2線性電子線路試題

PAGEPAGE3線性電子線路試題一、是非題（一、是非題（20分）1．N型半導(dǎo)體的空穴濃度比本征半導(dǎo)體的空穴濃度大。（）2．空穴運動實質(zhì)上是自由電子的反向運動。（）3．固定偏置電路RV 不變時，為使Q點脫離飽和區(qū)，可減小R。B CC C（）4．場效應(yīng)管溫度特性比三極管差，但集成度較高。（）5．增強型MOS管同結(jié)型場效應(yīng)管一樣，可采用自偏置方式。（）6．溫度升高時三極管參數(shù)、I 、V ，其結(jié)果均使I 。CBO BE(on) CQ（）7．一信號源內(nèi)阻較小，若要求負載變化時輸出電流基本不變，應(yīng)采用電流串聯(lián)負反饋。）8．放大電路輸出電阻隨負載電阻的變化而變化。（）9．三種組態(tài)電路中，共集電路特點：R大、R小、A1。i o i（）10．簡單電容補償技術(shù)是通過降低 增加系統(tǒng)穩(wěn)定性的。（）P1（5分）設(shè)二極管為理想器件，V6V，V9V，R3k，試判斷圖示電路中1 2二極管是導(dǎo)通還是截止，并求V 值。AOD1D1D2-V1+R+V2-+V-（15分）圖示電路，已知場效應(yīng)管的

AOO、三極管的、rm

be

及各電阻值，r 與rds ce忽略不計。（1）試指出放大電路由哪兩種組態(tài)組合而成。（2）寫出Ri、Ro、Av的表達式。四（20分）差分放大電路如圖所示，已知60，V 0.7V（1）求I 。BE(on) CQ1 CQ2（2）當v100mV，v50mV時，求輸出電壓v。i1 i2 o五（10分圖示電路已知R 750R 1.2kR1kR 4kR1k，E1 E2 S C2 LR10k，設(shè)各電容對交流呈短路，R 、R 忽略不計，試在深度負反饋條件下估算A 。f B1 B2 vfs六（10分）已知基本放大器中頻增益A103，極點頻率f 1MHz10MHz，I P1 P2f 100MHz，若要求閉環(huán)中頻增益AP3

20dB，試用漸近波特圖判斷電路是否自激。七（10分）圖示電路，集成運放是理想的。已知 vs1

2mV，vs2

4mV，試求輸出電壓v。R2R250kR1100k-+R3100kR450kvs1vv os2八、（10分）由理想運放構(gòu)成的電路如圖所示，寫出v的表達式，并在RR1k，o 1 3RR10k時，計算A值。2 4 vvo1A1Rvo1A1R-+2R1-A2+R3 R4vi2參考答案一、錯、錯、對、錯、錯、對、對、錯、錯、二（1）D管截止，D管導(dǎo)通，V 6V1 2 AO（1）T、T1 2

組成共漏—共發(fā)組合放大器。g R g （2）RR

，RR，AAA

m i2 ( C) m Ci G o C 0V V

v2

1g Rm

rbe2

1gmI

rbe2四、IEE

BE(on) EE0.48REE

CQ1

ICQ2

EE0.242r

rbe2

)26 6.61kI1 (R //

CQ1)

R //RA C vd2 2 R r

34.8， Avc2

C2R

L0.167Bv v

be EEv ic 2

i2 75mV， vid

v vi1

50mV， vo

A vvc2ic

A vvd2id

1.73Vi R 1 R //R

f E2 0.107， A 9.3， A A

L7.47fi io

RRf E2

iifs kfi

vifs

ifs RS六、因相位裕量0，因此電路自激七、vv v 0.5(v -v )1mVo o1 o2 s2 s1R R R R v