電，N型半導(dǎo)體帶負(fù)電。（Y）（N）

4.PN結(jié)內(nèi)的擴(kuò)散電流是載流子在電場(chǎng)作用下形成的。（Y）（N）

5.漂移電流是少數(shù)載流子在內(nèi)電場(chǎng)作用下形成的。（Y）（N）

6.由于PN結(jié)交界面兩邊存在電位差，所以，當(dāng)把PN結(jié)兩端短路時(shí)就有電流流過(guò)。（Y）（N）

7.PN結(jié)方程可以描述PN結(jié)的正向、特性和反向特性，也可以描述PN結(jié)的反向擊穿特性。（Y）（N）

8．N型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子是電子，因此N型半導(dǎo)體帶負(fù)電。（Y）（N）

11．在外電場(chǎng)作用下，半導(dǎo)體中同時(shí)出現(xiàn)電子電流和空穴電流。（Y）（N）

12．當(dāng)外加反向電壓增加時(shí)，PN結(jié)的結(jié)電容將會(huì)增大。（Y）（N）

13．通常的BJT管在集電極和發(fā)射極互換使用時(shí)，仍有較大的電流放大作用。（Y）（N）

14．通常的JEFT管在漏極和源極互換使用時(shí)，仍有正常的放大作用。（Y）（N）

15．當(dāng)環(huán)境溫度升高時(shí)，本征半導(dǎo)體中自由電子的數(shù)量增加，而空穴的數(shù)量基本不變。（Y）（N）

16．當(dāng)環(huán)境溫度升高時(shí)，本征半導(dǎo)體中空穴和自由電子的數(shù)量都增加，且它們?cè)黾拥臄?shù)量相等。（Y）（N）

17．P型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子都是空穴，因此，P型半導(dǎo)體帶正電。（Y）（N）

18．PN結(jié)中的空間電荷區(qū)是由帶電的正，負(fù)離子形成的，因而它的電阻率很高。（Y）（N）

19．半導(dǎo)體二極管是根據(jù)PN結(jié)單向?qū)щ姷奶匦灾瞥伞Ｒ虼?，半?dǎo)體二極管也具有單向?qū)щ娦?。（Y）（N）

21．當(dāng)二極管兩端加正向電壓時(shí)，二極管中有很大的正向電流通過(guò)。這個(gè)正向電流是由P型和N型半導(dǎo)體中多數(shù)載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生的。（Y）（N）

22．用萬(wàn)用表判斷二極管的極性，若測(cè)得二極管的電阻很小，那么，與萬(wàn)用表的紅表筆相接的電極是二極管的負(fù)極，與黑表筆相接的是二極管的正極。（Y）（N）

24．用萬(wàn)用表歐姆擋測(cè)量二極管的正相電阻，用R×1檔測(cè)出的電阻值和用R×100擋測(cè)出的電阻值不相同，說(shuō)明這個(gè)二極管的性能不穩(wěn)定。（Y）（N）

25．漂移電流是少數(shù)載流子形成的。（Y）（N）

26．當(dāng)晶體二極管加反向電壓時(shí)，將有很小的反向電流通過(guò)，這個(gè)反向電流是由P型和N型半導(dǎo)體中少數(shù)載流子的漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生的。（Y）（N）

27.普通二極管反向擊穿后立即損壞，因?yàn)閾舸┒际遣豢赡娴摹＃╕）（N）

28.正偏時(shí)二極管的動(dòng)態(tài)內(nèi)阻隨著流過(guò)二極管的正向電流的增加而減小。（Y）（N）

29.發(fā)光二極管內(nèi)部仍有一個(gè)PN結(jié)，因而他同普通二極管一樣導(dǎo)通后的正向壓降為0.3V或0.7V。（Y）（N）

30.發(fā)光二極管的發(fā)光顏色是由采用的半導(dǎo)體的材料決定的。（Y）（N）

31.穩(wěn)壓二極管只要加上反向電壓就能起到穩(wěn)壓作用。（Y）（N）

32.整流二極管一般都采用面接觸型或平面型硅二極管。（Y）（N）

33.硅二極管存在一個(gè)結(jié)電容，這僅是由引腳和殼體形成的。（Y）（N）

34.P型半導(dǎo)體可以通過(guò)在本征半導(dǎo)體中摻入五價(jià)磷元素而得到。（Y）（N）

35.N型半導(dǎo)體可以通過(guò)在本征半導(dǎo)體正摻入三價(jià)銦元素而得到。（Y）（N）

36.N型半導(dǎo)體中，摻入高濃度的三價(jià)元素，可以改變?yōu)镻型半導(dǎo)體。（Y）（N）37．漂移電流是在內(nèi)電場(chǎng)作用先形成的。（Y）（N）

38．導(dǎo)體的價(jià)電子易于脫離原子核的束縛而在晶格中運(yùn)動(dòng)。（Y）（N）

39．導(dǎo)體中的空穴的移動(dòng)是借助于相鄰價(jià)電子于空穴復(fù)合而移動(dòng)的。（Y）（N）

40．施主雜質(zhì)成為離子后是正離子。（Y）（N）

41．受主雜質(zhì)成為離子后是負(fù)離子。（Y）（N）

43．極管的伏安特性方程式除了可以描述正向特性和反向特性外，還可以描述二極管的擊穿特性。（Y）（N）

題目系太原電力高等專(zhuān)科學(xué)校精品課程—電子技術(shù)基礎(chǔ)

4/wljx/jpkc/dzjs/exam/md01.asp

其中缺少題號(hào)的題目是與已有的題目重復(fù)，故沒(méi)有寫(xiě)出。答案是本人參考各資料整理，旨在學(xué)習(xí)交流，如有錯(cuò)誤，敬請(qǐng)指正。liuyj_chuxi@http://./doc/04801bd280eb6294dd886c96.html

答案：

選擇題：

1~5.ACCAB6~10.ACBDC

第9題中，2表示二極管，三極管則為3，A、B表示材料鍺，C、D表示材料硅，A、C表示N型，P表示普通，W表示穩(wěn)壓，Z表示整流，后面阿拉伯?dāng)?shù)字表示序號(hào)。

11~15.CDA(1)C(2)A(1)A(2)E(3)B(4)D

11題中兩個(gè)穩(wěn)壓管D1和D2，穩(wěn)定電壓分別是V1和V2，正向?qū)妷憾际?.7V，當(dāng)D1和D2都反接即工作在穩(wěn)壓狀態(tài)時(shí)，穩(wěn)定電壓為V1+V2，若都正接即導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，穩(wěn)定電壓為07V+0.7V＝1.4V，若一個(gè)反接一個(gè)正接，則為V1+0.7V或V2+0.7V，所以共有4個(gè)穩(wěn)壓值。

13題中，穩(wěn)壓管D1和普通二極管D2，D1的穩(wěn)定電壓是V1，二者的正向?qū)妷憾际?.7V，

當(dāng)二者都反接時(shí)，則輸出電壓為輸入電壓；若D1反接，D2正接，則穩(wěn)壓值為V1+0.7V，當(dāng)二者都正接，則穩(wěn)壓值為0.7+0.7＝1.4V，若D1正接，D2反接，則輸出仍為輸入電壓。故只有兩種穩(wěn)壓值。

16.B17.C18.C

17題中，正向電流與正向電壓的關(guān)系為第2題C中的公式，電流隨電壓按指數(shù)形式增加。18題中，原題無(wú)圖，故從別的資料中找到的一幅圖，序號(hào)不相對(duì)應(yīng)。

21.（1）D（2）B23.C24.（1）C（2）C

26.C27.A28.（1）A（2）C29.A30.C

31.（1）C（2）B

一般典型值鍺管VVon3.0=，VVth1.0=，硅管VVon7.0=，VVth5.0=

此處選項(xiàng)只有0.2V，故第（2）選B。

判斷題：

1~5.NYNYY6~8.NNN

11.N12.N13.N14.N15.N

11題與選擇題第5題類(lèi)似，對(duì)PN結(jié)加正向電壓，擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)大于漂移運(yùn)動(dòng)，PN結(jié)內(nèi)的電流便由起支配地位的擴(kuò)散電流所決定；對(duì)PN結(jié)加反向電壓，漂移運(yùn)動(dòng)大于擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，PN結(jié)內(nèi)的電流便由起支配地位的漂移電流所決定。

12題中PN結(jié)的結(jié)電容是勢(shì)壘電容和擴(kuò)散電容的總效果，結(jié)電容的大小除了與本身結(jié)構(gòu)和工藝有關(guān)外，還與外加電壓有關(guān)。當(dāng)PN結(jié)處于正向偏置時(shí)，正向電阻很小，結(jié)電容較大，主要取決于擴(kuò)散電容；當(dāng)PN結(jié)處于反向偏置時(shí)，反向電阻很大，結(jié)電容較小，主要取決于勢(shì)壘電容。當(dāng)反向電壓增加時(shí)，PN結(jié)厚度增大，PN結(jié)厚度跟勢(shì)壘電容的關(guān)系，類(lèi)似平板電容器跟極間距離成反比的關(guān)系。故PN結(jié)的結(jié)電容應(yīng)該是減小。

16.Y17.N18.N19.Y

18題半導(dǎo)體的電導(dǎo)率很高，但摻入微量雜質(zhì)后，電阻率會(huì)發(fā)生很大的變化，導(dǎo)電能力可增加幾十萬(wàn)乃至幾百萬(wàn)倍。

21.Y22.N24.N25.Y

26~30.YNYNY

29題中

二極管的管壓降：硅二極管（不發(fā)光類(lèi)型）正向管壓降0.7V，鍺管正向管壓降為0.3V,發(fā)光二極管正向管壓降為隨不同發(fā)光顏色而不同。

1.直插超亮發(fā)光二極管壓降

主要有三種顏色，然而三種發(fā)光二極管的壓降都不相同，具體壓降參考值如下：紅色發(fā)光二極管的壓降為2