隨機(jī)存取存儲器（RAM）

1、 隨機(jī)存取存儲器（RAM）數(shù)字電子技術(shù)2022/7/272 隨機(jī)存取存儲器（RAM） 隨機(jī)存取存儲器又叫隨機(jī)讀/寫存儲器，簡稱RAM，指的是可以從任意選定的單元讀出數(shù)據(jù)，或?qū)?shù)據(jù)寫入任意選定的存儲單元。優(yōu)點：讀寫方便，使用靈活。缺點：掉電丟失信息。分類： SRAM （靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器） DRAM （動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）2022/7/2731. RAM的結(jié)構(gòu)和讀寫原理 （1）RAM 的結(jié)構(gòu)框圖圖8-1 RAM 的結(jié)構(gòu)框圖I/O端畫雙箭是因為數(shù)據(jù)即可由此端口讀出，也可寫入2022/7/274 存儲矩陣 共有28（256）行24（16）列共212（4096）個信息單元（即字） 每個信息單元有k位二

2、進(jìn)制數(shù)（1或0） 存儲器中存儲單元的數(shù)量稱為存儲容量（字?jǐn)?shù)位數(shù)k）。 2022/7/275 地址譯碼器 行地址譯碼器：輸入8位行地址碼，輸出256條行選擇線（用x表示） 列地址譯碼器：輸入4位列地址碼，輸出16條列選擇線（用Y表示）2022/7/276 讀寫控制電路 當(dāng)R/W =0時，進(jìn)行寫入(Write)數(shù)據(jù)操作。 當(dāng)R/W =1時，進(jìn)行讀出(Read)數(shù)據(jù)操作。 2022/7/277圖9-2 RAM存儲矩陣的示意圖 2564（256個字，每個字4位）RAM存儲矩陣的示意圖。如果X0Y01，則選中第一個信息單元的4個存儲單元，可以對這4個存儲單元進(jìn)行讀出或?qū)懭搿?2022/7/278（2）R

3、AM 的讀寫原理 （以圖91為例） 當(dāng)CS=時，RAM被選中工作。 若 A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0=000000000000 表示選中列地址為A11A10A9A8=0000、行地址為A7A6A5A4A3A2A1A0=00000000的存儲單元。 此時只有X0和Y0為有效，則選中第一個信息單元的k個存儲單元，可以對這k個存儲單元進(jìn)行讀出或?qū)懭搿?2022/7/279若此時R/W1，則執(zhí)行讀操作，將所選存儲單元中的數(shù)據(jù)送到I/O端上。 若此時R/W=0時，進(jìn)行寫入數(shù)據(jù)操作。 當(dāng)CS=1時，不能對RAM進(jìn)行讀寫操作，所有端均為高阻態(tài)。 2022/7/2710 （3）RAM的

4、存儲單元按工作原理分為： 靜態(tài)存儲單元：利用基本RS觸發(fā)器存儲信息。保存的信息不易丟失。 動態(tài)存儲單元：利用MOS的柵極電容來存儲信息。由于電容的容量很小，以及漏電流的存在，為了保持信息，必須定時給電容充電，通常稱為刷新。 2022/7/27112. 靜態(tài)讀寫存儲器（SRAM）集成電路6264簡介 采用CMOS工藝制成，存儲容量為8K8位，典型存取時間為100ns、電源電壓5V、工作電流40mA、維持電壓為2V，維持電流為2A。 8K=213，有13條地址線A0A12； 每字有位，有條數(shù)據(jù)線I/O0I/O7； 圖8-3 6264引腳圖 四條控制線 2022/7/2712表9- 6264的工作方

5、式表 3.Intel2114A是1 K字4位SRAM，它是雙列直插18腳封裝器件，采用5V供電，與TTL電平完全兼容。 4.Intel 2116是16 K1位動態(tài)存儲器（DRAM），是典型的單管動態(tài)存儲芯片。它是雙列直插16腳封裝器件，采用+12V和 5V三組電源供電，其邏輯電平與TTL兼容。2022/7/27131. 存儲器容量的擴(kuò)展存儲器的容量：字?jǐn)?shù)位數(shù) 位擴(kuò)展（即字長擴(kuò)展）：將多片存儲器經(jīng)適當(dāng)?shù)倪B接，組成位數(shù)增多、字?jǐn)?shù)不變的存儲器。 方法：用同一地址信號控制 n個相同字?jǐn)?shù)的RAM。2022/7/2714 例：將2561的RAM擴(kuò)展為 2568的RAM。 將8塊2561的RAM的所有地址線

6、和CS（片選線）分別對應(yīng)并接在一起，而每一片的位輸出作為整個RAM輸出的一位。 2022/7/27152568RAM需2561RAM的芯片數(shù)為：圖8-10 RAM位擴(kuò)展 將2561的RAM擴(kuò)展為2568的RAM2022/7/2716 字?jǐn)U展 將多片存儲器經(jīng)適當(dāng)?shù)倪B接，組成字?jǐn)?shù)更多，而位數(shù)不變的存儲器。 例：由10248的 RAM擴(kuò)展為40968的RAM。 共需四片10248的 RAM芯片。 10248的 RAM有10根地址輸入線A9A0。 40968的RAM有12根地址輸入線A11A0。選用2線-4線譯碼器，將輸入接高位地址A11、A10，輸出分別控制四片RAM的片選端。 2022/7/2717 圖8-11 RAM字?jǐn)U展 由10248的 RAM擴(kuò)展為40968的RAM2022/7/2718 (3) 字位擴(kuò)展 例：將10244的RAM擴(kuò)展為20488 RAM。 位擴(kuò)展需2片芯片，字?jǐn)U展需2片芯片，共需4片芯片。字?jǐn)U展只增加一條地址輸入線A10，可用一反相器便能實現(xiàn)對兩片RA