標(biāo)準(zhǔn)雷電波設(shè)計_第1頁
標(biāo)準(zhǔn)雷電波設(shè)計_第2頁
標(biāo)準(zhǔn)雷電波設(shè)計_第3頁
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文檔簡介

1、成 績 課 程 論 文(2016-2017學(xué)年春)論文題目 標(biāo)準(zhǔn)雷電波設(shè)計 課程名稱 高電壓技術(shù) 任課教師 仲崇山 班 級 試驗132 學(xué) 號 xxxxxxxxxxxx 姓 名 SDG 標(biāo)準(zhǔn)雷電波設(shè)計摘 要:敘述沖擊電壓發(fā)生器的作用、原理以及設(shè)計一臺40kV單極沖擊電壓發(fā)生器,可以產(chǎn)生幅值040kV可調(diào),1.2/50us的標(biāo)準(zhǔn)雷電波。關(guān)鍵詞:沖擊電壓發(fā)生器 標(biāo)準(zhǔn)雷電波1 引言沖擊電壓發(fā)生器是一種產(chǎn)生脈沖波的高電壓發(fā)生裝置,在電力系統(tǒng)中主要用于研究電力設(shè)備遭受大氣過電壓和操作過電壓時的絕緣性能。本文產(chǎn)生幅值040kV可調(diào),1.2/50us的標(biāo)準(zhǔn)雷電波,參考相關(guān)文獻(xiàn)完成了沖擊電壓發(fā)生器設(shè)計,了解該

2、裝置基本原理、設(shè)計流程、注意事項等。2 沖擊電壓發(fā)生器的實(shí)驗原理 獲得沖擊電壓的原理電路如圖1所示。主電容C0在被間隙G隔離的狀態(tài)下由整流電源充電到穩(wěn)態(tài)電壓U0。間隙G被點(diǎn)火擊穿后,電容C0上的電荷一面經(jīng)Rt電阻放電,同時也經(jīng)過Rf對Cf充電,在被試品上形成上升的電壓波前。Cf上電壓被充到最大值后,反過來經(jīng)過Rf與C0一起對Rt放電,在被試品上形成下降的電壓波尾。為了得到較高的效率,主電容C0應(yīng)該比Cf大得多,Rt比Rf大得多,以便于形成快速上升的波前和緩慢下降的波尾。3 沖擊波形的近似計算 放電階段可以分為兩個過程,一個是波前階段,另一個是波尾階段。波前階段的主要過程是C0經(jīng)過(Rg+Rf)

3、對Cf充電。由于RtRf,所以此時經(jīng)過Rt的放電過程對波前的影響很小,可以忽略不計。通常由于C0Cf,波前時間T1半峰值時間T2,所以在波前階段可以近似地認(rèn)為C0上的電壓U0是恒定的。這樣,在波前階段,輸出電壓可以近似地看作是恒壓源U0對Cf的充電過程,于是有輸出電壓:UF=U01-e-t1式中:1為時間常數(shù),1=(Rg+Rf)Cf。 根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)沖擊波形的定義可以寫出:0.3U0=U0(1-et1/1)0.9U0=U0(1-et2/2)聯(lián)系上面兩個式子可以得出:t2-t1=1ln7波前時間T1即為:T1=1.67t2-t1=3.24(Rg+Rf)Cf由于存在對Rt的放電,實(shí)際的波前時間將比計算所

4、得稍微小一點(diǎn)。當(dāng)波前電容Cf上的電壓被充到峰值的時候,波前階段就結(jié)束了。在波尾階段,Cf通過電阻Rf向Rt放電,Cf上的電壓表達(dá)式可以近似表示為:UFU0e-t/t3Ume-t/3 3=(Rt+Rg)(C0+Cf)根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)沖擊電壓波形的定義,可以寫出:0.5Um=Ume-t2/3可以得出半峰值時間:T2=3ln2=(Rt+Rg)(C0+Cf)沖擊電壓發(fā)生器的效率定義為:RtRt+Rg×C0C0+Cf4調(diào)試結(jié)果4.1不計導(dǎo)線分布電容和寄生電感的影響 圖 1 仿真電路圖 假設(shè)Cf=0.005f,C0=0.1f,由于:1.2us=3.24RfCf20us=0.7(Rt+Rg)(C0+Cf)

5、 從這兩個式子中可得出,Rf=74.074Rt+Rg=714.2857由于RtRg假設(shè) Rt=700.2857 Rg=14.0綜上,設(shè)計參數(shù)如下:Rf=74.074,Rt=700.2857,Rg=14.0,C0=0.1f,Cf=0.005f。以開關(guān)代替球隙。開關(guān)1默認(rèn)閉合,打開的時候是5us,開關(guān)2默認(rèn)打開,在5us的時候閉合,可以通過調(diào)節(jié)自耦變壓器來調(diào)節(jié)幅值。仿真結(jié)果如下:圖 2 仿真結(jié)果4.2計及導(dǎo)線分布電容和寄生電感的影響 圖 3 仿真電路圖設(shè)計參數(shù)如下:Rf=74.074,Rt=700.2857,Rg=14.0,C0=0.1f,Cf=0.005f。以開關(guān)代替球隙,同時考慮分布電容和寄生電感。分布電容設(shè)置為0.001f,寄生電感依次設(shè)置為0.0001mH、0.001mH、0.01mH。開關(guān)1默認(rèn)閉合,打開的時候是5us,開關(guān)2默認(rèn)打開,在5us的時候閉合,仿真結(jié)果如下:圖 4 寄生電感為0.0001mH仿真結(jié)果圖 5 寄生電感為0.001mH仿真結(jié)果 圖 6 寄生電感為0.01mH仿真結(jié)果 綜

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