工藝原理作業(yè)題：氧化部分習(xí)題_第1頁
工藝原理作業(yè)題：氧化部分習(xí)題_第2頁
工藝原理作業(yè)題：氧化部分習(xí)題_第3頁
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文檔簡介

1、氧化部分習(xí)題根據(jù)Deal Grove Model，當(dāng)氧化溫度介于700攝氏度到1300攝氏度，爐膛壓力為0.2Bar到1Bar之間，氧化厚度介于30nm到2000nm之間的濕法氧化和干法氧化，其氧化厚度與時間的關(guān)系如下：d0+Ad0=B(t+) (1.1)求解可得氧化層厚度和時間的關(guān)系： (1.2)時間和氧化層厚度的關(guān)系是 （1.3）當(dāng)氧化時間較短，滿足：t+ A2/4B時，有d0（B/A)(t +)，即氧化層厚度與時間成線性關(guān)系，故B/A稱為線性速率常數(shù)；如果滿足：ttA2/4B，則有d0 Bt，即氧化層厚度與時間成拋物線關(guān)系，故B稱為拋物線速率常數(shù)。 線性速率常數(shù)B/A和拋物線速率常數(shù)B的

2、計算公式分別為：濕法氧化：線性速率常數(shù)： (1.4a） 拋物線速率常數(shù)為 (1.4b)干法氧化： (1.5a) (1.5b) 其中k為常數(shù)，大小為k=8.617105eV/K, K為絕對溫度，計算的時候注意要把攝氏溫度換算成絕對溫度，即TKTC+273.15。例題1、計算在1150攝氏度時，在（100）硅片上干法生長1.2微米的氧化硅所需的時間。解題如下：根據(jù)公式（1.5）,1150度下干法氧化的線性速率常數(shù)為：0.5930496微米/小時拋物線速率常數(shù)為：0.03445498微米2/小時根據(jù)公式(1.3)，可以計算干法氧化1.2微米所需的時間是：小時例題2、在1100攝氏度下，在（100）硅片上先進(jìn)行30分鐘干法氧化，再進(jìn)行30分鐘濕法氧化，求最終得到的氧化層厚度是多少？根據(jù)公式(1.5)，1100度下干法氧化的線性速率常數(shù)為：0.327微米/小時拋物線速率常數(shù)為：0.024微米/小時根據(jù)公式(1.1)，1100度下濕法氧化的線性速率常數(shù)為：4.77微米/小時拋物線速率常數(shù)為：0.466微米2/小時第一步干法氧化時，根據(jù)公式(1.2)，得到干法氧化的厚度為：0.079微米第二步濕法氧化時，必須計算代表經(jīng)過干法氧化后已經(jīng)存在的0.079微米的氧化層，但是，我們要注意，不是干法氧化的時間0.5小時，而是必須折算成濕法氧化0.079微米氧化層所需的時間：

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