JESD22A101D溫濕度偏壓壽命

1、A101C穩(wěn)態(tài)溫度、濕度/偏壓、壽命試驗(yàn)1.范圍:本測(cè)試方法用于評(píng)估非氣密性封裝IC器件在濕度環(huán)境下的可靠性.溫度/濕度/偏壓條件應(yīng)用于加速濕氣的滲透,可通過(guò)外部保護(hù)材料（塑封料或封口）,或在外部保護(hù)材料與金屬傳導(dǎo)材料之間界面.2.設(shè)備本測(cè)試要求一個(gè)溫濕測(cè)試爐,能夠維持一個(gè)規(guī)定的溫度和相關(guān)的持續(xù)濕度,同時(shí)在規(guī)定的偏壓電路來(lái)測(cè)試提供電子連接元件.2.1溫度與相關(guān)的濕度腔體必須能提供可控制溫度和相關(guān)的濕度條件.在升或降過(guò)程.2.2應(yīng)力下的元件應(yīng)力下的元件應(yīng)固定,溫度的變化最小化。2.3污染最小化必須小心選擇板和插座材料,以使釋放的污染最小化,以及因腐蝕或其他失效引起的降級(jí)最小化.2.4離子污染設(shè)備

2、的離子污染（如測(cè)試板/插座/電線/儲(chǔ)存容器/插件箱等）必須受控,避免影響測(cè)試制品.2.5去離子水必須使用室溫下最小1M歐.cm的去離子水3.測(cè)試條件測(cè)試條件包括溫度,相關(guān)的濕度,和元件加偏壓的時(shí)間3.1溫度,相關(guān)的濕度和時(shí)間溫度干球注1相關(guān)的濕度溫度濕球注2壓力注3時(shí)間85+/-285+/-581.049.1psia7.12kPa見備注4注1公差應(yīng)用于整個(gè)可用的測(cè)試區(qū)域.注2僅供參考注3測(cè)試條件應(yīng)持續(xù)適用,除中間讀數(shù)點(diǎn).對(duì)中間讀數(shù)點(diǎn),元件應(yīng)在4.5規(guī)定時(shí)間內(nèi)返回加壓.注4典型為1000（-24,+168）3.2偏壓指南依以下指南,應(yīng)用兩個(gè)偏壓的方法之一A最小化電源功率B選擇盡可能多的金屬腳加偏

3、壓C盡可能多通過(guò)芯片金屬化加勢(shì)差.D在操作范圍內(nèi)最大電壓注上述的指南優(yōu)先依賴于失效機(jī)理與規(guī)定的元件參數(shù).E兩種方法,滿足指南,選擇更嚴(yán)厲方式1）持續(xù)偏壓:DC偏壓必須持續(xù)提供當(dāng)芯片溫度比腔體溫度低于10度時(shí),持續(xù)偏壓比循環(huán)偏壓更嚴(yán)厲，或，如果芯片溫度未知，當(dāng)試驗(yàn)下的元件熱耗小于200mV.如果熱耗大于200mV,則芯片溫度應(yīng)計(jì)算.如果芯片溫度超過(guò)腔體環(huán)境溫度5度,因?yàn)槭C(jī)理的加速因子將受影響，那么芯片溫升必須包括在測(cè)試結(jié)果的報(bào)告中.2）循環(huán)偏壓：作用于測(cè)試的元件上的DC電壓，采用合適的頻率和占空比應(yīng)被周期中斷如果偏壓電路導(dǎo)致超過(guò)腔體環(huán)境的溫升大于10C,ATja,那么循環(huán)偏壓比持續(xù)偏壓更嚴(yán)厲

4、,當(dāng)對(duì)規(guī)定的元件類型優(yōu)化時(shí).熱作為功率的結(jié)果導(dǎo)致濕氣從芯片上離開，因此隱藏了與濕氣相關(guān)的失效機(jī)理循環(huán)偏壓當(dāng)元件熱耗不發(fā)生時(shí),能讓濕氣在關(guān)狀態(tài)時(shí)在芯片上積累測(cè)試元件循環(huán)偏壓對(duì)大多數(shù)塑料封裝微型電路來(lái)說(shuō),1小時(shí)開1小時(shí)關(guān)，優(yōu)先考慮芯片溫度，作為已知熱阻和熱耗基礎(chǔ)上計(jì)算,應(yīng)被結(jié)果報(bào)告引用,不管是否超出腔體的5度或更多.3.2.1選擇和報(bào)告選擇持續(xù)或循環(huán)偏壓的標(biāo)準(zhǔn),和是否報(bào)告溫度超出腔體環(huán)境溫度的量,總結(jié)如下表ATja循環(huán)偏壓報(bào)告ATja5C,orPowerperDUT200mW否否(ATja三5CorPowerperDUT三200mW),andATja10C否是ATja三10C是是對(duì)大多數(shù)塑料封裝微

5、型電路來(lái)說(shuō)，優(yōu)先考慮1小時(shí)開1小時(shí)關(guān)4.程序測(cè)試元件必須采用如下方式固定，在規(guī)定的電氣偏壓下，暴露在規(guī)定溫度和濕度條件下。必須避免有極限的熱、干燥環(huán)境或條件在元件和測(cè)試治具上冷凝到暴露元件上，特別是上升和下降階段。采取適當(dāng)?shù)淖⒁猓苊庠趹?yīng)力條件下，有水滴到元件上。4.1上升到達(dá)平穩(wěn)溫度和相關(guān)的濕度條件的時(shí)間應(yīng)小于3小時(shí)。在所有時(shí)間內(nèi)應(yīng)避免在元件和或治具、硬件冷凝，保證他們的溫度總是高于露點(diǎn)溫度。下降下降不應(yīng)超過(guò)3小時(shí)。在所有時(shí)間內(nèi)應(yīng)避免在元件和或治具、硬件冷凝，保證干球溫度總是高于濕球溫度。測(cè)試時(shí)鐘當(dāng)溫度和相關(guān)的濕度到達(dá)設(shè)定點(diǎn)時(shí)，測(cè)試時(shí)鐘啟動(dòng)，并在下降開始停止。偏壓在上升和下降時(shí)要加偏壓為宜。在開始測(cè)試時(shí)鐘之前，偏壓要校準(zhǔn)。同樣在元件移出腔體前，停止測(cè)試時(shí)鐘后，偏壓要校準(zhǔn)。讀取在下降結(jié)束后48小時(shí)內(nèi)進(jìn)行電氣測(cè)試。對(duì)中間讀取，元件應(yīng)在下降結(jié)束的96小時(shí)內(nèi)返回加應(yīng)力。元件應(yīng)放在封口的濕度袋（沒(méi)有干燥劑），減少注1應(yīng)選擇電性測(cè)試參數(shù)去保存缺陷（如限制適用的測(cè)試電流）注2附加的4.6儲(chǔ)存操作元件、電路板和治具必須用合適的手套。任何加速濕度應(yīng)力測(cè)試應(yīng)將污染控制放在首位。5.失效標(biāo)準(zhǔn)如果元件不符合適當(dāng)?shù)某绦蛭募蛻?yīng)定為失效。安全遵守設(shè)備生產(chǎn)廠家建議和當(dāng)?shù)匕踩ㄒ?guī)?？偨Y(jié)以下條款應(yīng)在適當(dāng)?shù)膲勖鼫y(cè)試規(guī)格中規(guī)定：A適用時(shí)，特殊的預(yù)處理，應(yīng)