有關(guān)IR2104的自舉電容和NMOS選擇問(wèn)題

有關(guān)IR2104的自舉電容和NMOS選擇問(wèn)題這是我第一次用IR2104有一些疑問(wèn)

希望各位師傅能不吝賜教

電機(jī)驅(qū)動(dòng)電壓為170V，頻率40KHZ，電流3A的矩形波

電路圖如下所示

自舉電容C3,C4和Q1,Q2,Q3,Q4該如何選擇？

U1,U2前邊是否要加隔離電路？

謝謝啦！170v要加光耦了，自舉電容1uf低ESL低ESR即可。是在U1,U2前加的吧恩，前面加~為什麼要加上D3,D4,D5和D6?

有何作用?為什麼要加上D3,D4,D5和D6?"

deadtimemanagement.為mos管放電提供‘低’的回路

最好再給mosfet的gs間加個(gè)10k的電阻不過(guò)有位師傅說(shuō)限流電阻為33歐姆

所以D3,D4,D5，D6加不加無(wú)所謂

是這樣嗎？電路圖參數(shù)已選定，大家?guī)涂纯词欠窈线m1N4004和10K其實(shí)也可以省~能具體說(shuō)一下嗎？

10K電阻不是確保：關(guān)機(jī)后柵極存儲(chǔ)的電荷通過(guò)10K電阻迅速釋放，以保證電荷的迅速釋放的嗎？

還有1N4004呢？

謝謝了！10K不能省，1N4004還是省下來(lái)吧，也好幾毛錢了

NMOS附送的二極管比1N4004高級(jí)的多我也認(rèn)為10K不能省

覺(jué)得adcr老稻說(shuō)的比較又道理都不能省。10K電阻是用來(lái)保護(hù)GS在關(guān)斷時(shí)不被擊穿，而1N4004是續(xù)流用的，不能省，這里建議1N4004換成MUR160以上的快速恢復(fù)二極管我還想問(wèn)下各位師傅

自舉電容C3,C4應(yīng)該沒(méi)有耐壓要求吧如果反并聯(lián)續(xù)流管是不是應(yīng)該注意正向壓降問(wèn)題。如果你并的壓降比體二極管壓降大豈不是悲劇了…

肖特基或者“同步續(xù)流”？請(qǐng)教下GS間10K電阻的作用LZ,我按你的圖改改，自己做了塊。上面半橋是正常的，但是下面那半路中MOS管一上電就有1A多的電流輸出。很奇怪，電路沒(méi)地方短路，2104兩端輸出均正常。原理圖如下。自舉電容1uf低ESL低ESR即可。20樓的圖，下面的那半橋，為什么HO接到低端MOS，LO接到了高端MOS呢？有沒(méi)有誰(shuí)做過(guò)用220Vac整流堆整流流出來(lái)，然后用ir2104驅(qū)動(dòng)mos管驅(qū)動(dòng)電機(jī)的兄弟呢？請(qǐng)問(wèn)不加光耦有什么后果？0樓歪才，想用一個(gè)信號(hào)來(lái)控制2個(gè)2104，（正相和反相），但LO和HO輸出電平不一樣的，正確做法是一片2104的信號(hào)輸入端加反相器Nmos不是自己帶了一個(gè)二極管了嗎，為什么還要再加一個(gè)續(xù)流二極管呢你好，我想問(wèn)一下為什么1N4004不能省，不是NMOS內(nèi)部不是已經(jīng)加了二極管了嗎你好，我想問(wèn)一下為什么1N4004不能省，不是NMOS內(nèi)部不是已經(jīng)加了二極管了嗎

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如果內(nèi)部有的話可以省掉，自舉回路的二極管要用MUR系列的，比較合適如果內(nèi)部有的話可以省掉，自舉回路的二極管要用MUR系列的，比較合適

但是我看到有的資料也說(shuō)MOS內(nèi)部的二極管是由于寄生作用產(chǎn)生的，性能不是很好。但是在看MOS管的數(shù)據(jù)手冊(cè)時(shí)（比如IRF3205)，其內(nèi)部的二極管可以持續(xù)通過(guò)電流110A，性能很好。這使我比較迷惑，你能解答一下嗎？10K可以不要。用主動(dòng)升壓,C3,C4也可以省有關(guān)IR2104的自舉電容和NMOS選擇問(wèn)題用主動(dòng)升壓,C3,C4也可以省

兄臺(tái)能不能給推薦個(gè)電路主動(dòng)升壓能滿占空比嗎驅(qū)動(dòng)供電的地方最好加一個(gè)1000uf的電解電容我的電路圖是有一點(diǎn)問(wèn)題的，首先把接在VB上的二極管換成了快速恢復(fù)的FR307，然后在電源上接了電解電容，在V...

大神，你這個(gè)電路驅(qū)動(dòng)有沒(méi)有成功啊，怎么我和你的電路一樣，沒(méi)有成功啊關(guān)于IR2104s自舉電容的取值問(wèn)題關(guān)于IR2104S.html">IR2104S

自舉電容的取值問(wèn)題

最近用到IR2104S這個(gè)芯片來(lái)驅(qū)動(dòng)H橋。

查了一些資料和很多人畫的電路，都說(shuō)自舉電容的取值對(duì)芯片是否能夠正常工作有很大的影響。但是不同的人設(shè)計(jì)的電路在其他參數(shù)類似的情況下，自舉電容的取值卻又不太統(tǒng)一。

有沒(méi)有使用過(guò)這個(gè)芯片的高人，指點(diǎn)一下究竟應(yīng)該如何來(lái)取這個(gè)自舉電容的值。比較合適。

鏈接中是我找到的一個(gè)關(guān)于如何來(lái)取這個(gè)電容值得文章，但是公式中有很多參數(shù)諸如Icbs，Vls，Vmin代表的意義不是很清楚。請(qǐng)大家指點(diǎn)。通常按10UF取值即可用0.1UF也可以

用0.1UF也可以,驅(qū)動(dòng)的是IRF640供應(yīng):IR系列產(chǎn)品

現(xiàn)貨供應(yīng)IR的MOS型號(hào):歡迎各界人士來(lái)電和詢價(jià)，或發(fā)郵箱給我等等，會(huì)在第一時(shí)間回復(fù)你。

IRL3803SPBF

30V/140A

IRLR7807ZPBF

30V43A

IRFZ34NPBF

55V/26A

IRF3205PBF

55V/98A

IRFR024NTRPBF

55V/17A

IRFZ44NPBF

55V/49A

IRF9Z34NPBF

-55V/17A

IRF1010EPBF

60V/81A

IRF540NPBF

100V/44A

IRF3315PBF

150V/21A

IRF6215PBF

-150V/13A

IRF9640PBF

-200V/-11A

IRFR220NPBF

200V/5A

IRF620

200V/5.2A

IRF630NPBF

200V/9.5A

IRF640NPBF

200V/18A

IRFB38N20DPBF

200V/44A

IRFP260NPBF

200V/50A

IRFP264PBF

250V/38A

IRF740PBF

400V/10A

IRF830PBF

500V/4.5A

IRF840PBF

500V/8A

IRFP450PBF

500V/14A

IRFP460APBF

500V/20A

供應(yīng)IR-PERI的IGBT模塊型號(hào):歡迎各界人士來(lái)電或詢價(jià)等等

GA75TS120U

75A/1200V

GA100TS120U

100A/1200V

GA150TS120U

150A/1200V

GA200TS120U

200A/1200V

供應(yīng)現(xiàn)貨IGBT：歡迎各界人士來(lái)電或詢價(jià)等等

IRG4PF50WDPBF

900V/28A

IRG4PF50WPBF

900V/28A

IRG4PC40W

600V/20A

IRGPS40B120UDPBF

1200V/40A

IRG4PC40UDPBF

600V/20A

聯(lián)系人：徐先生

手機(jī)/p>

E-mali：SZXYF1984@163.COM

MSN:SZXYF1984@163.COM

QQ:342184874

ONSemiconductorD44VH10G,NPN雙極晶體管,15A,Vce=80V,HFE:20,20MHz,4針TO-220AB封裝產(chǎn)品詳細(xì)信息NPN功率晶體管，ONSemiconductor這些ONSemiconductor晶體管可放大模擬或數(shù)字信號(hào)。它們還可切換直流或用作振蕩器。雙極性晶體管，OnSemiconductorONSemiconductor的各種雙極晶體管，包括以下類別：小信號(hào)晶體管

通用晶體管

雙NPN和PNP晶體管

功率晶體管

高電壓晶體管

射頻雙極晶體管