

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
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文檔簡(jiǎn)介
01:16:23一、核磁共振與化學(xué)位移
nuclearmagneticresonanceandchemicalshift1.屏蔽作用與化學(xué)位移
理想化的、裸露的氫核;滿足共振條件:
0=
H0/(2)
產(chǎn)生單一的吸收峰;實(shí)際上,氫核受周圍不斷運(yùn)動(dòng)著的電子影響。在外磁場(chǎng)作用下,運(yùn)動(dòng)著的電子產(chǎn)生相對(duì)于外磁場(chǎng)方向的感應(yīng)磁場(chǎng),起到屏蔽作用,使氫核實(shí)際受到的外磁場(chǎng)作用減?。?/p>
H=(1-)H0
:屏蔽常數(shù)。
越大,屏蔽效應(yīng)越大。
0=[
/(2)](1-)H0屏蔽的存在,共振需更強(qiáng)的外磁場(chǎng)(相對(duì)于裸露的氫核)。01:16:23化學(xué)位移:
chemicalshift
0=[
/(2)](1-)H0由于屏蔽作用的存在,氫核產(chǎn)生共振需要更大的外磁場(chǎng)強(qiáng)度(相對(duì)于裸露的氫核),來(lái)抵消屏蔽影響。
在有機(jī)化合物中,各種氫核周圍的電子云密度不同(結(jié)構(gòu)中不同位置)共振頻率有差異,即引起共振吸收峰的位移,這種現(xiàn)象稱為化學(xué)位移。01:16:232.化學(xué)位移的表示方法(1)位移的標(biāo)準(zhǔn)沒(méi)有完全裸露的氫核,沒(méi)有絕對(duì)的標(biāo)準(zhǔn)。相對(duì)標(biāo)準(zhǔn):四甲基硅烷Si(CH3)4(TMS)(內(nèi)標(biāo))
位移常數(shù)TMS=0(2)為什么用TMS作為基準(zhǔn)?
a.12個(gè)氫處于完全相同的化學(xué)環(huán)境,只產(chǎn)生一個(gè)尖峰;
b.屏蔽強(qiáng)烈,位移最大。與有機(jī)化合物中的質(zhì)子峰不重迭;
c.化學(xué)惰性;易溶于有機(jī)溶劑;沸點(diǎn)低,易回收。01:16:23位移的表示方法
與裸露的氫核相比,TMS的化學(xué)位移最大,但規(guī)定TMS=0,其他種類氫核的位移為負(fù)值,負(fù)號(hào)不加。=[(樣-TMS)/TMS]106(ppm)
小,屏蔽強(qiáng),共振需要的磁場(chǎng)強(qiáng)度大,在高場(chǎng)出現(xiàn),圖右側(cè);
大,屏蔽弱,共振需要的磁場(chǎng)強(qiáng)度小,在低場(chǎng)出現(xiàn),圖左側(cè);01:16:23二、影響化學(xué)位移的因素
factorsinfluencedchemicalshift1.電負(fù)性--去屏蔽效應(yīng)與質(zhì)子相連元素的電負(fù)性越強(qiáng),吸電子作用越強(qiáng),價(jià)電子偏離質(zhì)子,屏蔽作用減弱,信號(hào)峰在低場(chǎng)出現(xiàn)。-CH3,=1.6~2.0,高場(chǎng);-CH2I,=3.0~3.5,-O-H,-C-H,大小低場(chǎng)高場(chǎng)01:16:23電負(fù)性對(duì)化學(xué)位移的影響碳雜化軌道電負(fù)性:SP>SP2>SP301:16:23影響化學(xué)位移的因素--磁各向異性效應(yīng)
價(jià)電子產(chǎn)生誘導(dǎo)磁場(chǎng),質(zhì)子位于其磁力線上,與外磁場(chǎng)方向一致,去屏蔽。01:16:23影響化學(xué)位移的因素3
價(jià)電子產(chǎn)生誘導(dǎo)磁場(chǎng),質(zhì)子位于其磁力線上,與外磁場(chǎng)方向一致,去屏蔽。01:16:23影響化學(xué)位移的因素4
苯環(huán)上的6個(gè)電子產(chǎn)生較強(qiáng)的誘導(dǎo)磁場(chǎng),質(zhì)子位于其磁力線上,與外磁場(chǎng)方向一致,去屏蔽。01:16:232.氫鍵效應(yīng)形成氫鍵后1H核屏蔽作用減少,氫鍵屬于去屏蔽效應(yīng)。01:16:233.空間效應(yīng)01:16:23空間效應(yīng)Ha=3.92ppmHb=3.55ppmHc=0.88ppmHa=4.68ppmHb=2.40ppmHc=1.10ppm去屏蔽效應(yīng)01:16:234.各類有機(jī)化合物的化學(xué)位移①飽和烴-CH3:
CH3=0.791.10ppm-CH2:
CH2=0.981.54ppm-CH:
CH=CH3+(0.50.6)ppmH=3.2~4.0ppmH=2.2~3.2ppmH=1.8ppmH=2.1ppmH=2~3ppm01:16:23各類有機(jī)化合物的化學(xué)位移②烯烴
端烯質(zhì)子:H=4.8~5.0ppm
內(nèi)烯質(zhì)子:H=5.1~5.7ppm
與烯基,芳基共軛:H=4~7ppm③芳香烴
芳烴質(zhì)子:H=6.5~8.0ppm
供電子基團(tuán)取代-OR,-NR2時(shí):H=6.5~7.0ppm
吸電子基團(tuán)取代-COCH3,-CN,-NO2時(shí):H=7.2~8.0ppm01:16:23各類有機(jī)化合物的化學(xué)位移-COOH:H=10~13ppm-OH:(醇)H=1.0~6.0ppm
(酚)H=4~12ppm-NH2:(脂肪)H=0.4~3.5ppm
(芳香)H=2.9~4.8ppm
(酰胺)H=9.0~10.2ppm-CHO:H=9~10ppm01:16:23常見(jiàn)結(jié)構(gòu)單元化學(xué)位移范圍01:16:23
內(nèi)容選擇:第一節(jié)核磁共振基本原理principleofnuclearmagneticresonance第二節(jié)核磁共振與化學(xué)位移nuclearmagneticresonanceandchemicalshift第三節(jié)自旋偶合與自旋裂分spincouplingandspinsp
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