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文檔簡介

會計(jì)學(xué)1A正反極圖面織構(gòu)測定

絲軸〈100〉無織構(gòu)

軋向R.D一.正極圖立方(111)極圖〈100〉絲織構(gòu)55o44`立方{100}極圖〈100〉板織構(gòu){100}橫向

T.D(111)(001)第1頁/共33頁某特殊方向絲織構(gòu):投影基園的極軸(絲軸方向)投影時(shí),X射線入射方向按某選擇的(hkl)、符合2dSin=固定材料繞絲軸步進(jìn)轉(zhuǎn)動。投影光源2投影基面絲軸方向X射線入射方向X射線反射方向投影球投影基園的極軸材料繞絲軸轉(zhuǎn)動。投影光源垂直基園方向入射,第2頁/共33頁投影基園板織構(gòu):材料的板面投影光源投影基面板面法線NR.DX射線入射方向X射線反射方向T.D板面法線投影光源軋向R.D=投影基園的極軸平分入射和反射X射線橫向T.D投影時(shí),=投影基園的赤道橫向T.D作

轉(zhuǎn)動。衍射儀軸=衍射儀軸板面法線作

,第3頁/共33頁投影光源投影基面板面法線NR.DX射線入射方向X射線反射方向T.D實(shí)驗(yàn)步驟:ⅰ.初始XRD幾何布置:入射X線、探測器

依選定(hkl)

按2d(hkl)Sin=固定ⅱ.測量方法:板面平分(T.D)1802,板以衍射儀軸為軸(即以R.D為軸)軋向R.D=衍射儀軸,板面以N為軸(軋向R.D繞N)衍射儀軸轉(zhuǎn)角;轉(zhuǎn)角。第4頁/共33頁NT.DNT.DR.D板面法線N入射X射線00T.Dc反射X射線R.Ddd`cc`dd`極點(diǎn)投影衍射儀軸c`第5頁/共33頁=0改變(0o~360o,間隔5o~10o)=5o

改變

……吸收校正系數(shù)R(.):ⅲ.測量步驟:聯(lián)合透射與反射法ⅳ.極點(diǎn)強(qiáng)度:1.2.相對值予先求無織構(gòu)的作為歸一化標(biāo)準(zhǔn)第6頁/共33頁ⅴ.作極圖:將測定的各變化:沿同心圓變化:沿直徑ⅵ.確定織構(gòu)系統(tǒng):與標(biāo)準(zhǔn)極圖投影對照冷軋鋁板的{100}極圖冷軋鋁板的{111}極圖NT.DR.D標(biāo)注在赤平投影圖上。第7頁/共33頁板織構(gòu)的定量測定:原赤平投影圖繞T.D轉(zhuǎn)90o(原N、R.D對調(diào))極坐標(biāo):天頂角(原)

(0-)方位角(原)(0-2)A(.)R.DN設(shè)極點(diǎn)空間分布函數(shù):滿足對稱分布,可用1/8球面表示,即:0-/2

:0-/2任一點(diǎn)A(.)第8頁/共33頁對Randon(完全無序)試樣:取單位球r=1,1/8球面上的極點(diǎn)密度:則:與、無關(guān)…...(1)對Texture(有序)試樣:取單位球r=1,1/8球面上的極點(diǎn)密度:……(2)第9頁/共33頁∵織構(gòu)化前后:(1)=(2)式∴……(3)

如果測量的極點(diǎn)足夠多,空間分布合理,∴可利用(4)的令……(5)……(4)進(jìn)行歸一化處理對相對值2/可略去,則有:的歸一化密度,為空間任一點(diǎn)則有:第10頁/共33頁實(shí)際上:第11頁/共33頁二.反極圖

試樣的中某一宏觀方向(如板面法線方向)的一小角度范圍內(nèi)各個(gè)晶粒所呈現(xiàn)的不同晶體學(xué)方向[uvw]

的空間分布幾率。實(shí)驗(yàn)方法:衍射儀法

代表晶面(hkl)平行于試樣板面的晶粒百分?jǐn)?shù)。有織構(gòu)時(shí):……(6)令:實(shí)驗(yàn)原理:第12頁/共33頁無織構(gòu)時(shí):……(7)(6)/(7)得:……(8)有織構(gòu)時(shí):……(6)……(9)那么有:第13頁/共33頁……(9)(9)/(8)整理得:……(10)……(8)第14頁/共33頁

當(dāng)被測量的(hkl)足夠多,空間分布合理時(shí),令:……(11)以(11)式作為歸一化標(biāo)準(zhǔn),則有:……(12)對于(10)第15頁/共33頁實(shí)驗(yàn)步驟:(1)對有、無織構(gòu)試樣作XRD(2)求出:(3)求(12)各(hkl)的(4)將各例:旋鍛Zr棒的織構(gòu)測定XRD如右圖上:縱截面

中:橫截面

下:粉體標(biāo)注在投影圖上第16頁/共33頁Zr的六方晶胞的標(biāo)準(zhǔn)投影旋鍛Zr棒的縱截面的反織構(gòu)圖第17頁/共33頁不同的歸一化標(biāo)準(zhǔn):……(13)……(14)對于(10)第18頁/共33頁最合理的歸一化標(biāo)準(zhǔn):……(15)對于(10)第19頁/共33頁……(16)……(17)方程兩邊∑第20頁/共33頁單線法……(18)由(16)/(17),(16):(17):廣義上:多線法……(19)整理得:第21頁/共33頁三.面織構(gòu)表示方法{001}uvw型面織構(gòu)在陶瓷中很普遍(1)

f因子表示法:……(20)P:有織構(gòu)的極點(diǎn)密度

……(21)P0:無織構(gòu)的極點(diǎn)密度

……(22)第22頁/共33頁

當(dāng)無織構(gòu)時(shí):

P=P0

f=0

當(dāng)完全有序時(shí):

f=1

非理想織構(gòu)時(shí):0<f<1f值是非本征量

影響因數(shù):①試樣特性

②衍射線選取數(shù)量

③工藝條件

第23頁/共33頁(2)面織構(gòu)的本征表示方法

本征量(19):改寫后有:廣義上

……(23)(19)f因子表示法則有:……(24)第24頁/共33頁由(20)式:那么:……(25)廣義上

……(26){001}uvw型面織構(gòu)

第25頁/共33頁1200C/2h條件下以BiT為種晶制備的織構(gòu)化BNKT陶瓷(1-y)(Bi1/2Na1/2)TiO3-y(Bi1/2K1/2)TiO3

XRD花樣(a)隨機(jī)取向(b)織構(gòu)化I.Lotgering因子:

f=0.88織構(gòu)測定實(shí)例:

SEM二次電子像

第26頁/共33頁II.正極圖

:

傾角(20~90)方位角(0~360)角度測量間隔5

步進(jìn)時(shí)間1s/step

投影光源板面法線NR.DX射線入射方向X射線反射方向T.D衍射儀軸測量實(shí)驗(yàn)條件:a.(111)極圖

2=39.98b.(002)極圖

2=46.57(111)面和(002)面夾角為54.7

(111)極圖中心到最大極點(diǎn)密度的角度50

第27頁/共33頁III.反極圖

:

圖中(100)附近的極點(diǎn)密度指數(shù)達(dá)到最大,表示沿(100)面的晶粒最多,所以(100)晶面織構(gòu)程度最高。第28頁/共33頁作業(yè):第十四題第十五題實(shí)驗(yàn)、上課安排:1.實(shí)驗(yàn):AlN陶瓷的XRD的定量相分析第七周十月三十一日周五2.上課:第八周十一月七日周五第29頁/共33頁實(shí)驗(yàn)1.理論計(jì)算Ci

的無標(biāo)樣法定量相分析

AlN陶瓷的XRD的定量相分析單線法多線法第30頁/共33頁1650~1800℃/4h流動N2氣體96wt%AlN+3wt%Y2O3+1%CaF2Y2O3CaF2

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