GB/T 11072-2009銻化銦多晶、單晶及切割片

犐犆犛２９．０４５

犎８３

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

犌犅／犜１１０７２—２００９

代替ＧＢ／Ｔ１１０７２—１９８９

銻化銦多晶、單晶及切割片

犐狀犱犻狌犿犪狀狋犻犿狅狀犻犱犲狆狅犾狔犮狉狔狊狋犪犾，狊犻狀犵犾犲犮狉狔狊狋犪犾狊犪狀犱犪狊犮狌狋狊犾犻犮犲狊

２００９１０３０發(fā)布２０１００６０１實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局

發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

書(shū)

犌犅／犜１１０７２—２００９

前言

本標(biāo)準(zhǔn)代替ＧＢ／Ｔ１１０７２—１９８９《銻化銦多晶、單晶及切割片》。

本標(biāo)準(zhǔn)與ＧＢ／Ｔ１１０７２—１９８９相比，主要有如下變化：

———將原標(biāo)準(zhǔn)中直徑１０ｍｍ～５０ｍｍ全部改為１０ｍｍ～２００ｍｍ；

———在原標(biāo)準(zhǔn)的基礎(chǔ)上增加了直徑＞５０ｍｍ，厚度不小于１２００μｍ，厚度偏差±４０μｍ；

———將原標(biāo)準(zhǔn)中位錯(cuò)密度級(jí)別１、２、３中直徑≥３０ｍｍ～５０ｍｍ全部改為≥３０ｍｍ～２００ｍｍ；

———在原標(biāo)準(zhǔn)的基礎(chǔ)上增加了直徑為１００ｍｍ、１５０ｍｍ、２００ｍｍ的切割片直徑、參考面長(zhǎng)度及其

偏差；

———將原標(biāo)準(zhǔn)中的附錄Ａ去掉，增加引用標(biāo)準(zhǔn)ＧＢ／Ｔ１１２９７；

———增加了“訂貨單（或合同）內(nèi)容”一章內(nèi)容。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)歸口。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：峨嵋半導(dǎo)體材料廠。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：王炎、何蘭英、張梅。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為：

———ＧＢ／Ｔ１１０７２—１９８９。

Ⅰ

書(shū)

犌犅／犜１１０７２—２００９

銻化銦多晶、單晶及切割片

１范圍

１．１本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了銻化銦多晶、單晶及單晶切割片的產(chǎn)品分類、技術(shù)要求和試驗(yàn)方法等。

１．２本標(biāo)準(zhǔn)適用于區(qū)熔法制備的銻化銦多晶及直拉法制備的供制作紅外探測(cè)器和磁敏元件等用的銻

化銦多晶、單晶及切割片。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過(guò)本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而，鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

ＧＢ／Ｔ４３２６非本征半導(dǎo)體晶體霍爾遷移率和霍爾系數(shù)測(cè)量方法

ＧＢ／Ｔ８７５９化合物半導(dǎo)體單晶晶向Ｘ衍射測(cè)量方法

ＧＢ／Ｔ１１２９７銻化銦單晶位錯(cuò)蝕坑的腐蝕顯示及測(cè)量方法

３產(chǎn)品分類

３．１導(dǎo)電類型、規(guī)格

３．１．１多晶

多晶的導(dǎo)電類型為ｎ型，按載流子遷移率分為三級(jí)。

３．１．２單晶

銻化銦單晶按導(dǎo)電類型分為ｎ型和ｐ型，以摻雜劑、載流子濃度和遷移率分類，按直徑與位錯(cuò)密度

分為三級(jí)。

３．１．３切割片

按３．１．２分類與分級(jí)，其厚度不小于５００μｍ。

３．２牌號(hào)

３．２．１銻化銦多晶與單晶的牌號(hào)表示為：

ＩｎＳｂ——

３

２