集成電路工藝復(fù)習(xí)_第1頁
集成電路工藝復(fù)習(xí)_第2頁
集成電路工藝復(fù)習(xí)_第3頁
集成電路工藝復(fù)習(xí)_第4頁
集成電路工藝復(fù)習(xí)_第5頁
已閱讀5頁，還剩7頁未讀， 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請進(jìn)行舉報或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡介

preparation(硅片準(zhǔn)備)

(硅片制造)

(硅片測試和揀選)

(裝配和封裝)

test(終測)

不同晶向的硅片，它的化學(xué)、電學(xué)、和機(jī)械性質(zhì)都不同，這會影響最終的器

雙極集成電路通常用（111）晶面或<111>晶向。

氧化方式及其化學(xué)反應(yīng)式：①干氧氧化：Si＋O2

硅的氧化溫度：750

Na＋、K＋離子，來源于工藝中的化學(xué)試劑、器皿和各

As）。

④硅片晶向：<111>硅單晶的氧化速率比<100>稍快

通常的退火溫度：＞950℃，時間：30

RTP，在較短的時間（10

注入；⑨超淺結(jié)注入；⑩絕緣體上的硅（SOI）中的氧注入。

④輕摻雜漏區(qū)（LDD）注入：減小最大電場，增強(qiáng)抗擊穿和熱載流子能力。

數(shù)值孔徑（NA）

sin

透鏡半徑m 透鏡焦長

分辨率（R）

0.6～0.8；λ為光源的波長；NA

焦深（DOF）

0.1%，因而需要較多的氣體以產(chǎn)生足

系統(tǒng)（APCVD）體）。

系統(tǒng)（LPCVD）

Poly－Si

Poly－Si

Poly－Si

Poly－Si

多晶電阻及橋聯(lián)；③PIP

Al）更高的可靠性；⑤在陡峭的結(jié)構(gòu)上沉

缺點：濺射速率低,

在純鋁和硅的界面加熱合金化過程中（450～500℃）

TiSi2、CoSi2

Polish）是通過化學(xué)反應(yīng)和機(jī)械研磨相結(jié)合的方法對表面起伏的硅

3.0μm

阱區(qū)→N

隔離工藝:墊氧氧化→氮化硅沉積→光刻有源區(qū)→光刻

管源漏區(qū)→NMOS

管源漏區(qū)→PMOS

⑤金屬互連的形成：BPSG

沉積→回流/增密→光刻接觸孔→濺射

0.18μm

工藝；⑤側(cè)墻形成工藝；⑥源/漏（S/D）注入工藝；⑦接觸形成工藝

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網(wǎng)僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

最新文檔

評論

0/150

提交評論