標準解讀

《GB/T 11094-2007 水平法砷化鎵單晶及切割片》相比于《GB/T 11094-1989 水平法砷化鎵單晶及切割片》，主要在以下幾個方面進行了更新與調(diào)整：

  1. 技術指標的修訂：新版標準對砷化鎵單晶及切割片的物理、化學性能指標進行了重新定義和調(diào)整，以適應技術進步和市場發(fā)展的新要求。這包括純度、晶體結構、電學特性等方面的更嚴格或更精確的規(guī)定。

  2. 檢測方法的改進：隨著檢測技術的發(fā)展，2007版標準引入了更先進、更準確的檢測手段和分析方法，用以評估砷化鎵單晶及切割片的質(zhì)量。例如，可能采用了更精密的光譜分析技術來測量元素雜質(zhì)含量，或使用更先進的電子顯微鏡技術來觀察晶體缺陷。

  3. 生產(chǎn)流程和質(zhì)量控制要求的加強：考慮到生產(chǎn)技術和工藝的進步，新標準對砷化鎵單晶的生長過程及其后的切割、加工等環(huán)節(jié)提出了更為詳細的操作規(guī)范和質(zhì)量控制要求，旨在提高產(chǎn)品的一致性和可靠性。

  4. 環(huán)保與安全要求：鑒于環(huán)境保護和安全生產(chǎn)日益受到重視，2007版標準可能新增或強化了關于生產(chǎn)過程中污染物排放、廢棄物處理以及操作人員健康安全防護的相關規(guī)定。

  5. 術語和定義的更新：為保持與國際標準的接軌和行業(yè)發(fā)展的同步，標準中對一些專業(yè)術語和定義進行了修訂或補充，確保了標準語言的準確性和時代性。

  6. 標準結構與表述的優(yōu)化：為了便于理解和執(zhí)行，新版標準可能對章節(jié)結構進行了調(diào)整，使內(nèi)容更加條理化，同時對文字表述進行了精簡和清晰化處理，提高了可讀性。

這些變動體現(xiàn)了從1989年到2007年間，砷化鎵單晶材料領域技術進步和標準化工作的最新成果，旨在引導和促進該行業(yè)向更高水平發(fā)展。


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  • 被代替
  • 已被新標準代替，建議下載現(xiàn)行標準GB/T 11094-2020
  • 2007-09-11 頒布
  • 2008-02-01 實施
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文檔簡介

犐犆犛２９．０４５

犎８３

中華人民共和國國家標準

犌犅／犜１１０９４—２００７

代替ＧＢ／Ｔ１１０９４—１９８９

水平法砷化鎵單晶及切割片

犎狅狉犻狕狅狀狋犪犾犫狉犻犱犵犿犪狀犵狉狅狑狀犵犪犾犾犻狌犿犪狉狊犲狀犻犱犲狊犻狀犵犾犲犮狉狔狊狋犪犾犪狀犱犮狌狋狋犻狀犵狑犪犳犲狉

２００７０９１１發(fā)布２００８０２０１實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局

發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

書

犌犅／犜１１０９４—２００７

前言

本標準是對ＧＢ／Ｔ１１０９４—１９８９《水平法砷化鎵單晶及切割片》的修訂。

本標準與原標準相比，主要變動如下：

———單晶生長方向上增加了近幾年在生產(chǎn)中大量使用的＜１１０＞晶帶上由＜１１１＞Ｂ方向向最遠的

＜１００＞Ａ方向偏轉(zhuǎn)０°～２０°生長單晶，明確提出了生長偏角由生產(chǎn)工藝參數(shù)決定；

———明確了晶錠作為單晶產(chǎn)品；

———切割片中取消了目前基本已被淘汰的直徑為４０ｍｍ、５０ｍｍ以及矩形和Ｄ形片的規(guī)定；

———增加了目前大量使用的直徑５０．８ｍｍ、６３．５ｍｍ切割片和國際上少量使用的直徑７６ｍｍ

切割片的規(guī)定等等。

本標準實施之日代替ＧＢ／Ｔ１１０９４—１９８９。

本標準由中國有色金屬工業(yè)協(xié)會提出。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口。

本標準起草單位：北京有色金屬研究總院。

本標準主要起草人：武壯文、王繼榮、張海濤、于洪國。

本標準所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為：

———ＧＢ／Ｔ１１０９４—１９８９。

Ⅰ

書

犌犅／犜１１０９４—２００７

水平法砷化鎵單晶及切割片

１范圍

本標準規(guī)定了水平法砷化鎵單晶、單晶錠及切割片的要求、試驗方法及檢驗規(guī)則等。

本標準適用于水平法砷化鎵單晶、單晶錠及切割片，產(chǎn)品主要用于光電器件、微波器件和傳感元件

等的制作。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過本標準的引用而成為本標準的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標準，然而，鼓勵根據(jù)本標準達成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標準。

ＧＢ／Ｔ１５５５半導體單晶晶向測定方法

ＧＢ／Ｔ２８２８．１計數(shù)抽樣檢驗程序第１部分：按接收質(zhì)量限（ＡＱＬ）檢索的逐批檢驗抽樣計劃

ＧＢ／Ｔ４３２６非本征半導體單晶霍爾遷移率和霍爾系數(shù)測量方法

ＧＢ／Ｔ８７６０砷化鎵單晶位錯密度的測量方法

ＧＢ／Ｔ１４２６４半導體材料術語

ＧＪＢ１９２７砷化鎵單晶材料測試方法

３術語、定義

ＧＢ／Ｔ１４２６４確立的以及下列術語和標準適用于本標準。

３．１

水平法犺狅狉犻狕狅狀狋犪犾犫狉犻犱犵犿犪狀犵狉狅狑狀

本標準中特指水平布里奇曼法，簡寫為：ＨＢ。

３．２

單晶狊犻狀犵犾犲犮狉狔狊狋犪犾

本標準中出現(xiàn)的單晶專指水平布里奇曼法砷化鎵單晶。

３．３

晶錠犻狀犵狅狋

本標準中出現(xiàn)的晶錠專指水平布里奇曼法砷化鎵單晶晶錠。

３．４

晶片狑犪犳犲狉

本標準中出現(xiàn)的晶片專指水平布里奇曼法砷化鎵

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