（統(tǒng)考版）2023版高考化學(xué)復(fù)習(xí)特訓(xùn)卷 第一部分 高頻考點(diǎn) 分層集訓(xùn) 第十二單元 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì) 檢測(cè)12 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)

1、 單元檢測(cè)12物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)1.2021全國(guó)甲卷我國(guó)科學(xué)家研發(fā)的全球首套千噸級(jí)太陽(yáng)能燃料合成項(xiàng)目被形象地稱為“液態(tài)陽(yáng)光“計(jì)劃。該項(xiàng)目通過(guò)太陽(yáng)能發(fā)電電解水制氫，再采用高選擇性催化劑將二氧化碳加氫合成甲醇?；卮鹣铝袉?wèn)題：（1）太陽(yáng)能電池板主要材料為單晶硅或多晶硅。Si的價(jià)電子層的電子排布式為；單晶硅的晶體類(lèi)型為。SiCl4是生產(chǎn)高純硅的前驅(qū)體，其中Si采取的雜化類(lèi)型為。SiCl4可發(fā)生水解反應(yīng)，機(jī)理如下：含s、p、d軌道的雜化類(lèi)型有：dsp2、sp3d、sp3d2，中間體SiCl4（H2O）中Si采取的雜化類(lèi)型為（填標(biāo)號(hào)）。（2）CO2分子中存在個(gè)鍵和個(gè)鍵。（3）甲醇的沸點(diǎn)（64.7 ）介于水（1

2、00 ）和甲硫醇（CH3SH，7.6 ）之間，其原因是_。（4）我國(guó)科學(xué)家發(fā)明了高選擇性的二氧化碳加氫合成甲醇的催化劑，其組成為ZnO/ZrO2固溶體。四方ZrO2晶胞如圖所示。Zr4在晶胞中的配位數(shù)是，晶胞參數(shù)為a pm、a pm、c pm，該晶體密度為gcm3（寫(xiě)出表達(dá)式）。在ZrO2中摻雜少量ZnO后形成的催化劑，化學(xué)式可表示為ZnxZr1xOy，則y（用x表達(dá)）。2.2021全國(guó)乙卷過(guò)渡金屬元素鉻（Cr）是不銹鋼的重要成分，在工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)和國(guó)防建設(shè)中有著廣泛應(yīng)用?；卮鹣铝袉?wèn)題：（1）對(duì)于基態(tài)Cr原子，下列敘述正確的是（填標(biāo)號(hào)）。A軌道處于半充滿時(shí)體系總能量低，核外電子排布應(yīng)為Ar 3d5

3、4s1B4s電子能量較高，總是在比3s電子離核更遠(yuǎn)的地方運(yùn)動(dòng)C電負(fù)性比鉀高，原子對(duì)鍵合電子的吸引力比鉀大（2）三價(jià)鉻離子能形成多種配位化合物。Cr（NH3）3（H2O）2Cl2中提供電子對(duì)形成配位鍵的原子是，中心離子的配位數(shù)為。（3） Cr（NH3）3（H2O）2Cl2中配體分子NH3、H2O以及分子PH3的空間結(jié)構(gòu)和相應(yīng)的鍵角如下圖所示。PH3中P的雜化類(lèi)型是， NH3的沸點(diǎn)比PH3的，原因是_。H2O的鍵角小于NH3的，分析原因_。（4）在金屬材料中添加AlCr2顆粒，可以增強(qiáng)材料的耐腐蝕性、硬度和機(jī)械性能。AlCr2具有體心四方結(jié)構(gòu)，如圖所示。處于頂角位置的是原子。設(shè)Cr和Al原子半徑分

4、別為rCr和rAl，則金屬原子空間占有率為%（列出計(jì)算表達(dá)式）。3.2021廣東卷很多含巰基（SH）的有機(jī)化合物是重金屬元素汞的解毒劑。例如，解毒劑化合物 可與氧化汞生成化合物 。 （1）基態(tài)硫原子價(jià)電子排布式為。（2）H2S、CH4、H2O的沸點(diǎn)由高到低順序?yàn)椤＃?）汞的原子序數(shù)為80，位于元素周期表第周期第B族。（4）化合物也是一種汞解毒劑?；衔锸且环N強(qiáng)酸。下列說(shuō)法正確的有。A在中S原子采取sp3雜化B在中S元素的電負(fù)性最大C在中CCC鍵角是180D在中存在離子鍵與共價(jià)鍵E在中硫氧鍵的鍵能均相等（5）汞解毒劑的水溶性好，有利于體內(nèi)重金屬元素汞的解毒?；衔锱c化合物相比，水溶性較好的是。（

5、6）理論計(jì)算預(yù)測(cè)，由汞（Hg）、鍺（Ge）、銻（Sb）形成的一種新物質(zhì)X為潛在的拓?fù)浣^緣體材料。X的晶體可視為Ge晶體（晶胞如圖a所示）中部分Ge原子被Hg和Sb取代后形成。圖b為Ge晶胞中部分Ge原子被Hg和Sb取代后形成的一種單元結(jié)構(gòu)，它不是晶胞單元，理由是_。圖c為X的晶胞，X的晶體中與Hg距離最近的Sb的數(shù)目為 ；該晶胞中粒子個(gè)數(shù)比HgGeSb 。設(shè)X的最簡(jiǎn)式的式量為Mr，則X晶體的密度為 gcm3（列出算式）。4.2021河北卷KH2PO4晶體具有優(yōu)異的非線性光學(xué)性能。我國(guó)科學(xué)工作者制備的超大KH2PO4晶體已應(yīng)用于大功率固體激光器，填補(bǔ)了國(guó)家戰(zhàn)略空白?；卮鹣铝袉?wèn)題：（1）在KH2P

6、O4的四種組成元素各自所能形成的簡(jiǎn)單離子中，核外電子排布相同的是（填離子符號(hào)）。（2）原子中運(yùn)動(dòng)的電子有兩種相反的自旋狀態(tài)，若一種自旋狀態(tài)用 eq f(1,2) 表示，與之相反的用 eq f(1,2) 表示，稱為電子的自旋磁量子數(shù)。對(duì)于基態(tài)的磷原子，其價(jià)電子自旋磁量子數(shù)的代數(shù)和為。（3）已知有關(guān)氮、磷的單鍵和三鍵的鍵能（kJmol1）如下表：NNNNPPPP193946197489從能量角度看，氮以N2、而白磷以P4（結(jié)構(gòu)式可表示為）形式存在的原因是_。（4）已知KH2PO2是次磷酸的正鹽，H3PO2的結(jié)構(gòu)式為，其中P采取雜化方式。（5）與PO eq oal(sup11(3),sdo4(4)

7、電子總數(shù)相同的等電子體的分子式為。（6）磷酸通過(guò)分子間脫水縮合形成多磷酸，如：如果有n個(gè)磷酸分子間脫水形成環(huán)狀的多磷酸，則相應(yīng)的酸根可寫(xiě)為。（7）分別用、表示H2PO eq oal(sup11(),sdo4(4) 和K，KH2PO4晶體的四方晶胞如圖（a）所示，圖（b）、圖（c）分別顯示的是H2PO eq oal(sup11(),sdo4(4) 、K在晶胞xz面、yz面上的位置：若晶胞底邊的邊長(zhǎng)均為a pm、高為c pm，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，晶體的密度為 gcm3（寫(xiě)出表達(dá)式）。晶胞在x軸方向的投影圖為（填標(biāo)號(hào)）。5.2021湖南卷硅、鍺（Ge）及其化合物廣泛應(yīng)用于光電材料領(lǐng)域?；卮鹣铝?/p>

8、問(wèn)題：（1）基態(tài)硅原子最外層的電子排布圖為，晶體硅和碳化硅熔點(diǎn)較高的是（填化學(xué)式）；（2）硅和鹵素單質(zhì)反應(yīng)可以得到SiX4。SiX4的熔、沸點(diǎn)SiF4SiCl4SiBr4SiI4熔點(diǎn)/K183.0203.2278.6393.7沸點(diǎn)/K187.2330.8427.2560.70 時(shí)，SiF4、SiCl4、SiBr4、SiI4呈液態(tài)的是（填化學(xué)式），沸點(diǎn)依次升高的原因是，氣態(tài)SiX4分子的空間構(gòu)型是；SiCl4與N甲基咪唑（）反應(yīng)可以得到M2，其結(jié)構(gòu)如圖所示：N甲基咪唑分子中碳原子的雜化軌道類(lèi)型為，H、C、N的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)椋?個(gè)M2中含有個(gè)鍵；（3）下圖是Mg、Ge、O三種元素形成的某化

9、合物的晶胞示意圖。己知化合物中Ge和O的原子個(gè)數(shù)比為14，圖中Z表示原子（填元素符號(hào)），該化合物的化學(xué)式為_(kāi)；已知該晶胞的晶胞參數(shù)分別為a nm、b nm、c nm，90，則該晶體的密度gcm3（設(shè)阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，用含a、b、c、NA的代數(shù)式表示）。6.2021山東卷非金屬氟化物在生產(chǎn)、生活和科研中應(yīng)用廣泛?；卮鹣铝袉?wèn)題：（1）基態(tài)F原子核外電子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)有_種。（2）O、F、Cl電負(fù)性由大到小的順序?yàn)開(kāi)；OF2分子的空間構(gòu)型為；OF2的熔、沸點(diǎn)（填“高于”或“低于”）Cl2O，原因是_。（3）Xe是第五周期的稀有氣體元素，與F形成的XeF2室溫下易升華。XeF2中心原子的價(jià)層電子對(duì)

10、數(shù)為，下列對(duì)XeF2中心原子雜化方式推斷合理的是（填標(biāo)號(hào)）。Asp Bsp2 Csp3 Dsp3d（4）XeF2晶體屬四方晶系，晶胞參數(shù)如圖所示，晶胞棱邊夾角均為90，該晶胞中有個(gè)XeF2分子。以晶胞參數(shù)為單位長(zhǎng)度建立的坐標(biāo)系可以表示晶胞中各原子的位置，稱為原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)，如A點(diǎn)原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為 eq blc(rc)(avs4alco1(f(1,2)，f(1,2)，f(1,2) 。已知XeF鍵長(zhǎng)為r pm，則B點(diǎn)原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為；晶胞中A、B間距離d pm。7.2020天津卷Fe、Co、Ni是三種重要的金屬元素?；卮鹣铝袉?wèn)題：（1）Fe、Co、Ni在周期表中的位置為，基態(tài)Fe原子的電子排布式為

11、_。（2）CoO的面心立方晶胞如圖1所示。設(shè)阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，則CoO晶體的密度為gcm3；三種元素二價(jià)氧化物的晶胞類(lèi)型相同，其熔點(diǎn)由高到低的順序?yàn)?。?）Fe、Co、Ni能與Cl2反應(yīng)，其中Co和Ni均生成二氯化物，由此推斷FeCl3、CoCl3和Cl2的氧化性由強(qiáng)到弱的順序?yàn)?，Co（OH）3與鹽酸反應(yīng)有黃綠色氣體生成，寫(xiě)出反應(yīng)的離子方程式：_。（4）95 時(shí)，將Ni片浸在不同質(zhì)量分?jǐn)?shù)的硫酸中，經(jīng)4小時(shí)腐蝕后的質(zhì)量損失情況如圖2所示，當(dāng)w（H2SO4）大于63%時(shí)，Ni被腐蝕的速率逐漸降低的可能原因?yàn)開(kāi)。由于Ni與H2SO4反應(yīng)很慢，而與稀硝酸反應(yīng)很快，工業(yè)上選用H2SO4和HNO3

12、的混酸與Ni反應(yīng)制備N(xiāo)iSO4。為了提高產(chǎn)物的純度，在硫酸中添加HNO3的方式為（填“一次過(guò)量”或“少量多次”），此法制備N(xiāo)iSO4的化學(xué)方程式為。8.2020江蘇卷以鐵、硫酸、檸檬酸、雙氧水、氨水等為原料可制備檸檬酸鐵銨（NH4）3Fe（C6H5O7）2。（1）Fe基態(tài)核外電子排布式為_(kāi)；Fe（H2O）62中與Fe2配位的原子是（填元素符號(hào)）。（2）NH3分子中氮原子的軌道雜化類(lèi)型是；C、N、O元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)?。?）與NH eq oal(sup11(),sdo4(4) 互為等電子體的一種分子為（填化學(xué)式）。（4）檸檬酸的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式見(jiàn)圖。1 mol檸檬酸分子中碳原子與氧原子形成

13、的鍵的數(shù)目為mol。單元檢測(cè)12物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)1答案：（1）3s23p2原子晶體（或共價(jià)晶體）sp3（2）22（3）甲醇和水均能形成分子間氫鍵，而甲硫醇不能，且水比甲醇的氫鍵多（4）8 eq f(491816,NAa2c1030) 2x解析：（1）基態(tài)硅原子M層有4個(gè)電子，分別填充于3s和3p能級(jí)軌道中，則基態(tài)硅原子價(jià)電子排布式為3s23p2。單質(zhì)硅熔、沸點(diǎn)高，硬度大，是原子晶體。SiCl4的中心原子硅原子周?chē)?對(duì)成鍵電子對(duì)，則Si采取sp3雜化。由中間體SiCl4（H2O）的結(jié)構(gòu)可知，Si原子周?chē)?對(duì)成鍵電子對(duì)，故該雜化軌道含1個(gè)s雜化軌道、3個(gè)p雜化軌道和1個(gè)d雜化軌道，則Si采取的雜

14、化類(lèi)型為sp3d。（2）CO2分子的結(jié)構(gòu)為O=C=O，則1個(gè)CO2分子中含2個(gè)鍵和2個(gè)鍵。（3）甲醇的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式是CH3OH，1個(gè)甲醇分子可形成1個(gè)分子間氫鍵，而1個(gè)H2O分子可形成2個(gè)分子間氫鍵，水中氫鍵比例比甲醇高，故水的沸點(diǎn)比甲醇高，甲硫醇中不存在氫鍵，其沸點(diǎn)最低。（4）以ZrO2晶胞結(jié)構(gòu)的上面面心的Zr4為研究對(duì)象，將晶體結(jié)構(gòu)向上由1個(gè)晶胞延長(zhǎng)為2個(gè)晶胞，可觀察到與該Zr4距離最近的O eq oal(sup11(2),sdo4(2) 有8個(gè)，則Zr4的配位數(shù)為8。該晶胞中含8個(gè)O eq oal(sup11(2),sdo4(2) ，Zr4個(gè)數(shù)為8 eq f(1,8) 6 eq f(1,2)

15、 4（個(gè)），則1個(gè)晶胞的質(zhì)量為 eq f(491816,NA) g，1個(gè)晶胞的體積為a2c1030 cm3，則該晶體的密度為 eq f(491816,NAa2c1030) gcm3。該晶體中，Zr為4價(jià)，Zn為2價(jià)，O為2價(jià)，由化合物中各元素化合價(jià)代數(shù)和為0可得，2x4（1x）2y0，解得y2x。2答案：（1）AC（2）N、O、Cl6（3）sp3高NH3存在分子間氫鍵NH3含有一對(duì)孤對(duì)電子，而H2O含有兩對(duì)孤對(duì)電子。H2O中的孤對(duì)電子對(duì)成鍵電子對(duì)的排斥作用較大（4）Al eq f(8（2r eq oal(sup1(3),sdo1(Cr) r eq oal(sup1(3),sdo1(Al) ）,

16、3a2c) 100解析：（1）Cr是24號(hào)元素，基態(tài)Cr原子核外電子排布式為Ar3d54s1，3d和4s軌道均處于半充滿狀態(tài)，此時(shí)體系總能量低，A項(xiàng)正確；4s電子能量較高，但其并不總是在比3s電子離核更遠(yuǎn)的地方運(yùn)動(dòng)，B項(xiàng)錯(cuò)誤；因?yàn)镃r原子半徑小于K，故電負(fù)性比鉀高，原子對(duì)鍵合電子的吸引力比鉀大，C項(xiàng)正確。（2）形成配位鍵的原子價(jià)層必須存在孤電子對(duì)，故三種配體NH3、H2O、Cl中提供孤電子對(duì)形成配位鍵的原子是N、O、Cl，Cr（NH3）3（H2O）2Cl2中中心離子的配位數(shù)為3216。（3）PH3中P原子的成鍵電子對(duì)數(shù)為3，孤電子對(duì)數(shù)為1，故價(jià)層電子對(duì)數(shù)是4，采用sp3雜化；NH3的沸點(diǎn)比PH

17、3高，是因?yàn)镹H3分子間存在氫鍵，PH3分子間只有范德華力；由于NH3中N原子含有1個(gè)孤電子對(duì)，而H2O中O原子含有2個(gè)孤電子對(duì)，孤電子對(duì)越多對(duì)成鍵電子對(duì)的斥力越大，因此H2O中的鍵角小于NH3中的鍵角。（4）由結(jié)構(gòu)圖可知，根據(jù)均攤法，該晶胞含有4個(gè)白球和2個(gè)黑球，則黑球代表Al原子，白球代表Cr原子，金屬原子的總體積是 eq f(4,3) （4r eq oal(sup11(3),sdo4(Cr) 2r eq oal(sup11(3),sdo4(Al) ），晶胞體積是a2c，故原子空間利用率是 eq f(8（2r eq oal(sup1(3),sdo1(Cr) r eq oal(sup1(3)

18、,sdo1(Al) ）,3a2c) 100%。3答案：（1）3s23p4（2）H2OH2SCH4（3）六（4）AD（5）化合物（6）題圖b中上、下兩個(gè)面的面心原子分別為Hg和Ge，晶胞結(jié)構(gòu)不對(duì)稱，不符合晶胞平移后重合的特性，因此不是晶胞單元。4112 eq f(4Mr,NAx2y1021) 解析：（1）硫?yàn)?6號(hào)元素，基態(tài)硫原子的價(jià)電子排布式為3s23p4。（2）H2O分子間能形成氫鍵，H2S、CH4分子間均不存在氫鍵，H2O的沸點(diǎn)大于H2S、CH4；隨著相對(duì)分子質(zhì)量增大，氫化物的沸點(diǎn)逐漸增大，則沸點(diǎn)：H2SCH4，所以三者的沸點(diǎn)由高到低的順序?yàn)镠2OH2SCH4。（3）80Hg的原子結(jié)構(gòu)示意

19、圖為，原子核外有6個(gè)電子層，所以汞位于元素周期表第六周期。（4）化合物中S原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)均為4，采用sp3雜化，A正確；化合物中含C、H、O、S、Hg五種元素，其中非金屬性最強(qiáng)的是O元素，故化合物中O元素的電負(fù)性最大，B錯(cuò)誤；化合物中C原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)均為4，采用sp3雜化，鍵角約為10928，C錯(cuò)誤；化合物為有機(jī)鈉鹽，故中存在離子鍵和共價(jià)鍵，D正確；化合物中存在的S=O鍵和SO鍵是兩種不同的化學(xué)鍵，鍵能不同，E錯(cuò)誤。（5）化合物與化合物相比，化合物中有一個(gè)OH，而化合物中對(duì)應(yīng)的是SO3Na，OH的親水性沒(méi)有SO3Na中的離子鍵強(qiáng)，故水溶性較好的是化合物。（6）題圖b中上、下兩個(gè)面的面心原子

20、分別為Hg和Ge，晶胞結(jié)構(gòu)不對(duì)稱，不符合晶胞平移后重合的特性，因此不是晶胞單元。由題圖c可知，X的晶體中與Hg距離最近的Sb的數(shù)目為4；該晶胞中Hg原子數(shù)4 eq f(1,4) 6 eq f(1,2) 4（個(gè)），Ge原子數(shù)8 eq f(1,8) 4 eq f(1,2) 14（個(gè)），Sb原子數(shù)為8，故Hg、Ge、Sb粒子個(gè)數(shù)比為448112。該晶胞的組成為Hg4Ge4Sb8，由于最簡(jiǎn)式的式量為Mr，則晶胞的質(zhì)量為 eq f(4Mr,NA) g，晶胞的體積為x2y1021 cm3，則晶體的密度為 eq f(f(4Mr,NA),x2y1021) gcm3 eq f(4Mr,NAx2y1021) gc

21、m3。4答案：（1）P3、K（2） eq f(3,2) 或 eq f(3,2) （3）3倍的NN鍵的鍵能小于NN鍵的鍵能，而3倍的PP鍵的鍵能大于PP鍵的鍵能（4）sp3（5）SiF4（6）PnO eq oal(sup11(n),sdo4(3n) （7） eq f(4136,a2cNA1030) B解析：（1）H、O、P、K四種元素各自所能形成的簡(jiǎn)單離子中P3、K的核外電子排布相同。（2）基態(tài)磷原子的價(jià)電子排布式為3s23p3，其中3s軌道中自旋磁量子數(shù)的代數(shù)和為0，3p軌道中3個(gè)電子自旋方向相同，所以代數(shù)和為 eq f(3,2) 或 eq f(3,2) 。（3）由題表中鍵能關(guān)系可知3倍的NN

22、鍵的鍵能小于NN鍵的鍵能，而3倍的PP鍵的鍵能大于PP鍵的鍵能，所以氮以N2中的NN形式存在更穩(wěn)定，磷以P4中的PP鍵形式存在更穩(wěn)定。（4）由KH2PO2為正鹽，可知H3PO2中只含一個(gè)羥基氫，所以H3PO2的結(jié)構(gòu)式為，其中P的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為5 eq f(1,2) （51322）4，則P的雜化方式為sp3。（5）PO eq oal(sup11(3),sdo4(4) 的原子數(shù)為5，價(jià)電子數(shù)為32，總電子數(shù)為50，則與PO eq oal(sup11(3),sdo4(4) 電子總數(shù)相同的等電子體的分子為SiF4。（6）每相鄰兩個(gè)磷酸分子脫去一個(gè)水分子，所以n個(gè)磷酸分子形成環(huán)狀結(jié)構(gòu)會(huì)脫去n個(gè)水分子，則

23、形成的多磷酸的分子式中氫原子數(shù)目為3n2nn，磷原子的數(shù)目為n，氧原子的數(shù)目為4nn3n，即多磷酸分子式為HnPnO3n，故多磷酸的酸根可寫(xiě)成PnO eq oal(sup11(n),sdo4(3n) 。（7）由題給KH2PO4晶體的四方晶胞圖可知，每個(gè)晶胞中，K個(gè)數(shù)為6 eq f(1,2) 4 eq f(1,4) 4（個(gè)），H2PO eq oal(sup11(),sdo4(4) 個(gè)數(shù)為8 eq f(1,8) 4 eq f(1,2) 14（個(gè)），則1個(gè)KH2PO4晶體的四方晶胞中有4個(gè)KH2PO4，晶體密度等于晶胞質(zhì)量除以晶胞體積，其中晶胞體積為a2c1030 cm3，晶胞的質(zhì)量為 eq f(4

24、136,NA) g，所以晶體的密度為 eq f(4136,a2cNA1030) gcm3。由題圖（a）可知，晶胞在x軸方向的投影圖，應(yīng)為B選項(xiàng)中的圖。5答案：（1）SiC（2）SiCl4SiF4、SiCl4、SiBr4、SiI4都是分子晶體，相對(duì)分子質(zhì)量依次增大，分子間作用力依次增大正四面體sp2、sp3NCH54（3）OMg2GeO4 eq f(7401021,abcNA) 解析：（1）硅原子核外有14個(gè)電子，有1s、2s、2p、3s、3p五個(gè)能級(jí)，每個(gè)能級(jí)的電子數(shù)分別是2、2、6、2、2，則基態(tài)硅原子最外層的電子排布圖為。晶體硅和碳化硅均為原子晶體，碳原子半徑比硅原子半徑小，則CSi鍵鍵長(zhǎng)

25、比SiSi鍵鍵長(zhǎng)短，故碳化硅的熔點(diǎn)較高。（2）0 273 K，由題表中的數(shù)據(jù)可知，只有SiCl4的熔點(diǎn)低于273 K，沸點(diǎn)高于273 K，則SiCl4在0 時(shí)為液態(tài)。SiF4、SiCl4、SiBr4、SiI4均為分子晶體，結(jié)構(gòu)相似，相對(duì)分子質(zhì)量依次增大，則分子間作用力依次增大，沸點(diǎn)逐漸升高。SiX4的中心原子Si周?chē)逆I電子對(duì)數(shù)4 eq f(1,2) （414）4，無(wú)孤電子對(duì)，由VSEPR理論可知，其VSEPR模型與分子空間構(gòu)型均為正四面體。中甲基碳原子為飽和碳原子，是sp3雜化，碳碳雙鍵中的碳原子為sp2雜化。短周期同周期元素從左到右，電負(fù)性逐漸增大，且H的電負(fù)性比C小，故電負(fù)性由大到小的順

26、序是NCH。中1個(gè)基團(tuán)有1個(gè)NSi、4個(gè)NC、1個(gè)N=C、1個(gè)C=C、6個(gè)CH，共有13個(gè)鍵，4個(gè)基團(tuán)，則含13452（個(gè)）鍵，另外還有2個(gè)SiCl鍵，故1個(gè)中含有鍵的數(shù)目為54個(gè)。（3）由晶胞結(jié)構(gòu)圖可知，1個(gè)晶胞中，對(duì)于X原子，8個(gè)位于頂點(diǎn)、4個(gè)位于棱上、6個(gè)位于面上、3個(gè)位于晶胞內(nèi)，故1個(gè)晶胞中含有X的數(shù)目為8 eq f(1,8) 4 eq f(1,4) 6 eq f(1,2) 38（個(gè)）；對(duì)于Y原子，4個(gè)Y原子均位于晶胞內(nèi)；對(duì)于Z原子，16個(gè)Z原子均位于晶胞內(nèi)。其中Ge和O的原子個(gè)數(shù)比為14，則X為Mg，Y為Ge，Z為O。由上述分析可知，該化合物的化學(xué)式為Mg2GeO4。1個(gè)晶胞的質(zhì)量

27、eq f(2487341616,NA) g eq f(740,NA) g，1個(gè)晶胞的體積abc1021 cm3，則晶體的密度 eq f(f(740,NA) g,abc1021 cm3) eq f(7401021,abcNA) gcm3。6答案：（1）9（2）FOClV形（或角形）低于OF2相對(duì)分子質(zhì)量小，分子間作用力?。?）5D（4）2 eq blc(rc)(avs4alco1(0，0，f(r,c) eq f(1,2) eq r(2a2（c2r）2) 解析：（1）基態(tài)F原子核外有9個(gè)電子，每個(gè)電子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)各不相同，故基態(tài)F原子核外電子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)有9種。（2）根據(jù)ClO2中O顯負(fù)價(jià)，Cl顯正價(jià)

28、，知O的電負(fù)性大于Cl的電負(fù)性，又同一周期主族元素從左到右電負(fù)性依次增大，故O、F、Cl電負(fù)性由大到小的順序?yàn)镕OCl。OF2分子中O的成鍵電子對(duì)數(shù)為2、孤電子對(duì)數(shù)為 eq f(612,2) 2，故OF2的空間構(gòu)型為V形；OF2、Cl2O均為分子晶體，分子間以范德華力結(jié)合，OF2的相對(duì)分子質(zhì)量小，范德華力小，故OF2的熔、沸點(diǎn)低于Cl2O。（3）XeF2中心原子X(jué)e的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為2 eq f(812,2) 5，其雜化軌道數(shù)為5，推測(cè)Xe的雜化方式為sp3d。（4）由題圖知，晶胞中大球個(gè)數(shù)為8 eq f(1,8) 12，小球個(gè)數(shù)為8 eq f(1,4) 24，故大球?yàn)閄e，小球?yàn)镕，該晶胞中含

29、有2個(gè)XeF2。以晶胞參數(shù)為單位長(zhǎng)度建立坐標(biāo)系時(shí)，由B點(diǎn)在棱上 eq f(r,c) 處，知B點(diǎn)原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為 eq blc(rc)(avs4alco1(0，0，f(r,c) 。如圖所示從點(diǎn)A向底面作垂線到點(diǎn)D，則ED eq f(r(2),2) a pm，ABCEd，CD eq blc(rc)(avs4alco1(f(1,2)cr) pm，根據(jù)CD2ED2CE2，代入數(shù)據(jù)可得d20.5a2 pm2（0.5cr）2 pm2，d eq r(0.5a2（0.5cr）2) pm。7答案：（1）第四周期第族1s22s22p63s23p63d64s2或Ar3d64s2（2） eq f(31023,NAa3) NiOCoOFeO（3）CoCl3Cl2FeCl32Co（OH）36H2Cl=2Co2Cl26H2O（4）隨H2SO4質(zhì)量分?jǐn)?shù)增加，Ni表面逐漸形成致密氧化膜少量多次3Ni3H2SO42HNO3=3NiSO42NO4H2O或NiH2SO42HNO3=NiSO42NO22H2O解析：本題考查物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)知識(shí)，考查考生接受、吸收、整合化學(xué)信息的能力，考查的化學(xué)學(xué)科核心素養(yǎng)是宏觀辨識(shí)與微觀探析。（1）在元素周期表中Fe、Co、Ni都是第四周期第族的元素；Fe為26號(hào)元素，其基態(tài)原子的電子排布式是1s22s22p63s23p63d64s2或Ar3d64