晶閘管技術(shù)術(shù)語

1、晶閘管、二極管Thyristors andDiodesV DRM斷態(tài)重復(fù)峰值電壓Repetitive peak off-state voltage(50Hz,10ms)V RRM反向重復(fù)峰值電壓Repetitive peak reverse voltage(50Hz,10ms)Idrm斷態(tài)重復(fù)峰值電流Peak off-state currentIrrm反向重復(fù)峰值電流Peak reverse recovery currentdv/dt斷態(tài)電壓臨界上升率Critical rate of rise of off-state voltageIt（av）逋態(tài)平均電流Mean on-state curr

2、entITRMS通態(tài)電流啟效值RMS on-state currentItsm逋態(tài)浪71電流（不重復(fù)）Surge on-state current12t電流平方時間積I 2t valuedi/dt逋態(tài)電流臨界上升率Critical rate of rise of on-state currentVtm逋態(tài)峰值電壓Peak on-state voltageVto逋態(tài)門檻電壓Threshold voltageIgt門極觸發(fā)電流Gate trigger currentVgt門極觸發(fā)電壓Gate trigger voltageIh維持電流Holding currentrT斜率電阻slop resist

3、anceTc殼溫Case temperaturetrr反向恢復(fù)時間Reverse recovery timetq關(guān)斷時間Circuit commutated turn-off timeTjm最大結(jié)溫Max. junction temperatureITM通態(tài)峰值電流Peak on-state currentIf（av）正向平均電流Mean forward currentIF(RMS)正向電流啟效值RMS forward currentIFSM正向浪涌電流（不重復(fù)）surge forward currentVfm正向峰值電壓Peak forward voltagerF正向斜率電阻Forward

4、slop resistanceIFM正向峰值電流Peak forward currentF安裝力矩Mounting TorqueVov過載電壓Overload currentIo額定整流電流Rated rectifiers currentVd額定直流輸出電壓Rated continuous(direct) output voltage技術(shù)術(shù)語 ? ? Schedule of letters symbols符號央文單詞參數(shù)中文參數(shù)說明單位IT(AV)AVERAGEON-STATECURRENT通態(tài)平均電流?838電子國標規(guī)定通態(tài)平均電流為晶閘管在環(huán)境溫度為 40oC和規(guī)定的冷卻狀態(tài)下，穩(wěn)定結(jié)溫不

5、超過額定 結(jié)溫時所允許流過的最大工頻正弦半波電流的平 均值。這也是標稱其額定電流的參數(shù)。同電力二 極管一樣，這個參數(shù)是按照正向電流造成的器件 本身的通態(tài)損耗的發(fā)熱效應(yīng)來定義的。因此在使 用時同樣應(yīng)按照實際波形的電流與通態(tài)平均電流 所造成的發(fā)熱效應(yīng)相等，即有效值相等的原則來 選取晶閘管的此項電流定額，并應(yīng)留一定的裕量。一般空工其通態(tài)平均電流為按此原則所得計算結(jié) 果的1.5-2倍。AVTMPeak on-state voltage drop通態(tài)峰值電壓指器件通過規(guī)定正向峰值電流IFM（整流管）或通態(tài)峰值電流ITM（晶閘管）時的峰值電壓也稱峰值 壓降該參數(shù)直接反映了器件的通態(tài)損耗特性影響 著器件的通

6、態(tài)電流額定能力。VIDRMMaximum forward or reverse leakage current斷態(tài)重復(fù)峰值漏 電流為晶閘管在阻斷狀態(tài)下承受斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDr標口反向重復(fù)峰值電壓 XrM寸流過元件的正反 向峰值漏電流該參數(shù)在器件允許工作的最高結(jié)溫 Tjm下測出。mAIRRMMaximum reverseleakage current反向重復(fù)峰值漏 電流mAIDSM斷態(tài)不重復(fù)平均 電流門極斷路時，在額定結(jié)溫下對應(yīng)于斷態(tài)不重復(fù)峰 值電壓下的平均漏電流。AVTOOn state threshold voltage門檻電壓一VIT(RMS)?On-State RMS Current

7、(full sine wave)通態(tài)電流均方值ab126計算公式大全AITSM?Non-RepetitivePeak on-stateCurrent通態(tài)浪涌電流（通 態(tài)不重復(fù)峰值電 流）浪涌電流是指由于電路異常情況引起的使結(jié)溫超 過額定結(jié)溫的不重復(fù)性最大正向過載電流。浪涌 電流有上卜兩個級，這個參數(shù)可用來作為設(shè)計保 護電路的依據(jù)。AIGM?Forward Peak GateCurrent門極峰值電流一AI2T?Circuit FusingConsideration周期電流平方時 間積一A2sesdIT/dt?Repetitive rate of rise of on-state current

8、 after triggering (IGT1IGT3)通態(tài)臨界電流上升率當雙向可控硅或閘流管在門極電流觸發(fā)卜導(dǎo)通， 門極臨近處立即導(dǎo)通，然后迅速擴展至整個有效 面積。這遲后的時間有一個極限，即負載電流上 升率的許可值。過高的dIT/dt可能導(dǎo)致局部燒毀，并使T1-T2 短路。假如過程中限制dIT/dt到一較低的值，雙向可控硅可能可以幸存。 因此， 假如雙向可控硅的 VDRM在嚴重的、異常的電源 瞬間過程中后可能被超出或?qū)〞r的dIT/dt有A/八可能被超出，可在負載上串聯(lián)一個兒aH的不飽和（空心）電感。VDRM?Repetitive peak off-state voltage斷態(tài)重復(fù)峰值電

9、壓?斷態(tài)重復(fù)峰值電壓是在門極斷路而結(jié)溫為額定 值時，允許重復(fù)加在器件上的正向峰值電壓.國標規(guī)定重復(fù)頻率為 50H,每次持續(xù)時間不超高 10ms。 規(guī)定斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDR幽斷態(tài)不重復(fù)峰值電壓（即斷態(tài)最大瞬時電壓）UDSM勺90%.斷態(tài)不重復(fù)峰值電壓應(yīng)彳氐于正向轉(zhuǎn)折電壓Ubo,所留裕量大小由生產(chǎn)廠家自行規(guī)定。VVRRM反向重復(fù)峰值電壓在門極斷路而結(jié)溫為額定值時，允許重復(fù)加在器 件上的反向峰值電壓。VPPNon repetitive line peak pulse voltage最圖小重復(fù)線路 峰值電壓-vVisolheatsink引腳到外殼最大絕緣電壓-VPG(AV)?Average gate

10、 power dissipation門極平均散耗功 率一WPGM?Peak gate power門極最大峰值功 率一WPG(AV)Average GatePower門極平均功率一WTj?Operating JunctionTemperature Range工作結(jié)溫為了長期可靠工作，應(yīng)保證Rth j-a?足夠低，維持Tj不高于80%Tjmax ,其值 相應(yīng)于可能的最局環(huán)境溫度。CTstg?StorageTemperature Range貯存溫度一CTL?Max.LeadTemperature forSoldering Purposes引腳承受焊錫極 限溫度一CRth(j-mb)?Thermal

11、Resistance Junction to mounting base熱阻-結(jié)到外殼一C/WRth(j-a)?Thermal ResistanceJunction-to-ambient熱阻-結(jié)到環(huán)境一C/WIGTTriggering gate current門極觸發(fā)電流為了使可控硅可靠觸發(fā)，觸發(fā)電流Igt選才I 25度時max值的a倍，a為門極觸發(fā)電流 一結(jié)溫 特性系數(shù)，查數(shù)據(jù)手冊可得，取特性曲線中最低 工作溫度時的系數(shù)。若對器件工作環(huán)境溫度無特 殊需要，通常選型時a取大于1.5倍即可。mAIH?Holding Current維持電流維持可控硅維持通態(tài)所必需的最小主電流，它與 結(jié)溫有關(guān)，結(jié)溫

12、越高，則 IH越小。mAIL?Latching Current (IGT3)接入電流（第三象 限）/擎住電流擎住電流是晶閘管剛從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)并移除觸發(fā) 信號后，能維持導(dǎo)通所需的最小電流。對同一晶mA閘管來說，通常IL約為IH的2-4倍。ID?Off-state leakagecurrent斷態(tài)漏電流一mAVGTTriggering gate voltage門極觸發(fā)電壓一可以選擇 Vgt 25度時max值的0倍。0為門 極觸發(fā)電壓一結(jié)溫特性系數(shù)，查數(shù)據(jù)手冊可得， 取特性曲線中最低工作溫度時的系數(shù)。若對器件 工作環(huán)境溫度無特殊需要，通常選擇時0取11.2 倍即可。VVGDNon-triggerin

13、g gate voltage門極不觸發(fā)電壓一VVFGMPeak Forward GateVoltage門極正向峰值電壓一VVRGMPeak Reverse GateVoltage門極反向峰值電壓一VIFGMPeak Forward GateCurrent門極正向峰值電 流一AVTM?Peak ForwardOn-State Voltage通態(tài)峰值電壓它是可控硅通以規(guī)定倍數(shù)額定電流時的瞬態(tài)峰值 壓降。為減少可控硅的熱損耗，應(yīng)盡可能選擇VTM小的可控硅VdV/dt?Critical Rate of Rise of Off-state Voltage斷態(tài)臨界電壓上 升率dv/dt指的是在關(guān)斷狀態(tài)下電

14、壓的上升斜率，這 是防止誤觸發(fā)的一個關(guān)鍵參數(shù)。此值超限將可能 導(dǎo)致可控硅出現(xiàn)誤導(dǎo)通的現(xiàn)象。由十可控硅的制 造工藝決定了 A2與G之間會存在寄生電容，如 圖2所示。我們知道dv/dt的變化在電容的兩端 會出現(xiàn)等效電流，這個電流就會成為Ig ,也就是出現(xiàn)了觸發(fā)電流，導(dǎo)致誤觸發(fā)V/uS(dI/dt)cCritical rate of decrease of commutating on-state current通態(tài)電流臨界上 升率指在規(guī)定條件下，晶閘管能承受而無有害影響的 最大通態(tài)電流上升率。如果電流上升太快，則晶 閘管剛一開通，便會有很大的電流集中在門極附 近的小區(qū)域內(nèi)，從而造成局部過熱而使晶閘

15、管損 壞。A/msdVCOM/dtCritical rate of change of commutating voltage臨界轉(zhuǎn)換電壓上 升率切換電壓上升率 dVCOM/dt 。驅(qū)動高電抗性的負 載時，負載電壓和電流的波形間通常發(fā)生實質(zhì)性 的相位移動。當負載電流過零時雙向可控硅發(fā)生 切換，由于相位差電壓并不為零。這時雙向可控 硅須立即阻斷該電壓。產(chǎn)生的切換電壓上升率(dVCOM/dt )若超過允許值，會迫使雙向可控 硅回復(fù)導(dǎo)通狀態(tài)，因為載流子沒有充分的時間自 結(jié)上撤出。V/uSdICOM/dt切換時負載電流 下降率dICOM/dt 高，則dVCOM/dt 承受能力下降。 結(jié) 面溫度Tj越高，dVCOM/dt 承受能力越下降。 假如雙向可控硅的 dVCOM/dt 的允許值后可能 被超過，為避免發(fā)生假觸發(fā)，可在T1和T2間A/mS裝置RC緩沖電路，以此限制電壓上升率。通常 選用47100Q的能承受浪涌電流的碳膜電阻，0.01心F0.47心