電容屏硬件理論知識(shí)

電容屏硬件理論知識(shí)

問(wèn)題先保存在腦海中！〕CopyrightGoodixLtd.AllRightsReserved.匯頂科技電容屏硬件理論知識(shí)CopyrightGoodixLtd.AllRightsReserved.1.互電容定義及Tuoch示意圖2.互電容等效模型3.互電容檢測(cè)特點(diǎn)1.平行板電容器2.懸浮模型3.RC常數(shù)分析4.走線阻抗分析5.通道pitch分析

目錄

問(wèn)題：

火炮怎樣是射落飛機(jī)的？

〔問(wèn)題先保存在腦海中！〕

問(wèn)題

先保存在

腦海中主角登場(chǎng)

主角座駕

炮炮兵的故事

炮炮兵雷達(dá)兵火炮營(yíng)長(zhǎng)官炮炮兵小分隊(duì)炮炮兵的故事

敵機(jī)來(lái)襲。。。炮炮兵的故事雷達(dá)炮炮兵的故事1.雷達(dá)兵通過(guò)雷達(dá)偵測(cè)到敵機(jī)準(zhǔn)確坐標(biāo)；準(zhǔn)確坐標(biāo)實(shí)時(shí)傳送給火炮營(yíng)長(zhǎng)官；噢噢噢噢哦

3.火炮營(yíng)長(zhǎng)官下達(dá)攻擊命令，并將敵機(jī)準(zhǔn)確坐標(biāo)傳送給炮炮兵；

4.炮炮兵瞄準(zhǔn)坐標(biāo)，啟動(dòng)火炮，攻擊敵機(jī)；1111腦海中！〕炮炮兵的故事

炮炮兵雷達(dá)兵火炮營(yíng)長(zhǎng)官發(fā)命令收坐標(biāo)炮炮兵的故事

敵機(jī)墜毀。。。炮炮兵的故事

炮炮兵小分隊(duì)勝利！?。‰娙萦|控手機(jī)

問(wèn)題：

為什么手指Touch觸控屏幕，手機(jī)就可以有響應(yīng)？

〔問(wèn)題先保存在腦海中！〕Tuoch示意圖

炮炮兵=LCD屏雷達(dá)=觸控屏火炮營(yíng)長(zhǎng)官=主控發(fā)命令收坐標(biāo)概念互換概念互換

電容小分隊(duì)炮炮兵小分隊(duì)=

炮炮兵小分隊(duì)：1.火炮射程2002km111111

2.雷達(dá)監(jiān)測(cè)面積4002km電容小分隊(duì)：1.驅(qū)動(dòng)覆蓋面積82mm2.感應(yīng)監(jiān)測(cè)面積82mm問(wèn)題又來(lái)了：要覆蓋更大的地盤，怎么辦？增加小分隊(duì)！??！火炮與電容屏比對(duì)關(guān)系

炮炮兵小分隊(duì)：1.火炮射程2002km111111

2.雷達(dá)監(jiān)測(cè)面積4002km電容小分隊(duì)：1.驅(qū)動(dòng)覆蓋面積82mm2.感應(yīng)監(jiān)測(cè)面積82mm問(wèn)題又來(lái)了：要覆蓋更大的地盤，怎么辦？增加小分隊(duì)?。。』鹋谂c電容屏比對(duì)關(guān)系

觸控屏ITO圖案寸屏手機(jī)

觸控屏ITO圖案我們似乎忘記了一個(gè)問(wèn)題：

炮炮兵小分隊(duì)：可以躲在深山里，以防止被敵人發(fā)現(xiàn)

電容小分隊(duì)？------透明的導(dǎo)體

我們似乎忘記了一個(gè)問(wèn)題：

炮炮兵小分隊(duì)：可以躲在深林里，以防止被敵人發(fā)現(xiàn)

電容小分隊(duì)？

------透明的導(dǎo)體

我們似乎忘記了一個(gè)問(wèn)題：

炮炮兵小分隊(duì)：可以躲在深林里，以防止被敵人發(fā)現(xiàn)

電容小分隊(duì)？

------透明的導(dǎo)體

透明的導(dǎo)體

世界就是這么神奇?。。【尤痪陀幸环N透明的導(dǎo)電物質(zhì)可以使用它叫做“銦錫氧化物〞英文名稱簡(jiǎn)寫為“ITO〔IndiumTinOxide〕〞PS:玻璃為承載ITO的基材

觸控屏ITO導(dǎo)電玻璃構(gòu)造紅色為收！藍(lán)色為發(fā)！

觸控屏ITO示意圖案觸控屏實(shí)物

觸控屏手機(jī)

水果忍者

憤怒的小鳥(niǎo)

CopyrightGoodixLtd.AllRightsReserved.互電容根本介紹兩個(gè)或多個(gè)導(dǎo)體相互耦合而產(chǎn)生的耦合電容被稱為互耦電容。驅(qū)動(dòng)通道與感應(yīng)通道兩者之間會(huì)產(chǎn)生耦合電容，為TX與RX的互電容。Tuoch示意圖工作原理：當(dāng)手指或其它導(dǎo)體靠近電容感應(yīng)傳感器時(shí)，由于人體相當(dāng)于接地的導(dǎo)體，手指與感應(yīng)傳感器之間形成了一個(gè)手指的電容，驅(qū)動(dòng)電極TX與感應(yīng)電極RX之間電場(chǎng)能量中的一局部流向了手指，感應(yīng)電極上接收到的感應(yīng)信號(hào)幅度將減少，幅度變化大小與手指電容大小成正比。使用AD轉(zhuǎn)換器檢測(cè)感應(yīng)信號(hào)幅度變化就可以知道是否有手指的觸摸。CopyrightGoodixLtd.AllRightsReserved.

二.互電容電容傳感器等效模型：Rd：驅(qū)動(dòng)通道阻抗；Rs：感應(yīng)通道阻抗；Cx：感應(yīng)驅(qū)動(dòng)節(jié)點(diǎn)互電容Cd：驅(qū)動(dòng)通道對(duì)地自電容；Cs：感應(yīng)通道對(duì)地自電容；檢測(cè)原理：Goodix芯片對(duì)電容的檢測(cè)是基于調(diào)制和解調(diào)原理來(lái)實(shí)現(xiàn)的。在待測(cè)電容Cx的兩端分別接鼓勵(lì)信號(hào)源和檢測(cè)電路，工作時(shí)鼓勵(lì)信號(hào)源輸出一脈沖群信號(hào)對(duì)Cx進(jìn)展調(diào)制。隨著調(diào)制信號(hào)的上下電平變化，將會(huì)有脈沖電流流過(guò)Cx。測(cè)量脈沖電流的變化就可以計(jì)算出Cx的變化?；ル娙莞窘榻BCopyrightGoodixLtd.AllRightsReserved.三.互電容檢測(cè)方式特點(diǎn)：檢測(cè)行列穿插處的互電容(耦合電容CM)變化?有手指觸摸時(shí)互電容減小?行加驅(qū)動(dòng)鼓勵(lì)信號(hào),列進(jìn)展感應(yīng)每一個(gè)掃描周期，行和每列穿插點(diǎn)都需單獨(dú)掃描檢測(cè)每一個(gè)掃描周期掃描次數(shù)：行數(shù)*列數(shù)驅(qū)動(dòng)和感應(yīng)單元之間形成邊緣電容行列穿插重疊處會(huì)產(chǎn)生耦合電容注意：感應(yīng)單元的自感應(yīng)電容依然存在,但不必進(jìn)展測(cè)量互電容根本介紹GT9XX檢測(cè)特點(diǎn)：1、驅(qū)動(dòng)電極和感應(yīng)電極結(jié)點(diǎn)間存在耦合電容，這個(gè)電容稱為互電容C，通常為2pf左右。2、GT968有17條驅(qū)動(dòng)，10條感應(yīng)，每條驅(qū)動(dòng)對(duì)于10個(gè)感應(yīng)節(jié)點(diǎn)，17*10，因此共有170個(gè)結(jié)點(diǎn)參與軟件運(yùn)算。3、每個(gè)結(jié)點(diǎn)通過(guò)ITO圖形連接至感應(yīng)通道，因此每個(gè)結(jié)點(diǎn)與芯片〔引腳〕感應(yīng)通道間存在阻抗R。此R等于節(jié)點(diǎn)處的ITO電阻+走線電阻+其它電阻。4、GT9XX驅(qū)動(dòng)電極按串行方式逐一產(chǎn)生鼓勵(lì)信號(hào)。先TX1產(chǎn)生信號(hào)，R1-R4接收，然后再TX2產(chǎn)生信號(hào)。5、某一驅(qū)動(dòng)產(chǎn)生鼓勵(lì)信號(hào)時(shí)，10條感應(yīng)線所對(duì)應(yīng)的電路同時(shí)對(duì)各自的耦合信號(hào)進(jìn)展積分、AD轉(zhuǎn)換?；ル娙莞窘榻B 電容屏構(gòu)造設(shè)計(jì)分析一.電容：電容量是表征電容器容納電荷本領(lǐng)的物理量，其單位為法拉(法)，符號(hào)F。當(dāng)電容器兩端的電位差或電壓(U)為特定值時(shí)，儲(chǔ)存在電容器電極的電荷量為(Q)，那么其電容量為：C=Q/U電容的這個(gè)根本公式，可類比于柱形的水容器，Q電量類比于水體積，電勢(shì)差U類比于水深，橫截面積類比于電容量.平行板電容器：平行板電容器的計(jì)算公式，當(dāng)兩平行板的面積遠(yuǎn)大于其間距時(shí)，有：C=εS/4πkd其中，ε是一個(gè)常數(shù)，S為電容極板的正對(duì)面積，d為電容極板的距離，k那么是靜電力常量。k:靜電力常量k＝9.0×109N?m2/C2電容器的電勢(shì)能計(jì)算公式：E=CU2/2一般來(lái)說(shuō)，任何兩個(gè)彼此絕緣又相互靠近的導(dǎo)體都可構(gòu)成電容器。電容器的電容是由兩個(gè)導(dǎo)體的大小和形狀、兩個(gè)導(dǎo)體的相對(duì)位置以及極板間的電介質(zhì)決定的．電容并聯(lián)公式：Ceq=C1+C2+……+Cn電容串聯(lián)公式：1/Ceq=1/C1+1/C2+……+1/Cn模型說(shuō)明：V1模擬驅(qū)動(dòng)信號(hào)源C1，C1x觸摸屏單個(gè)節(jié)點(diǎn)本征電容〔互電容〕，該電容的電場(chǎng)是開(kāi)放的，會(huì)隨著手指的Touch而被吸走局部電場(chǎng)。C1表示該電容電容不會(huì)改變的局部，C1x表示開(kāi)放的電場(chǎng)導(dǎo)致可被改變的電容。C2手指Touch時(shí)，手指與驅(qū)動(dòng)線之間的耦合電容C3手指Touch時(shí)，手指與感應(yīng)線之間的耦合電容Ch人體對(duì)觸摸屏系統(tǒng)地之間的耦合電容C11.4pV1FREQ=300KHzVAMPL=1VVOFF=0AC=1V00R10.01C21pC30.5p0Ch80pSensorR21GC1x0.1pDriverintrinsiccapacitorI1 電容屏構(gòu)造設(shè)計(jì)分析二.懸浮模型：模型分析：Goodix檢測(cè)電路是基于對(duì)感應(yīng)端的電流/電荷進(jìn)展檢測(cè)來(lái)判定C1+C1x互電容而floating效應(yīng)電流并沒(méi)有流過(guò)C1+C1x，是從手指上過(guò)來(lái)的，會(huì)對(duì)Touch檢測(cè)造成影響。理想情況下，Touch檢測(cè)C1+C1x減小為C1，sensor電流減小，而i1是增加的電流會(huì)抵消掉一局部Touch效應(yīng)。由于Ch無(wú)論如何不可能等效為短路至系統(tǒng)地，所以Touch時(shí)，i1一定是存在的，我們把這個(gè)電流定義為floating效應(yīng)電流。電流的大小和C2，C3和Ch網(wǎng)絡(luò)有關(guān)，和i1的關(guān)系如下：C2越大，通過(guò)交流電流的越多，i1越大C3越大，通過(guò)交流電流的越多，i1越大Touch檢測(cè)C1+C1x減小為C1，sensor電流減小，而i1是增加的電流會(huì)抵消掉一局部Touch效應(yīng)。所以C2C3越小越好，會(huì)使I1變小，影響更小。

Ch人體對(duì)觸摸屏系統(tǒng)地之間的耦合電容〔C=εS/4πkd〕手機(jī)拿手上，無(wú)懸浮情況下，d變小，Ch越大，交流越容易從手指上流到系統(tǒng)GND上，所以電流直接從手指流入系統(tǒng)GND,使i1越小，即懸浮特性越好。我們希望I1越小越好.C2C3越小越好。 電容屏構(gòu)造設(shè)計(jì)分析41在RC充放電電路中，時(shí)間常數(shù)為τ=R*C，R：結(jié)點(diǎn)至芯片感應(yīng)通道的阻抗，等于節(jié)點(diǎn)處的ITO電阻+走線電阻+其它電阻。C：結(jié)點(diǎn)處的互電容Cm與對(duì)應(yīng)寄生電容Cpt或Cpr的總和。

電容充放電完全通常取電壓上升99.9%為標(biāo)準(zhǔn)，即5倍RC常數(shù)t=5〔Cpt+Cm〕*Rpt或5(Cpr+Cm〕*Rpr 電容屏構(gòu)造設(shè)計(jì)分析RC常數(shù)分析：1、RC常數(shù)直接影響到IC內(nèi)部積分電路的積分曲線，當(dāng)RC常數(shù)越小，積分時(shí)間寬度越小，RC常數(shù)越大，積分時(shí)間寬度越大。給一個(gè)電容充放電，需要5RC常數(shù)充到99%電量。R越小，所需5RC越小，電容充放電所需時(shí)間越小，屏通道容易充上電。C由屏體構(gòu)造決定，只能改變R，R越小越好。ITO做厚，R越小，透光性變差。ITO越薄，R變大，透光性變好。我們希望ITO方阻越小越好。屏廠希望R大些，透光性越好。2、RC常數(shù)在最正確范圍內(nèi)，如以內(nèi)，各結(jié)點(diǎn)檢測(cè)數(shù)據(jù)將不會(huì)有明顯的差異〔假設(shè)ITO膜是完全均勻，走線阻抗一致〕。3、當(dāng)RC超出最正確范圍時(shí)，數(shù)據(jù)將會(huì)沿感應(yīng)線方向均勻遞減〔R增大方向〕。 經(jīng)歷說(shuō)明，支持至5inch以上觸摸屏，可能會(huì)出現(xiàn)沿感應(yīng)線方向數(shù)據(jù)遞〔從近壓合點(diǎn)向遠(yuǎn)離壓合點(diǎn)數(shù)據(jù)均勻遞減〕，離芯片感應(yīng)通道越遠(yuǎn)的感應(yīng)節(jié)點(diǎn)，屏體ITO阻值R越大，導(dǎo)致RC越大，在同樣驅(qū)動(dòng)脈沖頻率下，節(jié)點(diǎn)電容充放電不完全，導(dǎo)致檢測(cè)到的rawdata數(shù)據(jù)變小。4、當(dāng)RC超出最正確范圍時(shí)，可以通過(guò)軟件微調(diào)積分電路的時(shí)間窗口，使得數(shù)據(jù)遞減特性減弱，整屏數(shù)據(jù)根本接近，到達(dá)最正確范圍。

電容屏構(gòu)造設(shè)計(jì)分析 1、正常情況下，所有通道金屬走線局部阻抗應(yīng)該十分接近，但實(shí)際上，由于氧化、蝕刻不良等原因經(jīng)常造成阻抗成倍增大。 2、由RC常數(shù)一節(jié)知道，感應(yīng)線的R增大〔使得RC超過(guò)最正確范圍〕充放電不完全，會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)遞減，因此假設(shè)感應(yīng)通道走線局部阻抗過(guò)大，會(huì)使得整條感應(yīng)線對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)比其它感應(yīng)線整體偏小。 3、驅(qū)動(dòng)線阻抗偏大，會(huì)明顯導(dǎo)致鼓勵(lì)信號(hào)傳送至ITO圖形上的幅度減弱〔因?yàn)镮TO圖形的阻抗較小〕，因此假設(shè)驅(qū)動(dòng)通道走線局部阻抗過(guò)大，會(huì)使得整條驅(qū)動(dòng)對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)比其它驅(qū)動(dòng)對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)偏小。Rawdata值變小。驅(qū)動(dòng)通道阻抗通過(guò)影響驅(qū)動(dòng)信號(hào)的頻率及幅度來(lái)影響Rawdata值的變化。正常情況下，如果采樣數(shù)據(jù)接近，這是由于驅(qū)動(dòng)ITO圖案寬，阻抗小，鼓勵(lì)信號(hào)根本無(wú)衰減；另外同一驅(qū)動(dòng)與不同感應(yīng)形成的結(jié)