標準解讀

《GB/T 11164-1999 真空鍍膜設備通用技術條件》相較于其前版《GB 11164-1989》,主要在以下幾個方面進行了調(diào)整和更新:

  1. 標準性質(zhì)的改變:從標準編號可見,新標準由原來的強制性國家標準(GB)轉(zhuǎn)變?yōu)橥扑]性國家標準(GB/T),意味著新版標準為推薦執(zhí)行,給企業(yè)更多的適應性和靈活性。

  2. 技術內(nèi)容的更新:新版標準根據(jù)真空鍍膜技術的發(fā)展,對設備的技術要求進行了修訂和補充,包括但不限于提高了對真空系統(tǒng)密封性能、真空泵抽氣速率、鍍膜均勻性及控制系統(tǒng)的精度要求,以適應更高質(zhì)量的鍍膜產(chǎn)品需求。

  3. 安全與環(huán)保要求:增加了對設備操作安全及環(huán)境保護的相關要求,強調(diào)在設計和使用過程中需考慮能效比、廢棄物處理及減少有害物質(zhì)排放,體現(xiàn)了對可持續(xù)發(fā)展和生產(chǎn)安全的重視。

  4. 檢測方法與驗收準則:詳細規(guī)定了更加科學嚴謹?shù)臋z測方法和驗收標準,確保設備性能的可靠評估。這包括對鍍膜層的厚度、附著力、純度等方面的測試方法進行了優(yōu)化和明確,便于實際操作中的執(zhí)行與驗證。

  5. 術語與定義的完善:隨著技術進步,對一些專業(yè)術語進行了重新定義或新增解釋,使得標準的表述更加準確,便于行業(yè)內(nèi)的統(tǒng)一理解和交流。

  6. 兼容性和互換性:考慮到技術的國際化趨勢,新標準可能還增強了設備與國際標準的兼容性,促進了國內(nèi)外技術交流與合作,提升了國內(nèi)真空鍍膜設備的國際市場競爭力。


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  • 被代替
  • 已被新標準代替,建議下載現(xiàn)行標準GB/T 11164-2011
  • 1999-04-08 頒布
  • 1999-09-01 實施
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ICS.23.160J78中華人民共和國國家標準GB/T11164一1999真空鍍膜設備通用技術條件Vacuumcoatingplantgenericspecification1999-04-08發(fā)布1999-09-01實施國家質(zhì)量技術監(jiān)督局發(fā)布

GB/T11164-1999本標準是對GB/T11164—1989《真空鍍膜設備通用技術條件》進行修訂而編制的。在內(nèi)容上,對某些技術指標進行了修政,如:B類鍍膜設備抽氣時間從原來的1520min改為10min:增加了升壓率指標;并且由于原標準中C類鍍膜設備國內(nèi)已無生產(chǎn)廠生產(chǎn),在本次標準修訂中將C類產(chǎn)品取消。本標準自實施之日起代替GB/T11164—1989。本標準由國家機械工業(yè)局提出。本標準由全國真空技術標準化技術委員會歸口本標準起草單位:上海曙光機械制造廠、沈陽真空技術研究所本標準主要起草人:張樹中、李春影、李玉英。

中華人民共和國國家標準11164-GB/T-1999真空鍍膜設備通用技術條件代替GB/T11164—1989Vacuumcoatingplantgeneriespecification1范圍本標準規(guī)定了真空鍍膜設備技術要求、試驗方法、檢驗規(guī)則、標志、包裝、運輸和存等。本標準適用于壓力在10~10-"Pa范圍的蒸發(fā)類、濺射類、離子鍍類真空鍍膜設備(以下簡稱設2引用標準下列標準所包含的條文,通過在本標準中引用而構成為本標準的條文。本標準出版時,所示版本均為有效。所有標準都會被修訂·使用本標準的各方應探討使用下列標準最新版本的可能性GB191—1990包裝儲運圖示標志GB/T6070—1995真空法蘭GB/T13384—1992機電產(chǎn)品包裝通用技術條件JB/T7673—1995真空設備型號編制方法3定義本標準采用下列定義、3.1極限壓力真空系統(tǒng)正常工作時,空載干燥的鍍膜室逐漸穩(wěn)定的最低壓力。單位:Pa3.2抽氣時間真空系統(tǒng)正常工作時,將空載干燥的鍍膜室從大氣壓(10Pa)抽到規(guī)定的壓力所需要的時間。單位:min.3.3升壓率將空載干燥的鍍膜室連續(xù)抽氣至穩(wěn)定的最低壓力后,截止抽氣,在鍍膜室內(nèi)由于漏氣或內(nèi)部放氣所造成的單位時間的升壓。單位:Pa/h.4技術要求4.1設備正常工作條件4.1.1環(huán)境溫度:10~30C。4.1.2相對濕度:不大于75%、4.1.3冷卻水進水溫度:不高于25C4.1.4冷卻水質(zhì):城市自來水或質(zhì)量相當?shù)乃?.1.5供電電源:380V、三相、50Hz或220V、單相、50Hz(由所用電器需要而定)電壓波動范圍342~399V

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