通信行業(yè)：從小米10看產(chǎn)業(yè)趨勢WiFi6及GaN快充

1、重點公司估值和財務(wù)分析表最新最近股票簡稱股票代碼 貨幣合理價值EPS(元)PE(x)EV/EBITDA(x)ROE(%)評級收盤價報告日期（元/股） 2019E2020E2019E2020E2019E2020E 2019E 2020E星網(wǎng)銳捷 002396.SZ RMB 38.902019-10-29 買入36.001.201.4230.0025.3518.9814.1716.015.9數(shù)據(jù)來源：Wind、 備注：表中估值指標(biāo) 2 月 14 日按照最新收盤價計算。目錄索引 HYPERLINK l _TOC_250010 一、小米 10 發(fā)布，WIFI 6 和氮化鎵快充引業(yè)內(nèi)關(guān)注 5 HYPER

2、LINK l _TOC_250009 （一）WIFI 6 有望成 5G 時代主流WIFI 技術(shù) 5 HYPERLINK l _TOC_250008 （二）氮化鎵（GAN）有望成為 5G 高功率解決方案 5 HYPERLINK l _TOC_250007 二、WIFI 6 有望全面普及，助推寬帶網(wǎng)絡(luò)加速升級 5 HYPERLINK l _TOC_250006 （一）WIFI 6：更快更省電的新一代WIFI 5 HYPERLINK l _TOC_250005 （二）產(chǎn)業(yè)全力擁抱WIFI 6，相關(guān)產(chǎn)品市場空間廣闊 6 HYPERLINK l _TOC_250004 三、氮化鎵（GAN），5G 時代快

3、充領(lǐng)域關(guān)鍵材料 9 HYPERLINK l _TOC_250003 （一）GAN 是應(yīng)用于快充領(lǐng)域的新一代半導(dǎo)體材料 9 HYPERLINK l _TOC_250002 （二）5G 引領(lǐng)快充領(lǐng)域發(fā)展，GAN 產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)袌隹臻g廣闊 10 HYPERLINK l _TOC_250001 四、投資建議：建議關(guān)注產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)標(biāo)的 14 HYPERLINK l _TOC_250000 五、風(fēng)險提示 15圖表索引圖 1：Wifi 6 產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)疽鈭D 7圖 2：Wifi 芯片出貨量（單位：億顆） 8圖 3：2019-2023 采用各Wifi 標(biāo)準(zhǔn)的無線AP 出貨量占比變化（單位：百萬臺） 8圖 4：小米 65W

4、氮化鎵充電器 9圖 5：GaN 產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)崂?11圖 6：2019 年手機總出貨量（萬部）和 5G 手機出貨量（萬部） 12表 1：六代Wifi 標(biāo)準(zhǔn)比較 6表 2：各種類型快速充電器性能對比 10表 3：GaN 襯底材料性能對比 11表 4：氮化鎵（GaN）功率芯片的應(yīng)用場景、市場情況及滲透率 12表 5：Wifi 6&氮化鎵快充可比公司估值 13一、小米 10 發(fā)布，Wifi 6 和氮化鎵快充引業(yè)內(nèi)關(guān)注2020年2月13日，小米公司發(fā)布旗艦小米10系列手機。作為小米10周年旗艦，多項新技術(shù)首次應(yīng)用在小米10手機上。行業(yè)視角看，小米10發(fā)布會創(chuàng)造了多個第一：第一個采用驍龍865SoC的國產(chǎn)手機

5、，同時支持SA/NSA雙模5G。第一個采用Wifi 6技術(shù)的國產(chǎn)手機。小米之前，已有三星、蘋果在自家旗艦上采用Wifi 6技術(shù)，此次發(fā)布會，則拉開了Wifi 6技術(shù)在國產(chǎn)手機全面鋪開的序幕。第一個小米生態(tài)鏈GaN（氮化鎵）充電器。小米GaN充電器65W采用了氮化鎵材料，搭配小米10 Pro可通過50W快充實現(xiàn)47分鐘充滿電。（一）Wifi 6 有望成 5G 時代主流 Wifi 技術(shù)Wifi 6與蜂窩網(wǎng)絡(luò)互為補充，網(wǎng)絡(luò)速率全場景提升。相較上一代Wi-Fi，新一代通過技術(shù)革新，將峰值速率提升37%，達(dá)到9.6Gbps。同時Wifi 6接入容量較上一代提升4倍，終端功耗降低30%以上。通信終端通過W

6、ifi 6可以同時實現(xiàn)非蜂窩使用場景下的網(wǎng)絡(luò)速率提升與節(jié)能效率提高。在Wifi 6及5G的背景下，萬物互聯(lián)等高速率、高容量、高功率de 相關(guān)領(lǐng)域?qū)⒂休^大優(yōu)勢，有望驅(qū)動終端硬件升級的行業(yè)趨勢。（二）氮化鎵（GaN）有望成為 5G 高功率解決方案小米首次應(yīng)用氮化鎵快充技術(shù)，有望成為5G高功率解決方案。氮化鎵（GaN）器件具有導(dǎo)通電阻小、電容小、禁帶寬度大、耐高溫、功率密度大等優(yōu)點，適合應(yīng)用于高頻、高功率領(lǐng)域。氮化鎵還有功率密度大、耐高溫和介電常數(shù)小的特性，因此采用氮化鎵芯片的充電器體積遠(yuǎn)小于使用傳統(tǒng)材料的充電器，具有更強的便攜性。由于5G手機高功耗弊端的存在，小米此次發(fā)布的GaN充電器得到市場的持

7、續(xù)關(guān)注。除了降低能耗外，快速充電技術(shù)可能成為行業(yè)新方向。考慮氮化鎵GaN材料高頻高效的特性，GaN快速充電有望成為行業(yè)出路。二、Wifi 6 有望全面普及，助推寬帶網(wǎng)絡(luò)加速升級（一）Wifi 6：更快更省電的新一代 Wifi三星S10系列的發(fā)布，拉開了Wifi 6大規(guī)模滲透的大幕。2019年2月，三星發(fā)布業(yè)內(nèi)第一款Wifi 6手機Galaxy S10，第一次將Wifi 6帶入大眾視野。2019年9月，Wifi聯(lián)盟推出Wifi 6認(rèn)證計劃，標(biāo)志著Wifi 6標(biāo)準(zhǔn)的正式落地。同月，作為手機行業(yè)領(lǐng)軍者的蘋果發(fā)布iPhone11系列，成為首款支持Wifi 6的iOS設(shè)備。蘋果對Wifi 6的布 局，引

8、導(dǎo)了行業(yè)技術(shù)的升級趨勢。2020年2月小米公司發(fā)布小米10系列，成為第一款支持Wifi 6的國產(chǎn)手機，國產(chǎn)手機普及Wifi 6的大幕徐徐開啟。表 1：六代Wifi標(biāo)準(zhǔn)比較Wifi 6是新一代Wifi通信技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。Wi-Fi是無線局域網(wǎng)(WLAN) 技術(shù)的一種，通常使用2.4G UHF或5G SHF ISM 射頻頻段，主要包括802.11b、802.11a、g、802.11n、802.11ac和802.11ax等標(biāo)準(zhǔn)。自誕生20多年以來，Wifi以其布置靈活、高性價比的優(yōu)勢，逐漸成為最普及的WLAN技術(shù)。2018年，Wi-Fi聯(lián)盟為便于大眾記憶，將最新標(biāo)準(zhǔn)802.11ax命名為為Wifi 6。年

9、份199919992003200920132019標(biāo)準(zhǔn)802.11b802.11a802.11g802.11n802.11ac802.11ax頻段2.4GHz5GHz2.4GHz2.4/5GHz5GHz2.4/5GHz終端理論最大速率（2*2MIMO）11Mbps54Mbps54Mbps300Mbps866.7Mbps1.2Gbps數(shù)據(jù)來源：RF 技術(shù)社區(qū)， 相比于前代Wifi技術(shù)，Wifi 6技術(shù)優(yōu)勢可以概括為更快、更大承載、更低功耗。更快。Wifi2-5代使用OFDM（正交頻分復(fù)用）技術(shù)，只允許無線路由器在一個通信周期內(nèi)只能跟一臺設(shè)備通訊，浪費了路由器單個周期的數(shù)據(jù)傳輸能力，多設(shè)備時設(shè)備間

10、等通過排隊方式等待路由器一個個傳輸完畢，造成網(wǎng)絡(luò)擁堵和延遲。Wifi 6升級到OFDMA（正交頻分多址）技術(shù)，在一個通信周期內(nèi)能跟多個不同設(shè)備通信，最大程度利用數(shù)據(jù)傳輸總量。更大承載。Wifi4/5只支持SU-MIMO單用戶多輸入多輸出，根據(jù)設(shè)備距離決定通信次序來依次與設(shè)備通信，浪費路由器性能。設(shè)備越多，每臺設(shè)備吞吐量越小，等待時間也越長。Wifi 6支持多達(dá)88 MU-MIMO上下行多用戶多輸入多輸出，一個通信周期內(nèi)，最多跟8臺設(shè)備同時實現(xiàn)數(shù)據(jù)上傳和下載，節(jié)省時間、提升網(wǎng)速。在最大穩(wěn)定連接設(shè)備量上，Wifi 6支持設(shè)備數(shù)為248臺，Wifi5為128臺。更低功耗。Wifi支持全新的TWT（t

11、arget wake time，目標(biāo)喚醒時間）技術(shù)，允許路由器與設(shè)備協(xié)商通信，減少了保持傳輸和搜索信號所需的時間，終端功耗較Wifi5能減少50%以上。（二）產(chǎn)業(yè)全力擁抱 Wifi 6，相關(guān)產(chǎn)品市場空間廣闊產(chǎn)業(yè)鏈和主要玩家Wifi誕生20多年以來，早已形成較為成熟的產(chǎn)業(yè)鏈。產(chǎn)業(yè)中企業(yè)紛紛看好Wifi 6的廣闊前景，早已開始Wifi 6相關(guān)產(chǎn)品的布局。上游：Wifi芯片和模組。同大多數(shù)通信芯片一樣，Wifi芯片用于設(shè)備間通信功能的實現(xiàn)。Wifi芯片領(lǐng)域的主要廠商包括國外的博通、英特爾、高通，以及中國臺灣的聯(lián)發(fā)科等。2018年下半年開始，主要廠商紛紛推出基于802.11ax標(biāo)準(zhǔn)的Wifi 6芯片，

12、主要有博通、英特爾、高通、Marvell、Celeno和 Quantenna。Wifi模組內(nèi)嵌Wifi芯片，廠商則更為多元，海外包括日本村田、 TDK、韓國三星電機，中國廠商有正基科技、博鵬發(fā)科技和必聯(lián)電子。 中游：路由設(shè)備和WLAN廠商。路由設(shè)備是實現(xiàn)Wifi 6功能的核心設(shè)備，相對 應(yīng)的WLAN網(wǎng)絡(luò)則是承載Wifi 6的必備網(wǎng)絡(luò)環(huán)境。2019年，企業(yè)級路由設(shè)備廠商紛紛推出Wifi 6產(chǎn)品，主要有星網(wǎng)銳捷、華為、新華三（紫光股份旗下）、天邑股份、劍橋科技等國產(chǎn)廠商，海外廠商則以思科為主。該類企業(yè)除了提供網(wǎng)絡(luò)設(shè)備，還提供Wifi 6園區(qū)網(wǎng)絡(luò)的搭建。下游：消費電子和智能家居終端。常見的消費電子如

13、手機、筆記本電腦、ipad等均搭載Wifi功能。最新消息，將于2020年下半年發(fā)布的ipad或搭載Wifi 6芯片。智能家居方面，Wifi音箱、網(wǎng)絡(luò)電視、智能攝像頭、家居中控面板，均是消費電子Wifi6芯片商路由設(shè)備/WLAN建設(shè)商智能家居Wifi模組商Wifi聯(lián)網(wǎng)的重點設(shè)備。圖 1：Wifi 6產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)疽鈭D上游中游下游數(shù)據(jù)來源： 市場空間Wifi芯片Wifi將成為中短距離通信的主流技術(shù)之一，市場空間廣闊。WiFi和Zigbee預(yù)計將在中距離(300英尺以下或約100公尺)通信中得到廣泛應(yīng)用，前者將應(yīng)用于家庭網(wǎng)絡(luò)，后者主要用于各種遠(yuǎn)程感知和控制。在當(dāng)前移動互聯(lián)網(wǎng)向家居領(lǐng)域滲透，家庭中聯(lián)網(wǎng)設(shè)備數(shù)

14、量呈現(xiàn)爆發(fā)式增長，從而帶動Wifi芯片用量提升。根據(jù)Gartner數(shù)據(jù)，到2025年，所有物聯(lián)網(wǎng)連接中的72%將使用WiFi和Zigbee的傳輸技術(shù)。從總量角度考慮，根據(jù)IDC數(shù)據(jù)顯示，全球Wifi芯片出貨量將于2022年達(dá)到49億顆，占據(jù)各大主流互聯(lián)方案出貨量逾40%，為最重要市場之一。至于Wifi 6芯片，業(yè)內(nèi)估計2019年出貨量有望達(dá)到3億顆，2022年預(yù)計猛增至20億顆，CAGR高達(dá)88%。圖 2：Wifi芯片出貨量（單位：億顆）120100806040200201720182019E2020E2021E2022EWifi芯片藍(lán)牙芯片數(shù)據(jù)來源：IDC， Wifi 6路由設(shè)備據(jù)第三方分析

15、機構(gòu)DellOro預(yù)測，2019年，Wifi 6 AP（Access Point，接入點）將占室內(nèi)AP市場出貨量的10%，2023年達(dá)到90%，出貨量規(guī)模將接近3000萬臺。 圖 3：2019-2023采用各Wifi標(biāo)準(zhǔn)的無線AP出貨量占比變化（單位：百萬臺）353025201510502019E2020E2021E2022E2023EWifi4Wifi5Wifi6數(shù)據(jù)來源：DellOro， 注：Wifi4/5/6 分別指 802.11n、802.11ac，802.11ax。三、氮化鎵（GaN），5G 時代快充領(lǐng)域關(guān)鍵材料（一）GaN 是應(yīng)用于快充領(lǐng)域的新一代半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN），是堅硬

16、的高熔點材料，熔點約為 1700。作為第三代半導(dǎo)體材料的GaN優(yōu)勢凸顯，具有直接帶隙寬、強原子鍵、高熱導(dǎo)率、化學(xué)穩(wěn)定性好（幾乎不被任何酸腐蝕）等性質(zhì)，主要應(yīng)用于生產(chǎn)功率器件。小米65W氮化鎵充電器發(fā)布，支持小米10Pro 10V/5A快充。2020年2月15日，小米10發(fā)布會上，正式發(fā)布了小米GaN充電器。小米GaN充電器，小米GaN充電器型號為AD65G，輸出接口為單個USB-C接口，支持USB PD3.0快速充電協(xié)議。支持5V3A / 9V3A / 10V5A / 12V3A / 15V3A / 20V3.25A，最大輸出功率65W，支持 100-240V 50/60Hz全球電壓。圖 4：

17、小米65W氮化鎵充電器數(shù)據(jù)來源：充電頭網(wǎng)， 氮化鎵（GaN）可有效提升功率并減少體積。當(dāng)前制作充電頭的常見材料，主要是基于硅的半導(dǎo)體材料。若快充充電器依照常規(guī)設(shè)計，采用硅功率器件，就會出現(xiàn)體積大、攜帶便利性低的問題。摩爾定律下，進一步提升硅相關(guān)制造工業(yè)和尋找新一代半導(dǎo)體材料，是目前用來減少充電器體積并提高功率的主流方案。氮化鎵（GaN）是新一代半導(dǎo)體材料，采用氮化鎵功率器件之后，可以通過升高開關(guān)頻率來減小變壓器的體積；并且還可憑借著氮化鎵高效的特性，減小或者省略散熱片，從而讓大功率充電器的體積趨于小型化。氮化鎵具備三大特點（開關(guān)頻率高、禁帶寬度大、導(dǎo)通電阻低），成為5G時代快充領(lǐng)域關(guān)鍵材料：開

18、關(guān)功率高氮化鎵作為充電頭半導(dǎo)體材料，具有更高的開關(guān)功率。開關(guān)頻率是指充電頭內(nèi)部晶閘管,可控硅等電子元件,每秒可以完全導(dǎo)通、斷開的次數(shù)。開關(guān)頻率高可減小變壓器和電容的體積，有助于減小充電頭的體積和重量。禁帶寬度大氮化鎵相比硅具有更大的禁帶寬度，禁帶寬度直接決定電子器件的耐壓和最高工作溫度，禁帶寬度越大，器件能夠承載的電壓和溫度越高，擊穿電壓也會越高，功率越高。導(dǎo)通電阻低氮化鎵具備更低的導(dǎo)通電阻，直接表現(xiàn)為導(dǎo)電時的發(fā)熱量。導(dǎo)通電阻越低，發(fā)熱量越低。日常價格30 分鐘最大充電量重量接口數(shù)量長*寬*高型號表 2：各種類型快速充電器性能對比小米 65W 氮化鎵充電器30.8*30.8*56.3mm（不含

19、插腳）123 克1USB-C68%149 元2USB-C倍思 65W 氮化鎵充電器36*32*75mm(折疊插頭)125 克聯(lián)想 Thinkplus 65W 充電1USB-A71%190 元左右35*30*73mm（不含插頭）122 克1USB-C48%190 元左右（含線）器紫米 65W 充電器61*28.4*66.9mm（折疊插頭）147 克1USB-C2USB-A65%100 元左右數(shù)據(jù)來源：小米新品發(fā)布會，求真實驗室， 小米10Pro應(yīng)用氮化鎵快充芯片，氮化鎵功率半導(dǎo)體作為硅基功率半導(dǎo)體的補充，應(yīng)用前景廣泛。氮化鎵芯片功率密度大、耐高溫可以減小散熱體積，另外介電常數(shù)小可以降低扼流線圈的

20、大小，是新款氮化鎵充電器的核心部分。小米新款氮化鎵充電器具備兩大優(yōu)勢：1. 體積小，大小相當(dāng)于普通充電器的一半，便于攜帶。2. 充電效率高，比普通充電器充電效率至少提高50%。目前各家廠商正積極布局GaN快充領(lǐng)域，未來GaN快充滲透率將進一步提升。（二）5G 引領(lǐng)快充領(lǐng)域發(fā)展，GaN 產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)袌隹臻g廣闊氮化鎵（GaN）器件產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)依次為：GaN襯底（或藍(lán)寶石/Si/SiC襯底）、氮化鎵外延、器件設(shè)計與制造（LED芯片、功率器件、射頻芯片、激光芯片等）。在射頻器件領(lǐng)域，GaN是5G應(yīng)用中的關(guān)鍵技術(shù)，GaN尺寸小、效率高和功率密度大的特點可實現(xiàn)5G Massive MIMO技術(shù)中射頻器件高集化

21、解決方案。在GaN功率器件領(lǐng)域，增速最快的是快充市場，相比SiC器件，GaN器件更適合高頻率、小體積、功率要求低的快充電源領(lǐng)域。圖 5：GaN產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)崂頂?shù)據(jù)來源：藍(lán)寶石微講堂第五十三期， 芯片及應(yīng)用襯底特點價格（元/inch）尺寸表 3：GaN襯底材料性能對比GaN快充帶動上游GaN襯底材料需求上升。氮化鎵、藍(lán)寶石、硅和碳化硅均可作為氮化鎵外延襯底材料，目前碳化硅和氮化鎵作為襯底仍然是需要突破的關(guān)鍵技術(shù)，硅基氮化鎵是各大RF射頻芯片和功率器件公司主要研發(fā)和市場推廣方向。GaN襯底主要由日本公司主導(dǎo)，日本住友電工市場份額達(dá)90%以上，我國目前已實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的企業(yè)包括蘇州納維科技公司和東莞市中鎵半導(dǎo)

22、體科技公司。預(yù)計5G時代，氮化鎵快充需求量將呈現(xiàn)爆發(fā)式增長，從而帶動上游GaN襯底材料需求迎來拐點。硅6/8/126襯底最成熟、成本低、尺寸大。加工成本和襯底價格最低，競爭優(yōu)勢明 顯。良品率低，主要應(yīng)用于制造電力電子器件。碳化硅3/4/6 240高導(dǎo)熱性，襯底方面的處理時間是硅基的 200-300 倍。結(jié)合了 SiC 優(yōu)異的導(dǎo)熱性和的 GaN 高功率密度和低損耗的能力，是 RF 射頻芯片的合適材料。采用同質(zhì)襯底的 GaN 主要應(yīng)用市場是藍(lán)/氮化鎵2/3/44000同質(zhì)外延質(zhì)量好，價格高。數(shù)據(jù)來源：藍(lán)寶石微講堂， 綠光激光器，應(yīng)用于激光顯示、激光存儲、激光照明等領(lǐng)域。氮化鎵快充帶動產(chǎn)業(yè)鏈中游功率

23、芯片放量。GaN功率器件在高頻、高轉(zhuǎn)換效率、低損耗、耐高溫性能上完勝硅器件，隨著下游應(yīng)用端市場的擴大，規(guī)?；?yīng)顯現(xiàn)，以硅作為襯底材料的氮化鎵外延成本將越來越低，最終在高端應(yīng)用領(lǐng)域取代硅器件。目前，快充和無線充電等終端市場的擴大，吸引了一批有技術(shù)積累的公司擴產(chǎn)，其中包括臺積電、IDM、TI、日本松下等國外知名企業(yè)，國內(nèi)企業(yè)包括三安光電、海特高新和耐威科技。表 4：氮化鎵（GaN）功率芯片的應(yīng)用場景、市場情況及滲透率應(yīng)用場景市場情況滲透率激光雷達(dá)唯一能夠滿足 Lidar 技術(shù)要求的方案；GaN 晶體管的開關(guān)速度提高 10 倍以上，脈沖寬度達(dá)到 1-5 納秒，激光分辨率可從 1.6 米提高到 0.

24、16 米。100%數(shù)據(jù)中心電源氮化鎵器件進行電源設(shè)計，可有效節(jié)省電能，同時采用體積更小的 GaN 電源，減少對中等數(shù)據(jù)中心空間的需求。中低壓快充氮化鎵可以讓全新的電源應(yīng)用在同等電壓條件下以更高的開關(guān)頻率運行。在相同條件中等下，GaN 可實現(xiàn)比基于硅材料的解決方案更高的效率。無線快充Apple 已將 GaN 技術(shù)作為其無線充電解決方案。蘋果或其他智能手機巨頭對 GaN 的快速應(yīng)用將徹底改變市場的動態(tài)，并最終為 GaN 功率器件行業(yè)提供生機。電動/混動汽車GaN 具備高速開關(guān)能力，在電動/混合汽車中應(yīng)用加速。較低數(shù)據(jù)來源：藍(lán)寶石微講堂， USB Type-C接口將成主流，下游氮化鎵快充市場空間廣闊

25、。2019年是5G商用元年，5G手機因其耗電量及功耗的大幅提升，Type-C快充傳輸功能將更高，它的最大輸電功率可以達(dá)到100W，最高輸出功率下的電壓和電流分別為20V和5A，將會大幅度縮小手機的充電時間?，F(xiàn)在中高端智能手機都在慢慢走向USB-C的接口，USB-C與快充結(jié)合在整個行業(yè)的接受度也比較高，這是一個大的趨勢。圖 6：2019年手機總出貨量（萬部）和5G手機出貨量（萬部）3419.93623.63596.93484.23087.53044.4507.4541.47.221.949.7249.4400035003000250020001500100050007月8月9月10月11月12月

26、手機總出貨量（萬部）5G手機出貨量（萬部）數(shù)據(jù)來源：IDC 圈， 5G手機預(yù)計2020年出貨量將大幅上升，帶動氮化鎵快充市場出現(xiàn)強勁增長。根據(jù)市場研究機構(gòu)IDC報告顯示，5G備貨潮已于2019年9月開始啟動，預(yù)計2020年安卓陣營5G手機將大規(guī)模上市，全球5G智能手機出貨量將達(dá)到1.235億部，占智能手機總出貨量的8.9%。5G手機推出后將帶動氮化鎵快充市場出現(xiàn)強勁增長，2019年非蘋果陣營的智能手機（華為、OPPO、VIVO、三星、小米等）已經(jīng)全面搭載Type- C連接埠，支援全新的USB-PD有線快充技術(shù)。隨著GaN快充市場滲透率逐步提 升，各廠家積極布局，根據(jù)Yole預(yù)測，2020-20

27、23年GaN快充市場增速將達(dá)到 55%，2023年GaN快充市場空間將達(dá)4.2億美元。表 5：Wifi 6&氮化鎵快充可比公司估值代碼名稱總市值（億元）歸母凈利潤（億元）PE（X）2019E2020E2021E2019E2020E2021EWifi 6 芯片AVGO.O博通8828.61203.22365.07461.8643.4424.1819.12QCOM.O高通7153.09海外廠商平均7990.85603068.SH博通集成152.423.604.595.6542.3533.2026.99688018.SH樂鑫科技217.041.572.353.16138.2092.2568.65大陸

28、廠商平均184.732.583.474.4090.2762.7347.82Wifi 6 企業(yè)級網(wǎng)絡(luò)設(shè)備CSCO.O思科13916.85799.48875.53925.0017.4115.9015.05HPQ.N惠普2270.44海外廠商平均8093.65000938.SZ紫光股份858.0219.0323.2830.7345.0936.8527.92002396.SZ星網(wǎng)銳捷226.906.878.5910.7033.0526.4221.21大陸廠商平均542.4612.9515.9420.7139.0731.6324.57功率器件0KED.L英飛凌1933.07MXIM.O美信1195.90

29、58.4620.46海外廠商平均1564.48600460.SH士蘭微234.731.301.541.85180.75152.08127.13300671.SZ富滿電子49.16大陸廠商平均141.95磁材600330.SH天通股份88.502.263.484.9839.1725.4617.78002056.SZ橫店東磁170.446.937.468.1124.5922.8521.02大陸廠商平均129.474.595.476.5431.8824.1619.40化合物半導(dǎo)體5802.T住友電氣工業(yè)742.01AXTI.OAXT11.40海外廠商平均376.71600703.SH三安光電989.

30、0215.4422.3829.2364.0644.1933.83002428.SZ云南鍺業(yè)86.080.030.361.043130.23237.0383.03大陸廠商平均537.557.7311.3715.141597.14140.6158.43數(shù)據(jù)來源：Wind， 注：貨幣單位為人民幣，盈利預(yù)測來自Wind一致預(yù)期，以2020年2月14日收盤價計算，空白處為相關(guān)數(shù)據(jù)缺失四、投資建議：建議關(guān)注產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)標(biāo)的我們認(rèn)為，本次小米10的推出反映了后續(xù)國內(nèi)智能終端產(chǎn)品的變革和創(chuàng)新趨勢，按圖索驥，可關(guān)注Wifi 6及GaN快充領(lǐng)域領(lǐng)域：（1）Wifi 6領(lǐng)域，可重點關(guān)注上游芯片和中游企業(yè)級網(wǎng)絡(luò)設(shè)備領(lǐng)域

31、廠商。芯片級：Wifi 6芯片作為Wifi 6產(chǎn)業(yè)中的核心部件，下游設(shè)備出貨量增加帶來 Wifi 6芯片用量增加。相關(guān)標(biāo)的：博通集成（主營ETC和射頻芯片，充分受益于ETC和Wifi 6市場爆發(fā)，公司的Wifi6產(chǎn)品也在持續(xù)研發(fā)推進過程中）、樂鑫科技（專注物聯(lián)網(wǎng)Wifi MCU通信芯片研發(fā)和銷售，充分受益智能家居從“單品智能”向“全屋智能”轉(zhuǎn)變帶來的Wifi芯片用量提升）。企業(yè)級：Wifi 6以其更快、更穩(wěn)定、更低功耗的優(yōu)勢，相較于此前Wifi技術(shù)更具性價比，有望在園區(qū)網(wǎng)絡(luò)上得到廣泛應(yīng)用。相關(guān)標(biāo)的：紫光股份（旗下新華三為國內(nèi)首屈一指的路由器、交換機企業(yè)，充分受益于下游5G和數(shù)據(jù)中心需求增長），

32、星網(wǎng)銳捷（國內(nèi)企業(yè)級路由器、交換機領(lǐng)域龍頭廠商，且有瘦客戶機、POS機等高成長業(yè)務(wù)協(xié)同發(fā)展，受益于5G核心網(wǎng)建設(shè)與數(shù)據(jù)中心擴容）。（2）GaN快充領(lǐng)域，可重點關(guān)注GaN功率器件、磁性材料、未來化合物半導(dǎo)體等細(xì)分賽道。功率器件：功率器件作為氮化鎵快充的核心部件，從硬件底層決定了充電器的性能，直接受益于氮化鎵快充的大規(guī)模普及。相關(guān)標(biāo)的：士蘭微（國產(chǎn)功率器件龍頭廠商，在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域布局較早，2017年即打通一條6英寸的硅基氮化鎵功率器件中試線，未來有望受益于氮化鎵功率器件需求爆發(fā)及國產(chǎn)替代大趨勢），富滿電子（專注于電源管理類芯片、LED控制芯片、MOSFET類芯片，氮化鎵快充普及其芯片業(yè)務(wù)有望直

33、接受益）。磁材：氮化鎵和碳化硅SiC等半導(dǎo)體材料的運用，使得電路工作頻率 1MHz得以實現(xiàn)，從而需要更高的開關(guān)頻率。而電感磁材中的高頻鐵硅鋁渦流損耗 低，適合高頻開關(guān)應(yīng)用，需求量有望增加。天通股份（電子材料領(lǐng)域從設(shè)備自制、材料自研、生產(chǎn)自發(fā)垂直一體化企業(yè)，在碳化硅襯底材料領(lǐng)域布局進展順利），橫店東磁（國內(nèi)規(guī)模最大的磁性材料生產(chǎn)企業(yè)，直接受益于氮化鎵器件普及帶來的鐵氧體用量增加）?；衔锇雽?dǎo)體：氮化鎵所屬的化合物半導(dǎo)體主要指砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等第二、第三代半導(dǎo)體，相比第一代單質(zhì)半導(dǎo)體，在高頻性能、高溫性能方面優(yōu)異很多。氮化鎵的流行，第二、三代半導(dǎo)體中其他具備優(yōu)

34、異特性的材料如砷化鎵、碳化硅等預(yù)計獲得更多關(guān)注，化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)上相關(guān)企業(yè)有望受益。相關(guān)標(biāo)的：三安光電（國產(chǎn)化合物半導(dǎo)體材料領(lǐng)軍企業(yè)，2018年斥巨資建設(shè)-族化合物半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)園，相關(guān)產(chǎn)能儲備充足可快速起量），云南鍺業(yè)（公司具備高純度砷化鎵單晶及晶片生產(chǎn)能力，砷化鎵晶片在下游光芯片、無線射頻領(lǐng)域應(yīng)用廣闊，且收益國產(chǎn)替代趨勢）。五、風(fēng)險提示W(wǎng)ifi 6技術(shù)滲透率不如預(yù)期；其他方案快充技術(shù)對GaN產(chǎn)品形成替代；智能終端產(chǎn)業(yè)景氣度下滑。廣發(fā)證券通信研究小組許 興 軍 ： 首席分析師，浙江大學(xué)系統(tǒng)科學(xué)與工程學(xué)士，浙江大學(xué)系統(tǒng)分析與集成碩士，2012 年加入 ，帶領(lǐng)團隊榮獲 2019 年新財富電子行業(yè)第一名。張 全 琪 ： 中山大學(xué)通信與信息系統(tǒng)博士，2018 年加入 謝 淑 穎 ： 研究助理，廈門大學(xué)電子工程學(xué)士、上海財經(jīng)大學(xué)金融碩士，2018 年加入 。滕 春 曉 ： 研究助理，南京大