干區(qū)工藝培訓手冊

1、集錦線路板科技干區(qū)工程師培訓教材 編寫：楊建成 日期：2007年5月目 錄前言3第一章：線路圖形3一、液體光致抗蝕劑(簡稱濕膜)3二、干膜.7三、菲林的制作17第二章：阻焊、字符20第1節(jié) 絲網(wǎng)的選擇.20第2節(jié) 網(wǎng)版制作.24第3節(jié) 網(wǎng)印刮板的選擇.25第4節(jié)印制板網(wǎng)印定位方法.29第5節(jié) 感光制版.31第6節(jié)網(wǎng)印.33第7節(jié) 印制板印料及其發(fā)展.35第8節(jié)幕簾涂布.39第9節(jié) 油墨的特性和使用注意事項.40第10節(jié) 研磨刷輥的種類及應用41第三章 噴錫.42第四章 可剝蘭膠.45第五章 PCB電測技術(shù)分析45前言：本文主要為了適應公司的發(fā)展需要而針對干區(qū)制程工程師進行培訓而編寫的教材，重點

2、為理論基礎知識和實際的相互結(jié)合，主要是提高工程師的理論知識。下畫線的內(nèi)容為一級工程師的培訓教材內(nèi)容，斜體字的內(nèi)容為二級工程師的培訓教材內(nèi)容，未作標識的內(nèi)容為三工程師的培訓教材內(nèi)容。由于初次編寫，存在有不足之處，還請各位同仁給予指正。謝謝！第一章：線路圖形線路圖形工序就是將照相底版上的電路圖像轉(zhuǎn)移到覆銅箔層壓板上，形成一種抗蝕或抗電鍍的掩膜圖像?？刮g圖像用于“直接蝕刻工藝”，即用保護性的抗蝕材料在覆銅箔層壓板上形成正相圖像，那些未被抗蝕劑保護的不需要的銅箔，在隨后的化學蝕刻工序中被去掉，蝕刻后去除抗蝕層，便得到所需的裸銅電路圖像。而抗電鍍圖像用于“圖形電鍍工藝”，即用保護性的抗蝕材料在覆銅層壓板

3、上形成負相圖像，使所需要的圖像是銅表面，經(jīng)過清潔、粗化等處理后，在其上電鍍銅或電鍍金屬保護層(錫鉛、錫鎳、錫、金等)，然后去掉抗蝕層進行蝕刻，電鍍的金屬保護層在蝕刻工序中起抗蝕作用。以上兩種工藝過過程概括如下：直接蝕刻工藝流程：下料板面清潔處理涂濕膜曝光顯影（貼干膜曝光顯影）蝕刻去膜進入下工序圖形電鍍工藝過程概括如下：下料鉆孔孔金屬化預鍍銅板面清潔涂濕膜曝光顯影（貼干膜曝光顯影）形成負相圖象圖形鍍銅圖形電鍍金屬抗蝕層去膜蝕刻進入下工序 圖像轉(zhuǎn)移有兩種方法，一種是網(wǎng)印圖像轉(zhuǎn)移，一種是光化學圖像轉(zhuǎn)移。網(wǎng)印圖像轉(zhuǎn)移比光化學圖像轉(zhuǎn)移成本低，在生產(chǎn)批量大的情況下更是如此，但是網(wǎng)印抗蝕印料通常只能制造大于

4、或等于0.25mm的印制導線，而光化學圖像轉(zhuǎn)移所用的光致抗蝕劑朗制造分辨率高的清晰圖像。一、液體光致抗蝕劑(簡稱濕膜)濕膜又稱液態(tài)光致抗蝕劑(Liquid photo resist),簡稱LPR。在此介紹有關(guān)光致抗蝕劑的一些基本知識：1)光致抗蝕劑：用光化學方法獲得的，能抵抗住某種蝕刻液或電鍍?nèi)芤航g的感光材料。2)正性光致抗蝕劑：光照射部分分解(或軟化)，曝光顯影之后，能把生產(chǎn)用照相底版上透明的部分從板面上除去。3)負性光致抗蝕劑：光照射部分聚合(或交聯(lián))，曝光顯影之后，能把生產(chǎn)用照相底版上透明的部分保留板面上。4)光致抗蝕劑的分類：按用途分為耐蝕刻抗蝕劑和耐電鍍抗蝕劑。按顯影類型分為全水溶

5、性抗蝕劑、半水溶性抗蝕劑和溶劑性抗蝕劑。按物理狀態(tài)分為液體抗蝕劑和干膜抗蝕劑。按感光類型分為正性抗蝕劑和負性抗蝕劑。液體光致抗蝕劑(也稱濕膜)是國外九十年代初發(fā)展的一種新型感光材料。隨著表面貼裝技術(shù)(SMT)和芯片組裝技術(shù)(CMT)的發(fā)展，對印制板導線精細程度的要求越來越高，仍使用傳統(tǒng)的干膜進行圖像轉(zhuǎn)移存在兩個問題。一是干膜感光層上面的那層相對較厚(約為25m)的聚酯膜降低了分辨率，使精細導線的制作受到限制。二是覆銅箔板表面，諸如針孔、凹陷、劃傷及玻璃纖維造成的凹凸不平等微小缺陷，使貼膜時干膜與銅箔無法緊密結(jié)合，形成界面性氣泡，進而蝕刻時蝕刻液會從干膜底部滲入造成圖像的斷線、缺口，電鍍時電鍍?nèi)?/p>

6、液從干膜底部浸入造成滲鍍。影響了產(chǎn)品的合格率。為解決上述問題，開發(fā)了液體光致抗蝕劑。液體光致抗蝕劑主要由高感光性樹脂、感光劑、色料、填料及少量溶劑組成?？捎镁W(wǎng)印方式 涂覆，用稀堿水溶液顯影，可抗酸性及弱堿性蝕刻液蝕刻，可抗酸性鍍銅、氟硼酸鍍錫鉛、酸性 鍍鎳、微氰酸性鍍金等溶液的電鍍。 濕膜的組分及配方濕膜主要組分如下表：主要成分材料舉例簡單配方舉例聚合單體丙烯酸不飽和聚脂光引發(fā)劑安息香二甲醚填充劑鈦白粉 滑石粉 立德粉鈦白份：20g 滑石粉：20g增粘/稠劑烴丙基甲基纖維素松香：（成膜）30g 順丁烯酸酐樹脂：5g阻聚劑烴丙烯酸甲脂流平劑聚丙烯酸脂色料鈦青綠溶劑苯偶酰二甲基縮酮松醇油：10ml

7、 松節(jié)油：20ml濕膜簡易配方及步驟：先將順丁烯酸酐樹脂和松醇油混合，在水浴上加熱，使樹脂溶解以后，用部分松節(jié)油依次加入鈦白粉、 滑石粉、松香、鈦青藍等原料，充分攪拌或碾磨，如果粘度太大，再依次加入剩下的松節(jié)油以調(diào)節(jié)粘度，最后用200目的網(wǎng)紗擠壓過濾。這樣一來，一種簡易的油墨便形成了。油墨在曝光時聚合反應的機理：1、曝光時引發(fā)劑在紫外光線的激化下（吸收光能），成為自由基2、油墨組分中的單體在自由基的加成作用下，產(chǎn)生交聯(lián)反應，形成聚合物。濕膜的各項性能測試方法和要求性能測試方法及條件要求鉛筆硬度7.5N力，平推1/4英寸曝光前：1H 曝光后：2H疊板性能涂布或曝光后，隔上膠片疊板曝光前疊30片標

8、準板(約1.0mm/2.5sqft)曝光后喋50100片板無粘板和掉油現(xiàn)象。分辨率/解像度解像尺顯影后線分辨率4mil,無減縮和放寬現(xiàn)象耐顯影性能百倍放大鏡檢查（露銅點）涂膜無發(fā)脹、脫落、溶融、針孔現(xiàn)象。蝕刻性能/因子F 側(cè)蝕性能百倍放大鏡檢查 W銅箔厚度 d=單邊側(cè)蝕量 FW/d 側(cè)蝕總量：2d=2W/FF4為較佳，線路、園、方的縮減20%以內(nèi)變色性和觸變性目檢曝前后變化不大，并且能分辨出3mil以下線路。褪膜情況氯化銅試驗（3070秒）無殘膠成膜情況目檢無針孔膜流平情況目檢無明顯涂膜不均勻性膜附著情況3M膠帶試驗曝光后無掉油現(xiàn)象其應用工藝流程為：基板前處理涂覆烘烤曝光顯影烘干蝕刻或電鍍?nèi)ツ?/p>

9、（1）基板前處理基板前處理主要是解決表面清潔度和表面粗糙度的問題。液體光致抗蝕劑的粘合主要是通過化學鍵合反應來完成的。通常液體抗蝕劑是一種以丙烯酸鹽為基本成分的聚合物，它可能是通過其可自由移動的未聚合的丙烯酸基團與銅結(jié)合，為保證這種鍵合作用，銅表面必須新鮮、無氧化且呈未鍵合的自由狀態(tài)，再通過適當粗化，增大表 面積，便可得到優(yōu)良的粘附力。而干膜具有較高的粘度和較大程度的交聯(lián)，可移動的供化學鍵 合利用的自由基團很少，主要是通過機械連接來完成其粘附過程。因此液體抗蝕劑側(cè)重要求銅箔表面的清潔度，而干膜抗蝕劑是側(cè)重要求銅箔表面的微觀粗糙度。（2）涂覆根據(jù)不同的用途選用不同目數(shù)的網(wǎng)版進行涂覆，以得到不同厚

10、度的抗蝕層。實踐表明：用于直接蝕刻工藝(如制作多層板內(nèi)層圖像)可選用200目絲網(wǎng)，網(wǎng)印后膜的厚度12土2Mm。用于圖形電鍍工藝在選用150目一120目絲網(wǎng)，網(wǎng)印后膜的厚度為25土2m，以使鍍層厚度不超過膜層厚度，防止由于鍍層突延壓住圖像邊緣處的抗蝕層，去膜時又去不掉，造成圖像邊緣不整齊。涂覆最好是在比印制板有效面積每邊大出57mm的范圍內(nèi)進行，而不是整板涂覆，以有利于曝光時底版定位的牢度，因為底版定位膠帶若貼在膜層上，使用幾次后粘性便大大降低容易在曝光抽真空過程中產(chǎn)生底片偏移，特別是制作多層板內(nèi)層圖像時，這種偏移不易發(fā)現(xiàn)，而是要當表面層做出圖像并蝕刻后方能看出，但此時已無法補救，產(chǎn)品只能報廢。

11、涂覆后的板子必須上架，而且板與板之間要有一定距離，以保證下步烘烤中干燥的均勻、 徹底。涂覆方式除了采用網(wǎng)印外，大規(guī)模生產(chǎn)的還可以來用幕簾涂布、滾涂或噴涂等方式涂覆。濕膜和滾涂技術(shù)：由于濕膜在制造時使用廉價的材料、化學藥劑以及配置，同時濕膜能做到很薄很薄,使成本大大的節(jié)約了，這更加刺激了濕膜的應用。濕膜的涂布厚度較薄(一般0.3mil -0.5mil，而干膜厚一般為1.2 mil至1.5mil )；使用濕膜在曝光時底片與膜層直接貼合,縮短了光程,減少了光能損耗,提高了圖形轉(zhuǎn)移精度；作為抗蝕刻圖形,由于濕膜是液體,具有流平性,可消除劃痕和凹坑引起的斷路。濕膜可采用滾涂或其它涂敷方式,操作簡單，自動

12、化程度提高了，產(chǎn)量也隨之提高。如今主要使用負性光致抗蝕劑，使用設備為雙面滾涂帶烘干一體的設備。雖然，能夠采用高質(zhì)量的噴涂技術(shù)，但由于光致抗蝕劑比噴漆要貴得多，加之噴涂技術(shù)也不成熟，如果算上重復噴涂的損失，那么成本也很高；而且噴涂時，有大量的溶劑被蒸發(fā)，對操作者的身體影響極大，更別說對環(huán)境的污染了。有些廠家為了減小成本，避免昂貴的設備投入，從而采用浸涂，雖然它效率極高，但是它有一個致命的缺陷就是浸涂物上與下頂面與底面的涂層不均勻，易產(chǎn)生流掛現(xiàn)象。采用幕簾涂布(淋涂)，其設備實在是太昂貴了，話又說回來，它每次也只能單面涂布，效率也不是很高。絲網(wǎng)印刷，作為一種較為傳統(tǒng)和原始的涂敷技術(shù)，它存在自動化程

13、度低、人力、物力浪費又大；而且效率又不高等缺陷。至于電泳法，足夠的涂布厚度對它來說，簡直是一種奢望，加之設備復雜，投資高，耗電多，污染大等局限，使它無法用于內(nèi)層制作。此種原因，便把滾涂技術(shù)推上了議程。滾涂原理和參數(shù)：1、攪好的油墨加入貯油槽，并調(diào)節(jié)好粘度2、油墨在離心泵的作用下進入過濾器過濾3、過濾后的油墨被打入上/下計量輥4、PCB板歸位后進入上/下涂布輥完成涂布后進入烘干段5、完成涂布后的油墨流入回油槽進入貯油槽，形成閉合回路。參數(shù)： 1、涂布房環(huán)境控制：溫度：223 濕度：5510%RH燈光：波長大于430nm的黃燈區(qū)凈化級：空氣中直徑大于0.5um的顆粒小于1萬個,維持正壓2、油墨粘度

14、：一般來說,要求5020S(ZWHN.3.CUP,25)3、過濾芯：最好采用25u以下過濾芯4、濕重/油墨厚度/涂布量：30-45g/sqm（雙面），厚度：0.3-0.5 mil(或按要求)涂布量是通過兩涂布輥之間的寬度、計量輥與涂布輥的寬度、涂布輥的刻輪數(shù)或粗糙度、涂布速度、油墨粘度等幾個因素來控制的。一般來說，涂布輥的刻輪數(shù)越多，則涂布量越小。（3）預烤預烤的溫度和時間，不同型號的液體光致抗蝕劑有不同的要求，可參照說明書和具體生產(chǎn) 實踐來確定。 預烤方式有烘道和烘箱兩種。用烘箱時，烘箱一定要帶有鼓風和恒溫控制，以使各部位溫度比較均勻。烘烤時間應在烘箱達到設定溫度時開始計算。 控制好烘烤溫度

15、和時間很重要。烘烤溫度過高或時間過長，將難于顯影和去除膜層，而烘 烤溫度過低或時間過短，在曝光過程中底版會沾在抗蝕劑涂覆層上，揭下來時底版易受到損傷。烘干溫度:應該根據(jù)涂布板的厚度來設定,總之要求烘干后板面油墨不粘手。（4）曝光 液體光致抗蝕劑感光的有效波長為300400nm，因此對干膜和液體光致阻焊劑進行曝光的設備亦可適用于濕膜曝光，曝光量100300mJ平方里米。沖影后要求6-10級蓋膜(Stouffer 21 step曝光尺),具體情況根據(jù)不同油墨而定.因為烘烤后膜層的硬度還不足1H，因此曝光對位時需特別小心，以防劃傷。雖對濕膜適用 的曝光量范圍較寬，但為了增加膜層的抗蝕和抗電鍍能力，以

16、取高限曝光為宜。其感光速度與干膜相比要慢得多，所以要使用高功率曝光機。當曝光過度時，正相導線圖形易形成散光側(cè)蝕，造成線寬減小，反之負相導線圖形形成散光擴大，線寬增加。當曝光不足時，膜層上出現(xiàn)針孔、砂眼等缺陷。 （5）顯影顯影:Na2Co3濃度1 0.2% 溫度:302(根據(jù)不同油墨而定) 露銅點:45-55%。濕膜進入孔內(nèi)，需延長顯影時間。因為顯影液溫度和濃度高會破壞膠膜的表面硬度和耐化學性，因此濃度和溫度不宜過高。從涂覆到顯影間隔時間不宜超過48小時。應用于圖形電鍍工藝，顯影后需檢查孔內(nèi)是否顯得徹底干凈。 （6）干燥為使膜層有優(yōu)良的抗蝕抗電鍍能力，顯影后最好干燥，干燥條件是100，12分鐘。

17、干燥后膜層硬度可達2H。（7）蝕刻蝕刻速度應該根據(jù)銅厚設定.（8）去除抗蝕劑使用48的氫氧化鈉溶液，溫度5060，時間：30-60S。為提高去除速度，提高溫度比提高濃度有效。應用液體光致抗蝕劑不僅提高了制作精細導線印制板的合格率，而且降低了生產(chǎn)成本，無需對原有設備進行更新和改造，操作工藝也易于掌握。但液體光致抗蝕劑固體份只有70左右，其余大部為助劑、溶劑、引發(fā)劑等，這些溶劑的揮發(fā)在一定程度上對環(huán)保帶來麻煩，對操作 者也是一種威脅。操作需在有通風的條件下進行。 （9）問題分析及解決問題類型所在工序原因分析針孔、開路、缺口前處理板面有雜物或處理不干凈油墨問題有油脂或雜質(zhì)過濾問題過濾芯目數(shù)太大涂布問

18、題涂布輥有異物或有雜質(zhì)或有問題，輥之間的距離不當環(huán)境問題凈化不好運輸問題傳輸或齒輪對板面產(chǎn)生影響，或人為擦傷預烘問題預烘段有雜質(zhì)污染，或溫度、通風、時間有問題曝光問題曝光不良，底片有問題顯影問題顯影液（溫度、濃度、時間、噴淋壓力問題），或設備擦傷板面蝕刻問題蝕刻液問題，或設備擦傷板面銅點（殘銅）前處理銅面處理不良油墨問題有雜質(zhì)或變質(zhì)涂布問題涂布輥有異物運輸問題傳送或運輸中受污染預烘問題預烘段有雜質(zhì)污染，或溫度、通風、時間有問題問題類型所在工序原因分析銅點（殘銅）曝光問題曝光不良，底片有問題顯影問題顯影液（溫度、濃度、時間、噴淋壓力問題），或設備擦傷板面蝕刻問題蝕刻液問題，或設備擦傷板面顯影不清

19、及蝕刻后線寬變窄油墨問題變質(zhì)曝光問題曝光過渡、曝光溫度過高、板間由于真空問題導致底片與板面解除不好顯影問題時間短、藥液濃度不高、溫度低、噴淋壓力小或噴嘴堵塞二、干膜采用干膜進行圖像轉(zhuǎn)移的工藝流程為：貼干膜前基板清潔處理干燥貼干膜定位 曝光顯影修版。磨板貼膜曝光顯影（1）貼干膜前基板表面的清潔處理與干燥貼干膜前板面包括覆銅箔板基板和孔金屬化后預鍍銅的基板。為保證干膜與基板表面牢固的粘附，要求基板表面無氧化層、油污、指印及其它污物，無鉆孔毛刺、無粗糙鍍層。為增大干膜與基板表面的接觸面積，還要求基板有微觀粗糙的表面。為達到上述兩項要求，貼膜前要對 基板進行認真的處理。其處理方法可以概括為機械清洗和化

20、學清洗兩類。 1)機械清洗 一般酸洗槽配：H2SO4 1-3（V/V），且酸洗時間不低于10秒。磨痕寬度控制范圍10-15mm，磨痕超過15mm會出現(xiàn)橢圓孔或孔口邊沿無銅，一般控制10-12mm為宜。水膜試驗：水膜破裂時間15s，試驗表明，在相同條件下磨痕寬度與水膜破裂時間成正比。機械清洗即用刷板機清洗。刷板機又分為磨料刷輥式刷板機和浮石粉刷板機兩種。磨料刷輥式刷板機：磨料刷輥式刷板機裝配的刷子通常有兩種類型，壓縮型刷子和硬毛型刷子。壓縮型刷子是將粒度很細的碳化硅或氧化鋁磨料粘結(jié)在尼龍絲上，然后將這種尼龍絲制成纖維板或軟墊，經(jīng)固化后切成圓片，裝在一根輥芯上制成刷輥。硬毛型刷子的刷體是用含有碳化

21、硅磨料的直徑為 0.6mm的尼龍絲編繞而成的。磨料粒度不同，用途也不同，通常粒度為180目和240目的刷子用于鉆孔后去毛刺處理，粒度為320目和500目的刷子用于貼干膜前基板的處理。兩種刷子相比較各有其優(yōu)缺點。壓縮型刷子因含磨料粒度很細，并且刷輥對被刷板面的壓力較大，因此刷過的銅表面均勻一致，主要用于多層板內(nèi)層基板的清洗。其缺點是由于尼龍絲較細容易撕裂，使用壽命短。硬毛型刷子的顯著優(yōu)點是尼龍絲耐磨性好，因而使用壽命長，大約是壓縮型刷子的十倍，但是這種刷子不宜用于處理多層板內(nèi)層基板，因基板薄不僅處理效果不理想，而且還會造成基板卷曲。在使用刷輥式刷板機的過程中，為防止尼龍絲過熱而熔化，應不斷向板面

22、噴淋自來水進行冷卻和潤濕。 浮石粉刷板機:多年來國內(nèi)外廣泛使用的是磨料刷輥式刷板機。研究表明，用這類刷板機清潔處理板面有 些缺欠，如在表面上有定向的擦傷，有耕地式的溝槽，有時孔的邊緣被撕破形成橢圓孔，由于磨刷磨損刷子高度不一致而造成處理后的板面不均勻等。 隨著電子工業(yè)的發(fā)展，現(xiàn)代的電路設計要求越來越細的線寬和間距，仍舊使用磨料刷輥式刷板機處理板面，產(chǎn)品合格率低下，因此發(fā)展了浮石粉刷板機。浮石粉刷板機是將浮石粉懸濁液噴到板面上用尼龍刷進行擦刷，其機器主要有以下幾個工段： a尼龍刷與浮石粉漿液相結(jié)合進行擦刷； b刷洗除去板面的浮石粉； c高壓水洗； d水洗； e干燥。 浮石粉刷板機處理板面有如下優(yōu)

23、點： a磨料浮石粉粒子與尼龍刷相結(jié)合的作用與板面相切擦刷，能除去所有的污物，露出新 鮮的純潔的銅； b能夠形成完全砂粒化的、粗糙的、均勻的、多峰的表面，沒有耕地式的溝槽；由于尼龍刷的作用緩和，表面和孔之間的連接不會受到破壞； d由于相對軟的尼龍刷的靈活性，可以彌補由于刷子磨損而造成的板面不均勻的問題； e由于板面均勻無溝槽，降低了曝光時光的散射，從而改進了成像的分辨率。 其不足是浮石粉對設備的機械部分易損傷。 2)化學清洗化學清洗首先用堿溶液去除銅表面的油污、指印及其它有機污物。然后用酸性溶液去除氧化層和原銅基材上為防止銅被氧化的保護涂層，最后再進行微蝕處理以得到與干膜具有優(yōu)良粘附性能的充分粗

24、化的表面?；瘜W清洗的優(yōu)點是去掉銅箔較少(1-1.5m)，基材本身不受機械應力的影響，對薄板材的處理較其它方法易于操作。但化學處理需監(jiān)測化學溶液成分的變化并進行調(diào)整，對廢舊溶液需進行處理，增加了廢物處理的費用。從事干膜生產(chǎn)的人曾對貼抗蝕干膜最理想的表面進行測試和研究，用上述方法處理板面后，貼上干膜進行印制蝕刻和圖形電鍍的應用對于較大的線寬與間距，無論使用哪種清潔處理方法，合格率均趨向于100，但當線寬為90mm時，用浮石粉刷板機處理，合格率下降為90。3)電解清洗貼干膜前基板表面清潔處理，一般采用上述1)一2)種處理方法，機械清洗及浮石粉刷板對去除基板表面的含鉻鈍化膜(銅箔表面防氧化劑)效果不錯

25、，但易劃傷表面，并可能造成磨料顆粒(如，碳化硅、氧化鋁、浮石粉)嵌入基體內(nèi)，同時還可能使撓性基板、多層板內(nèi)層薄板及薄 型印制板基板的尺寸變形；化學清洗去油污性較好，但去除含鉻鈍化膜的效果差。電解清洗的優(yōu)點不僅能較好地解決機械清洗、浮石粉刷板及化學清洗對基板表面清潔處 理中存在的問題，而且使基板產(chǎn)生一個微觀的比較均勻的粗糙表面，大大提高比表面，增強干膜與基板表面的粘合力，這對生產(chǎn)高密度、細導線的導電圖形是十分有利的。 電解清洗工藝過程如下：進料電解清洗水洗微蝕刻水洗鈍化水洗干燥出料 電解清洗主要作用是去掉基板銅箔表面的氧化物、指紋、其它有機沾污和含鉻鈍化物。 微蝕刻主要作用是使銅箔形成一個微觀的

26、粗糙表面，以增大比表面。 鈍化的作用是保護已粗化的新鮮的銅表面，防止表面氧化。電解清洗主要用于貼干膜或涂覆液體光致抗蝕劑前的撓性基板、多層板內(nèi)層薄板及薄型印制板基板的表面清潔處理，它雖然具有諸多優(yōu)點，但對銅箔表面環(huán)氧膩污點清洗無效，廢水處理成本也較高。據(jù)資料報導，美國Atotech Inc(Chemcut)已于九十年代初推出CS-2000系列的水平式陽極電解清洗設備，同時還出售Scherclean Ecs系列電解清洗劑。該設備的工藝參數(shù) 參 數(shù) 電解清洗微蝕刻 鈍化水平速度(inmin) 4860 4860 4860溫度(T) 90100 90120 7590化學溶液(專用) SChercle

27、anECSCheretchECCu PaSSivatlonGS電流密度(An) 1525 停留時間(s)2025 2026 1519處理后的板面是否清潔應進行檢查，簡單的檢驗方法是水膜破裂試驗法。板面滑活處理后，流水浸濕，垂直放置，整個板面上的連續(xù)水膜應能保持15秒鐘不破裂。清潔處理后，最好立即貼膜，如放置時間超過四個小時，應重新進行清潔處理。美國某公司用放射性酯酸測量清潔處理前后銅箔的表面積，發(fā)現(xiàn)處理后比處理前大三倍，正是由于存在大量的微觀粗糙表面，在貼膜加熱加壓的情況下，使抗蝕劑流入基板表面的微觀結(jié)構(gòu)中，大大提高了干膜的粘附力。貼膜前板面的干燥很重要。殘存的潮氣往往是造成砂眼或膜貼不牢的原

28、因之一，因此必須去除板面及孔內(nèi)的潮氣，以確保貼膜時板子是干燥的。通常先物理排水，如用空氣刀干燥，然后放入110土5的熱烘箱中進行熱蒸發(fā)1015分鐘。為避免交叉污染板面，烘箱應是專用設備。（2）貼膜1、貼膜基本控制參數(shù)： a. 溫度100-120，精細線路控制115-120，一般線路控制105-110，粗線路控制100-105。 b. 速度3m/min。 c. 壓力30-60Psi，一般控制40Psi左右。2、注意事項 a. 貼膜時注意板面溫度應保持38-40，冷板貼膜會影響干膜與板面的粘接性。 b. 貼裝前須檢查板面是否有雜物、板邊是否光滑等，若板邊毛刺過大會劃傷貼膜膠輥，影響使用壽命。 c.

29、 在氣壓不變情況下，溫度較高時可適當加快傳送速度，較低時可適當減慢傳送速度，否則會出現(xiàn)皺膜或貼膜不牢，圖形電鍍時易產(chǎn)生滲鍍。 d. 切削干膜（手動貼膜機）時用力均勻，保持切邊整齊，否則顯影后出現(xiàn)菲林碎等缺陷。 e. 貼膜后須冷卻至室溫后方可進行曝光。貼膜時，先從干膜上剝下聚乙烯保護膜，然后在加熱加壓的條件下將干膜抗蝕劑粘貼在覆銅箔板上。干膜中的抗蝕劑層受熱后變軟，流動性增加，借助于熱壓輥的壓力和抗蝕劑中粘結(jié)劑的作用完成貼膜。貼膜通常在貼膜機上完成，貼膜機型號繁多，但基本結(jié)構(gòu)大致相同：貼膜可連續(xù)貼，也可單張貼。連續(xù)貼膜時要注意在上、下干膜送料輥上裝干膜時要對齊，單張貼時，膜的尺寸要稍小于板面，以

30、防抗蝕劑粘到熱壓輥上。連續(xù)貼膜生產(chǎn)效率高，適合于大批量生產(chǎn)，小批量生產(chǎn)可采用單張貼法，以減少干膜的浪費。貼膜時要掌握好的三個要素為壓力、溫度、傳送速度。壓力：新安裝的貼膜機，首先要將上下兩熱壓輥調(diào)至軸向平行，然后來用逐漸加大壓力的辦法進行壓力調(diào)整，根據(jù)印制板厚度調(diào)至使干膜易貼、貼牢、不出皺折。一般壓力調(diào)整好后就可固定使用，不需經(jīng)常調(diào)整，一般線壓力為0.50.6公斤厘米。溫度：根據(jù)干膜的類型、性能、環(huán)境溫度和濕度的不同而略有不同。膜涂布的較干、環(huán)境溫度低、濕度小時，貼膜溫度要高些，反之可低些。貼膜溫度過高，干膜圖像變脆，耐鍍性能差，貼膜溫度過低，干膜與銅表面粘附不牢，在顯影或電鍍過程中，膜易起翹

31、甚至脫落。通?？刂瀑N膜溫度在100左右。 傳送速度：與貼膜溫度有關(guān)，溫度高，傳送速度可快些，溫度低則將傳送速度調(diào)慢。通常傳送速度為0.9一1.8米分。大批量生產(chǎn)時，在所要求的傳送速度下，熱壓輥難以提供足夠的熱量，因此需給要貼膜的板子進行預熱，即在烘箱中干燥處理后稍加冷卻便可貼膜。為適應生產(chǎn)精細導線的印制板，又發(fā)展了濕法貼膜工藝，此工藝是利用專用貼膜機在貼干 膜前于銅箔表面形成一層水膜，該水膜的作用是：提高干膜的流動性；驅(qū)除劃痕、砂眼、凹坑和 織物凹陷等部位上滯留的氣泡；在加熱加壓貼膜過程中，水對光致抗蝕劑起增粘作用，因而可 大大改善干膜與基板的粘附性，從而提高了制作精細導線的合格率，據(jù)報導，采

32、用此工藝精細 導線合格率可提高19。 完好的貼膜應是表面平整、無皺折、無氣泡、無灰塵顆粒等夾雜。為保持工藝的穩(wěn)定性，貼膜后應經(jīng)過15分鐘的冷卻及恢復期再進行曝光。（3）曝光1、光能量：a、光能量（曝光燈管5000W）上、下燈控制40-100毫焦/平方厘米。B、曝光級數(shù)7-9級蓋膜（Stoffer 21級曝光尺），一般控制8級左右，但此級數(shù)須顯影后才能反映出來， 因此對顯影控制要求較嚴。2、真空度： 大于690mmHg,否則易產(chǎn)生虛光線細現(xiàn)象。3、趕氣： 趕氣須在真空度大于690mmHg以上且趕氣力度要均勻，否則會產(chǎn)生焊盤與孔位偏移，造成崩孔現(xiàn)象。4、曝光 曝光時輕按快門，曝光停止后須立即取出板

33、件，否則燈內(nèi)余光長時間曝光，造成顯影后出現(xiàn)板面余膠。曝光即在紫外光照射下，光引發(fā)劑吸收了光能分解成游離基，游離基再引發(fā)光聚合單體 進行聚合交聯(lián)反應，反應后形成不溶于稀堿溶液的體型大分子結(jié)構(gòu)。曝光一般在自動雙面曝光 機內(nèi)進行，現(xiàn)在曝光機根據(jù)光源的冷卻方式不同，可分風冷和水冷式兩種。影響曝光成像質(zhì)量的因素 影響曝光成像質(zhì)量的因素除干膜光致抗蝕劑的性能外，光源的選擇、曝光時間(曝光量) 的控制、照相底版的質(zhì)量等都是影響曝光成像質(zhì)量的重要因素。1）光源的選擇任何一種干膜都有其自身特有的光譜吸收曲線，而任何一種光源也都有其自身的發(fā)射光譜曲線。如果某種干膜的光譜吸收主峰能與某種光源的光譜發(fā)射主峰相重疊或大

34、部分重疊，則兩者匹配良好，曝光效果最佳。國產(chǎn)干膜的光譜吸收曲線表明，光譜吸收區(qū)為310440nm(毫微米)。從幾種光源的光譜能量分布可看出，鎬燈、高壓汞燈、碘鎵燈在310440nm波長范圍均有較大的相對輻射強度，是干膜曝光較理想的光源。氙燈不適應于干膜的曝光。光源種類選定后，還應考慮選用功率大的光源。因為光強度大，分辨率高，而且曝光時間短，照相底版受熱變形的程度也小。此外燈具設計也很重要，要盡量做到使入射光均勻性好，平行度高，以避免或減少曝光后 2）曝光時間(曝光量)的控制在曝光過程中，干膜的光聚合反應并非“一引而發(fā)”或“一曝即成”，而是大體經(jīng)過三個階段。干膜中由于存在氧或其它有害雜質(zhì)的阻礙，

35、因而需要經(jīng)過一個誘導的過程，在該過程內(nèi)引發(fā)劑分解產(chǎn)生的游離基被氧和雜質(zhì)所消耗，單體的聚合甚微。但當誘導期一過，單體的光聚合反應很快進行，膠膜的粘度迅速增加，接近于突變的程度，這就是光敏單體急驟消耗的階段，這個階段在曝光過程中所占的時間比例是很小的。當光敏單體大部分消耗完時，就進入了單體耗盡區(qū)，此時光聚合反應已經(jīng)完成。正確控制曝光時間是得到優(yōu)良的干膜抗蝕圖像非常重要的因素。當曝光不足時，由于單體聚合的不徹底，在顯影過程中，膠膜溶漲變軟，線條不清晰，色澤暗淡，甚至脫膠，在電鍍前處理或電鍍過程中，膜起翹、滲鍍、甚至脫落。當曝光過頭時，會造成難于顯影，膠膜發(fā)脆、留下殘膠等弊病。更為嚴重的是不正確的曝光

36、將產(chǎn)生圖像線寬的偏差，過量的曝光會使圖形電鍍的線條 變細，使印制蝕刻的線條變粗，反之，曝光不足使圖形電鍍的線條變粗，使印制蝕刻的線條變細。 3）正確確定曝光時間由于應用于膜的各廠家所用的曝光機不同，即光源，燈的功率及燈距不同，因此干膜生產(chǎn) 廠家很難推薦一個固定的曝光時間。國外生產(chǎn)干膜的公司都有自己專用的或推薦使用的某種光密度尺，干膜出廠時都標出推薦的成像級數(shù)、我國干膜生產(chǎn)廠家沒有自己專用的光密度尺，通常推薦使用瑞斯頓幟iston)17級或斯圖費(stouffer)21級光密度尺。瑞斯頓17級光密度尺第一級的光密度為0.5，以后每級以光密度差AD為0.05遞增，到 第17級光密度為1.30。 斯

37、圖費2l級光密度尺第一級的光密度為0.05，以后每級以光密度差D為0.15遞增，到第2l級光密度為3.05。 在用光密度尺進行曝光時，光密度小的(即較透明的)等級，干膜接受的紫外光能量多，聚合的較完全，而光密度大的(即透明程度差的)等級，干膜接受的紫外光能量少，不發(fā)生聚合或 聚合的不完全，在顯影時被顯掉或只留下一部分。這樣選用不同的時間進行曝光便可得到不同 的成像級數(shù)?，F(xiàn)將瑞斯頓17級光密度尺的使用方法簡介如下：a進行曝光時藥膜向下；b在覆銅箔板上貼膜后放15分鐘再曝光；c曝光后放置30分鐘顯影。 任選一曝光時間作為參考曝光時間，用Tn表示，顯影后留下的最大級數(shù)叫參考級數(shù)，將 推薦的使用級數(shù)與

38、參考級數(shù)相比較，并按下面系數(shù)表進行計算。級數(shù)差系數(shù)K級數(shù)差系數(shù)K16273849510當使用級數(shù)與參考級數(shù)相比較需增加時，使用級數(shù)的曝光時間TKTR。當使用級數(shù)與參考級數(shù)相比較需降低時，使用級數(shù)的曝光時間TTR/K。這樣只進行一次試驗便可確定最佳 曝光時間。在無光密度尺的情況下也可憑經(jīng)驗進行觀察，用逐漸增加曝光時間的方法，根據(jù)顯影后干 膜的光亮程度、圖像是否清晰、圖像線寬是否與原底片相符等來確定適當?shù)钠毓鈺r間。嚴格的講，以時間來計量曝光是不科學的，因為光源的強度往往隨著外界電壓的波動及燈的老化而改變。光能量定義的公式EIT，式中E表示總曝光量，單位為毫焦耳平方厘米；I表示光的強度，單位為毫瓦平

39、方厘米；T為曝光時間，單位為秒。從上式可以看出，總曝光量E隨光強I 和曝光時間T而變化。當曝光時間T恒定時，光強I改變，總曝光量也隨之改變，所以盡管嚴格控制了曝光時間，但實際上干膜在每次曝光時所接受的總曝光量并不一定相同，因而聚合 程度也就不同。為使每次曝光能量相同，使用光能量積分儀來計量曝光。其原理是當光強I發(fā)生變化時，能自動調(diào)整曝光時間T，以保持總曝光量E不變。（4）曝光定位 1)目視定位 目視定位通常適用于使用重氮底版，重氮底版呈棕色或桔紅色的半透明狀態(tài)；但不透紫外 光，透過重氮圖像使底版的焊盤與印制板的孔重合對準，用膠帶固定即可進行曝光。2)脫銷定位系統(tǒng)定位 脫銷定位系統(tǒng)包括照相軟片沖

40、孔器和雙圓孔脫銷定位器。 定位方法是：首先將正面、反面兩張底版藥膜相對在顯微鏡下對準；將對準的兩張底版用 軟片沖孔器于底版有效圖像外任沖兩個定位孔，把沖好定位孔的底版任取一張去編鉆孔程序， 便能得到同時鉆出元件孔及定位孔的數(shù)據(jù)帶，一次性鉆出元件孔及定位孔，印制板金屬化孔及 預鍍銅后，便可用雙圓孔脫銷定位器定位曝光。3)固定銷釘定位：此固定銷釘分兩套系統(tǒng)，一套固定照相底版，另一套固定印制板，通過調(diào)整兩銷釘?shù)奈恢茫瑢崿F(xiàn)照相底版與印制板的重合對準。曝光后，聚合反應還要持續(xù)一段時間，為保證工藝的穩(wěn)定性，曝光后不要立即揭去聚酯膜，以使聚合反應持續(xù)進行。待顯影前再揭去聚酯膜。照相底版的質(zhì)量：主要表現(xiàn)在光密

41、度和尺寸穩(wěn)定性兩方面。關(guān)于光密度，要求最大光密度Dmax大于4，最小光密度Dmin小于0.2。最大光密度是指底版左紫外光中，其表面擋光膜的擋光下限，也就是說，底版不透明區(qū)的擋光密度Dmax超過4時，才能達到良好的擋光目的。最小光密度是指底版在紫外光中，其擋光膜以外透明片基所呈現(xiàn)的擋 光上限，也就是說，當?shù)装嫱该鲄^(qū)之光密度Dmin小于0.2時，才能達到良好的透光目的。 照相底版的尺寸穩(wěn)定性(指隨溫度、濕度和儲存時間的變化)將直接影響印制板的尺寸精度和圖像重合度，照相底版尺寸嚴重脹大或縮小都會使照相底版圖像與印制板的鉆孔發(fā)生偏 離。原國產(chǎn)SO 硬性軟片受溫度和濕度的影響，尺寸變化較大，其溫度系數(shù)和

42、濕度系數(shù)大約在 (5060)106及(5060)106，對于一張長度約400mm的S0底版，冬季和夏季的尺寸變化可達0.51mm，在印制板上成像時可能偏半個孔到一個孔的距離。因此照相底版的生產(chǎn)、使用和儲存最好均在恒溫恒濕的環(huán)境中。采用厚聚酯片基的銀鹽片(例如0.18mm)和重氮片，可提高照相底版的尺寸穩(wěn)定性。 除上述三個主要因素外，曝光機的真空系統(tǒng)及真空框架材料的選擇等也會影響曝光成像的質(zhì)量。（5）顯影水溶性干膜的顯影液為l-2的無水碳酸鈉溶液，液溫30-40。顯影機理是感光膜中未曝光部分的活性基團與稀堿溶液反應生成可溶性物質(zhì)而溶解下來，顯影時活性基團羧基一COOH與無水碳酸鈉溶液中的Na+作

43、用，生成親水性集團一 COONa。從而把未曝光的部分溶解下來，而曝光部分的干膜不被溶脹。顯影操作一般在顯影機中進行，控制好顯影液的溫度，傳送速度，噴淋壓力等顯影參數(shù)，能夠得到好的顯影效果。 正確的顯影時間通過顯出點(沒有曝光的干膜從印制板上被顯掉之點)來確定，顯出點必 須保持在顯影段總長度的一個恒定百分比上。如果顯出點離顯影段出口太近，未聚合的抗蝕膜得不到充分的清潔顯影，抗蝕劑的殘余可能留在板面上。如果顯出點離顯影段的入口太近，已聚合的于膜由于與顯影液過長時間的接觸，可能被浸蝕而變得發(fā)毛，失去光澤。通常顯出點控制在顯影段總長度的40一60之內(nèi)。使用顯影機由于溶液不斷地噴淋攪動，會出現(xiàn)大量泡沫，

44、因此必須加入適量的消泡劑。如正丁醇、食品及醫(yī)藥用的消泡劑、印制板專用消泡劑。消泡劑起始的加入量為0.1 左右，隨著顯影液溶進干膜，泡沫又會增加，可繼續(xù)分次補加。顯影后要確保板面上無余膠，以保證基體金屬與電鍍金屬之間有良好的結(jié)合力。顯影后板面是否有余膠，肉眼很難看出，可用1甲基紫酒精水溶液或l一2的硫化鈉 或硫化鉀溶液檢查，染十甲基紫顏色和浸入硫化物后沒有顏色改變說明有余膠。（6）修版修版包括兩方面，一是修補圖像上的缺陷，一是除去與要求圖像無關(guān)的疵點。 上述缺陷產(chǎn)生的大體原因是：干膜本身有顆粒或機械雜質(zhì)；基板表面粗糙或凹凸不平；操作工藝不當如板面污物及貼膜小皺折；照相底版及真空框架不清潔等。為減

45、少修版量，應特別注意上述問題。修版液可用蟲膠、瀝青、耐酸油墨等。蟲膠修版液配方如下：蟲膠100150g1甲基紫12g1用無水乙醇配制。修版時應注意戴手套，以防手汗污染板面。（7）去膜去膜使用35的氫氧化鈉溶液，溫度50一60，去膜方式可槽式浸泡，也可機器噴淋。 槽式浸泡是板子上架后浸泡到去膜溶液中，數(shù)分鐘后膜變軟脫落，取出后立即用水沖洗，膜就 可以去除干凈，銅表面也不會被氧化。機器噴淋去膜生產(chǎn)效率高，但應注意檢查噴嘴是否堵塞，在去膜溶液中必須加入消泡劑。（8）干膜的技術(shù)條件印制電路制造者都希望選用性能良好的干膜，以保證印制板質(zhì)量，穩(wěn)定生產(chǎn)，提高效益。生產(chǎn)干膜的廠家也需要有一個標準來衡量產(chǎn)品質(zhì)量

46、。為此在電子部、化工部的支持下，1983年在大連召開了光致抗蝕干膜技術(shù)協(xié)調(diào)會議，制定了國產(chǎn)水溶性光致抗蝕干膜的總技術(shù)要求。近年來隨著電子工業(yè)的迅速發(fā)展，印制板的精度密度不斷提高，為滿足印制板生產(chǎn)的需要，不斷推出新的干膜產(chǎn)品系列，性能和質(zhì)量有了很大的改進和提高，但至今國產(chǎn)干膜的技術(shù)要求還沒 有修訂。現(xiàn)將83年制定的技術(shù)要求的主要內(nèi)容介紹如下，雖具體數(shù)字指標已與現(xiàn)今干膜產(chǎn)品及應用工藝技術(shù)有差距，但作為評價干膜產(chǎn)品的技術(shù)內(nèi)容仍有參考價值。1、外觀使用干膜時，首先應進行外觀檢查。質(zhì)量好的干膜必須無氣泡、顆粒、雜質(zhì)；抗蝕膜厚度均勻；顏色均勻一致；無膠層流動。如果干膜存在上述要求中的缺陷，就會增加圖像轉(zhuǎn)移

47、后的修版量，嚴重者根本無法使用。膜卷必須卷繞緊密、整齊，層間對準誤差應小于1mm，這是為了防止在貼膜時因卷繞誤差而弄臟熱壓輥，也不會因卷繞不緊而出現(xiàn)連續(xù)貼膜的故障。聚酯薄膜應盡可能薄，聚酯膜太厚會造成曝光時光線嚴重散射，而使圖像失真，降低干膜分辨率。聚酯薄膜必須透明度高，否則會增加曝光時間。聚乙烯保護膜厚度應均勻，如厚度不均勻?qū)⒃斐晒庵驴刮g層膠層流動，嚴重影響干膜的質(zhì)量。 干膜外觀具體技術(shù)指標如表71所述：表71 干膜外觀的技術(shù)指標指標名稱指 標 一級二級透明度透明度良好，無渾濁。透明度良好，允許有不明顯的渾濁。色澤淺色，不允許有明顯的色不均勻現(xiàn)象。淺色，允許有色不均勻現(xiàn)象，但不得相差懸殊。氣

48、泡、針孔不允許有大于不允許有大于0.2mm的氣泡及針孔，0.10.2mm的氣泡及針孔允許20個平方米。凝膠粒子不允許有大于0.1mm的凝膠粒子。不允許有大于0.2mm的凝膠粒子，0.10.2mm的凝膠粒子允許15個平方米機械雜質(zhì)不允許有明顯的機械雜質(zhì)。 允許有少量的機械雜質(zhì)。劃傷 不允許。允許有不明顯的劃傷。流膠不允許。允許有不明顯的流膠。折痕不允許。允許有輕微折痕。2、光致抗蝕層厚度一般在產(chǎn)品包裝單或產(chǎn)品說明書上都標出光致抗蝕層的厚度，可根據(jù)不同的用途選用不同厚度的干膜。如印制蝕刻工藝可選光致抗蝕層厚度為25m的干膜，圖形電鍍工藝則需選光 致抗蝕層厚度為38m的干膜。如用于掩孔，光致抗蝕層厚

49、度應達到50m。干膜厚度及尺寸公差技術(shù)要求如表。干膜的厚度及尺寸公差規(guī)格名稱標稱尺寸公 差一級二級厚度(um)聚酯片基光致抗蝕層聚乙烯保護膜總厚度253025、38、502530 7511032.5510.5330.51016.5寬度(mm)485,3005長度(m)100聚乙烯保護膜的剝離性：要求揭去聚乙烯保護膜時，保護膜不粘連抗蝕層。3、貼膜性當在加熱加壓條件下將干膜貼在覆銅箔板表面上時，貼膜機熱壓輥的溫度105土10，傳送速度0.91.8米分，線壓力0.54公斤/cm，干膜應能貼牢。4、光譜特性在紫外可見光自動記錄分光光度計上制作光譜吸收曲線(揭去聚乙烯保護膜，以聚酯薄膜作參比，光譜波長

50、為橫坐標，吸收率即光密度D作縱坐標)，確定光譜吸收區(qū)域波長及安全光區(qū)域。技術(shù)要求規(guī)定，干膜光譜吸收區(qū)域波長為310440毫微米(nm)，安全光區(qū)域波長為460毫微米(nm)。高壓汞燈及鹵化物燈在近紫外區(qū)附近輻射強度較大，均可作為干膜曝光的光源。低壓鈉燈主要幅射能量在波長為589.05896nm的范圍，且單色性好，所發(fā)出的黃光對 人眼睛較敏感、明亮，便于操作。故可選用低壓鈉燈作為干膜操作的安全光。5、感光性感光性包括感光速度、曝光時間寬容度和深度曝光性等。感光速度是指光致抗蝕劑在紫外光照射下，光聚合單體產(chǎn)生聚合反應形成具有一定抗蝕、能力的聚合物所需光能量的多少。在光源強度及燈距固定的情況下，感光

51、速度表現(xiàn)為曝光時間的長短，曝光時間短即為感光速度快，從提高生產(chǎn)效率和保證印制板精度方面考慮，希望選用感光速度快的干膜。 干膜曝光一段時間后，經(jīng)顯影，光致抗蝕層已全部或大部分聚合，一般來說所形成的圖像可以使用，該時間稱為最小曝光時間。將曝光時間繼續(xù)加長，使光致抗蝕劑聚合得更徹底，且經(jīng)顯影后得到的圖像尺寸仍與底版圖像尺寸相符，該時間稱為最大曝光時間。通常干膜的最佳曝光時間選擇在最小曝光時間與最大曝光時間之間。最大曝光時間與最小曝光時間之比稱為曝光時間寬容度。干膜的深度曝光性很重要。曝光時，光能量因通過抗蝕層和散射效應而減少。若抗蝕層對光的透過率不好，在抗蝕層較厚時，如上層的曝光量合適，下層就可能不

52、發(fā)生反應，顯影后抗蝕層的邊緣不整齊，將影響圖像的精度和分辨率，嚴重時抗蝕層容易發(fā)生起翹和脫落現(xiàn)象。為使下層能聚合，必須加大曝光量，上層就可能曝光過度。因此深度曝光性的好壞是衡量干膜質(zhì)量的一項重要指標。 第一次響應時的光密度和飽和光密度的比值稱為深度曝光系數(shù)。此系數(shù)的測量方法是將干膜貼在透明的有機玻璃板上，采用透射密度計測量光密度，測試比較復雜，且干膜貼在有機玻璃板上與貼在覆銅箔板上的情況也有所不同。為簡便測量及符合實際應用情況，以干膜的最小曝光時間為基準來衡量深度曝光性，其測量方法是將干膜貼在覆銅箔板上后，按最小曝光時間縮小一定倍數(shù)曝光并顯影，再檢查覆銅箔板表面上的干膜有無響應。在使用5Kw高

53、壓汞燈，燈距650mm，曝光表面溫度25土5的條件下，干膜的感光性應 符合如表3要求：表3干膜的感光性一級二級最小曝光時間tmin(秒)抗蝕層厚度25m1020抗蝕層厚度38m1020抗蝕層厚度50m1224曝光時間寬容度tmax/tmin2深度曝光性（秒）6、顯影性及耐顯影性干膜的顯影性是指干膜按最佳工作狀態(tài)貼膜、曝光及顯影后所獲得圖像效果的好壞，即電路圖像應是清晰的，未曝光部分應去除干凈無殘膠。曝光后留在板面上的抗蝕層應光滑，堅實。干膜的耐顯影性是指曝光的干膜耐過顯影的程度，即顯影時間可以超過的程度，耐顯影性反映了顯影工藝的寬容度。干膜的顯影性與耐顯影性直接影響生產(chǎn)印制板的質(zhì)量。顯影不良的干膜會給蝕刻帶來困難，在圖形電鍍工藝中，顯影不良會產(chǎn)生鍍不上或鍍層結(jié)合力差等缺陷。干膜的耐顯影性不良，在過度顯影時，會產(chǎn)生干膜脫落和電鍍滲鍍等毛病。上述缺陷嚴重時會導致印制板報廢。對干膜的顯影性和耐顯影性技術(shù)要求如表4。 表4 干膜的顯影性和耐顯影性溶液溫度4024021無水碳酸鈉溶液顯影時間(秒) 抗蝕層厚度25m6090抗蝕層厚度38m80100抗