內(nèi)存的技術(shù)指標(biāo)

1、1 內(nèi)存容量?jī)?nèi)存容量是指存放計(jì)算機(jī)運(yùn)行所需的程序和數(shù)據(jù)的多少。 內(nèi)存容量直接關(guān)系到計(jì) 算機(jī)的整體性能，是除CPU之外能表明計(jì)算機(jī)檔次等級(jí)的一個(gè)重要指標(biāo)。目前， 主流計(jì)算機(jī)的內(nèi)存容量一般為 128MB、256MB和512MB。2數(shù)據(jù)帶寬數(shù)據(jù)帶寬是指內(nèi)存一次輸出/輸入的數(shù)據(jù)量，是衡量?jī)?nèi)存性能的重要指標(biāo)。通常 情況下，PC100的SDRAM在額定頻率（100MHz）下工作時(shí)，其峰值傳輸率 可以達(dá)到800MBps ;工作在133MHz的情況下，其峰值的傳輸率已經(jīng)達(dá)到了 1.06GBps ,這一速度比PC100提高了 200MBps。在實(shí)際應(yīng)用中，其性能提高 的效果是很明顯的。對(duì)于 DDR而言，由于在同

2、一個(gè)時(shí)鐘的上升沿和下降沿都能 傳輸數(shù)據(jù)，所以工作在133MHz時(shí)，它的實(shí)際傳輸率可以達(dá)到2.1GBps。計(jì)算內(nèi)存帶寬的公式也很簡(jiǎn)單：內(nèi)存帶寬總量（Mbytes ）=最大時(shí)鐘速頻率（MHz） X總線寬度（bits） X每時(shí)鐘數(shù)據(jù)段數(shù)量/ 8。ECC校驗(yàn)為了防止內(nèi)存中的數(shù)據(jù)發(fā)生錯(cuò)誤，需要對(duì)字節(jié)中的數(shù)據(jù)位進(jìn)行奇偶校驗(yàn)。 奇偶校 驗(yàn)對(duì)于保證數(shù)據(jù)的正確讀寫起到很關(guān)鍵的作用，尤其是在數(shù)據(jù)量非常大的計(jì)算中。 標(biāo)準(zhǔn)型的內(nèi)存條有的有校驗(yàn)位，有的沒(méi)有；非標(biāo)準(zhǔn)的內(nèi)存條均有奇偶校驗(yàn)位。ECC 是 Error Correction Coding 或 Error Checking and Correcting 的縮寫，代

3、 表具有自動(dòng)糾錯(cuò)功能的內(nèi)存，可以糾正一位二進(jìn)制數(shù)的錯(cuò)誤。 ECC內(nèi)存也是在 原來(lái)的數(shù)據(jù)位上外加位來(lái)實(shí)現(xiàn)的。當(dāng)數(shù)據(jù)的位數(shù)增加一倍，Parity也增加一倍，而ECC只需增加一位，當(dāng)數(shù)據(jù)為64位時(shí)所用的ECC只需增加一位，當(dāng)數(shù)據(jù)為 64位時(shí)所用的ECC和Parity位數(shù)相同。tCKtCK （TCLK）指系統(tǒng)時(shí)鐘周期，表示SDRAM所能運(yùn)行的最大頻率。數(shù)字越小 說(shuō)明SDRAM芯片所能運(yùn)行的頻率越高。對(duì)于一片普通的PC-100 SRDAM來(lái)說(shuō)， 其芯片上的標(biāo)識(shí)-100表示它的運(yùn)行時(shí)鐘周期為10ns,即可以在100MHz的外頻 下正常工作。大多數(shù)內(nèi)存標(biāo)號(hào)的尾數(shù)表示的就是 tCK周期。P133標(biāo)準(zhǔn)要求tCK

4、 不大于7.5ns。tACtAC （Access Time from CLK ）是最大CAS延遲時(shí)的最大數(shù)輸入時(shí)鐘。 PC100 規(guī)范要求在CL = 3時(shí)，tAC不大于6nso某些內(nèi)存標(biāo)號(hào)的位數(shù)表示這個(gè)值。目 前大多數(shù)SDRAM芯片的存取時(shí)間為5、6、7、8或10ns。這不同于系統(tǒng)時(shí)鐘 周期，它們之間有著本質(zhì)的區(qū)別CLCL （CAS Latency ）為CAS的延遲時(shí)間，是縱向地址脈沖的反應(yīng)時(shí)間，也是在 一定頻率下衡量支持不同規(guī)范的內(nèi)存的重要標(biāo)志之一。如現(xiàn)在大多數(shù)的SDRAM都能運(yùn)行在CAS Latency =2或3的模式下，也就是說(shuō)這時(shí)它們讀取數(shù)據(jù)的延遲 時(shí)間可以是2個(gè)時(shí)鐘周期也可以是3個(gè)時(shí)

5、鐘周期。在SDRAM的制造過(guò)程中， 可以將這個(gè)特性寫入 SDRAM的EEPROM中，在開機(jī)時(shí)主板的BIOS就會(huì)檢查 此項(xiàng)內(nèi)容，并以CL=2這一默認(rèn)模式運(yùn)行。對(duì)于PC100內(nèi)存來(lái)說(shuō)，就是要求當(dāng)CL = 3時(shí)，tCK的數(shù)值要小于10ns, tAC 要小于6nso至于為什么強(qiáng)調(diào)是CL=3的時(shí)候，這是因?yàn)閷?duì)于同一個(gè)內(nèi)存條當(dāng) 設(shè)置成不同的CL數(shù)值時(shí)，tCK的值可能是不相同的，當(dāng)然tAC的值也是不太可 能相同的?？傃舆t時(shí)間的計(jì)算公式為：總延遲時(shí)間=系統(tǒng)時(shí)鐘周期+存儲(chǔ)時(shí)間， 如某PC100內(nèi)存的存取時(shí)間為6ns,假設(shè)CL模式數(shù)為2即CL = 2,則總延遲 時(shí)間=10nsX2 + 6ns = 26ns,這就是

6、評(píng)價(jià)內(nèi)存性能高低的重要數(shù)值。對(duì)于將 PC100、PC133內(nèi)存只使用在66MHz或100MHz總線下的用戶，強(qiáng)烈建議將 CL的數(shù)值設(shè)置為2,這樣你的內(nèi)存無(wú)疑會(huì)有更好的性能。7行地址控制器（CAS）行地址控制器（CAS）可能是最能決定內(nèi)存模塊對(duì)數(shù)據(jù)請(qǐng)求進(jìn)行響應(yīng)的因素之一了。通常把行地址控制器叫做 CAS延遲，一般來(lái)說(shuō)，在SDR SDRAM中，可以 設(shè)定為2或者3 （當(dāng)然是根據(jù)自己內(nèi)存的具體情況而定）。對(duì)于DDR內(nèi)存來(lái)說(shuō)， 一般常用的設(shè)定為2或者2.5。內(nèi)存中最基本的存儲(chǔ)單元就是柱面，而這些柱面通過(guò)行和列的排列組成了一個(gè)矩 陣，每個(gè)行和列的坐標(biāo)集就代表了一個(gè)惟一的地址。 所以內(nèi)存在存取數(shù)據(jù)的時(shí)候

7、是根據(jù)行和列的地址集來(lái)進(jìn)行數(shù)據(jù)搜索的。8 尋址到可用（Trp） /GAS到RAS （CMD）相對(duì)而言，Trp以及CMD時(shí)間并沒(méi)有CAS時(shí)間那么重要，但是也足以影響內(nèi)存 的性能。一般這里的設(shè)置值為 3 （時(shí)鐘循環(huán)），如果把這個(gè)值改小為 2,就可以 提升一點(diǎn)內(nèi)存性能。9列地址控制器（RAS） /其他延遲內(nèi)存本身就是一個(gè)非常復(fù)雜的零部件， 可以這么說(shuō)，計(jì)算機(jī)內(nèi)部工作過(guò)程最復(fù)雜 的就是存儲(chǔ)器了。但是幸好這些煩瑣的工作對(duì)于我們這些最終用戶來(lái)說(shuō)是透明的， 而我們平時(shí)用來(lái)判斷內(nèi)存性能、質(zhì)量好壞的這些參數(shù)也只是其中的一部分而已。在此必須提及RAS延遲和另外兩個(gè)延遲。RAS通常為6個(gè)始終循環(huán)，但是實(shí)際 上在超頻

8、中可以將它修改為5。SPD （用的存在探測(cè)）SPD是1個(gè)8針的SOIC封裝256字節(jié)的EEPROM 芯片。型號(hào)多為24LC01B , 一般處于內(nèi)存條正面的右側(cè)，里面記錄了諸如內(nèi)存的速度、容量、電壓與行、列 地址帶寬等參數(shù)信息。當(dāng)開機(jī)時(shí)，計(jì)算機(jī)的 BIOS將自動(dòng)讀取SPD中記錄的信 息，如果沒(méi)有SPD,就容易出現(xiàn)死機(jī)或致命錯(cuò)誤的現(xiàn)象。ECC （Error Checking and Correcting ）錯(cuò)誤檢查和糾正。與奇偶校驗(yàn)類似，它不但能檢測(cè)到錯(cuò)誤的地方，還可以糾正絕 大多數(shù)錯(cuò)誤。它也是在原來(lái)的數(shù)據(jù)位上外加位來(lái)實(shí)現(xiàn)的， 這些額外的位是用來(lái)重 建錯(cuò)誤數(shù)據(jù)的。只有經(jīng)過(guò)內(nèi)存的糾錯(cuò)后，計(jì)算機(jī)操作指

9、令才可以繼續(xù)執(zhí)行。DIMM （Dual In-line Memory Modules ）雙邊接觸內(nèi)存模組。也就是說(shuō)這種類型接口內(nèi)存的插板兩邊都有數(shù)據(jù)接口觸片，這種接口模式的內(nèi)存廣泛應(yīng)用于現(xiàn)在的計(jì)算機(jī)中，通常為84針。由于是雙邊的，共有84X2= 168線接觸，所以人們常把這種內(nèi)存稱為 168線內(nèi)存。SIMM （Single In-line Memory Modules ）單邊接觸內(nèi)存模組，是5x86及其較早的PC中常采用的內(nèi)存接口方式。在 486 以前，多采用30針的SIMMS口，而在Pentium中更多的是72針的SIMMg口， 或者與DIMMg口類型并存。人們通常把72線的SIM源型內(nèi)存模

10、組直接稱為72 線內(nèi)存。,內(nèi)存的發(fā)展起初，電腦所使用的內(nèi)存是一塊塊的IC ,我們必須把它們焊接到主機(jī)板上才能正常使用，一旦某一塊內(nèi)存IC壞了，必須焊下來(lái)才能更換，這實(shí)在是太費(fèi)勁了。后來(lái)，電腦設(shè)計(jì)人員 發(fā)明了模塊化的條裝內(nèi)存，每一條上集成了多塊內(nèi)存IC,相應(yīng)地，在主板上設(shè)計(jì)了內(nèi)存插槽，這樣，內(nèi)存條就可隨意拆卸了，從此，內(nèi)存的維修和擴(kuò)充都變得非常方便。根據(jù)內(nèi)存條上的引腳多少，我們可以把內(nèi)存條分為30線、72線、168線等幾種。30線與72線的內(nèi)存條又稱為單列存儲(chǔ)器模塊SIMM ,168線的內(nèi)存條又稱為雙列存儲(chǔ)器模塊DIMM 。目前30線內(nèi)存條已經(jīng)沒(méi)有了；前兩年的流行品種是72線的內(nèi)存條，其容量一般

11、有4兆、8兆、16兆和32兆等幾種；目前市場(chǎng)的主流品種是168線內(nèi)存條，168線內(nèi)存條的容量一般有16兆、32兆、64兆、128兆等幾種，一般的電腦插一條就 OK 了，不過(guò)， 只有基于VX、TX、BX芯片組的主板才支持 168線的內(nèi)存條。起初，電腦所使用的內(nèi)存是一塊塊的IC ,我們必須把它們焊接到主機(jī)板上才能正常使用，一旦某一塊內(nèi)存IC壞了，必須焊下來(lái)才能更換，這實(shí)在是太費(fèi)勁了。后來(lái)，電腦設(shè)計(jì) 人員發(fā)明了模塊化的條裝內(nèi)存，每一條上集成了多塊內(nèi)存IC,相應(yīng)地，在主板上設(shè)計(jì)了內(nèi)存插槽，這樣，內(nèi)存條就可隨意拆卸了，從此，內(nèi)存的維修和擴(kuò)充都變得非常方便。根據(jù)內(nèi)存條上的引腳多少，我們可以把內(nèi)存條分為30

12、線、72線、168線等幾種。30線與72線的內(nèi)存條又稱為單列存儲(chǔ)器模塊SIMM ,168線的內(nèi)存條又稱為雙列存儲(chǔ)器模塊DIMM 。目前30線內(nèi)存條已經(jīng)沒(méi)有了；前兩年的流行品種是72線的內(nèi)存條，其容量一般有4兆、8兆、16兆和32兆等幾種；目前市場(chǎng)的主流品種是168線內(nèi)存條，168線內(nèi)存條的容量一般有16兆、32兆、64兆、128兆等幾種，一般的電腦插一條就 OK 了，不過(guò)， 只有基于VX、TX、BX芯片組的主板才支持 168線的內(nèi)存條。內(nèi)存條的分類內(nèi)存條分為DRAM和ROM兩種，前者又叫動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，它的一個(gè)主要特征是斷電后數(shù)據(jù)會(huì)丟失，我們平時(shí)說(shuō)的內(nèi)存就是指這一種；后者又叫只讀存儲(chǔ)器，我們平

13、時(shí)開機(jī)首先啟動(dòng)的是存于主板上 ROM中的BIOS程序，然后再由它去調(diào)用硬盤中的Windows98或Windows95 系統(tǒng)，ROM的一個(gè)主要特征是斷電后數(shù)據(jù)不會(huì)丟失。內(nèi)存條的性能指標(biāo)1.速度對(duì)內(nèi)存來(lái)說(shuō)，速度就是生命。內(nèi)存的速度用每存取一次數(shù)據(jù)所需要的時(shí)間來(lái)衡量（單位為ns ,即納秒）。這個(gè)時(shí)間越短，速度就越快，也就標(biāo)志著內(nèi)存的性能越高。普通EDO內(nèi)存速度約為60ns左右，目前最常見的 SDRAM 速度則在515ns之間。.bit 、數(shù)據(jù)寬度和帶寬內(nèi)存的數(shù)據(jù)寬度是指內(nèi)存單位時(shí)間內(nèi)傳輸?shù)臄?shù)據(jù)量，以bit為單位。bit也叫 位”，是計(jì)算機(jī)中的最小容量單位， 它只有0和1兩種狀態(tài)。8個(gè)連續(xù)的比特叫做一

14、個(gè)字節(jié) （byte ）。 而我們所說(shuō)的內(nèi)存帶寬通常指的是內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸速率。.關(guān)于內(nèi)存的線”我們平時(shí)所說(shuō)的內(nèi)存多少線”，就是指內(nèi)存條與主板插接時(shí)有多少個(gè)接觸點(diǎn)，這些接觸點(diǎn)就是所謂的 金手指”，有30線、72線和168線的分別。30線的內(nèi)存條為每條8bit的 規(guī)格，72線的內(nèi)存條是每條 32bit的規(guī)格，168線的內(nèi)存條是每條 64bit的規(guī)格。如今的 電腦因?yàn)槭褂?4bit數(shù)據(jù)存取方式，若使用 168線的內(nèi)存條一條就可以滿足要求，所以目 前的主板上都配有（甚至是只配有）168線內(nèi)存條插槽。168線內(nèi)存條的容量有16MB、32MB、64MB、128MB 甚至256MB 等。如今30線內(nèi)存條已難覓

15、蹤影，72線內(nèi)存條也漸漸被淘汰，而168線內(nèi)存條已經(jīng)成為時(shí)下的主流。.容量每個(gè)時(shí)期內(nèi)存條的容量都分為多種規(guī)格， 比如早期的30線內(nèi)存條就有256KB、1MB、 4MB、8MB等容量，后來(lái) 72線白E EDO內(nèi)存又有4MB、8MB、16MB 等容量，眼下我們 使用的168線SDRAM內(nèi)存以32MB、64MB、128MB 這幾種容量最為常見。.內(nèi)存的電壓現(xiàn)在常用的SDRAM 一般使用3.3V電壓，而早先的FPM內(nèi)存和EDO內(nèi)存均使用5V 電壓（關(guān)于FPM內(nèi)存和EDO內(nèi)存請(qǐng)參見后文）。.SPD （ Serial Presence Detect ）SPD 是 1 個(gè) 8 針的 EEPROM （Elec

16、trically Erasable Programmable ROM,電可擦寫可編程只讀存儲(chǔ)器）芯片。里面保存著諸如內(nèi)存的速度、容量、芯片及內(nèi)存模組廠商等 信息。每次開機(jī)時(shí)，BIOS都會(huì)自動(dòng)讀取SPD中所記錄的信息，隨后就能正確識(shí)別出內(nèi)存， 使之以最佳狀態(tài)工作，確保系統(tǒng)的穩(wěn)定。.TCK C Clock Cycle Time ）即內(nèi)存時(shí)鐘周期，由外頻所決定。可簡(jiǎn)單定義為TCK=1/F , F為工作時(shí)的外頻。例如系統(tǒng)在100MHz 外頻工作時(shí) TCK=10ns ,工作在142.857MHz 外頻時(shí)TCK=7ns 。.CAS 等待時(shí)間（CAS Latency ）CAS等待時(shí)間（CL）指的是CAS信號(hào)

17、需要經(jīng)過(guò)多少個(gè)時(shí)鐘周期之后才能讀寫數(shù)據(jù)。 目前符合PC100規(guī)范的SDRAM的CAS等待時(shí)間值有 2和3兩種，標(biāo)準(zhǔn)值為2 ,但為了 穩(wěn)定也可降為3。頻率相同的條件下，CAS等待時(shí)間為2的內(nèi)存較該值為3的內(nèi)存速度更快。在SDRAM 的制造過(guò)程中，這些參數(shù)被寫入SDRAM 的EEPROM （就是SPD ）中，在開機(jī)時(shí)主板的 BIOS會(huì)自動(dòng)檢查該參數(shù)。內(nèi)存條的使用注意事項(xiàng)（1）在不同的主板上提供了 30線、72線或168線的內(nèi)存插槽，對(duì)應(yīng)的應(yīng)該使用合 適的內(nèi)存。大多數(shù) 586 （以上的）主板上同時(shí)提供了72線和168線內(nèi)存插槽，但除少數(shù)主板外，一般不能同時(shí)使用兩種內(nèi)存，因?yàn)槎叩碾妷翰煌?。?）在主板上成組提供了內(nèi)存插槽，1組稱為1個(gè)BANK ,內(nèi)存使用時(shí)必須成組地至少插滿1個(gè)BANK。586主板上必須成對(duì)使用 72線內(nèi)存條，而168線內(nèi)存條可以單條使 用。同時(shí)成組使用的內(nèi)存必須容量相同，其它參數(shù)也應(yīng)