模擬電子技術：ch01-02 二極管及其電路

1、模擬電子技術 半導體器件及其基本應用Ch01-02電子電路分析與設計 2Microelectronics Circuit Analysis and DesignChapter 1 Semiconductor Materials and DiodesChapter 2 Diode CircuitsChapter 3 The Field-Effect TransistorChapter 4 Basic FET AmplifiersChapter 5 The Bipolar Junction TransistorChapter 6 Basic BJT AmplifiersChapter 7 Freq

2、uency ResponseChapter 8 Output Stages and Power Amplifiers2Chapter 9 Ideal Operational Amplifiers and Op-Amp Circuits2Chapter 10 Integrated Circuit Biasing and Active Loads2Chapter 11 Differential and Multistage Amplifiers2Chapter 12 Feedback and Stability2Chapter 13 Operational Amplifier Circuits2C

3、hapter 14 Nonideal Effects in Operational Amplifier Circuits2Chapter 15 Applications and Design of Integrated Circuits(4h)(4h)(10h)基礎、重點章較獨立的分析任務(4h)(4h)(6h)(8h)(8h)(4h)(共52h)運放內部電路3二極管及其電路、分析Ch1. Semiconductor Materials and Diodes1.1 Semiconductor Materials and Properties1.2 The PN Junction1.4 Diod

4、e Circuits - AC Equivalent Circuit1.3 Diode Circuits - DC Analysis and Models1.5 Other Diode TypesCh2. Diode Circuits2.1 Rectifier Circuits2.2 Zener Diode Circuits2.4 Multiple-Diode Circuits2.3 Clipper and Clamper Circuits2.5 Photodiode and LED Circuits問題1：二極管(PN結)主要特性是什么？其工程描述方法？問題2：二極管電路(非線性)的分析方法

5、?最常用的是？問題3：常用的二極管電路及功能？41.1 Semiconductor Materials and Properties1.1.1 Intrinsic Semiconductors1.1.2 Extrinsic Semiconductors1.1.3 Drift and Diffusion Currents1.1.4 Excess Carriers4價 - 原子結構簡化模型Silicon (Si), germanium (Ge), gallium arsenide Valence electronsSemiconductor MaterialsProperties(1) 導電能力容

6、易受環(huán)境因素影響（溫度、光照等）(2) 摻雜可以顯著提高導電能力51.1.1 Intrinsic Semiconductors本征半導體,純半導體,無雜質半導體 single-crystal SiliconAt T=0K：all valence electrons are bound ; no charge flows insulator1.1 Semiconductor Materials and PropertiesFig1.2 Covalent bonding structureCovalentbondingValenceelectronCovalent band 價帶Conductio

7、n band 導帶Forbidden Bandgap 禁帶隙EgBandgap energySi : Eg=1.1eV;Ge : Eg=0.66eV;Insulator : Eg=36eV;1eV=1.610-19J61.1.1 Intrinsic Semiconductors1.1 Semiconductor Materials and Properties本征激發(fā) GenerationFree electron溫度光照GenerationFree electronValence electronGain energy濃度導電能力Empty state, positive charge空位：

8、帶正電荷；靠相鄰共價鍵中的價電子依次充填空位來實現(xiàn)電荷移動。取名為：Hole 空穴可自由移動的正電荷；溫度 載流子濃度Carrier 載流子: 自由移動帶電粒子復合electron-hole recombination 本征激發(fā)的逆過程 見1.1.4 Excess Carriers71.1 Semiconductor Materials and Properties1.1.1 Intrinsic Semiconductors1.1.2 Extrinsic Semiconductors1.1.3 Drift and Diffusion Currents1.1.4 Excess Carriers原

9、子結構簡化模型Silicon (Si), germanium (Ge), gallium arsenide Valence electronsSemiconductor MaterialsProperties(1) 導電能力容易受環(huán)境因素影響（溫度、光照等）(2) 摻雜可以顯著提高導電能力本征半導體、本征激發(fā)自由電子空穴復合81.1.2 Extrinsic Semiconductors1. N型半導體 摻入少量的五價元素磷P2. P型半導體 摻入少量的三價元素硼B(yǎng) 自由電子是多數(shù)載流子（簡稱多子）空穴是少數(shù)載流子（簡稱少子） 空穴是多數(shù)載流子自由電子為少數(shù)載流子。1.1 Semiconduct

10、or Materials and Properties空間電荷Majority carriersMinority carriersSpace-charge9 摻入雜 質對本征半導體的導電性有很大的影響，一些典型的數(shù)據(jù)如下: T=300 K室溫下,本征硅的電子和空穴濃度: ni = pi = 1.51010/cm31 本征硅的原子濃度: 51022/cm3 3以上三個濃度基本上依次相差106/cm3 。 2摻雜后 N 型半導體中的自由電子濃度: n0 Nd = 11016/cm3 , p0 ni2 /n0 = 2.25104/cm3雜質對半導體導電性的影響101.1 Semiconductor

11、Materials and Properties1.1.1 Intrinsic Semiconductors1.1.2 Extrinsic Semiconductors1.1.3 Drift and Diffusion Currents1.1.4 Excess Carriers原子結構簡化模型Silicon (Si), germanium (Ge), gallium arsenide Valence electronsSemiconductor MaterialsProperties(1) 導電能力容易受環(huán)境因素影響（溫度、光照等）(2) 摻雜可以顯著提高導電能力本征半導體、本征激發(fā)自由電子空

12、穴復合N型半導體、施主雜質(5價)P型半導體、受主雜質(3價) 多數(shù)載流子、少數(shù)載流子111.1.3 Drift and Diffusion Currents1.1 Semiconductor Materials and PropertiesDiffusion 擴散運動 濃度差產(chǎn)生的載流子移動Drift 漂移運動 在電場作用下，載流子的移動1.1.4 Excess Carriers擴散運動 濃度差產(chǎn)生的載流子移動載流子的注入12二極管及其電路、分析Ch1. Semiconductor Materials and Diodes1.1 Semiconductor Materials and Pro

13、perties1.2 The PN Junction1.4 Diode Circuits - AC Equivalent Circuit1.3 Diode Circuits - DC Analysis and Models1.5 Other Diode TypesCh2. Diode Circuits2.1 Rectifier Circuits2.2 Zener Diode Circuits2.4 Multiple-Diode Circuits2.3 Clipper and Clamper Circuits2.5 Photodiode and LED Circuits問題1：二極管(PN結)主

14、要特性是什么？其工程描述方法？問題2：二極管電路(非線性)的分析方法?最常用的是？問題3：常用的二極管電路及功能？131.2 The PN Junction1.2.1 The Equilibrium pn JunctionObjective 1.2.2 Reverse-Biased pn Junction1.2.3 Forward-Biased pn Junction1.2.4 Ideal Current-Voltage Relationship1.2.5 pn Junction Diode Temperature Effect Breakdown Voltage Switching Tran

15、sient 問題1：二極管(PN結)主要特性是什么？其工程描述方法？Drift & Diffusion14擴散 漂移1.2.1 The Equilibrium pn Junction 因為濃度差 多子的擴散運動 在P型半導體和N型半導體結合面，離子薄層形成的空間電荷區(qū)稱為PN結。 在空間電荷區(qū)中缺少多子，所以也稱耗盡層。 復合雜質離子形成空間電荷區(qū)空間電荷區(qū)形成內電場內電場促使少子漂移 內電場阻止多子擴散 是寬最后,多子的擴散和少子的漂移達到動態(tài)平衡。否問題？ 當動態(tài)平衡被外電場打破后，會如何？P-regionN-regionVbi - build-in voltageSpace-charge

16、 regionDepletion region15PN結的單向導電性只有在外加電壓時才 擴散與漂移的動態(tài)平衡將定義：加正向電壓，簡稱正偏加反向電壓，簡稱反偏 擴散 漂移 大的正向擴散電流（多子） 低電阻 正向導通 漂移 擴散 很小的反向漂移電流（少子） 高電阻 反向截止1.2.2 Reverse-Biased pn Junction1.2.3 Forward-Biased pn Junction161.2.2 Reverse-Biased pn JunctionvRiRvR1. Depletion region is increased, high resistance. 2. Majorit

17、y carriers cannot cross the junction. 3. Minority carriers sweep across PN easily. But: IDF IDR , iD=IDFIDR IDF 外加正向偏置電壓 Vbi excess carriers181.2.4 Ideal Current-Voltage Relationship圖2.1.8 PN結伏安特性正向特性 反向特性 PN結(二極管)特性描述方法陡峭電阻小正向導通特性平坦反向截止溫度一定，由本征激發(fā)產(chǎn)生的少子濃度一定PN結方程（理論計算仿真）IS 反向飽和電流VT 溫度的電壓當量(26mV)伏安特性曲線

18、（對應圖解法）191.2.5 pn Junction Diode Temperature Effect Breakdown Voltage Switching Transient 問題1：二極管(PN結)主要特性是什么？其工程描述方法？circuit symbolPhoto of real diode 20圖2.2.2 硅二極管的2CP10的伏安特性 圖2.2.3 鍺二極管2AP15的伏安特性二極管的伏安特性正向特性反向特性反向擊穿特性Vth = 0.5V（硅） Vth = 0.1V（鍺）注意1. 死區(qū)電壓（門坎電壓）2. 反向飽和電流 (好)硅：0.1A；鍺：10A3. PN結方程（近似）2

19、11. 最大整流電流IF 2. 最高反向工作電壓VRM 3. 反向電流IR 4. 極間電容Cd5. 最高工作頻率fM 二極管的主要參數(shù)圖2.2.3 鍺二極管2AP15的伏安特性IFVRMVBRIR極限 直流 交流 1.2.5 pn Junction Diode22 Temperature Effect1.2.5 pn Junction Diode溫度對二極管特性曲線的影響示意圖溫度升高時 : 正向特性曲線向左移動 溫度1，正向壓降22.5mV 反向特性曲線向下移動 溫度 10，反向電流 一倍 IS and VT are functions of T.23 Breakdown Voltage1.

20、2.5 pn Junction Diode反向擊穿倍增效應 雪崩擊穿 齊納擊穿 PN結的反向擊穿Storage time ts Turn-off time tfWhen forward-bias, excess carrier is stored in both regions. When switching from forward to reverse, it need time to remove. Switching Transient圖2.1.10 擴散電容效應熱擊穿不可逆 電擊穿可逆 24(1) 勢壘電容CB (2) 擴散電容CD PN結電容 用來描述勢壘區(qū)的空間電荷隨外加電壓變化

21、而變化的電容效應勢壘電容CB 圖2.1.9 勢壘電容與外加電壓關系圖2.1.10 擴散電容效應 多數(shù)載流子的擴散運動是形成擴散電容的主要因素 Switching Transient 251.2 The PN Junction1.2.1 The Equilibrium pn JunctionObjective 1.2.2 Reverse-Biased pn Junction1.2.3 Forward-Biased pn Junction1.2.4 Ideal Current-Voltage Relationship1.2.5 pn Junction Diode Temperature Effec

22、t Breakdown Voltage Switching Transient 問題1：二極管(PN結)主要特性是什么？其工程描述方法？Drift & Diffusion26二極管及其電路、分析Ch1. Semiconductor Materials and Diodes1.1 Semiconductor Materials and Properties1.2 The PN Junction1.4 Diode Circuits - AC Equivalent Circuit1.3 Diode Circuits - DC Analysis and Models1.5 Other Diode Ty

23、pesCh2. Diode Circuits2.1 Rectifier Circuits2.2 Zener Diode Circuits2.4 Multiple-Diode Circuits2.3 Clipper and Clamper Circuits2.5 Photodiode and LED Circuits問題1：二極管(PN結)主要特性是什么？其工程描述方法？問題2：二極管電路(非線性)的分析方法?最常用的是？問題3：常用的二極管電路及功能？271.5 Other Diode Types1.5.1 Solar Cell1.5.2 Photodiode1.5.3 Light-Emitt

24、ing Diode1.5.4 Schottky Barrier Diode1.5.5 Zener Diode反向截止狀態(tài)少子漂移電流特殊材料正向導通發(fā)光導通電壓較大反向擊穿狀態(tài)變容二極管反向截止狀態(tài)利用勢壘電容見1.2.2 Reverse-Biased 金屬N開關速度高閱讀資料，不做要求。但必須掌握“齊納二極管” 。Varactor Diode問題1：二極管(PN結)主要特性是什么？其工程描述方法？28二極管及其電路、分析Ch1. Semiconductor Materials and Diodes1.1 Semiconductor Materials and Properties1.2 Th

25、e PN Junction1.4 Diode Circuits - AC Equivalent Circuit1.3 Diode Circuits - DC Analysis and Models1.5 Other Diode TypesCh2. Diode Circuits2.1 Rectifier Circuits2.2 Zener Diode Circuits2.4 Multiple-Diode Circuits2.3 Clipper and Clamper Circuits2.5 Photodiode and LED Circuits問題1：二極管(PN結)主要特性是什么？其工程描述方

26、法？問題2：二極管電路(非線性)的分析方法?最常用的是？問題3：常用的二極管電路及功能？291.3 Diode Circuits - DC Analysis and Models1.3.0 Ideal Diode1.3.1 Iteration and Graphical Analysis techniques1.3.2 Piecewise Linear Model1.3.3 Computer Simulation and Analysis1.4 Diode Circuits - AC Equivalent Circuit1.3.4 Summary of Diode Models1.4.1 Si

27、nusoidal Analysis1.4.2 Small-Signal Equivalent Circuit問題1：二極管(PN結)主要特性是什么？其工程描述方法？問題2：二極管電路(非線性)的分析方法?最常用的是？301.3.4 Summary of Diode Models非線性分析方法 (PN結方程,復雜)圖解分析方法（麻煩、直觀）等效電路分析方法(轉換為線性)硅二極管的伏安特性理想模型折線模型恒壓降模型折線模型問題2：二極管電路(非線性)的分析方法?最常用的是？ 根據(jù)不同的工作條件和要求，在分析精度允許的條件下，采用不同的模型來描述非線性元器件的電特性。 1.3.2 Piecewise

28、 Linear Model1.4.2 Small-Signal Equivalent Circuit311.3.0 Ideal Diode先假設D截止開路，則vD = vi 理想模型：vD 0 D導通(短路) VD=0 vD 0 D截止(開路) vD = vivDvO2vO1(a)(b)分析結論：Clippers (Limiter)Rectifier321.3.1 Iteration and Graphical Analysis techniques例1:已知伏安特性,求VD、ID。線性線性: vD = VI - iD R非線性:非線性聯(lián)立求解，可得VD、ID圖解法直線與伏安特性的交點圖解法關

29、鍵畫直線又稱為負載線vD = 0iD = VI /R=1mAvD = 1ViD =(VI -vD)/R=0.9mA靜態(tài)工作點QVD0.7VID 0.95mA解問題：若VI = 10V，則交點位于什么位置？331.3.2 Piecewise Linear Model大信號模型：將指數(shù)模型分段線性化，得到二極管特性的等效電路。 (1) 理想模型(3) 折線模型(2) 恒壓降模型VD = 0.7V（硅） VD = 0.2V（鍺）問題2：二極管電路(非線性)的分析方法?最常用的是？問題： 二極管狀態(tài)判斷方法？343種大信號模型分析對比（R=10k）（a）VDD=10V 時（b）VDD=1V 時理想模型

30、恒壓模型折線模型理想模型恒壓模型折線模型1.3.2 Piecewise Linear Model35二極管分析方法小結（狀態(tài)判斷）假設D截止（開路）求D兩端開路電壓VD 0.7VD正向導通- VBR VD VT 。 1.4.1 Sinusoidal Analysis43VI = 10V， vi = 1Vsint例2:已知伏安特性,求vD、iD。iD=ID+DiD = 0.95mA+0.1mAsintvD=VD+DvD 0.7V 靜態(tài)分析 vi=0疊加原理動態(tài)分析 VI=0小信號模型(小信號等效電路)1.4.1 Sinusoidal Analysis44例3:(小信號分析) 例2中求vD、iD。

31、VI = 10V， vi = 1Vsint解題步驟:(1) 靜態(tài)分析 (令vi=0）由恒壓降模型得VD0.7V; ID 0.93mA(2) 動態(tài)分析 (令VI=0）由小信號模型得1.4.1 Sinusoidal Analysis45小信號工作情況分析模型分析應用舉例 圖示電路中，VDD = 5V，R = 5k，恒壓降模型的VD=0.7V，vs = 0.1sinwt V。（1）求輸出電壓vO的交流量和總量；（2）繪出vO的波形。 直流通路、交流通路、靜態(tài)、動態(tài)等概念，在放大電路的分析中非常重要。1.4.1 Sinusoidal Analysis461.3 Diode Circuits - DC

32、Analysis and Models1.3.0 Ideal Diode1.3.1 Iteration and Graphical Analysis techniques1.3.2 Piecewise Linear Model1.3.3 Computer Simulation and Analysis1.4 Diode Circuits - AC Equivalent Circuit1.3.4 Summary of Diode Models1.4.1 Sinusoidal Analysis1.4.2 Small-Signal Equivalent Circuit問題1：二極管(PN結)主要特性

33、是什么？其工程描述方法？問題2：二極管電路(非線性)的分析方法?最常用的是？471.4.2 Small-Signal Equivalent Circuit1.4 Diode Circuits - AC Equivalent Circuit1.4.1 Sinusoidal Analysis大信號：理想模型或折線模型(恒壓降模型)小信號：先用大信號模型找到靜態(tài)工作點，再用小信號模型另外，在高頻或開關狀態(tài)運用時，考慮到PN結電容的影響，可以得圖3.4.7a所示的PN結高頻電路模型，其中rs表示半導體電阻，rd表示結電阻，CD和CB分別表示擴散電容和勢壘電容。相比之下，rs通常很小，一般忽略不計，所以

34、圖b的電路模型更為常用。結電容Cd包括CD和CB的總效果。當PN結處于正向偏置時，rd為正向電阻，其值較小，Cd主要取決于擴散電容CD ；PN結反向偏置時，rd為反向電阻，其值很大，Cd主要取決于勢壘電容CB 。二極管的高頻電路模型（a）完整模型 （b）常用模型Chapter 7 Frequency Response48二極管及其電路、分析Ch1. Semiconductor Materials and Diodes1.1 Semiconductor Materials and Properties1.2 The PN Junction1.4 Diode Circuits - AC Equiv

35、alent Circuit1.3 Diode Circuits - DC Analysis and Models1.5 Other Diode TypesCh2. Diode Circuits2.1 Rectifier Circuits2.2 Zener Diode Circuits2.4 Multiple-Diode Circuits2.3 Clipper and Clamper Circuits2.5 Photodiode and LED Circuits問題1：二極管(PN結)主要特性是什么？其工程描述方法？問題2：二極管電路(非線性)的分析方法?最常用的是？問題3：常用的二極管電路及功

36、能？分析任務：求vD、iD 目的1: 確定電路功能，即信號vI傳遞到vO ，有何變化？ 目的2: 判斷二極管D是否安全。畫出電壓波形或電壓傳輸特性，確定功能及指標49Clipper and Rectifier Circuits先假設D截止開路，則vD = vi Ideal Diode ：vD 0 D導通(短路) VD=0 vD 0 D截止(開路) vD = vivDvO2vO1(a)(b)分析結論：Clippers (Limiter)Rectifier改用恒壓降模型修真誤差50二極管及其電路、分析Ch1. Semiconductor Materials and Diodes1.1 Semico

37、nductor Materials and Properties1.2 The PN Junction1.4 Diode Circuits - AC Equivalent Circuit1.3 Diode Circuits - DC Analysis and Models1.5 Other Diode TypesCh2. Diode Circuits2.1 Rectifier Circuits2.2 Zener Diode Circuits2.4 Multiple-Diode Circuits2.3 Clipper and Clamper Circuits2.5 Photodiode and

38、LED Circuits問題1：二極管(PN結)主要特性是什么？其工程描述方法？問題2：二極管電路(非線性)的分析方法?最常用的是？問題3：常用的二極管電路及功能？分析任務：求vD、iD 目的1: 確定電路功能，即信號vI傳遞到vO ，有何變化？ 目的2: 判斷二極管D是否安全。畫出電壓波形或電壓傳輸特性，確定功能及指標512.3.1 Clippers2.3 Clipper and Clamper Circuits(a) Parallel-based clipper(b) Series-based clipper?(c) Double limiter52 二極管鉗位電路2.3.2 Clampe

39、rs(a) Parallel-based clipperKVL: vO = vD = vI vC設電容初值 vC = 0則 vI 0時D導通，C充電 vI 0 (VD(on)vS 0vS VD(on)、V582.1.2 Full-Wave Rectification2.1.1 Half-Wave Rectificationv2vovot2340vD半波整流全波整流全波橋式整流2.1 Rectifier CircuitsD導通D截止D1導通D2導通D1, D3導通D2, D4導通？信號處理：絕對值59橋式整流電路v1v2TD4D2D1D3RLvo+-+RLD1D4D2D3v2vov2vo+-D1

40、 ,D3導通D2 ,D4導通60單相整流電路的性能指標(1) 直流電壓VL （輸出平均電壓）(3) 紋波系數(shù)(4) 二極管平均整流電流 IF(5) 二極管承受的最大反向電壓 VBR選擇變壓器: 匝數(shù)比、線徑選擇二極管:(2) 直流電流IL （輸出平均電流）性能參數(shù):v2vD1vot2340D1, D3導通D2, D4導通61利用橋式整流電路實現(xiàn)正、負電源622.1 Rectifier Circuits(b) Series-based clippervO2小功率直流電源的結構圖和轉換過程電源變壓器 v1 v2 整流電路vR 濾波電路vF 穩(wěn)壓電路VO tv2tvRtvFtVOtv1交流電網(wǎng)電壓2

41、.1.1 Half-Wave Rectification2.1.2 Full-Wave Rectification2.1.3 Filters, Ripple Voltage and Diode Current分析任務：求vD、iD(1) v2有效值直流電壓VO 的關系?(2) 判斷二極管D是否安全?電路性能改進：轉換效率、輸出電壓的紋波減小632.1.3 Filters, Ripple Voltage and Diode Current(1) 電容濾波原理u1v2v1bD4D2D1D3RLvoSCv2tvot注意！電容方向?RL未接入忽略整流電路內阻RintRL接入v2 vc :vc充 = R

42、intC二極管中的電流（脈沖波）64(2) 電容濾波的特點v2tvotRL未接入忽略整流電路內阻RintRL接入v2 vc :vc充 = RintCA. 二極管的導電角 ，流過二極管的瞬時電流很大，選23倍IO。B. 負載直流平均電壓 VO 升高d = RLC 越大， VO 越高C. 直流電壓 VL 隨負載電流增加而減小當 d （3 5） 時，VO = ( 1.1 1.2 )V22.1.3 Filters, Ripple Voltage and Diode Current65二極管及其電路、分析Ch1. Semiconductor Materials and Diodes1.1 Semicon

43、ductor Materials and Properties1.2 The PN Junction1.4 Diode Circuits - AC Equivalent Circuit1.3 Diode Circuits - DC Analysis and Models1.5 Other Diode TypesCh2. Diode Circuits2.1 Rectifier Circuits2.2 Zener Diode Circuits2.4 Multiple-Diode Circuits2.3 Clipper and Clamper Circuits2.5 Photodiode and L

44、ED Circuits問題1：二極管(PN結)主要特性是什么？其工程描述方法？問題2：二極管電路(非線性)的分析方法?最常用的是？問題3：常用的二極管電路及功能？分析任務：求vD、iD 目的1: 確定電路功能，即信號vI傳遞到vO ，有何變化？ 目的2: 判斷二極管D是否安全。畫出電壓波形或電壓傳輸特性，確定功能及指標2.1.1 Half-Wave Rectification2.1.2 Full-Wave Rectification2.1.3 Filters, Ripple Voltage and Diode Current2.1.4 Detectors2.1.5 Voltage Double

45、r Circuit9.5.6 Nonlinear Circuit Application66帶有電容的二極管電路2.1.3 Filters, Ripple Voltage and Diode Current2.1.4 Detectors2.1.5 Voltage Doubler Circuit2.3.2 Clampers67二極管及其電路、分析Ch1. Semiconductor Materials and Diodes1.1 Semiconductor Materials and Properties1.2 The PN Junction1.4 Diode Circuits - AC Equ

46、ivalent Circuit1.3 Diode Circuits - DC Analysis and Models1.5 Other Diode TypesCh2. Diode Circuits2.1 Rectifier Circuits2.2 Zener Diode Circuits2.4 Multiple-Diode Circuits2.3 Clipper and Clamper Circuits2.5 Photodiode and LED Circuits問題1：二極管(PN結)主要特性是什么？其工程描述方法？問題2：二極管電路(非線性)的分析方法?最常用的是？問題3：常用的二極管電路

47、及功能？分析任務：求vD、iD 目的1: 確定電路功能，即信號vI傳遞到vO ，有何變化？ 目的2: 判斷二極管D是否安全。畫出電壓波形或電壓傳輸特性，確定功能及指標2.1.1 Half-Wave Rectification2.1.2 Full-Wave Rectification2.1.3 Filters, Ripple Voltage and Diode Current2.1.4 Detectors2.1.5 Voltage Doubler Circuit9.5.6 Nonlinear Circuit Application68基本要求問題1：二極管(PN結)主要特性是什么？其工程描述方法

48、？掌握PN結的單向導電性、 I-V特性、PN結方程問題2：二極管電路(非線性)的分析方法?最常用的是？分段線性的分析方法，關鍵是工作狀態(tài)判斷恒壓降模型問題3：常用的二極管電路及功能？掌握二極管（包括穩(wěn)壓管）的基本應用及基本應用電路 二極管及其電路、分析Ch1. Semiconductor Materials and DiodesCh2. Diode Circuits69微電子電路分析與設計第1章 半導體材料和二極管第2章 二極管電路第3章 場效應晶體管第4章 基本FET放大器第5章 雙極型晶體管第6章 基本的BJT放大器第7章 頻率響應第8章 輸出級和功率放大器第9章 理想運算放大器及運放電路第10章 集成電路偏置技術和有源負載第11章 差分放大器和多級放大器第12章 反饋及其穩(wěn)定性第13章 運算放大器電路第14章 運算放大器電路的非理想效應第15章 集成電路的應用和設計第2部分 模擬電子技術第1部分 半導體器件及其基本應用70第1章 半導體材料和二極管1.1 半導體材料及其特性1.2 PN結1.3 二極管電路直流分析及模型1