封裝流程的介紹

IC封裝產(chǎn)品及制程簡介

產(chǎn)業(yè)概說

電子構裝(ElectronicPackaging)，也常被稱為封裝(Assembly)，是半導體產(chǎn)業(yè)中所謂的后段。它的目的在賦予集成電路組件組裝的基礎架構，使其能進一步與其載體(常是指印刷電路板）結(jié)合，以發(fā)揮原先設計的功能。構裝技術的范圍涵蓋極廣，它應用了物理、化學、材料、機械、電機、微電子等各領域的知識，也使用金屬、陶瓷、高分子化合物等各式各樣的高科技材料。在微電子產(chǎn)品功能與層次提升的追求中，開發(fā)構裝技術的重要性不亞于IC制程中其它的微電子相關工程技術，故世界各主要電子工業(yè)國莫不戮力研究，以求得技術領先的地位。Contents1.IC封裝的目的2.IC封裝的形式3.IC封裝應用的材料4.IC封裝的基本制程與質(zhì)量管理重點IC封裝的目的

WhyneedtodoICpackaging防止?jié)駳馇秩胍詸C械方式支持導線有效的將內(nèi)部產(chǎn)生的熱排出于外部提供持取加工的形體What’s“ICPackage“Package:

把……包成一包ICPackage:

把IC包成一包

IC封裝的形式

PIN

PTHIC

J-TYPELEAD

SOJ、LCC

GULL-WINGLEAD

SOP、QFPBALL

BGABUMPING

F/CFundamentalLeadTypesof

ICPackageICPackageFamilyPTHIC：DIP──SIP、PDIP(CDIP)PGASMDIC:SOIC──SOP(TSOP-I、TSOP-II)、SOJLCC──PLCC/CLCCQFP──14×20/28×28、10×10/14×14(TQFP、MQFP、LQFP)

Others──BGA、TCP、F/C

SomethingaboutICPackageCategoryPTHIC：1960年代發(fā)表，至至今在一些低低價的電子組組件上仍被廣廣泛應用。DIP───美商快捷首先先發(fā)表CDIP。由于成本技技術的低廉，，很快成為當當時主要的封裝形式；隨隨后更衍生出出PDIP、SIP等。PGA───美商IBM首先發(fā)表，僅僅應用于早期期的高階IC封裝上，其GridArray的概念后來更進進一步轉(zhuǎn)換成成為BGA的設計概念。。SMDIC:1970年代美商德州州儀器首先發(fā)發(fā)表FlatPackage,是所有表面黏黏著組件的濫濫觴。由于SMD有太多優(yōu)于PTH的地方，各家家廠商進一步步發(fā)展出各具具特色的封裝裝。至今，表表面黏著仍是是先進電子組組件封裝設計計的最佳選擇擇。QFP───業(yè)界常見的形形式以14×20/28×28/10×10/14××14四種尺寸為主主。LCC───Chipcarrier，區(qū)分為CLCC/PLCC及Leadless/Leaded等形式。SOIC───SmallOutlineIC；區(qū)分為SOP(TSOP-I、TSOP-II)、SOJ兩種主流流。TCP───TapeCarrierPackage;應用于LCDDriver。其錫鉛凸塊塊的設計后來來進一步應用用在F/C上。當前最先進的的封裝技術：：BGA、F/C(晶圓級封裝））ICPackageapplicationCategoryofICPackagePopularICpackagetypes:TSOP(ThinSmallOutlinePackage)QFP(QuadFlatPack)BGA(BallGridArray)CSP(ChipScalePackage)CategoryofICPackage--example1PBGAQFPTSOPSOP封裝應用的材材料CopperLeadframeEpoxyAdhesiveTopMoldEncapsulateMoldCompoundDiePaddleDieBottomMoldGoldWireTSOPⅠTSOPⅡAlloy42LeadFrameNi42/Fe58TapeDieGoldWireEncapsulateMoldCompoundTopMoldBottomMoldTSOPGrossSectionView封裝原物料───金金線與CompoundBallBond:Shape/PositionHeight:0.93milBallsize:3.04milBallaspectratio:0.30SpecCriteria:2.6mil<Ballsize<5.2milGoldWire與BondingPad的關關係AfterKOHetchingviewIntermetallicGoldWireFirstBondSectionView封裝原物料───LeadFrame與與打線的的關係ConventionalstructureSectionalViewICchipInnerLeadwirepaddleSignalN/CSignalSignalPowerPowerPowerPowerpaddleICchipTiebarTiebarSectionalViewSignalSignalSignalSignalBusbarBusbarwireICchipInnerLeadtapeICchiptapeSectionalViewSignalSignalSignalPowerwireICchipInnerLeadICchipSignalPowerPowerpaddleWireBonding與LeadFrame型型態(tài)的演進Multi-frameLOCstructureTapeLOCstructureProcessFlowChart,Equipment&MaterialPROCESSEQUIPMENTMATERIALDIESAWDISCO651DIEATTACHHITACHICM200(LOC)HITACHILM400(LOC)WIREBONDSKWUTC-300K&S1488/8020/80281.0MILMOLDINGTOWAY-SERIESSHINETSUKMC-260NCAMARKINGGPM/E&RLASERPlatingMECOEPL-2400SSn/Pb85/15FORMING&SINGULATIONHAN-MI203FYAMADACU-951-1LEADSCAN/FVI/PACKRVSILS3900DB/5700WAFERBACKGRINDRINGSIBUYAMA-508SUNRISEJEDEC150DegCFLOWHITACHICHIMICALHM-122UHAN-MI101DEJUNKIC封裝的的基本製程與與管制制重點ConventionalICPackagingProcessFlowIC封裝基本本製造程序:以TSOP-IITapeLOC為例例1.WaferProcess2.DieAttaching3.WireBonding4.Molding5.MarkingandLeadProcessTSOPProcessFlow&ControlTSOPProcessFlow&Control-Cont.TSOPProcessFlow&Control-Cont.OurReliabilityTestSystemT/C,-55C/125C,5cyclesBaking,125C,24hrsPrepareRequestSheetO/STest,Visual/SATInspectionMoistureSoakLevelI85C/85%RH,168hrsMoistureSoakLevelII85C/60%RH,168hrsMoistureSoakLevelIII30C/60%RH,192hrsIRReflow,220/235C,3XO/STest,Visual/SATInspectionPCTTHHASTHTST/ST/CThisflow/conditionmaybemodif