芯片培訓(xùn)2ppt課件

1、VDMOS產(chǎn)品引見(jiàn)0器件根底 什么是半導(dǎo)體？ 導(dǎo)電率介于導(dǎo)體和絕緣體之間 電阻率可以被摻雜雜質(zhì)所控制 半導(dǎo)體：硅和鍺 復(fù)合半導(dǎo)體： SiGe,SiC GaAs,InP,等等1器件根底2器件根底半導(dǎo)體襯底和摻雜3器件根底4器件根底5器件根底6器件根底 為什么用Si？ 資源豐富，價(jià)錢(qián)廉價(jià) 溫度穩(wěn)定 SiO2絕緣性好，易于構(gòu)成 SiO2可以被用作分散摻雜的掩膜7器件根底8器件根底9器件根底10器件根底 PN結(jié)構(gòu)造11目錄第一部分：MOSFET引見(jiàn)第二部分：VDMOS主要參數(shù)第三部分：VDMOS工藝流程第四部分：公司現(xiàn)有VDMOS產(chǎn)品匯總第五部分：VDMOS產(chǎn)品本卷須知12第一部分：MOSFET引見(jiàn)

2、MOSFET：Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管13第一部分：MOSFET引見(jiàn) MOSFET的分類(lèi)：VDMOSP溝道加強(qiáng)型P溝道耗盡型N溝道加強(qiáng)型N溝道耗盡型14第一部分：MOSFET引見(jiàn) MOSFET主要任務(wù)原理以N溝道加強(qiáng)型為例： 襯底資料為P型硅，源區(qū)和漏區(qū)均為N+區(qū)。在柵極電壓為零時(shí)，由于氧化層中正電荷的作用使半導(dǎo)體外表耗盡但未構(gòu)成導(dǎo)電溝道。當(dāng)在柵極加上正電壓是，外表有耗盡層變?yōu)榉葱蛯?，?dāng)Vgs=Vt閾值電壓外表發(fā)生強(qiáng)反型，即構(gòu)成n型溝道，那么此時(shí)加在柵極上的電壓Vt即為MOS管的開(kāi)啟電壓。

3、在此時(shí)，假設(shè)在漏源之間加正電壓，電子就可以從源極流向漏極，構(gòu)成漏極向源極的電流。15第一部分：MOSFET引見(jiàn) MOSFET的特點(diǎn)： 雙邊對(duì)稱：電學(xué)性質(zhì)上，源漏極可以互換VDMOS不可以 單極性：參與導(dǎo)電的只需一種載流子，雙極器件是兩種載流子導(dǎo)電。 高輸入阻抗：由于存在柵氧化層，在柵和其它端點(diǎn)之間不存在直流通路，輸入阻抗非常高。電壓控制：MOS場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件，雙極功率器件是電流控制器件。驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單。自隔離：MOS管具有很高的封裝密度，由于MOS晶體管之間可以自動(dòng)隔離。能廣泛用于并聯(lián)。其它：溫度穩(wěn)定性好16第一部分：MOSFET引見(jiàn) 功率器件的特征：低中等高開(kāi)關(guān)損失快中等慢開(kāi)關(guān)速度高低低開(kāi)

4、態(tài)電阻簡(jiǎn)單簡(jiǎn)單復(fù)雜控制電流低低高控制電壓電壓電壓電流輸入控制參數(shù)符號(hào)VDMOSIGBT晶體管項(xiàng) 目17第一部分：MOSFET引見(jiàn) 功率器件的特征：18第一部分：MOSFET引見(jiàn) 功率MOSFET的主要類(lèi)型： VDMOS垂直雙分散MOS VVMOS垂直V型槽MOS UMOSU型槽MOS 其它如cool MOS等19第一部分：MOSFET引見(jiàn) 功率MOSFET的主要類(lèi)型： VDMOS是大量重要特征結(jié)合的產(chǎn)物，包括垂直幾何構(gòu)造、雙分散工藝、多晶硅柵構(gòu)造和單胞構(gòu)造等。20第一部分：MOSFET引見(jiàn) VDMOS的SEM圖片：21目錄第一部分：MOSFET引見(jiàn)第二部分：VDMOS主要參數(shù)第三部分：VDMO

5、S工藝流程第四部分：公司現(xiàn)有VDMOS產(chǎn)品匯總第五部分：VDMOS產(chǎn)品本卷須知22Vertical 垂直的 Double-diffused 雙分散 Metal 金屬 Semiconductor 半導(dǎo)體 Oxide 氧化物 23VDMOS構(gòu)造和符號(hào)24VDMOS主要參數(shù)：極限參數(shù)含義BVdss最大漏極-源極直流電壓Ids連續(xù)漏極電流Pd耗散功率Vgss最大柵源電壓（現(xiàn)有產(chǎn)品為30V）25VDMOS主要參數(shù)：電特性參數(shù)含義備注Vgs(th)閾值電壓，多晶下面的溝道出現(xiàn)強(qiáng)反型層并且在源極和漏極之間形成導(dǎo)電溝道時(shí)的柵源電壓靜態(tài)參數(shù)Rds(on)通態(tài)電阻，器件導(dǎo)通時(shí)，給定電流時(shí)的漏源電阻gfs跨導(dǎo)，漏極

6、電流隨柵源電壓變化的比值（單位：S西門(mén)子）電容輸入電容（Ciss）、輸出電容（Coss）、反向傳輸電容（Crss）動(dòng)態(tài)參數(shù)Ton開(kāi)通時(shí)間=開(kāi)啟延遲時(shí)間（td(on) ）+上升時(shí)間(Tr)開(kāi)關(guān)參數(shù)Toff關(guān)斷時(shí)間=關(guān)閉延遲時(shí)間(td(off) )+下降時(shí)間（Tf）Qg柵極電荷26晶體管VDMOS基極B發(fā)射極(E)集電極(C)漏極(D)源極(S)柵極(G) VDMOS與晶體管對(duì)比：第二部分：MOSFET主要參數(shù)27目錄第一部分：MOSFET引見(jiàn)第二部分：VDMOS主要參數(shù)第三部分：VDMOS工藝流程第四部分：公司現(xiàn)有VDMOS產(chǎn)品匯總第五部分：VDMOS產(chǎn)品本卷須知28第三部分：VDMOS產(chǎn)品工藝

7、流程29第三部分：VDMOS產(chǎn)品工藝流程30第三部分：VDMOS產(chǎn)品工藝流程31芯片加工：柵氧化淀積多晶硅第三部分：VDMOS產(chǎn)品工藝流程32多晶硅光刻P-注入第三部分：VDMOS產(chǎn)品工藝流程33P+光刻P+注入第三部分：VDMOS產(chǎn)品工藝流程34P阱推結(jié)N+光刻第三部分：VDMOS產(chǎn)品工藝流程35N+注入淀積BPSG第三部分：VDMOS產(chǎn)品工藝流程36引線孔光刻淀積鋁第三部分：VDMOS產(chǎn)品工藝流程37刻蝕鋁第三部分：消費(fèi)流程合金38反面金屬化第三部分：VDMOS產(chǎn)品工藝流程39管芯制造后照片第三部分：VDMOS產(chǎn)品工藝流程40目錄第一部分：MOSFET引見(jiàn)第二部分：VDMOS主要參數(shù)第三部

8、分：VDMOS工藝流程第四部分：產(chǎn)品運(yùn)用領(lǐng)域和公司主要產(chǎn)品第五部分：VDMOS產(chǎn)品本卷須知41 產(chǎn)品 參數(shù) 封裝形式Id(A)BVdss(V)Rds(on)（R）JCS730T0-220C/220F5.54001JCS830T0-220C/220F4.55001.5JCS740TO-220C/220F104000.54JCS840TO-220C/220F85000.8JCS630TO-220C/220F92000.4JCS1L60TO-251/252/220C/220F/921.060012JCS2N60TO-220/220F/251/25226005JCS4N60TO-220C/220F46

9、002.5JCS7N60TO-220/220F/26376001.242JCS 2 N 60 C封裝類(lèi)型D-S 電壓額定值溝道類(lèi)型Id延續(xù)電流額定值華微產(chǎn)品MOSFET產(chǎn)品標(biāo)識(shí)闡明43封裝方式代碼：品種代碼品種代碼TO-22OCTO-22OFFTO-251ITO-252UI-PAKVD-PAKRTO-262BTO-263STO-247WTO-3PBABTO-3PNANTO-92TTO-126MTO-126FMF44芯片尺寸：品種芯片命名JCS630F9N20JCS730F322A4JCS830F322A5JCS740F418A4JCS840F418A5JCS1N60F1N60JCS2N60F2

10、N60JCS4N60F4N60JCS7N60F7N6045目錄第一部分：MOSFET引見(jiàn)第二部分：VDMOS主要參數(shù)第三部分：VDMOS工藝流程第四部分：公司現(xiàn)有VDMOS產(chǎn)品匯總第五部分：VDMOS產(chǎn)品本卷須知46 控制要點(diǎn)： SiO2腐蝕剖面外形BHF10:1和12:1的差別。 poly干法刻蝕oxide控制 注入穩(wěn)定性 注入后去膠：不能用H2SO4,因注入后光刻膠成分變化，用干法去膠。 N+注入As，分散速度比P慢，有利于產(chǎn)品特性，分散更陡直，開(kāi)關(guān)時(shí)寄 生效應(yīng)更嚴(yán)重 PSG摻磷量和厚度均勻性，回流效果BPSG更好，Wet+Dry工藝 PSG回流穩(wěn)定性，決議了N+反壓的寬度 Al：不用純鋁Si-Al合金，單純的Al有尖峰，另外有spike效應(yīng)圖片 Al腐蝕，運(yùn)用干法或旋轉(zhuǎn)腐蝕，否那么側(cè)向鉆蝕很?chē)?yán)重第四部分： VDMOS產(chǎn)品本卷須知47 靜電防護(hù)： 柵氧化層：1000埃，擊穿電壓約為6065V 柵氧化層：580埃