單晶操作工操作說(shuō)明

1、操作說(shuō)明一目的將硅多晶及硅單晶轉(zhuǎn)變成客戶需要的硅單晶。適用范圍FT-CZ1806,FT-CZ2008 單晶爐使用設(shè)備及工具?FT-CZ1806(FT-CZ2008)型單晶爐、空氣壓縮機(jī)、真空泵(主/輔)、循環(huán) 冷卻水系統(tǒng)、氬氣輸送系統(tǒng)、氬氣中含氧量監(jiān)測(cè)儀?斜口鉗、螺絲刀、不銹鋼托盤(pán)、不銹鋼推車(chē)、硅單晶專用取棒車(chē)、美工刀 等四材料?多晶硅、可回收利用的硅材料、摻雜劑、5個(gè)9的高純肚、可循環(huán)的軟化 冷卻水、高純石墨熱場(chǎng)?一次性手套、防靜電手套、乳膠手套、隔熱手套、塑料袖套、一次性口罩?無(wú)塵清潔紙、無(wú)水乙醇環(huán)境要求潔凈房重要工藝參數(shù)見(jiàn)工藝參數(shù)卡FT-CZ1806,FT-CZ2008型單晶爐面板介紹圖

2、1手動(dòng)狀態(tài)操作畫(huà)面作業(yè)步聚熱場(chǎng)組立按照熱場(chǎng)裝配圖，將熱場(chǎng)部件逐一裝配組合。淤注意外保溫筒的測(cè)溫孔與溫度傳感器對(duì)準(zhǔn)，否則將無(wú)法用溫度控制拉 晶。將鋼皮尺置于石墨中軸上，如圖1中點(diǎn)擊【CRUCIBLE】，彈出坩堝控制 區(qū)。在ROTATION SPEED VALUE中輸入想要的坩堝轉(zhuǎn)速，按【OK】鍵確認(rèn)，最后 點(diǎn)擊【ON】按鈕讓坩堝旋轉(zhuǎn)來(lái)確認(rèn)加熱器是否與中軸同心，可以調(diào)整加熱器的 兩個(gè)固定螺絲使中軸與加熱器盡量調(diào)至同心。將石墨坩堝放入后再對(duì)中，確保坩堝四周與加熱器的位置大于3mm，并 盡量同心。1.4 .將導(dǎo)流筒裝上，并用如上方法確保導(dǎo)流筒安裝的與石墨坩堝同軸。1對(duì)中中軸與加熱器同圓心2對(duì)中加熱器與

3、石墨坩堝3對(duì)中導(dǎo)流筒與石墨 坩堝石英坩堝的安裝將石英坩堝的合格證取出，貼附在拉晶記錄上。戴上一次性手套，拿出石英坩堝，在燈光下確認(rèn)石英坩堝有無(wú)傷痕、 裂紋、氣泡、黑點(diǎn)。確切的要求參照我們對(duì)石英坩堝供應(yīng)商的來(lái)料要求。2.2 .插入石墨坩堝內(nèi)，比較石墨坩堝與石英坩堝的高度，確認(rèn)并調(diào)整水平石英坩堝安裝好后，設(shè)定坩堝轉(zhuǎn)速8rpm，確認(rèn)石英坩堝在轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)不會(huì) 晃動(dòng)方可。1檢查石英坩堝2裝入石英坩堝3調(diào)整石英坩堝放置的水平3 .摻雜劑的裝入確認(rèn)摻雜劑料包上所寫(xiě)的重量與拉晶指示書(shū)上的數(shù)據(jù)是否一致。帶上一次性的手套，將裝有摻雜劑的料包在石英坩堝的上方且低于石 英坩堝口的位置打開(kāi)并抖動(dòng)裝料紙使摻雜劑全部落入石英坩

4、堝中。1摻雜劑的裝入硅原料裝入右手上戴上棉手套，再戴上3至5副一次性手套。左手則戴上一副一 次性手套。為了防止原料硅的污染、一定要用帶了多層手套的手去抓原料，用另一 只手握住裝原料的袋子。由于一次性手套容易損壞，所以一定要勤于更換。裝 料時(shí)不要將裝原料的塑料袋放置在碳?xì)譄釄?chǎng)上，損壞熱場(chǎng)。將原料硅放入石英坩堝底部，逐步向上填補(bǔ)。?填充操作時(shí)，在石英坩堝高度的1/3以下時(shí)盡量采用面接觸，便于熱量從 坩堝傳到硅材料上。?當(dāng)料的高度達(dá)到了石英坩堝的2/3后，要盡量使硅材料與石英坩堝點(diǎn)接觸， 防治化料后出現(xiàn)掛邊。要避免與石英坩堝撞擊，要特別注意不能使石英坩堝有破損和缺口。如 損壞應(yīng)立即報(bào)告并更換。注意不

5、能掉落原料硅在外面。萬(wàn)一出現(xiàn)原料硅掉落在外，這些原料因?yàn)?污染需處理后再使用。填充操作結(jié)束后，用真空吸塵器除去粘在爐體表面、爐體法蘭表面、 加熱器表面上的原料硅粉末。在導(dǎo)流筒的外圍裝上碳?xì)謱?dǎo)流筒，蓋上熱屏支撐環(huán)。將手動(dòng)操作手柄上的【CRUCIBLE】旋鈕打到DOWM位置，使坩堝降到最 低位。1硅材料的裝入2吸去硅碎屑3下降石墨坩堝至最低爐的安裝將手動(dòng)操作手柄上的【SEED】鍵打向DOWN將籽晶降下到最低位,安裝 籽晶并用無(wú)塵紙沾拭酒精擦凈。注意安裝籽晶是不要旋轉(zhuǎn)籽晶，裝好后要垂直下拉籽晶,防止有間距在拉 晶時(shí)晶棒下滑。安裝熱屏前確保籽晶夾頭上的熱屏三爪舉上落下自如，確認(rèn)其固定螺 絲是否有可能掉

6、出。確認(rèn)熱屏上的三個(gè)掛鉤的碳?xì)致萁z是否擰緊，有松動(dòng)需擰緊。5.4 .將熱屏掛上三爪，用手動(dòng)操作手柄，上升籽晶將籽晶升降旋鈕【SEED】 打到UP位置，停止籽晶升降時(shí)籽晶升降旋鈕打到中間位置，下降籽晶升降時(shí)打 到DOWN位置，反復(fù)幾次使熱屏與爐蓋相距35cm左右。用無(wú)塵紙沾拭無(wú)水酒精擦拭上爐體和下?tīng)t體的閉合法欄。提起爐蓋定位開(kāi)關(guān)，轉(zhuǎn)動(dòng)上蓋到與主體合攏的上方,放下?tīng)t蓋定位開(kāi) 關(guān)。旋動(dòng)手動(dòng)操作手柄上的【HOIST】旋鈕，打向DOWN位置，使?fàn)t體合攏，等 電機(jī)自動(dòng)停止。爐體轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)防止熱屏晃動(dòng)、破損；確認(rèn)螺栓穿過(guò)法蘭孔，防止?fàn)t蓋被定 位銷(xiāo)頂起。爐蓋與下法欄接觸后不能算蓋好爐蓋，一定要等電機(jī)到了限位自動(dòng)停

7、止， 否則能進(jìn)入化料程序但開(kāi)啟不了加熱器。爐蓋蓋好后，用探照燈確認(rèn)熱屏未滑落,或被原料頂起。1下降籽晶夾頭2安裝籽晶3安裝熱屏6爐體合攏5擦拭爐體法欄4調(diào)整熱屏與爐蓋的間距抽真空慢慢打開(kāi)主閥閥門(mén)。確認(rèn)在400Torr以下完全打開(kāi)主閥。持續(xù)抽氣至60mTorr以下（總抽氣時(shí)間約1h左右），關(guān)閉主閥。按下手動(dòng)操作面板上的【LEAKCHK】按鈕，打開(kāi)檢漏菜單，按下【START】 按鈕開(kāi)始檢漏。按下STOP按鈕則檢漏停止此時(shí)屏幕上的漏氣量與時(shí)間就是檢漏 的結(jié)果。進(jìn)入真空檢漏狀態(tài)，一般我們計(jì)時(shí)5分鐘的漏氣量若結(jié)果小于4mT則 通過(guò)，若大于4mT則檢查漏氣原因。即每分鐘的漏氣率低于0.8mT算檢漏通過(guò)。M

8、ELT （熔化）檢漏通過(guò)后，打開(kāi)主閥。按下手動(dòng)操作面板上的【Ar Gas】按鈕，打開(kāi)氬氣控制菜單將需設(shè)定 的氬氣流量值輸入MFC FLOW VALUE中，按下【MFC ON】和【TOPPLATE VALUE OPEN】 氬氣即被打開(kāi)。如打開(kāi)的氬氣流量值比較大時(shí)最好采用分步遞增的方法漸漸加大氬氣流 量，停止時(shí)分步遞減，這樣做可以使氬氣流量計(jì)不會(huì)因?yàn)榱髁客蝗蛔兇?，而發(fā) 生零點(diǎn)偏移。將操作面板旁邊的狀態(tài)旋鈕打到AUTO檔，按下屏幕上的【PROCESS START】此時(shí)屏幕中會(huì)跳出是否執(zhí)行化料程序的確認(rèn)對(duì)話框，點(diǎn)擊【ACCEPT】自 動(dòng)化料程序開(kāi)始。在化料過(guò)程中檢查電流值是否穩(wěn)定，功率值是否穩(wěn)定，與設(shè)

9、定值的 偏差是否在允許的范圍內(nèi)。自動(dòng)狀態(tài)畫(huà)面確認(rèn)化料開(kāi)始化料開(kāi)始畫(huà)面8. STABILIZE （溫度穩(wěn)定）觀察爐內(nèi)硅材料是否已完全熔化，完全熔化后觀察是否有掛邊。如有掛邊則按下位于屏幕下方的【PROCESS RESET】在彈出的對(duì)話框 中選擇【ACCEPT，然后將操作面板旁邊的狀態(tài)旋鈕打到MANUAL檔。按下屏幕 上的【CRUCIBLE】按鈕打開(kāi)坩堝控制菜單，在ROTATION欄中點(diǎn)擊【OFF】關(guān)閉 坩堝旋轉(zhuǎn)。將手動(dòng)操作手柄的【SEED】打向DOWN位置適當(dāng)?shù)慕迪聼崞林钡街币?看不到掛邊的位置，但不要放下熱屏。待數(shù)分鐘后將操作手柄的【SEED】打向 UP位置，確認(rèn)掛邊是否掉落，如未完全掉落則重

10、復(fù)前面的操作。如已經(jīng)處理完 掛邊則可手動(dòng)進(jìn)入STABILIZE o8.1.2如無(wú)掛邊則按下【STEP SKIP】直接進(jìn)入STABILIZE o8.2 .化料時(shí)間已到還未化完，此時(shí)爐臺(tái)會(huì)有提示音，且彈出對(duì)話框詢問(wèn)是 否結(jié)束化料程序，待料完全熔化后，選擇【ACCEPT】鍵進(jìn)入STABILIZE。按下操作面板上的【PROCESS RESET】彈出確認(rèn)對(duì)話框，并提示將自 動(dòng)模式轉(zhuǎn)為手動(dòng)模式。按下【ACCEPT】鍵，隨后將狀態(tài)控制旋鈕打到MANUAL檔。將手動(dòng)操作手柄的【CRUCIBLE】打向DOWN位置，使坩堝下降至最下方。將手動(dòng)操作手柄的【SEED】打向DOWN位置，使熱屏下降至熱屏支撐環(huán)， 直到三

11、爪脫離熱屏。點(diǎn)擊【CRUCIBLE】鍵調(diào)出坩堝控制菜單，在ROTATION SPEED VALUE中 輸入所需的坩堝轉(zhuǎn)速，然后點(diǎn)擊ROTATION欄中的【ON】按鈕使坩堝旋轉(zhuǎn)。將手動(dòng)操作手柄的【CRUCIBLE】打向UP位置，使坩堝的位置停留在引 晶所需的位置。點(diǎn)擊【HEATER】鍵調(diào)出功率控制菜單，在POWER下的數(shù)值輸入?yún)^(qū)中輸 入穩(wěn)定所需的功率，將DC CONVERTER下的【ON】點(diǎn)擊打開(kāi)，進(jìn)入功率穩(wěn)定時(shí)期。在POWER菜單下，HTRTEMPCONT中輸入溫度穩(wěn)定的溫度值，然后點(diǎn)擊 DC CONVERTER TEMPCONT中的【ON】按鈕，開(kāi)始溫度穩(wěn)定。打開(kāi)溫度穩(wěn)定時(shí)，實(shí)際溫度要比設(shè)定

12、溫度不要大于5C以上，否則會(huì)由于 功率到零而發(fā)出報(bào)警。從自動(dòng)化料進(jìn)入自動(dòng)穩(wěn)定自動(dòng)狀態(tài)下的穩(wěn)定模式轉(zhuǎn)入手動(dòng)穩(wěn)定NECK （引晶）在手動(dòng)狀態(tài)下，將操作手柄的【SEED】鍵打向DOWN位置下降籽晶，使 籽晶停留在液面上方2cm左右。預(yù)熱5分鐘左右。點(diǎn)擊操作面板上的【SEED】鍵，進(jìn)入籽晶控制菜單，在ROTATION SPEED VALUE中輸入所需的籽晶轉(zhuǎn)速，按下ROTATION中的【ON】按鈕使籽晶旋轉(zhuǎn)。為防止籽晶由于0轉(zhuǎn)速到大轉(zhuǎn)速而產(chǎn)生晃動(dòng)的話，可以分多次慢慢的增 加轉(zhuǎn)速，防止籽晶產(chǎn)生晃動(dòng)。將操作手柄上的【SEED】鍵打向DOWN位置，下降籽晶，到達(dá)需開(kāi)始引 晶的位置（一般在原始籽晶上）。等待籽

13、晶熔化并出現(xiàn)彎月型光圈，如果光圈變大說(shuō)明液體溫度過(guò)低， 如果光圈變小說(shuō)明溫度過(guò)高，需調(diào)整設(shè)定溫度使其光圈不變大變小比較適中， 此時(shí)便可以開(kāi)始引晶。點(diǎn)擊【PROCESS PARAMETER】進(jìn)入?yún)?shù)修改畫(huà)面，將NECK TARGET DIAMETER 中的直徑設(shè)定到接近籽晶粗細(xì)的值，并按【EXECUTE】執(zhí)行。將顯示屏旁邊的狀態(tài)控制按鈕打到AUTO檔。點(diǎn)擊【PROCESS START】鍵，彈出確認(rèn)對(duì)話框，選擇【ACCEPT】進(jìn)入自 動(dòng)模式，點(diǎn)擊【PROCESS CONTROL】進(jìn)入程序控制畫(huà)面，選擇【NECK MODE】并 按【EXECUTE】執(zhí)行。進(jìn)入自動(dòng)引晶模式。程序會(huì)通過(guò)控制拉速自動(dòng)往設(shè)定

14、的直徑控制，想進(jìn)一步的減小直徑， 可多次修改PROCESS PARAMETER中的NECK TARGET DIAMETER中的設(shè)定籽晶直徑 值。為防止由于實(shí)際直徑與設(shè)定直徑偏差過(guò)大導(dǎo)致拉速變化過(guò)大而將籽晶拉 斷，每次只作小量的修改。進(jìn)行多次的修改來(lái)達(dá)到理想的引晶直徑。當(dāng)引晶的細(xì)徑部分長(zhǎng)度夠所拉晶錠的一個(gè)直徑時(shí)，即已到可以進(jìn)入放 肩的階段。如自動(dòng)引晶不是很理想的話可隨時(shí)考慮進(jìn)入手動(dòng)狀態(tài)來(lái)手動(dòng)引晶。9.10.1點(diǎn)擊PROCESS RESET】在彈出的對(duì)話框中選擇【ACCEPT】，隨后將 狀態(tài)控制旋鈕打到MANUAL檔。9.10.2點(diǎn)擊SEED】鍵，進(jìn)入籽晶控制菜單。在LOW SPEED VALUE

15、中輸入 所要的拉速，然后點(diǎn)擊LOW LIFT SPEED欄中的【UP】鍵，執(zhí)行所設(shè)定的籽晶拉 速值。9.10.3根據(jù)需要不斷的修改籽晶拉速，使籽晶的直徑達(dá)到理想的值，并保 證細(xì)徑有所拉晶錠的一個(gè)直徑長(zhǎng)。開(kāi)始進(jìn)入自動(dòng)程序 選擇引晶程序自動(dòng)引晶狀態(tài)CROWN （放肩）如在自動(dòng)引晶狀態(tài)下，點(diǎn)擊【STEP SKIP】，在彈出的對(duì)話框中選擇 【ACCEPT】進(jìn)入自動(dòng)放肩程序。如在手動(dòng)引晶狀態(tài)下，將狀態(tài)控制旋鈕打到AUTO檔，點(diǎn)擊【PROCESS START，在彈出的對(duì)話框中選擇【ACCEPT】進(jìn)入自動(dòng)模式。點(diǎn)擊【PROCESS CONTROL】進(jìn)入程序控制畫(huà)面，選擇【CROWN MODE】并按 EXEC

16、UTE】執(zhí)行，這便進(jìn)入了自動(dòng)放肩的程序。10.4 .在自動(dòng)放肩過(guò)程中晶體的直徑會(huì)慢慢變大，要用觀察窗上的測(cè)徑儀測(cè)量晶 體的實(shí)際直徑，并比較相機(jī)的讀數(shù)直徑觀察兩者的差別。并注意放肩的形態(tài)， 如坡度太陡或者太平都說(shuō)明程序的溫度設(shè)定不是很合適。需通知管理員進(jìn)行調(diào) 整。點(diǎn)擊【PROCESS PARAMETER】，在參數(shù)修改頁(yè)中，SHOULDER BODY SHIFT DIAMETER中輸入所要開(kāi)始轉(zhuǎn)肩相機(jī)所要達(dá)到的數(shù)值。點(diǎn)擊【EXECUTE】執(zhí)行。輸入的數(shù)值與相機(jī)讀數(shù)的差值應(yīng)與此時(shí)的實(shí)際直徑與所需目標(biāo)直徑的差值 一致。開(kāi)始進(jìn)入自動(dòng)程序 選擇放肩程序自動(dòng)放肩狀態(tài)SHOULDER （轉(zhuǎn)肩）當(dāng)晶錠的直徑到達(dá)

17、，SHOULDER BODY SHIFT DIAMETER中的設(shè)定直徑時(shí)， 程序自動(dòng)進(jìn)入轉(zhuǎn)肩程序。轉(zhuǎn)肩后，程序會(huì)自動(dòng)進(jìn)入BODY程序，此時(shí)的相機(jī)讀數(shù)會(huì)有所變化。點(diǎn)擊【PROCESS PARAMETER】進(jìn)入?yún)?shù)修改頁(yè)，將 BODY TARGET DIAMETER 中的值修改成此時(shí)的相機(jī)讀數(shù)值，并按【EXECUTE】執(zhí)行。如果此時(shí)的晶錠直徑的實(shí)際值與目標(biāo)值有偏差，可以通過(guò)多次設(shè)定接近 目標(biāo)值的方法來(lái)達(dá)到我們所想要的直徑。轉(zhuǎn)肩畫(huà)面轉(zhuǎn)入BODY修改設(shè)定直徑BODY （等徑）進(jìn)入BODY后，每隔一個(gè)小時(shí)記錄拉晶的各項(xiàng)參數(shù)，測(cè)量直徑是不是在我 們的規(guī)定范圍之內(nèi)。注意觀察液面與熱屏之間的距離，應(yīng)保持在20

18、mm30mm之 間為宜。如果直徑有偏大或者偏小現(xiàn)象，點(diǎn)擊【PROCESS PARAMETER】進(jìn)入?yún)?shù)修 改頁(yè)，將BODY TARGET DIAMETER中的值往需要的直徑修改，需要變大則在此時(shí) 的相機(jī)讀數(shù)上加大，需要變小則在此時(shí)的相機(jī)讀數(shù)上減小，并按【EXECUTE】執(zhí) 行。如果實(shí)際直徑與目標(biāo)直徑偏差大可分次修改，待前次的修改已經(jīng)達(dá)到后再 行修改。如果在需要直接修改拉速、坩堝堝隨、溫度等拉晶條件時(shí)，點(diǎn)擊OPERATION】進(jìn)入自動(dòng)模式下的手動(dòng)干預(yù)菜單，再分別選擇所需改變的項(xiàng)，如 【SEED】、【LEAKCHK】、【AR GAS】、HEATR】、CRUCIBLE】點(diǎn)擊其中一 項(xiàng)則會(huì)出現(xiàn)各自的操

19、作界面。在各自的VALUE中輸入所要修改參數(shù)的差值，然 后點(diǎn)擊【+】/【一】來(lái)對(duì)原來(lái)的參數(shù)進(jìn)行加減。如果是籽晶或者坩堝轉(zhuǎn)速修改 是差值為1轉(zhuǎn)，且不要連續(xù)修改，掌握一定的時(shí)間間隔。自動(dòng)狀態(tài)下的手動(dòng)只能叫干預(yù)不能叫操作，因?yàn)樗械膮?shù)不是像手動(dòng) 狀態(tài)下可以直接輸入，而是只能輸入所要修改的差值來(lái)進(jìn)行在原數(shù)據(jù)上的加減。 且在拉晶恢復(fù)正常時(shí)，務(wù)必將原來(lái)設(shè)定的參數(shù)上的加減項(xiàng)去除掉，否則會(huì)影響 程序正常的拉晶控制。自動(dòng)狀態(tài)下的手動(dòng)畫(huà)面 籽晶干預(yù)畫(huà)面 氬氣干預(yù)畫(huà)面溫度干預(yù)畫(huà)面坩堝干預(yù)畫(huà)面TAIL （收尾）當(dāng) BODY 長(zhǎng)度達(dá)到 PROCESS PARAMETER 里面 TAIL SHIFT BODY LENG

20、TH 設(shè) 定的長(zhǎng)度后自動(dòng)進(jìn)入TAIL模式。如果觀察發(fā)現(xiàn)料不多或者其它異常情況需要直接進(jìn)入TAIL模式時(shí)，可以 點(diǎn)擊【STEP SKIP】直接進(jìn)入TAIL模式。進(jìn)入TAIL后，每半小時(shí)記錄一次拉晶數(shù)據(jù)并隨時(shí)注意液面是否結(jié)晶、液 體所剩是否足夠收尾、尾巴直徑是否在變小等等情況。SHUT DOWN （冷卻）在收尾結(jié)束，晶棒與液體脫離后，點(diǎn)擊【STEP SKIP】進(jìn)入停爐冷卻階段。進(jìn)入SHOUT DOWN后籽晶會(huì)上升一段距離，籽晶轉(zhuǎn)速和坩堝轉(zhuǎn)速會(huì)慢慢停 止。氬氣會(huì)繼續(xù)保持。剛剛停后所剩的液體開(kāi)始結(jié)晶，觀察如果液體與熱屏很接近時(shí)而且料也比 較多時(shí)，應(yīng)該轉(zhuǎn)為手動(dòng)將坩堝下降一段距離，以免熱屏與硅液粘勞。過(guò)了

21、程序設(shè)定的時(shí)間后，機(jī)器會(huì)報(bào)警以示冷卻過(guò)程可以結(jié)束。晶體取出將狀態(tài)控制旋鈕打向MANUAL檔，進(jìn)入手動(dòng)模式。點(diǎn)擊【AR GAS】進(jìn)入氬氣控制菜單。在 MFC FLOW VALUE 中輸入 100，并點(diǎn)擊 MFC【ON】和 TOPPLATE VALUE【OPEN】 打開(kāi)氬氣沖氬。在爐體壓力到達(dá)600T左右時(shí)氬氣會(huì)自動(dòng)關(guān)閉，重復(fù)上一步操作繼續(xù)對(duì)爐 體沖氬，:直到爐內(nèi)壓力到達(dá)760T時(shí)，點(diǎn)擊MFC OFF和 TOPPLATE VALUE【CLOSE】 關(guān)閉氬氣。擰開(kāi)上爐體螺母，將操作手柄的【HOIST】旋鈕打向UP位置上升上爐筒。上爐筒到達(dá)上限位后，將操作手柄的【SEED】旋鈕打向UP位置，上升晶 棒

22、。放上晶棒托架，并通過(guò)【SEED】 UP/DOWN調(diào)整籽晶的上下高度使其與托架 有接觸，但不承重即可。15.8 .打開(kāi)上爐體定位開(kāi)關(guān)，轉(zhuǎn)動(dòng)上爐體，使上爐體旋轉(zhuǎn)到一側(cè)便于取棒。旋轉(zhuǎn)【SEED】旋鈕打向UP位置，上升籽晶，取下托架。再將【SEED】打 向DOWN下降晶棒。1510.用晶棒車(chē)承接晶棒，下降晶棒使其與晶棒車(chē)有充分接觸，但不全部承重到 晶棒車(chē)上，以免籽晶斷裂。將晶棒用特氟龍帶固定，操作人員一手拿住籽晶一 手用斜口鉗剪斷籽晶。取下籽晶放置在安全清潔的地方。取籽晶時(shí)不要轉(zhuǎn)動(dòng)籽晶，以免籽晶有內(nèi)傷，在下次使用時(shí)出現(xiàn)斷裂。15.11.晶棒放置到安全的地方進(jìn)一步冷卻，爐子開(kāi)始清爐作業(yè)，準(zhǔn)備下一輪拉

23、晶的開(kāi)始。九.異常處理MELT BACK （回熔）在自動(dòng)放肩或者自動(dòng)BODY時(shí)，晶錠NG，而且晶錠的長(zhǎng)度不夠加工要求 長(zhǎng)度或者開(kāi)爐時(shí)間不是很長(zhǎng)時(shí)，需將晶錠的長(zhǎng)出部分，再一次的熔化。點(diǎn)擊【PROCESS RESET】在彈出的對(duì)話框中選擇【ACCEPT】，然后將狀 態(tài)控制旋鈕打向MANUAL檔。點(diǎn)擊【SEED】鍵，調(diào)出籽晶控制菜單，在ROTATION SPEED VALUE中輸 入2轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速，點(diǎn)擊ROTATION欄中的ON按鈕將籽晶轉(zhuǎn)速設(shè)為2轉(zhuǎn)。點(diǎn)擊LOW LIFT SPEED中的STOP】按鈕，將籽晶的升降停止。點(diǎn)擊【CRUCIBLE】鍵，調(diào)出坩堝控制菜單，在ROTATION SPEED VALU

24、E 中輸入2轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速，點(diǎn)擊ROTATION欄中的ON】按鈕將坩堝轉(zhuǎn)速設(shè)為2轉(zhuǎn)。點(diǎn)擊 LOW LIFT SPEED中的【STOP】按鈕，將坩堝的升降停止。點(diǎn)擊HEATER鍵，調(diào)出加熱器控制菜單，點(diǎn)擊DC CONVERTER TEMPCONT 欄中的【OFF 鍵關(guān)閉溫度控制。在POWER中輸入比引晶高出1015KW的功率值，并點(diǎn)擊DC CONVERTER 欄中的ON】，以設(shè)定的功率值功率控制。當(dāng)晶棒化斷后，將操作手柄的CRUCIBLE】打向DOWN，下降坩堝，使 回熔后的液面不至于接觸到熱屏。待晶棒化斷后,在將操作手柄的SEED鍵打向DOWN,使晶棒浸入硅液， 直到完全熔化完。熔化完后的操作回復(fù)到穩(wěn)定中的八一8.7步驟，接著往下操作即可。REDIP （分次取出）晶棒拉到相當(dāng)?shù)拈L(zhǎng)度后出現(xiàn)NG,或者多次NG后需將帶有雜質(zhì)的料取出， 此時(shí)即要進(jìn)行REDIP操作。如晶棒有部分長(zhǎng)度可以利用的話，出現(xiàn)NG后，點(diǎn)擊STEP SKIP，并 點(diǎn)擊ACCEPT進(jìn)行確認(rèn)，從BODY狀態(tài)進(jìn)入到TAIL狀態(tài)。進(jìn)行一段時(shí)間的收 尾，目的是減少位錯(cuò)的反延。點(diǎn)擊PROCESS RESET】在彈出的對(duì)話框中選擇【ACCEPT，然后將 狀態(tài)控制旋鈕打向MANUAL檔。點(diǎn)擊SEED】鍵，調(diào)出籽晶控制菜單，在ROTATION SPEED VALUE中輸 入2轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速，點(diǎn)擊