ETi-SB40AE-BL亮度提升及測試電流變更說明_第1頁
ETi-SB40AE-BL亮度提升及測試電流變更說明_第2頁
ETi-SB40AE-BL亮度提升及測試電流變更說明_第3頁
ETi-SB40AE-BL亮度提升及測試電流變更說明_第4頁
ETi-SB40AE-BL亮度提升及測試電流變更說明_第5頁
已閱讀5頁，還剩6頁未讀， 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內容提供方，若內容存在侵權，請進行舉報或認領

文檔簡介

1、大連德豪光電科技有限公司 芯片研發(fā)部2016/3/18ETi-SB40AE-BL亮度提升及測試電流變更說明ETi-SB40AE-BL變更為ETi-SB40JA-BL 變更內容：1.ETi-SB40AE-BL為倒裝高壓4015 9V產品。目前此款產品由于測試工序產能問題需要降低測試電流，bin表也會做相應修改。由于只是更改測試電流，芯片性能沒有任何降低（芯片的超驅性能依然良好）。2. 同時變更的有芯片工藝優(yōu)化（亮度提升），亮度預計比之前提升4%左右。3. 芯片設計中增加防頂針設計，預期能夠減少固晶過程中頂針對芯片的損傷。110mA 測試電流 80mA0.2V 電壓分bin0.3V變 更影 響B(tài)i

2、n表會相應變更，亮度主bin有變化（實際芯片性能沒變，具體見后頁的變更前后數據對照表） VF3 電壓分bin間隔加大至0.3VETi-SB40AE-BL 產品代碼ETi-SB40JA-BL客戶下單時需要變更為新的產品代碼 變更原因與內容芯片外觀變化變 更影 響預期能夠減少固晶過程中頂針對芯片的損傷防頂針設計變更bin表前后數據對應關系MINMAX325350350375375400400425425450MINMAX240260260280280300300320320340 測試各項參數對照：測試參數變化Forward Voltage(Vf)80mA比110mA電壓降低0.15VRadiom

3、etric Power亮度對應關系如右表WDWD無變化Reverse CurrentIR 無變化VF1VF1 無變化VZVZ 無變化 由于工藝優(yōu)化，亮度預計較之前提升一個bin（亮度主bin為黃色部分）110mA測試亮度80mA測試亮度規(guī)格書變更 Typical 光電參數： Bin 表：Test Purpose SNK4015 Device Qualification Report ModelSNK4015 Rated Current110mAPackage ETI-MCPCB Test Item ItemDuration Burn-in Current Environmental ParameterVF Shift90mALOP %90mAVF Shift0.001mAIR(uA)10VSpec Limit=70%=0.6V 500hrs: LOP shift20%VF4 shift 0.6V VF1 shift 0.6V and IR500hrs: LOP shift20%VF4 shift 0.6V VF1 shift 0.6V and IR500hrs: LOP shift20%VF4 shift 0.6V VF1 shift 0.6V and IR500hrs

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網頁內容里面會有圖紙預覽，若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經權益所有人同意不得將文件中的內容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內容的表現方式做保護處理，對用戶上傳分享的文檔內容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權或不適當內容，請與我們聯系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論