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關(guān)于鍛件超聲波探傷的標(biāo)準(zhǔn)及規(guī)程1.1.1筒形鍛件----軸向長(zhǎng)度L大于其外徑尺寸D的軸對(duì)稱空心鍛件如圖1(a)
所示.t為公稱厚度.環(huán)形鍛件----軸向長(zhǎng)度L小于等于其外徑尺寸D的軸對(duì)稱空心件如圖1(a)所示.t為公稱厚度.餅形鍛件----軸向長(zhǎng)度L小于等于其外徑D的軸對(duì)稱形鍛件如圖1(b)所示.t
為公稱厚度.碗形鍛件----用作容器封頭,中心部份凹進(jìn)去的軸對(duì)稱形鍛件如圖1(c)所示.t
為公稱厚度.方形鍛件----相交面互相垂直的六面體鍛件如圖1(d)所示.三維尺寸a、b、c中最上稱厚度.底波降低量GB/BF(dB)無(wú)缺陷區(qū)的第一次底波高度(GB)和有缺陷區(qū)的第一次底波高度(BF)之比.由缺陷
引起的底面反射的降低量用dB值表示.密集區(qū)缺陷當(dāng)熒光屏掃描線上相當(dāng)于50mm勺聲程范圍內(nèi)同時(shí)有5個(gè)或者5個(gè)以上的缺陷反射信號(hào);或者在50mme50mm勺探測(cè)面上發(fā)現(xiàn)同一深度范圍內(nèi)有5個(gè)或5個(gè)以上的缺陷反射信號(hào).缺陷當(dāng)量直徑用AVG方法求出的假定與超聲波束相垂直的平底孔的直徑,稱為缺陷當(dāng)量直徑,或簡(jiǎn)稱為當(dāng)量直徑.AVG曲線以縱座標(biāo)軸表示相對(duì)的反射回波高度,以橫座標(biāo)軸表示聲程,對(duì)不同直徑且假定與超聲波束相垂直的圓平面缺陷所畫出的曲線圖叫AVGS線,亦稱為DGSS線.2探傷人員鍛件探傷應(yīng)由具有一定基礎(chǔ)知識(shí)和鍛件探傷經(jīng)驗(yàn),并經(jīng)考核取得國(guó)家認(rèn)可的資格證書者擔(dān)任.3探傷器材探傷儀
應(yīng)采用A型脈沖反射式超聲波探傷儀,其頻響范圍至少應(yīng)在1MHt5Mhz內(nèi).儀器應(yīng)至少在滿刻度的75%£圍內(nèi)呈線性顯示(誤差在5犯內(nèi)),垂直線性誤差
應(yīng)不大于5%.儀器和探頭的組合靈敏度:在達(dá)到所探工件最大程處的探傷靈敏度時(shí),有效靈敏
度余量至少為10dB.衰減器的精度和范圍,儀器的水平線性、動(dòng)態(tài)范圍等均應(yīng)隊(duì)伍ZBY230-84《A型脈沖反射式超聲波探傷儀通用技術(shù)條件》中的有關(guān)規(guī)定.探頭探頭的公稱頻率主要為,頻率誤差為土10%.主要采用晶片尺寸為①20mmi勺硬保護(hù)月I直探頭.必要時(shí)也可采用2MHz或25MHz以及晶片尺寸不大于①28mnff頭.探頭主聲束應(yīng)無(wú)雙峰,無(wú)偏斜.耦合劑可采用機(jī)油、甘油等透聲性能好,且不損害工件的液體.4探傷時(shí)機(jī)及準(zhǔn)備工作探傷時(shí)機(jī)探傷原則上應(yīng)安排在最終熱處理后,在槽、孔、臺(tái)級(jí)等加工前,比較簡(jiǎn)單的幾何形狀下進(jìn)行.熱處理后鍛件形狀若不適于超聲波探傷也可在熱處理前進(jìn)行.但在熱處理后,仍應(yīng)對(duì)鍛件盡可能完全進(jìn)行探傷.準(zhǔn)備工作探傷面的光潔度不應(yīng)低一地5,且表面平整均勻,并與反射面平等,圓柱形鍛件
其端面應(yīng)與軸線相垂直,以便于軸向探傷.方形鍛件的面應(yīng)加工平整,相鄰的端面
應(yīng)垂直.探傷表面應(yīng)無(wú)劃傷以及油垢和油潛心物等附著物.鍛件的幾何形狀及表面檢查均合格后,方可進(jìn)行探傷.重要區(qū)鍛件的重要區(qū)應(yīng)在設(shè)計(jì)圖樣中或按JB755-85《壓力容器鍛件技術(shù)條件》予以注
明.5探傷方法鍛件一般應(yīng)進(jìn)行縱波探傷,對(duì)簡(jiǎn)形鍛件還應(yīng)進(jìn)行橫波探傷,但掃查部位和驗(yàn)收標(biāo)
準(zhǔn)應(yīng)由供需雙方商定.橫波探傷橫波探傷應(yīng)按附錄B的要求進(jìn)行.縱波探傷掃查方法鍛件原則上應(yīng)從兩相互垂直的方向進(jìn)行探傷,盡可能地探測(cè)到鍛件的全體積,主
要探測(cè)方向如圖2所示,其他形狀的鍛件也可參照?qǐng)?zhí)行.掃查范圍:應(yīng)對(duì)鍛件整個(gè)表面進(jìn)行連續(xù)全面掃查.掃查速度:探頭移動(dòng)速度不超過(guò)150mm/s.掃查復(fù)蓋應(yīng)為探頭直徑的15犯上.當(dāng)鍛件探測(cè)厚度大于400mm寸,應(yīng)從相對(duì)兩端面探傷.探傷靈敏度的校驗(yàn)原則上利用大平底采用計(jì)算法確定探傷靈敏度,對(duì)由于幾何形狀所限,以及缺陷
在近場(chǎng)區(qū)內(nèi)的工件,可采用試塊法(見(jiàn)附錄A).用底波法校正靈敏度,校正點(diǎn)的位置應(yīng)選以工件上無(wú)缺陷的完好區(qū)域.曲面補(bǔ)償:對(duì)于探測(cè)面是曲面而又無(wú)法采用底波法的工件,應(yīng)采用曲率與工件相
同或相近倍)的參考試塊(見(jiàn)附錄A);或者采用小直徑晶片的探頭,使其近場(chǎng)區(qū)的
長(zhǎng)度小于等于1/4工件半徑,這樣可不需進(jìn)行曲面補(bǔ)償.探傷靈敏度不得低于①2mms量直徑.缺陷當(dāng)量的確定采用AVG曲線及計(jì)算法確定缺陷當(dāng)量.計(jì)算缺陷當(dāng)量時(shí),當(dāng)材質(zhì)衰減系數(shù)超過(guò)4dB/m時(shí),應(yīng)考慮修正.材質(zhì)衰減系數(shù)的測(cè)定a.應(yīng)在被測(cè)工件無(wú)缺陷區(qū)域,選取三處有彳t表性的閏,求B1/B2的值,即第一次
底波高度(B1)與第二次底波高度(B2)之比的dB差值.b.衰減系數(shù)a(dB/m)的計(jì)算為式中t----聲程,m.AVG曲線圖見(jiàn)附錄C.靈敏度的重新校驗(yàn)除每次探傷前應(yīng)校準(zhǔn)靈敏度外,遇有下述情況時(shí),必須對(duì)探傷靈敏度進(jìn)行重新校
準(zhǔn).a.校正后的探頭、耦合劑和儀器調(diào)節(jié)旋鈕等發(fā)生任何改變時(shí);b.開(kāi)路電壓波動(dòng)或操作者懷疑靈敏度有變動(dòng)時(shí);c.連續(xù)工作4以上;d.工作結(jié)束時(shí).當(dāng)增益電平降低2dB以上時(shí),應(yīng)對(duì)上一次校準(zhǔn)以來(lái)所有檢查鍛件進(jìn)行復(fù)探;當(dāng)增益電平升高2dB以上時(shí),應(yīng)對(duì)所有的記錄信號(hào)進(jìn)行重新評(píng)定.6記錄記錄當(dāng)量直徑超過(guò)①4mmi勺單個(gè)缺陷的波幅的位置.密集性缺陷:記錄密集性缺陷中最大當(dāng)量缺陷的位置和分布.餅形鍛件應(yīng)記錄大于等于①4mmi量直徑的缺陷密集區(qū).其他鍛件應(yīng)記錄大于等于①3mms密集區(qū).缺陷密集區(qū)面積以50mme50mm勺方塊作為最小量度單位,其邊界可由半波高并
法決定.應(yīng)按表2要求記底波降低量衰減系數(shù),若供需雙方有規(guī)定時(shí),應(yīng)記錄衰減系數(shù).7等級(jí)分類單個(gè)缺陷反射的等級(jí)見(jiàn)表1.表1單個(gè)缺陷反射的等級(jí)等級(jí)I111111VV缺陷當(dāng)量直徑0①4>蟲4+(>5?8dB)①4+(>8?12dB)①4+(>12?16dB)>
①4+16dB)底波降低量的等級(jí)見(jiàn)表2.表2由缺陷引起底波防低量的等級(jí)等級(jí)1111111VV底波降低量BG/BF<8>8?14>14?20>20?26>26注:①在計(jì)算缺陷引起的底面反射降低量時(shí),應(yīng)扣除4dB/m的材質(zhì)衰減.②表2僅適用于聲程大于一倍近場(chǎng)區(qū)的缺陷.密集區(qū)缺陷等級(jí)見(jiàn)表3.表3密集區(qū)缺陷引起的等級(jí)等級(jí)I111111VV密集區(qū)缺陷占探傷總面積百分比H0>0?5%>5?10%>10?20%>20%注:表1至表3的等級(jí)應(yīng)作為獨(dú)立的等級(jí)分別使用.如果工件的材質(zhì)衰減對(duì)探傷效果有較大的影響時(shí),應(yīng)重新進(jìn)行熱處理.按、、節(jié)認(rèn)定級(jí)別的缺陷,如果被探傷人員判定為危害性缺陷時(shí),可以不受上述
條文的限制.8探傷報(bào)告探傷報(bào)告不應(yīng)少于以下內(nèi)容.工件情況工件名稱、材料牌號(hào)、編號(hào)、材質(zhì)衰減、主要部位尺寸草圖、探傷面的光潔度.探傷條件探傷儀型號(hào)、探頭頻率、晶片尺寸(k值)、探測(cè)方向、探傷靈敏度、參考反射體、
耦合劑等.探傷結(jié)果8.3.1缺陷位置、缺陷當(dāng)量直徑、底波降低區(qū)及缺陷分布示意圖.缺陷等級(jí)及其他.探傷人員的資格證號(hào)、等級(jí)、姓名、報(bào)告簽發(fā)人的資格證號(hào)、等級(jí)、姓名、日
期.附錄A試塊要求(補(bǔ)充件)遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)使用,探測(cè)表面為平面時(shí),應(yīng)采用CS郵標(biāo)準(zhǔn)試塊.近場(chǎng)區(qū)使用,探測(cè)表面為平面時(shí),應(yīng)采用CS1型標(biāo)準(zhǔn)試塊.探傷面是曲面時(shí),原則上應(yīng)采用與工件具有大致相當(dāng)曲率半徑的對(duì)比試塊,其具體形狀如圖A1.附錄B橫波探傷(補(bǔ)充件)橫波探傷僅適用于內(nèi)外徑之比大于等于75%勺環(huán)形和筒形鍛件.探頭探頭公稱頻率主要為,也可用2MHz.探頭晶片面積為140-400mm2.原則上應(yīng)采用K1探頭,但根據(jù)工件幾何形狀的不同,也可采用其他的K值探頭.參考反射體為了調(diào)整探傷靈敏度,利用被探工件壁厚或長(zhǎng)度上的加工余部份制作對(duì)比試塊,在鍛件的內(nèi)外表面,分別沿軸向和周向加工平行的V形槽作為標(biāo)準(zhǔn)溝槽.V形槽長(zhǎng)度為25mm深度為鍛件壁厚的1%,角度為60°.也可用其他等效的反射體(如邊角反射等).探傷方法掃查方法掃查方向見(jiàn)圖B1.探頭移動(dòng)速度不應(yīng)超過(guò)150mm/s.掃查復(fù)蓋應(yīng)為探頭寬度的15犯上.靈敏度檢驗(yàn)從鍛件外圓面將探頭對(duì)準(zhǔn)內(nèi)圓面的標(biāo)準(zhǔn)溝槽,調(diào)整增益,使最大反射高度為滿幅
的80%,將該值在面板上作一點(diǎn),以其為探傷靈敏度;再移動(dòng)探頭探外圓面的標(biāo)準(zhǔn)
溝
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