mxs制板說明6層電路板覆銅板碾壓復合結(jié)構(gòu)總厚度1.6mm基材FR4_第1頁
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1、PCB 制作說明一板材結(jié)構(gòu):6 層電路板,覆銅板碾壓復合結(jié)構(gòu),總厚度:1.6mm,基材 FR-4電路板結(jié)構(gòu)123456TOP GND L3 L4 PWRBOTTOM.建議的疊層結(jié)構(gòu):二 特征阻抗信號控制生產(chǎn)廠家可以根據(jù)其實際的工藝控制水平,調(diào)整疊層厚度或阻抗線寬、線距,在保證板厚的情況下實現(xiàn)特征阻抗。需要進行阻抗管控的有以下信號:1)RF 信號阻抗要求:阻抗要求為 50 Ohms,On TOP 層 ,隔層參考,即 L2 掏空,參考 L3 層,線寬為 13地間距 10, 包2)USB 差分線阻抗要求:差分阻抗為 90 Ohms,On TOP,臨層參考,即參考層為 L2,線寬 4.7間距 8線距

2、6, 包地OnL4,臨層參考,即參考層為 L5,線寬 4.5線距 6,包地間距 8OnBottom,臨層參考,即參考層為 L5,線寬 4.7線距 6, 包地間距 83)差分線阻抗要求:差分阻抗為 100 Ohms,On TOP,臨層參考,即參考層為 L2,線寬 3.9間距 8線距 7,包地On L3,臨層參考,即參考層為 L2,線寬 3.9線距 8, 包地間距 84)DDR3 data/add/cmd 信號阻抗要求:單線特性阻抗為 56 ohms,on TOP,臨層參考,即參考層為 L2,線寬 3.9on L3,臨層參考,參考層為 L2,線寬 4.2on Bottom,臨層參考,參考層為 L5,線寬 3.95)DDR3 CLK 和 DQS 信號阻抗要求:差分信號阻抗要求為 100 Ohms,On TOP,臨層參考,即參考層為 L2,線寬 3.9包地間距 8線距 7,OnBottom,臨層參考,即參考層為 L5,

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