基于APD的光電探測器電路研究與設計

1、基于APD的光電探測器電路研究與設計 HYPERLINK / / HYPERLINK / 郵件群發(fā) 光電探測器電路用于對光電轉(zhuǎn)換器件輸出的微弱電壓或電流信號進行放大、處理和整形輸出。對于不同探測用途而采用的光電轉(zhuǎn)換器件不同，與之配合使用的光電探測器電路性能也因此而不同。如果用來進行光電轉(zhuǎn)換，則重點考慮的是器件的光電轉(zhuǎn)換效能和匹配方式。這里介紹一種用雪崩光電二極管(APD)與光電探測器電路匹配使用的最佳方法。針對如何提高光電信號前置放大器信噪比這一關(guān)鍵問題，進行了分析和實踐。在設計電路過程中，除了電路結(jié)構(gòu)的考慮外，對工藝的考慮也是必須的。由于電路結(jié)構(gòu)設計、工藝設計考慮周全，設計的光電探測器電路信

2、噪比高。這里還介紹通過用自制的噪聲發(fā)生器對光電探測器電路進行定量的分析，測算出探測器的增益和信噪比。該研究是設計滿足各種光電信號轉(zhuǎn)換電路的一個重要步驟。1 器件的選擇11 提高APD的光電轉(zhuǎn)換效能 雪崩光電二極管(Aualanche Photo Diode，APD)的光電轉(zhuǎn)換效能主要是對信號有倍增作用，它比一般光電二極管的功率電平所產(chǎn)生的響應高幾十或幾百倍。倍增與偏壓有關(guān)，反偏壓越大，倍增G也越大，如圖1所示。一旦電壓達到某個值，APD會被擊穿，此電壓就是雪崩電壓VB。設置APD的工作點一般略小于VB，如圖2所示。未調(diào)制時，由平均光通量P0所產(chǎn)生的散粒噪聲引起的電流波動Ic可表示為： 由于熱噪

3、聲和放大器內(nèi)部產(chǎn)生的噪聲引起的電流波動Ib為： 對噪聲源模型的特征和噪聲進行分析。當信號光強度取最大振幅值Pmax時，電流值Jsmax為： 利用這些公式可以計算由光信號變換成電信號時的信噪比為： 因為光電檢測器內(nèi)部阻抗很大，可看作電流源，所以若檢測器的負載阻抗大的話，則Ib2就下降，結(jié)果使得SNR增加，所以一般負載電阻取得較大，但不能太大。若加大負載電阻，則放大器輸入端的時間常數(shù)CR對頻帶的限制增強，高頻信號成分受到抑制，而這兩方面的需求卻是互相制約，互相矛盾的。然而，Ib2的減小所引起SNR的增加與高頻信號衰減所引起SNR下降可得到補償。要放大頻率在10 MHz范圍內(nèi)的信號，光電檢測器與AP

4、D配合使用的前置放大器件選用輸入阻抗大的結(jié)型場效應管較為有利，上述分析就為設計光電探測器電路系統(tǒng)奠定了選擇。13 噪聲對光電探測器電路的影響 一般用作高靈敏度電子探測設備的光電探測器前置放大電路，噪聲系數(shù)要求很嚴格。因為在放大微弱信號的場合，放大器自身對噪聲的放大和受噪聲信號的干擾可能很嚴重，光電探測器所接收到的信號一般都非常微弱，而且光探測器輸出的信號往往被深埋在噪聲之中，因此，要對這樣的微弱信號進行處理，一般都要先進行預處理，將大部分噪聲濾除掉，并將微弱信號放大到后續(xù)處理器所要求的電壓幅度。因此，希望減小噪聲以提高輸出的信噪比。由放大器所引起的信噪比惡化程度通常有幾種噪聲系數(shù)的影響?？紤]J

5、ohnson噪聲折合成起伏電流為： 以及結(jié)型場效應管噪聲主要導電溝道的電阻所產(chǎn)生的溝道熱噪聲： 還有幾種柵極感應噪聲、柵極散粒噪聲、1f噪聲。由于高頻等因素，在一般情況下可以忽略不計。由此，得到了圖4相應的簡化噪聲等效電路，如圖5所示。同樣可以將式(2)寫成電流表示形式： 由圖5可知： 由于實際電路中1R22(Co+Ci)2，所以1R2可以不計。將|Y|2=2(Co+Ci)2代入式(3)，并將式(2)代入式(3)，得：若輸入端信號電流為Is，則信噪比為： 2 光電探測器電路設計 綜上所述，需要設計一個高增益的光電探測器電路。為了使光電探測器能高精度地檢測及傳送微弱信號，一個重要的措施就是選擇具

6、有抗強干擾的低噪聲前置放大器。該前級部分由雪崩光電二極管(APD)與前置放大器組成，這也是光電探測器電路的核心部分，其器件選用高性能、低噪聲放大器來實現(xiàn)電路匹配，并將電流轉(zhuǎn)換成電壓信號，以實現(xiàn)數(shù)倍的放大。理論上看，前置放大器倍數(shù)可以設計得很大，但由于會引入熱噪聲而限制電路的信噪比，因此前置信號也不能放得過大。在前置放大器后再加人運算放大器，這樣就不會造成信噪比下降，并保證了光電探測器電路的放大倍數(shù)。其中，低噪聲放大器對整個接收系統(tǒng)的性能指標起著關(guān)鍵作用，設計出性能好的放大器可以帶來10 dB的噪聲改善。為降低放大器的噪聲，應選用高跨導(gm)低噪聲結(jié)型場效應管。由于選用APD作為光電轉(zhuǎn)換器，要

7、克服噪聲的影響，應注意減少寄生效應，如寄生電容效應等。要最大限度地降低極間電容的影響，應注意裝配工藝設計，減小APD的輸出電容Co和放大器的輸入電容Ci。其優(yōu)點是適合高速應用，并能大大降低探測器的極間電容C，極間電容的降低對光電轉(zhuǎn)換電路噪聲的降低將有重大的意義。 負載電阻要取得較大，這樣SNR會高一些，但R也不能取得過高，因R過高SNR增加并不顯著，反而使高頻校正困難。將前置放大器電路第一級T，組成共源放大器，這樣電路不僅有電流放大，而且有電壓放大作用，因此功率增益比較高，而且電路容易實現(xiàn)，調(diào)整也很方便。電路的版圖設計也十分重要，版圖設計時將電路中相對應的部分按照對稱分布布局，相應的管腳也按照

8、對稱布局。經(jīng)過綜合處理后，使電路SNR得到進一步提高。 3 電路測試31 光電探測器輸出頻率特性和增益的測試 測量時，信號發(fā)生器送出一個20 mV的模擬信號，用一個22 k和一個50的電阻分壓，將其20 mV信號衰減4 400倍后為45V，送到被測放大器輸入端。將信號發(fā)生器的頻率從10 kHz3 MHz逐級變化，同時記錄被測波形幅度的大小，將測量的每個點連接起來，繪出放大器輸出頻率特性。再測放大器增益，以頻率f=1 MHz時為例，示波器測得輸出波形幅度約為18 mV。 輸出輸入18 mV45V=40032 光電探測器等效輸入噪聲的測試 利用噪聲發(fā)生器法測量前置放大器等效輸入噪聲。用自制的簡易噪

9、聲源電路產(chǎn)生01 V電壓為帶寬白噪聲。校準噪聲源表示成一個與APD內(nèi)阻Rs串聯(lián)的噪聲發(fā)生器，一般取Rs=100 k左右。系統(tǒng)的等效輸入噪聲相加為Eni，放大器和發(fā)生器的噪聲測得為Eno。 提高噪聲發(fā)生器電壓Eng，使輸出噪聲功率增大一倍所必須的噪聲發(fā)生器噪聲電壓等于放大器等效輸入噪聲，用這種方法來測量光電探測器的等效輸入噪聲，按照下列步驟進行測量： (1)不加輸入噪聲發(fā)生器，用均方根值表測量被測放大器總輸出Eno； (2)加噪聲發(fā)生器，調(diào)節(jié)電位使被測光電探測器前置放大器總輸出為原來的2倍噪聲電壓，即2Eno，也就是提高了3 dB； (3)此時測得的噪聲發(fā)生器產(chǎn)生的電壓就等于放大器的等效輸入電壓

10、Eni。 噪聲發(fā)生器法測噪聲，其特點是簡單易行，且能測定多種混雜的隨機噪聲，又克服了示波器波形觀察峰一峰值讀取容易因人而異出錯的缺點。此外，由于自制簡易噪聲發(fā)生器電路容易實現(xiàn)，所用儀器少，且測量較為準確。4 實驗結(jié)果41 光電探測器輸入信噪比 表1為用噪聲發(fā)生器法測得的一組噪聲電壓數(shù)據(jù)。 由表1中測量數(shù)據(jù)可觀察到，測得的噪聲仍可能受到外界的影響。這里要特別強調(diào)的是，由于所測試的地點實驗室比較集中，干擾源也有可能會相對多一些，要盡量排除各種干擾因素的存在。盡管電路已采取了屏蔽，而且對噪聲發(fā)生器和放大器間的連接也采取了短線近連等措施，但為了排除外界干擾，要使得測量數(shù)據(jù)更準確，在測量時間上還是采用了

11、午夜測量。 測量數(shù)據(jù)選用平均值，將測得的Eni=045V作為APD探測器光電信號前置放大器的等效輸入噪聲。其結(jié)果數(shù)據(jù)對計算探測器光電信號前置放大器輸入信噪比，以及做APD的有關(guān)噪聲實驗提供了十分重要的參數(shù)。 通常信號電流為0001A，在負載電阻上信號電壓近似為0001A100 k=0000 1 V。 42 光電探測器輸出幅頻特性 使用5020示波器測量前置放大器在0013 MHz的輸出頻率特性，曲線較為平坦，如表2所示。 將XDll多用信號發(fā)生器送45V信號，以頻率f=1 MHz為例測得的輸出波形幅度為18 mV。 如果APD的可得增益范圍從最佳增益80 dB至最小容許增益6 dB，相當于電信號動態(tài)范圍225 dB，那么整個APD探測器光電信號前置放大器總的動態(tài)范圍電信號應為738 dB。5 結(jié) 語 本文以光電器件與光電探測器前級的最佳匹配，降低光電探測器前級的噪聲系數(shù)為出發(fā)點，介紹了在