GB/T 16649.1-2006識(shí)別卡帶觸點(diǎn)的集成電路卡第1部分：物理特性

ICS35.240.15L64中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T16649.1—2006代替GB/T16649.1-1996識(shí)別卡帶觸點(diǎn)的集成電路卡第1部分:物理特性Identificationcards-Integratedcircuit(s）cardswithcontacts-Part1:Physicalcharacteristics（ISO/IEC7816-1:1998.MOD)2006-03-14發(fā)布2006-07-01實(shí)施中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T16649.1-2006三次前言1范圍2規(guī)范性引用文件3術(shù)語(yǔ)和定義4物理特性

GB/T16649.1-2006GB/T16649《識(shí)別卡帶觸點(diǎn)的集成電路卡》擬分為十二個(gè)部分：第1部分：物理特性；第2部分：觸點(diǎn)的尺寸和位置;第3部分：電信號(hào)和傳輸協(xié)議;第4部分：行業(yè)間交換用命令；第5部分：應(yīng)用標(biāo)識(shí)符的國(guó)家編號(hào)體系和注冊(cè)規(guī)程：第6部分：行業(yè)間數(shù)據(jù)元；第7部分：用于結(jié)構(gòu)化卡查詢(xún)語(yǔ)言（SCQL)的行業(yè)間命令；第8部分：與安全相關(guān)的行業(yè)間命令;第9部分：附加的行業(yè)間命令和安全屬性：第10部分：同步卡的電信號(hào)和復(fù)位應(yīng)答：第11部分：集成電路卡上通過(guò)生物方法的身份驗(yàn)證第12部分：帶觸點(diǎn)集成電路卡的USB接口。本部分為GB/T16649的第1部分：本部分修改采用國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)ISO/IEC7816-1：1998《識(shí)別卡帶觸點(diǎn)的集成電路卡第1部分：物理特性》英文版）本部分與ISO/IEC7816-1:1998相比,存在如下少量技術(shù)性差異“）本部分增加了4.2.7電磁場(chǎng)，在ISO/IEC7816-1:1998中并無(wú)這一條.但在新版測(cè)試方法標(biāo)準(zhǔn)中引用到了ISO/IEC7816-1:1998中這一條，因此增加該條：b）將4.2.4(卡和觸點(diǎn)的)機(jī)械強(qiáng)度改為芯片面積小于4mm2和大于等于4mm2兩種情況下兩種測(cè)試方法：c）將4.2.5(觸點(diǎn)的)電阻的測(cè)試方法改為GB/T17554.3中規(guī)定的測(cè)試方法和接收標(biāo)準(zhǔn)本部分代替GB/T16649.1—1996《識(shí)別卡帶觸點(diǎn)的集成電路卡第1部分：物理特性》。本部分與GB/T16649.1—1996相比主要變化如下：融點(diǎn)的表面輪席中,所有的觸點(diǎn)與其附近的卡表面平面之間的高度差應(yīng)小于0.10mm改為"向上不超過(guò)0.05mm,向下不超過(guò)0.1mm”;b）機(jī)械強(qiáng)度的測(cè)試方法從"點(diǎn)壓力”一種分為兩種:點(diǎn)壓力”和"三輪測(cè)試”；C）觸點(diǎn)電阻的測(cè)試方法改為見(jiàn)GB/T17554.3；d）IC卡的抗靜電條件從1500V上升到了2000V.GB/T16649是描述識(shí)別卡的參數(shù)和交換中識(shí)別卡使用的系列國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)之一。下面列出了這些國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)的預(yù)計(jì)結(jié)構(gòu)及其對(duì)應(yīng)的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)以及所代替的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)：）GB/T14916《識(shí)別卡物理特性》ISO/IEC7810:2003.代替GB/T14916-1994)b）GB/T15120《識(shí)別卡記錄技術(shù)》，分為：-第1部分：凸印(ISO/IEC7811-1:1985)；-第2部分：磁條(ISO/IEC7811-2:1985)；-第3部分：ID-1型卡上凸印字符的位置(ISO/IEC7811-3:1985)；第4部分：只讀磁道的第1磁道和第2磁道的位置(ISO/IEC7811-4:1985)；-第5部分：讀寫(xiě)磁道的第3磁道的位置(ISO/IEC7811-5:1985)

GB/T16649.1—2006c）GB/T15694《識(shí)別卡發(fā)卡者標(biāo)識(shí)》,分為：-第1部分：編號(hào)體系(ISO/IEC7812-1:1993)；-第2部分：申請(qǐng)和注冊(cè)規(guī)程(ISO/IEC7812-2:2000).d）GB/T17552《識(shí)別卡金融交易卡》。e）GB/T17554《識(shí)別卡測(cè)試方法》.分為：-第1部分：一般特性測(cè)試(ISO/IEC10373-1:1998,代替GB/T17554--1998）：-第2部分：帶磁條的卡(ISO/IEC10373-2:1998)；-第3部分：帶觸點(diǎn)的集成電路卡及其相關(guān)接口設(shè)備(ISO/IEC10373-3:2001）：第5部分：光記憶卡（ISO/IEC10373-5：1998)：-第6部分：接近式卡(ISO/IEC10373-6:2001)；-第7部分：鄰近式卡(ISO/IEC10373-7:2001)。GB/T17551《識(shí)別卡光記憶卡一般特性》。GB/T17550《識(shí)別卡光記憶卡線(xiàn)性記錄方法》.分為：一第1部分：物理特性(ISO/IEC11694-1:1994)；-第2部分：可訪(fǎng)間光區(qū)域的尺寸和位置(ISO/IEC11694-2:1995)；-第3部分：光屬性和特性(ISO/IEC11694-3:1995)；-第4部分：邏輯數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)(ISO/IEC11694-4:1996)本部分由中華人民共和國(guó)信息產(chǎn)業(yè)部提出。本部分由中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究所歸口。本部分起草單位：中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究所本部分主要起草人：金倩、馮敬、蔡懷忠、耿力.

GB/T16649.1-2006識(shí)別卡帶觸點(diǎn)的集成電路卡第1部分:物理特性1范圍GB/T16649的本部分規(guī)定了帶觸點(diǎn)的集成電路卡的物理特性。它適用于可能包含凸印和/或磁條(如ISO/IEC7811中所規(guī)定)的ID-1型識(shí)別卡。本部分適用于帶有電觸點(diǎn)的物理接口的卡.但是沒(méi)有規(guī)定卡上集成電路的性質(zhì)、數(shù)目和位置。?。浩渌?lèi)型IC卡、格式或接口的未來(lái)發(fā)展將會(huì)要求對(duì)本部分進(jìn)行補(bǔ)充.或者導(dǎo)致制定另外的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)。規(guī)范性引用文件下列文件中的條款通過(guò)本部分的引用而成為本部分的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有的修改單（不包括勒誤的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本部分.然而，鼓勵(lì)根據(jù)本部分達(dá)成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本部分。GB/T14916-2006識(shí)別卡物理特性(ISO/IEC/FDIS7810:2003.IDT）GB/T17554.1-2006識(shí)別卡測(cè)試方法第1部分：一般特性測(cè)試(ISO/IEC10373-1:1998.MOD）GB/T17554.3-2006識(shí)別卡測(cè)試方法第3部分：帶觸點(diǎn)的集成電路卡及其相關(guān)接口設(shè)備（ISO/IEC10373-3:2001,MOD）ISO/IEC7811識(shí)別卡記錄技術(shù)GB/T17552-1998識(shí)別卡金融交易卡(idtISO/IEC7813:1995)3術(shù)語(yǔ)和定義下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于（B/T16649的本部分3.1集成電路integratedcircuit(s)為執(zhí)行處理和/或存儲(chǔ)功能而設(shè)計(jì)的電子器件。集成電路卡(ICCard）integratedcircuit(s）card內(nèi)部封裝一個(gè)或多個(gè)集成電路的ID-1型卡(如GB/T14916—2006中所定義)。3.3觸點(diǎn)Contact保持集成電路和外部接口設(shè)備間電流連續(xù)性的導(dǎo)電元件物理特性下列物理特性描述了嵌入了帶觸點(diǎn)的集成電路的ID-1型卡(符合GB/T14916—20