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文檔簡介

1、材料科學(xué)基礎(chǔ)名詞解釋第一章材料結(jié)構(gòu)的基本知識(shí)1、晶體材料的組織:指材料由幾個(gè)相(或組織單元)組成,各個(gè)相的相對(duì)量、尺寸、形狀及分 布。第二章材料的晶體結(jié)構(gòu)1、空間點(diǎn)陣:將理想模型中每個(gè)原子或原子團(tuán)抽象為純幾何點(diǎn),無數(shù)幾何點(diǎn)在三維空間規(guī)律排列的陣列2、同素異構(gòu):是指有些元素在溫度和壓力變化時(shí),晶體結(jié)構(gòu)發(fā)生變化的特性3、離子半徑:從原子核中心到其最外層電子的平衡距離。4、離子晶體配位數(shù):在離子晶體中,與某一考察離子鄰接的異號(hào)離子的數(shù)目稱為該考察離子 的配位數(shù)。5、配位數(shù):晶體結(jié)構(gòu)中任一原子周圍最近鄰且等距離的原子數(shù)6、致密度:晶體結(jié)構(gòu)中原子體積占總體積的百分?jǐn)?shù);第三章高分子材料的結(jié)構(gòu)1、聚合度:高

2、分子化合物的大分子鏈?zhǔn)浅龃罅垮F告連成的。大分子鏈中鏈節(jié)的重復(fù)次數(shù)叫聚 合度2、官能度:指在一個(gè)單體上能和別的單體發(fā)生鍵合的位置數(shù)目3、加聚反應(yīng):由一種或多種單體相互加成而連接成聚合物的反應(yīng);4、縮聚反應(yīng):由一種或多種單體相互混合而連接成聚合物,同時(shí)析出(縮去)某種低分子物質(zhì) (如水、氨、醉、鹵化氫等)的反應(yīng);5、共聚:由兩種或兩種以上的單休參加聚合而形成聚合物的反應(yīng)。第四章晶體缺陷1、晶體缺陷:實(shí)際晶體中與理想的點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)發(fā)生偏差的區(qū)域;2、位錯(cuò)密度:晶體中位錯(cuò)的數(shù)量,是單位體積晶體中所包含的位錯(cuò)線總長度;3、晶界:同一種相的晶粒與晶粒的邊界;4、晶界內(nèi)吸附:少量雜質(zhì)或合金元素在晶體內(nèi)部的分布是

3、不均勻的,它們常偏聚于晶界,稱 這種現(xiàn)象為晶界內(nèi)吸附;第五章材料的相結(jié)構(gòu)及相圖1、固溶體:當(dāng)合金相的晶體結(jié)構(gòu)保持溶劑組元的晶體結(jié)構(gòu)時(shí),這種相就稱為一次固溶體或端際固溶體, 簡稱固溶體。2、拓?fù)涿芏逊e:如兩種不同大小的原子堆積,利用拓?fù)鋵W(xué)的配合規(guī)律,可得到全部或主要由四面體堆垛 的復(fù)合相結(jié)構(gòu),形成空間利用率很高、配位數(shù)較大(12、14、15、16等)一類的中間相,稱為拓?fù)涿芏逊e。3、電子濃度:固溶體中價(jià)電子數(shù)目。與原子數(shù)目之比。4、間隙相:兩組元間電負(fù)性相差大,且七/罰59,具有簡單的晶體結(jié)構(gòu)的中間相5、間隙化合物:兩組元間電負(fù)性相差大,且二/電59,所形成化合物具有復(fù)雜的晶體結(jié)構(gòu)。6、間隙固溶

4、體:溶質(zhì)原子溶入溶劑間隙所形成的固溶體。7、相圖:表示平衡狀態(tài)下,相組成、物質(zhì)狀態(tài)和T、P、成分之間的簡明圖解8、相律:是表示材料系統(tǒng)相平衡的熱力學(xué)表達(dá)式,具體表示系統(tǒng)自由度、組元數(shù)和相數(shù)之間的關(guān)系。9、枝晶偏析:合金凝固時(shí)一般均以枝晶的形式長大,枝晶的主干(即先凝固部分)含高熔點(diǎn)組元較多,而 枝晶分技的間隙部分(即后凝固部分)含低熔點(diǎn)組元較多,這種在一個(gè)枝晶的范圍內(nèi)成分不均勻的現(xiàn)象,叫 做枝晶偏析。10、偽共晶體:成分在共晶點(diǎn)附近的合金自液態(tài)快冷時(shí),有可能使液相全部凝固成共晶體而沒有初生相, 這種共晶體又稱偽共晶體;11、固溶強(qiáng)化:溶質(zhì)原子加入到溶劑原子中形成固溶體,固溶體在具有較高強(qiáng)度及硬

5、度的同時(shí),還保持良 好的塑性,這一現(xiàn)象叫做固溶強(qiáng)化。12、相:是合金中具有同一聚集狀態(tài)、同一晶體結(jié)構(gòu)和性質(zhì)并以界面相互隔開的均勻組成部分。13、珠光體:是鐵素體與滲碳體的機(jī)械混合物,具有較高硬度與強(qiáng)度,綜合機(jī)械性能較好。14、枝晶偏析:合金不平衡凝固時(shí),先凝固的枝桿和后凝固的枝間成分不均勻的現(xiàn)象,可用均勻退火的方 法消除枝晶偏析。15、合金:是指由兩種或兩種以上的金屬、或金屬與非金屬經(jīng)熔煉或用其他方法制成的具 有金屬特性的物質(zhì)。第六章材料凝固與氣相沉積1、均勻形核:在過冷液態(tài)金屬中,依靠液態(tài)金屬本身的能量變化獲得驅(qū)動(dòng)力,由晶胚直接成核過程叫均 勻成核;新相晶核在母相中均勻形成。2、非均勻成核:

6、過冷液體中晶胚依附在其他物質(zhì)上成核叫非均勻成核,如雨、雪。形核時(shí)3、形核率:單位時(shí)間、單位體積內(nèi)所形成晶核的數(shù)目,n/s - cm3重合位置點(diǎn)陣:4、過冷:液相冷卻到凝固點(diǎn)T以下還保持其亞穩(wěn)態(tài)而不凝固,這一現(xiàn)象叫做過冷。M5、過冷度:液體冷卻時(shí)凝固點(diǎn)Tm與過冷液相所處溫度T之差叫做過冷度(重=Tm- T )。第七章擴(kuò)散與固態(tài)相變1、穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散:在擴(kuò)散過程中各截面上的濃度不隨時(shí)間改變的擴(kuò)散叫穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散。2、Kirkendall效應(yīng):對(duì)于置換式固溶體中溶質(zhì)原子的擴(kuò)散,由于溶質(zhì)和溶劑原子半徑相差不大,原子擴(kuò)散 時(shí)和空位交換幾率不相等,導(dǎo)致兩者擴(kuò)散速率不同。能觀察到這種實(shí)驗(yàn)結(jié)果的實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象稱為Kirkend

7、all效應(yīng)3、體擴(kuò)散:通過晶體點(diǎn)陣進(jìn)行的擴(kuò)散過程稱為體擴(kuò)散4、無擴(kuò)散相變:原子不發(fā)生隨機(jī)走動(dòng)的相變;第八章材料的變形與斷裂1、加工硬化:指金屬晶體在塑性變形過程中,材料的強(qiáng)度隨塑性變形量的增加而增加。其產(chǎn)生機(jī)制是隨 著冷變形量的增加,位錯(cuò)密度要增加,新產(chǎn)生的位錯(cuò)必然會(huì)通過其周圍存在的應(yīng)力場妨礙彼此的運(yùn)動(dòng),位 錯(cuò)的這種交互作用產(chǎn)生了加工硬化,使塑性變形的抗力增加;強(qiáng)化實(shí)質(zhì)在于增加位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)阻力。2、韌性:是材料在斷裂以前能夠吸收的能量大小的量度3、蠕變:當(dāng)金屬承受恒定負(fù)荷或恒定應(yīng)力時(shí)、經(jīng)過一段時(shí)間后,它可能進(jìn)行遞增的塑性變形。這種與時(shí) 間有關(guān)的應(yīng)變,稱為蠕變。4、固溶強(qiáng)化:指金屬中溶質(zhì)原子的存在,

8、使其強(qiáng)度提高。固溶強(qiáng)化的根本原因在于溶質(zhì)原子與位錯(cuò)交互 作用,強(qiáng)化實(shí)質(zhì)在于增加位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)阻力。15、細(xì)晶強(qiáng)化:多晶體的屈服強(qiáng)度隨晶粒尺寸的減小而增加??梢杂肏all-patch公式表示:b =氣+ Kd-2, 強(qiáng)化實(shí)質(zhì)在于增加位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)阻力。6第九章固體材料的電子結(jié)構(gòu)與物理性能1、能帶:組成晶體的原子能級(jí)密集,密集的能量范圍叫能帶2、價(jià)帶:價(jià)電子能級(jí)分裂成的能帶稱為價(jià)帶3、禁帶:兩個(gè)能帶之間可能有一個(gè)能量間隔,這個(gè)能量間隔稱為禁帶(亦稱帶隙)。4、施主能級(jí):雜質(zhì)原子的電子能級(jí)正好位于本征硅靠近導(dǎo)帶的禁帶中,它的能量與本征硅導(dǎo)帶最低能級(jí) 之差很小,很容易被激發(fā)到導(dǎo)帶中。這種在激發(fā)中能向本征硅導(dǎo)帶供給

9、電子的雜質(zhì)稱為施主,其能級(jí)稱為 施主能級(jí);5、受主能級(jí):雜質(zhì)原子在本征半導(dǎo)體的禁帶中引進(jìn)一個(gè)靠近其價(jià)帶的能級(jí),很容易接受從價(jià)帶激發(fā)出來 的電子,從而在價(jià)帶中留下一個(gè)空穴。這類雜質(zhì)原子稱為受主,所在能級(jí)為受主能級(jí);6、介電損耗:非理想電容器受交變電場作用時(shí),由于偶極子取向需要克服分子間的摩擦力等 原因,在每一周期中獲得的電場能量必定有一部分以熱的形式損耗掉。這部分能量損耗叫介 電損耗7、介電擊穿:當(dāng)電場強(qiáng)度足夠高時(shí),通過電介質(zhì)的電流是如此之大,致使電介質(zhì)實(shí)際上變?yōu)閷?dǎo)體,有時(shí) 還能造成材料的局部熔化、燒焦和揮發(fā)等,這種現(xiàn)象叫做介電擊穿。8、介電強(qiáng)度:造成電介質(zhì)擊穿的電場強(qiáng)度稱為介電強(qiáng)度,也稱擊穿強(qiáng)度,通常以v/mm來表示。9、磁滯現(xiàn)象:退磁過程中B的變化落后于H的變化,這種現(xiàn)象稱為磁滯現(xiàn)象;10、磁滯回線:在交變磁場的每一周期內(nèi),B-H曲線構(gòu)成一個(gè)封閉回路,這個(gè)回路曲線稱為磁滯回線;1

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