GB/T 1555-2009半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法

犐犆犛２９．０４５

犎８０

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

犌犅／犜１５５５—２００９

代替ＧＢ／Ｔ１５５５—１９９７

半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法

犜犲狊狋犻狀犵犿犲狋犺狅犱狊犳狅狉犱犲狋犲狉犿犻狀犻狀犵狋犺犲狅狉犻犲狀狋犪狋犻狅狀狅犳

犪狊犲犿犻犮狅狀犱狌犮狋狅狉狊犻狀犵犾犲犮狉狔狊狋犪犾

２００９１０３０發(fā)布２０１００６０１實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局

發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

書

犌犅／犜１５５５—２００９

前言

本標(biāo)準(zhǔn)代替ＧＢ／Ｔ１５５５—１９９７《半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法》。

本標(biāo)準(zhǔn)與ＧＢ／Ｔ１５５５—１９９７相比，主要有如下變化：

———增加了“術(shù)語(yǔ)”章；

———增加了“干擾因素”章；

———將原標(biāo)準(zhǔn)定向推薦腐蝕工藝中“硅的腐蝕時(shí)間５ｍｉｎ”改為“硅的腐蝕時(shí)間３ｍｉｎ～５ｍｉｎ”。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)歸口。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：峨嵋半導(dǎo)體材料廠。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：楊旭、何蘭英。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為：

———ＧＢ１５５５—１９７９、ＧＢ１５５６—１９７９、ＧＢ５２５４—１９８５、ＧＢ５２５５—１９８５、ＧＢ８７５９—１９８８；

———ＧＢ／Ｔ１５５５—１９９７。

Ⅰ

書

犌犅／犜１５５５—２００９

半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法

１范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體單晶晶向Ｘ射線衍射定向和光圖定向的方法。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于測(cè)定半導(dǎo)體單晶材料大致平行于低指數(shù)原子面的表面取向。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過(guò)本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而，鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

ＧＢ／Ｔ２４８１．１固結(jié)磨具用磨料粒度組成的檢測(cè)和標(biāo)記第１部分：粗磨粒Ｆ４～Ｆ２２０

ＧＢ／Ｔ２４８１．２固結(jié)磨具用磨料粒度組成的檢測(cè)和標(biāo)記第２部分：微粉Ｆ２３０～Ｆ１２００

ＧＢ／Ｔ１４２６４半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)

３術(shù)語(yǔ)和定義

ＧＢ／Ｔ１４２６４規(guī)定的術(shù)語(yǔ)和定義適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

方法１犡射線衍射法定向法

４方法提要

４．１以三維周期性晶體結(jié)構(gòu)排列的單晶的原子，其晶體可以看作原子排列于空間垂直距離為犱的一

系列平行平面所形成，當(dāng)一束平行的單色Ｘ射線射入該平面上，且Ｘ射線照在相鄰平面之間的光程差

為其波長(zhǎng)的整數(shù)倍即狀倍時(shí)，就會(huì)產(chǎn)生衍射（反射）。利用計(jì)數(shù)器探測(cè)衍射線，根據(jù)其出現(xiàn)的位置即可確

定單晶的晶向，如圖１所示。當(dāng)入射光束與反射平面之間夾角θ、Ｘ射線波長(zhǎng)λ、晶面間距犱及衍射級(jí)數(shù)

狀同時(shí)滿足下面布喇格定律取值時(shí)，Ｘ射線衍射光束強(qiáng)度將達(dá)到最大值；

狀λ＝２犱ｓｉｎθ…………（１）

對(duì)于立方晶胞結(jié)構(gòu)：

犱＝犪／（犺２＋犽２＋犾２）１／２…………（２）

ｓｉｎθ＝狀λ（犺２＋犽２＋犾２）１／２／２犪…………（３）

式中：

犪———晶格常數(shù)；

犺、犽、犾———反射平面的密勒指數(shù)。

對(duì)于硅、鍺等Ⅳ族半導(dǎo)體、砷化鎵及其他ⅢⅤ族半導(dǎo)體，通?？捎^察到反射一般遵循以下規(guī)則：犺、犽

和犾必須具有一致的奇偶性，并且當(dāng)其全為偶數(shù)時(shí)，犺＋犽＋犾一定能被４整除。表１列出了硅、鍺及砷化

鎵單晶低指數(shù)反射面對(duì)于銅靶衍射的θ角取值。

４．２