晶硅太陽能電池i層厚度優(yōu)化的數(shù)值模擬

1、Experiment 第2 4卷第Experiment 第2 4卷第12期2 0 V01.24 No.2期20al Technology0 7年12月12 Dee.2 0 0 7晶硅太陽能電池i層厚度優(yōu)化的數(shù)值模擬.txt這是一個(gè)禁忌相繼崩潰的時(shí)代，沒人攔得著你， 只有你自己攔著自己，你的禁忌越多成就就越少。自卑有多種檔次，最高檔次的自卑表現(xiàn)為 吹噓自己干什么都是天才。本文由啊呀娃娃chen貢獻(xiàn)pdf文檔可能在WAP端瀏覽體驗(yàn)不佳。建議您優(yōu)先選擇TXT，或下載源文件到本機(jī)查看。堡墮！Q絲二塑塹CNI12034/T實(shí)驗(yàn)技術(shù)與管理andManagement非晶硅太陽能電池i層厚度優(yōu)化的數(shù)值模擬姚若

2、河，鄭佳華(華南理工大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院，廣東廣州5 1 0 6 4 0 )摘要：應(yīng)用AMPS1D軟件對(duì)非晶硅太陽能電池的一，一1，特性進(jìn)行了模擬研究， 重點(diǎn)模擬分析了1層厚度對(duì)Pin結(jié)構(gòu)非晶硅太陽能電池特性參數(shù)的影響。關(guān)鍵詞： 太陽能電池；非晶硅；數(shù)值模擬中圖分類號(hào)：TP3 9文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：B文章編號(hào)：10 0 24956(2007)12006702Numerical simulation of i layers thickneon a 一 Si：H P一 in solar cell devices YAO Ruo he，Zheng Jia hua (Schoolof Physics，Sou

3、th China University of Tech nology，Guangzhou510640，China)Abstract：The AMPS1 D(analysis of microe lectronic and photonic characteristics structures)was used on to module the light JV of a Si：H P in solar cell devices.The ef fects of the i layers thickness the light JV characteris tics have been exami

4、ned. Key words：solar c ell；aSi：H；numericM simulation太陽能是一種清潔、無污染、取之不盡用之不竭的自然能源，將太陽能轉(zhuǎn)換為電能是大 規(guī)模利用 太陽能的重要技術(shù)基礎(chǔ)。半導(dǎo)體太陽能電池利用半導(dǎo)體的光生伏特效應(yīng)直接將太陽能轉(zhuǎn)化為電能，技術(shù)比較成熟。在硅系列電池中，由于非晶硅對(duì)陽光的吸收系數(shù)高，活 性層只需lm厚，材料的需求量大大減少；沉積溫度低，可直接沉積在玻璃、不銹鋼和 塑料膜等廉價(jià)的襯底材料上；生產(chǎn)成本低，具有單片電池面積大、適于工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)等 優(yōu)點(diǎn)而受到重視。形成Pin結(jié)構(gòu)。圖1中，襯底為n型非晶硅，頂層為P型的非晶SiC材料，中 間緩沖層

5、為本征非晶硅，主要結(jié)構(gòu)參數(shù)和模擬參數(shù)見表1。圖1Pi 11結(jié)構(gòu)非晶硅太陽能電池結(jié)構(gòu)示意圖Pin結(jié)構(gòu)非晶硅太陽能電池的模 型參數(shù)參數(shù) P層(a _ SiC) i層(a si)801.724.009表11模型結(jié)構(gòu)與模擬原理1.1器件結(jié)構(gòu)典型的非晶硅太陽能電池結(jié)構(gòu)如圖1所示。非晶硅中由于原子排列缺 少結(jié)晶硅的規(guī)則性，缺陷多，因此，要在P層與n層之間加入本征層i層，收稿日期：2 0 0 7 0 2 2 8作者簡(jiǎn)介：姚若河(1961)，男，廣東省揭陽 市人。博士，教授。從事半導(dǎo)體器件及物理的教學(xué)和科研工作.n層(a Si)1.80遷移率帶隙/eV光學(xué)帶隙/eV電子親和能/eV相對(duì)介電常數(shù)占有效態(tài)密度N

6、c/(cm3eV) Nv/(cm3eV1)1.961.903.9211.91.7 24.00 11.9 2.5X1020 2.5X10202.5 X102 0 2.5 X 1 0 2 02.5X102 0 2.5 X 1 0 2 0萬 方數(shù)據(jù)實(shí)驗(yàn)技術(shù)與管理續(xù)表參數(shù) 電子遷移率p0/(cm2V18 一 1)空穴遷移率/.z/(cm 2V一8 1)價(jià)帶尾態(tài)特征能量遷移率ED/eV導(dǎo)帶尾態(tài)特征能量遷移率E/e V 摻雜濃度 /cm q Gdo/(cm3eV1) G/(cm3eV1)EooN/eV 0.2其中，1為電子的電流密度，有L (菇)=ni層(a Si) n層(a Si)P層(a SiC)f蘭

7、孕1，E州為電子的準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)；矗為空穴的電0.521流密度，Jp(石)=舭，凡(警)，EEp.為空穴的準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)；Go,(茗)為電子空穴對(duì)的光生效率，為位置菇的函數(shù)。運(yùn)用數(shù)值計(jì)算方法求解方程(1)、(2)、(3)中的砂(茗)、p(x)、n(x )進(jìn)而求出各特性參數(shù)。0.050.050.070.0 30.0 32模擬結(jié)果分析N人=3X10”1.0X101910X10191.24 1.143X10TM1.0X101910X1019ND1X1019 1.0X101910X1019 1.12 1.023X10Is對(duì)Pi.n結(jié)構(gòu)非晶硅太陽能電池模擬時(shí)，光照條件為AMl.5,100 mW/ cm2,光從P

8、型非晶硅層入射到器件中。為了研究i層厚度對(duì)器件性能的影響，將P層和 n層的厚度分別固定為8 am和15 nm, i層厚度分別取10am、50 nm、100 nm、200 n/ll、300Rill、1.1 2 1.0 2 5 X 1 0 1 6EAce/eV隙問定域態(tài)分：砟/cm31.2模擬原理模擬在態(tài)密度（DOS）模式下進(jìn)行。對(duì)于非晶硅來說，帶尾定域態(tài) 相當(dāng)重要，使用指數(shù)函數(shù)來模擬，用高斯分布來描述非晶硅的懸掛鍵。對(duì)Pin結(jié)構(gòu) 非晶硅太陽能電池，若給出各層半導(dǎo)體材料的能帶結(jié)構(gòu)、電子態(tài)密度分布、空穴態(tài)密度分布 和電子親和能等，根據(jù)半導(dǎo)體器件3個(gè)基本方程：泊松方程，電子連續(xù)性方程和空穴連續(xù) 性方程

9、，在適當(dāng)?shù)倪吔鐥l件下即可求解出器件的特性。泊松方程把材料體系中的自由載流 子數(shù)目，受陷電子和受陷空穴數(shù)目，離化雜質(zhì)數(shù)目等和靜電場(chǎng)聯(lián)系起來。泊松方程表示為4 0 0 am、5 0 0 nm、6 0 0 am、700nm。模擬不同i層厚度條件下光電池的開路電壓、短路電流氏、填充因子FF和光電轉(zhuǎn)換效率卵隨i層厚度變化的情況，模擬結(jié)果如圖2所示。由圖2可見，隨著i層厚度的增加。、氏、FF和叼都先增大，到達(dá)一最大值后又隨i層厚度的進(jìn)一步增加而減小。對(duì)短路電流， 一般可表示為k=矗一州exp學(xué)一1】（4）當(dāng)i層厚度比較薄時(shí)，隨著i層厚度的增大，光生載流子增加，光生電流密度以增大，反向飽和電期占（茗）警=q

10、Xp （髫）一n（石）+瞞（石）一W二（石）+p（菇）一n（W），（1）其中，沙為器件中石點(diǎn)單位正電荷電勢(shì)；P （石），流密度不變的情況下氏增大。當(dāng)i層厚度增加到一定程度時(shí)，使內(nèi)建電場(chǎng)強(qiáng)度分布明顯受影響，光生載流子得不到有效的收集，從而使如下降。對(duì)0和FF有：n（x ）分別為自由空穴和自由電子的濃度；W；（髫），N2（石）分別為電離施主濃度和電離受主濃度；P。（x），ilt （髫）分別為受陷 空穴和受陷電子濃度；gA（E）為帶隙中單位體積單位能量的類受主態(tài)密度連續(xù)分布函 數(shù)；(E)為能量為E的能態(tài)被一個(gè)電FF一 ，一In,LJ.,：o 一器)H1律也應(yīng)是先增大后減小。(下轉(zhuǎn)第7 3頁)%0 =

11、弘(魯)叫，(5)(6)子占據(jù)的概率；gD(E)為帶隙中單位體積單位能量的類施主態(tài)密度連續(xù)分布函數(shù)；(E)為能量為E的能態(tài)被一個(gè)空穴占據(jù)的概率?？芍?，。正比于氏，所以其變化規(guī)律與氏相似。對(duì)于，7,有叼：TPsp/A，PmP：，m比為最佳功率在穩(wěn)態(tài)條件下，若自由載流子的濃度不隨時(shí)間變化，則自由電子和自由空穴的連續(xù)性方程分別為輸出，A為電池正面曝光面積(cm2)，P。為每cm2的光照功率輸入，所以P。 不變，叼的變化規(guī)：(警1_一G。(菇)+尺(石)，q、似，(2)(3)if學(xué) 1=G。，(戈)一R(茹)，萬 方數(shù)據(jù)聶偉，等：基于SOP (:的Turbo碼實(shí)驗(yàn)平臺(tái)設(shè)計(jì)73Builder中定制生成的

12、Nios I I軟核處理器實(shí)現(xiàn)了基于SOP(:的Tu rbo碼實(shí)驗(yàn)平臺(tái)。其中MCU控制、鍵盤掃描及液晶顯示模塊的程序在NiosII IDE寇艷紅，楊楓，陳雁.通信原理開放性實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目設(shè)計(jì)】J.實(shí)驗(yàn)技術(shù)與管理，0 0 5，22(11)： 1 0 5 1 0 7. E2BERROU C，GLAVIEUX A， THITIMAJSHlMAlimiE3torcorrectingP.NearShannon6.0中coding anddecoding：turbocodesc.Proc用C語言實(shí)現(xiàn)，F(xiàn)PGA用戶邏輯部分的程序用VHDL硬件描述語言編寫并在Qua rtusIIICC93，Geneva，Switz

13、erland，May 1 9 9 3.6.0環(huán)境3張慶治，劉巧艷.基于FPGA的Turbo碼譯碼器設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)J.北京 電子科技學(xué)院學(xué)報(bào)，2004，12(4)4751. 4劉小同，萬國春，陳嵐.基 于Max LogMAP算法的Turbo碼的硬件設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)】J.江西科技師范學(xué) 院學(xué)報(bào)，2 0 0 5，8(4)：8.16.下完成了仿真、綜合及下載。通過在液晶上實(shí)時(shí)顯示實(shí)驗(yàn)過程中Turbo編譯碼器的 工作參數(shù)及接收到誤碼的信息幀的數(shù)目，使學(xué)生能夠清楚地理解Tur-b。編譯碼器各個(gè)環(huán)節(jié)的作用及整個(gè)實(shí)驗(yàn)的數(shù)據(jù)流程。SOPC的實(shí)現(xiàn)技術(shù)使得學(xué)生可 以很容易地修改各模塊的程序代碼，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)Turbo編譯碼算法

14、的研究和改進(jìn)。參 考文獻(xiàn)(References)：5劉東華.Turbo碼原理與應(yīng)用技術(shù)】M.北京：電子工業(yè)出版 社。2004.6袁東風(fēng)，張海霞.寬帶移動(dòng)通信中的先進(jìn)信道編碼技術(shù)M北京：北京郵電大學(xué)出版社，2 0 0 4.7潘松，黃繼業(yè).曾毓.SOPC技術(shù)實(shí)用教程M北京: 清華大學(xué)出版社，2 0 0 5.(上接第6 8頁)6 5 4 3 2毒1098785432暑毫鼉罩ilayer thickness/nm圖2Voc,Jsc。耶和呀隨i層厚度的變化1 0 9 4 1 0 9 8.3結(jié)論本文用AMPS1D對(duì)Pin結(jié)構(gòu)非晶硅太陽能電池的，一y特性進(jìn)行模擬，研究了1層厚度對(duì)非R Martins， gi

15、neering of a.vice stability by suitable design of int Energy研究了1層厚度對(duì)非R Martins， gineering of a.vice stability by suitable design of int EnergyMater&SolarC 廖顯伯，曾湘波，等.納米硅( 數(shù)值模擬分析J.物理學(xué)報(bào)，I Ferreira，V S si：H de 一erfaceJ.solaells，2002(73)nc Si：H)/晶體硅(2003，52(1)：21ilva，et a1.Enr9 4 9.3胡志華，c.Si )異質(zhì)結(jié)太陽電池的 7

16、- 2 2 4.4胡志華，廖顯伯，刁宏偉，等.非晶硅太陽電池光照J(rèn)V特性的AMPS模擬】J.物理學(xué)報(bào)，2005，54(5)：2302 2306.5劉瑤，姚若河.擴(kuò)散P n結(jié)內(nèi)建電場(chǎng)的數(shù)值分析J.廣西物理，2 0 0 5，26(1)：16 21.6劉恩科，朱秉升，羅晉生，等.半導(dǎo)體物理學(xué)M北京：國防工業(yè)出版社，1 9 9 4.7倉田衡.半導(dǎo)體器件的數(shù)值分析M.北京：電子工業(yè)出版社，1 9 8 5.晶硅太陽能電池特性參數(shù)的影響。從模擬結(jié)果看，y&，氏，F(xiàn)F和叼的理論最大值處在i層厚度為5 04 0 0nm范圍內(nèi)，且對(duì)應(yīng)于不同的i層厚度。為了獲得最優(yōu)的電池性能，應(yīng)綜合考慮，k，F(xiàn)F和叼的取值。參考文

17、獻(xiàn)(References)：1R Martins， I Ferreira，A Cabrita， et a1.I mprovement of aSi：Hdevice stability and performances byproperdesignOf interfacesJ.JournalofNonCrystallineSolids,2000 (266 )：萬 方數(shù)據(jù)1本文由啊呀娃娃chen貢獻(xiàn)pdf文檔可能在WAP端瀏覽體驗(yàn)不佳。建議您優(yōu)先選擇TXT,或下載源文件到本機(jī)查看。 堡墮！Q絲二塑塹CNIl2034/T實(shí)驗(yàn)技術(shù)與管理Experimental Technology第2 4卷第12期2

18、 0 0 7年12月V01.24 No.12 Dee.2 0 0 7 and Management 非晶硅太陽能電池i層厚度優(yōu)化的數(shù)值模擬 姚若河，鄭佳華(華南理工大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院，廣東廣州5 1 0 6 4 0 )摘要：應(yīng)用AMPS1D軟件對(duì)非晶硅太陽能電池的一，一l,特性進(jìn)行了模擬研究， 重點(diǎn)模擬分析了1層厚度對(duì)Pin結(jié)構(gòu)非晶硅太陽能電池特性參數(shù)的影響。關(guān)鍵詞： 太陽能電池；非晶硅；數(shù)值模擬中圖分類號(hào)：TP3 9文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：B文章編號(hào)：10 0 24956(2007)12006702Numerical simulation of i 一layers thickne ss on a S

19、i：H P in solar cell devices YAO Ruo he,Zheng Jia hua (Schoolof Physics,South China University of Tech nology,Guangzhou510640,China)Abstract：The AMPS1 D(analysis of microe lectronic and photonic characteristics structures)was used on to module the lightJVof a Si：H P in solar cell devices.The effectso

20、f thei1ayersthicknessthe1ightJVcharacteristics havebeenexamined.,Keywords：so1ar ce11；aSi：H；numericMsimulation太陽能是一種清潔、無污染、取之不盡用之不竭的自然能源，將太陽能轉(zhuǎn)換為電能是大 規(guī)模利用 太陽能的重要技術(shù)基礎(chǔ)。半導(dǎo)體太陽能電池利用半導(dǎo)體的光生伏特效應(yīng)直接將太 陽能轉(zhuǎn)化為電能，技術(shù)比較成熟。在硅系列電池中，由于非晶硅對(duì)陽光的吸收系數(shù)高，活 性層只需lm厚，材料的需求量大大減少；沉積溫度低，可直接沉積在玻璃、不銹鋼和 塑料膜等廉價(jià)的襯底材料上；生產(chǎn)成本低，具有單片電池面積大、適于工

21、業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)等 優(yōu)點(diǎn)而受到重視。形成Pin結(jié)構(gòu)。圖1中，襯底為n型非晶硅，頂層為P型的非晶SiC材料，中 間緩沖層為本征非晶硅，主要結(jié)構(gòu)參數(shù)和模擬參數(shù)見表1。圖1Pi 11結(jié)構(gòu)非晶硅太陽能電池結(jié)構(gòu)示意圖Pin結(jié)構(gòu)非晶硅太陽能電池的模 型參數(shù)參數(shù) P層(a _ SiC) i層(a si)801.724.009表11模型結(jié)構(gòu)與模擬原理1.1器件結(jié)構(gòu)典型的非晶硅太陽能電池結(jié)構(gòu)如圖1所示。非晶硅中由于原子排列缺 少結(jié)晶硅的規(guī)則性，缺陷多，因此，要在P層與n層之間加入本征層i層，收稿日期：2 0 0 7 0 2 2 8作者簡(jiǎn)介：姚若河(1961)，男，廣東省揭陽 市人。博士，教授。從事半導(dǎo)體器件及物理

22、的教學(xué)和科研工作.n層(a Si)1.80遷移率帶隙/eV光學(xué)帶隙/eV電子親和能/eV相對(duì)介電常數(shù)占有效態(tài)密度N c/(cm3eV) Nv/(cm3eV1)1.96 1.903.92 11.91.7 2 4.00 11.9 2.5X1020 2.5X10202.5X102 0 2.5 X 1 0 2 02.5X102 0 2.5 X 1 0 2 0萬方數(shù)據(jù)實(shí)驗(yàn)技術(shù)與管理續(xù)表參數(shù) 電子遷移率p/(cm2V18 1)空穴遷移率/.z/(cm 2V一8 1)價(jià)帶尾態(tài)特征能量遷移率ED/eV導(dǎo)帶尾態(tài)特征能量遷移率E/e V 摻雜濃度 /cm q Gdo/(cm3eV1) G/(cm3eV1)EooN

23、/eV 0.2其中，1為電子的電流密度，有L (菇)=觥。ni層(a Si) n層(a Si)P層(a SiC)f蘭孕1，E州為電子的準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)；矗為空穴的電0.521流密度，JP（石）=舭，凡（警），EEp.為空穴的準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)；G。，（茗）為電子空穴對(duì)的光生效率，為位置菇的函數(shù)。運(yùn)用數(shù)值計(jì)算方法求解方程（1）、（2）、（3）中的砂（茗）、p（x）、n（x ）進(jìn)而求出各特性參數(shù)。0.050.050.070.030.032模擬結(jié)果分析N人=3X10” 1.0X1019 1.0X1019 1.24 1.143X10TM 1.0X10191.0X1019ND=1X10 19 1.0X1019 1.0

24、X1019 1.12 1.023X10Is對(duì)Pi.n結(jié)構(gòu)非晶硅太陽能電池模擬時(shí)，光照條件為AM1.5，100 mW/cm2,光從P型非晶硅層入射到器件中。為了研究i層厚度對(duì)器件性能的影響，將P層和 n層的厚度分別固定為8 am和15 nm，i層厚度分別取10am、50 nm、100 nm、200 n/11、300Rill、1.1 2 1.0 2 5 X 1 0 1 6EAce/eV隙問定域態(tài)分：砟/cm31.2模擬原理模擬在態(tài)密度（DOS）模式下進(jìn)行。對(duì)于非晶硅來說，帶尾定域態(tài) 相當(dāng)重要，使用指數(shù)函數(shù)來模擬，用高斯分布來描述非晶硅的懸掛鍵。對(duì)Pin結(jié)構(gòu) 非晶硅太陽能電池，若給出各層半導(dǎo)體材料的

25、能帶結(jié)構(gòu)、電子態(tài)密度分布、空穴態(tài)密度分布 和電子親和能等，根據(jù)半導(dǎo)體器件3個(gè)基本方程：泊松方程，電子連續(xù)性方程和空穴連續(xù) 性方程，在適當(dāng)?shù)倪吔鐥l件下即可求解出器件的特性。泊松方程把材料體系中的自由載流 子數(shù)目，受陷電子和受陷空穴數(shù)目，離化雜質(zhì)數(shù)目等和靜電場(chǎng)聯(lián)系起來。泊松方程表示為0 0 am、5 0 0 nm、6 0 0 am、700nm。模擬不同i層厚度條件下光電池的開路電壓、短路電流氏、填充因子FF和光電轉(zhuǎn)換效率卵隨i層厚度變化的情況，模擬結(jié)果如圖2所示。由圖2可見，隨著i層厚度的增加。、氏、FF和叼都先增大，到達(dá)一最大值后又隨i層厚度的進(jìn)一步增加而減小。對(duì)短路電流， 一般可表示為k=矗一

26、州exp學(xué)一1】（4）當(dāng)i層厚度比較薄時(shí)，隨著i層厚度的增大，光生載流子增加，光生電流密度以增大，反向飽和電期占（茗）警=qXp （髫）一n（石）+瞞（石）一W二（石）+p（菇）一n（W），（1）其中，沙為器件中石點(diǎn)單位正電荷電勢(shì);P （石），流密度不變的情況下氏增大。當(dāng)i層厚度增加到一定程度時(shí)，使內(nèi)建電場(chǎng)強(qiáng)度分布明顯受影響，光生載流子得不到有效的收集，從而使如下降。對(duì)0和FF有：n（x ）分別為自由空穴和自由電子的濃度；W；（髫），N2（石）分別為電離施主濃度和電離受主濃度；P。（x）,ilt （髫）分別為受陷 空穴和受陷電子濃度；gA（E）為帶隙中單位體積單位能量的類受主態(tài)密度連續(xù)分布函

27、數(shù)；（E）為能量為E的能態(tài)被一個(gè)電FF一 ，一In,LJ.,：o 一器）H1律也應(yīng)是先增大后減小。（下轉(zhuǎn)第7 3頁）%0 =弘（魯）叫，（5）（6）子占據(jù)的概率；gD（E）為帶隙中單位體積單位能量的類施主態(tài)密度連續(xù)分布函數(shù)；（E）為能量為E的能態(tài)被一個(gè)空穴占據(jù)的概率。可知，。正比于氏，所以其變化規(guī)律與氏相似。對(duì)于，7，有叼：TPsp/A，PmP：，m比為最佳功率在穩(wěn)態(tài)條件下，若自由載流子的濃度不隨時(shí)間變化，則自由電子和自由空穴的連續(xù)性方程分別為輸出，A為電池正面曝光面積（cm2），P。為每cm2的光照功率輸入，所以P。 不變，叼的變化規(guī)：（警1_一G。（菇）+尺（石），q、似，（2）（3）if

28、學(xué) 1=G。，（戈）一R（茹），萬 方數(shù)據(jù)聶偉，等：基于SOP （:的Turbo碼實(shí)驗(yàn)平臺(tái)設(shè)計(jì)73Builder中定制生成的Nios I I軟核處理器實(shí)現(xiàn)了基于SOP（:的Tu rbo碼實(shí)驗(yàn)平臺(tái)。其中MCU控制、鍵盤掃描及液晶顯示模塊的程序在NiosII IDE1寇艷紅，楊楓，陳雁.通信原理開放性實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目設(shè)計(jì)J.實(shí)驗(yàn)技術(shù)與管理， 2 0 0 5，22（11）： 1 0 5 1 0 7. E2BERROU C，GLAVIEUX A， THITIMAJSHlMAlimiE3torcorrectingP.NearShannon6.0中coding anddecoding：turbocodesc.Pr

29、oc用C語言實(shí)現(xiàn)，F(xiàn)PGA用戶邏輯部分的程序用VHDL硬件描述語言編寫并在Qua rtusIIICC93，Geneva，Switzerland，May 1 9 9 3.6.0環(huán)境張慶治，劉巧艷.基于FPGA的Turbo碼譯碼器設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)J.北京 電子科技學(xué)院學(xué)報(bào)，2004,12 (4) 4751. 4劉小同，萬國春，陳嵐.基 于Max-Log-MAP算法的Turbo碼的硬件設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)】J.江西科技師范學(xué) 院學(xué)報(bào)，2 0 0 5,8 ( 4 )：8.16.下完成了仿真、綜合及下載。通過在液晶上實(shí)時(shí)顯示實(shí)驗(yàn)過程中Turbo編譯碼器的 工作參數(shù)及接收到誤碼的信息幀的數(shù)目，使學(xué)生能夠清楚地理解Tur-bo編譯碼器各個(gè)環(huán)節(jié)的作用及整個(gè)實(shí)驗(yàn)的數(shù)據(jù)流程。SOPC的實(shí)現(xiàn)技術(shù)使得學(xué)生可 以很容易地修改各模塊的程序代碼，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)Turbo編譯碼算法的研究和改進(jìn)。參 考文