異質(zhì)外延3C-SiC薄膜生長的研究進(jìn)展

1、異質(zhì)外延異質(zhì)外延3C-SiC3C-SiC薄膜生長的研究薄膜生長的研究進(jìn)展進(jìn)展 郭慧君郭慧君 2013.5.292013.5.29 u在單晶Si襯底上直接外延3C-SiC薄膜，所獲得的薄膜不但結(jié)晶質(zhì)量差，單晶區(qū)域面積小，還夾雜著大量的多晶區(qū)域，不能滿足半導(dǎo)體器件對3C-SiC外延薄膜的要求。因而，在3C-SiC外延生長之前，在Si襯底上引入“緩沖層”，以實(shí)現(xiàn)大面積單晶薄膜的生長。目前單晶Si襯底異質(zhì)外延3C-SiC薄膜基本有原位腐蝕（In situ etching）、碳化處理（Carbonization）和外延生長（Epitaxial growth）三個(gè)工藝過程組成。CVD法制備3C-SiC薄膜

2、流程圖 原位腐蝕：反應(yīng)室內(nèi)通入一定量的HCl和H2的混合氣體，升至高溫（1000 1200），去除表面的亞損傷層、氧化層及雜質(zhì)等，獲得有Si懸掛鍵構(gòu)成的清潔表面，以滿足晶體生長需求。 碳化處理：在低溫下（一般小于800）向反應(yīng)室內(nèi)通入一定量的含碳?xì)怏w（C3H8 、C2H2 、C2H4等），以H2為載氣，迅速升至高溫（10001400），使Si襯底表面在短時(shí)間生成極薄的SiC“緩沖層”，以緩解晶格失配。 外延生長：以H2或Ar/H2混合氣體為載氣，通入單源氣體（同時(shí)含有Si原子和C原子的氣體，如c-C3H6SiH2、CH3SiBr3、C7H20Si2、(CH3)2Si、(CH3)6Si2、(C2

3、H5)2SiH2等）或多源氣體（Si源氣體：SiH4、SiH2Cl2等；C源氣體：CH4、C3H8、C2H2等），升至生長溫度（9001400），反應(yīng)氣體高溫分解并有控制地輸運(yùn)到襯底表面沉積成膜。u單晶si襯底與3C-SiC薄膜之間存在近20的晶格失配和8的熱膨脹系數(shù)差異，外延生長的薄膜中往往存在大量的缺陷以及較大的殘余熱應(yīng)力，嚴(yán)重制約著3C-SiC基器件性能的提高；同時(shí)由于受到生長溫度的限制，3C-SiC薄膜的可控?fù)诫s也一直是個(gè)難點(diǎn)。 在碳化過程中，襯底si原子向外擴(kuò)(Out-diffusion），在襯底上形成Si空位，這些空位隨著碳化的進(jìn)行相互連接合并，在界面處形成了孔洞?？锥吹拇嬖?，使得

4、Si/3C-SiC界面變得粗糙，嚴(yán)重降低SiC/Si異質(zhì)結(jié)二極管等器件的性能。研究表明，孔洞的形狀與襯底取向相關(guān)，在Si(100)和Si(111)襯底上形成的孔洞為“倒金字塔”形，其底面分別為四邊形和三角形，側(cè)面取向?yàn)?11面；Si(110)襯底上形成的孔洞為倒置的圓棒狀，側(cè)面取向也為111面。 在Si/3C-SiC界面研究方面，Lj與steckl對孔洞的形成與消除過程作了解釋，認(rèn)為提高Si表面碳化過程中SiC成核率是消除界面孔洞有效的途徑，而SiC成核率與碳?xì)浠衔锓謮?濃度)成正比，他們在優(yōu)化C3H8分壓的基礎(chǔ)上獲得了無孔洞的Si/SiC界面孔洞形成與消除示意圖 搖擺曲線半峰寬（FWHM）

5、的高低是判斷SiC單晶結(jié)晶質(zhì)量的有效手段，“PVT法”生長的4H-SiC和6H-SiC體單晶，其FWHM值一般小于50 aresec。目前，單晶Si襯底異質(zhì)外延3C-SiC薄膜的FWHM值一般是4H-SiC和6H-SiC單晶的數(shù)倍甚至數(shù)十倍。早期的研究發(fā)現(xiàn)，Si（001）和Si（111）襯底上生長的3C-SiC薄膜，隨著薄膜厚度的增加，F(xiàn)WHM值逐漸減小，表明通過增加薄膜厚度是實(shí)現(xiàn)高結(jié)晶3C-SiC薄膜的有效途徑 u傳統(tǒng)的三步工藝過程（原位腐蝕、碳化處理、外延生長）要求在每個(gè)步驟后將樣品冷卻到室溫，在每個(gè)步驟要花1h將樣品冷卻到室溫。傳統(tǒng)三步工藝法采用大氣壓化學(xué)氣相沉積法（APCVD）或低壓化

6、學(xué)氣相沉積法（LPCVD）。 u在2008年，Chen等人發(fā)展了LPCVD法的修正的四步生長方式：清潔（即原位腐蝕），碳化處理，擴(kuò)散過程，外延生長。并去除了傳統(tǒng)三步工藝法中的冷卻步驟，從而其操作時(shí)間更短。 u用修正的四步工藝法的LPCVD能得到無孔洞的3C-SiC/Si(100)界面和高質(zhì)量的緩沖層，有效地提高了3C-SiC的結(jié)晶質(zhì)量 。修正的四步工藝法在Si襯底上生長3C-SiC薄膜的過程示意圖uSi和3C-SiC之間存在近8%的熱膨脹系數(shù)差異，從生長溫度（9001400）降到室溫的過程中會(huì)在薄膜中產(chǎn)生拉伸熱應(yīng)力，生長溫度越高，熱應(yīng)力越大，降低生長溫度是減少熱應(yīng)力的有效辦法之一。單源氣體中同

7、時(shí)包含Si和C原子，并預(yù)先含有Si-C鍵，能夠在相對較低的溫度分解形成SiC。采用單源氣體能夠?qū)崿F(xiàn)低溫生長3C-SiC薄膜。 uR. Anzalone等人也研究了生長速率對殘余應(yīng)力的影響，當(dāng)生長速率從2.45 mh-1升高到4 mh-1時(shí)，殘余壓應(yīng)力也從-0.78 Gpa變?yōu)?1.11 Gpa 。 單晶Si(100)襯底上生長3C-SiC薄膜，由于襯底表面存在基數(shù)倍單原子層高度的臺階，使得生長的3C-SiC薄膜中形成了由相同原子結(jié)合而成的Si-Si或C-C鍵，這些Si原子或C原子所屬的區(qū)域?yàn)榉聪喈?，Si-Si鍵或C-C鍵構(gòu)成的邊界稱為反相疇界(Antiphase boundaries)。反相疇

8、界也會(huì)隨著薄膜厚度的增加出現(xiàn)自我湮滅的趨勢4。目前有兩種理論模型解釋此現(xiàn)象，一種為111面模型，該模型認(rèn)為反相疇界沿(111)方向擴(kuò)展，在兩個(gè)反相疇界的交界處自我湮。另一種為011面模型，該模型認(rèn)為反相疇界沿(011)方向擴(kuò)展，并在交界處自我湮滅，因此，生長厚膜也是消除反相疇界有效的方法之一。反相疇界形成示意圖反相疇界湮滅模型（a)111面模型；(b)011面模型層錯(cuò)和孿晶也是單晶Si襯底異質(zhì)外延3C-SiC薄膜中的重要缺陷。目前關(guān)于對層錯(cuò)與孿晶缺陷的減少與控制的研究進(jìn)展較少，主要有Nagasawa等在“波浪形”Si（100）襯底上制備3C-SiC薄膜，大大減少了孿晶和層錯(cuò)的密度。不過，隨著商

9、品化的6H-SiC，4H-SiC襯底品質(zhì)的提高和價(jià)格下降，在 SiC襯底上外延生長不同晶型的SiC外延層，也將有助于減少孿晶和層錯(cuò)密度，從而得到質(zhì)量更高的3C-SiC薄膜晶體。孿晶界自我湮滅示意圖“波浪形”襯底層錯(cuò)示意圖競位外延(site-Competition-Epitay)技術(shù)是CVD法制備摻雜SiC薄膜的關(guān)鍵技術(shù)，其基本原理是n(N、P等摻雜)型雜質(zhì)與C原子競爭SiC晶體中的碳格位，p(Al、B等摻雜)型雜質(zhì)與Si原子競爭硅格位。通過引入雜質(zhì)氣體，調(diào)整反應(yīng)氣體的C/Si比，能夠?qū)崿F(xiàn)SiC薄膜在外延生長過程中的原位摻雜與摻雜濃度的控制。由于3C-SiC薄膜生長溫度通常低于1400，3C-SiC薄膜的可控?fù)诫s的研究還不夠深入。分析觀察到至少在（100）和（111）Si取向的襯底上的外延薄膜生長有第一序?qū)\晶，而在Si（110）襯底，薄膜生長不是沿著襯底方向，而是在第一序和第二序?qū)\晶生長到200 nm后，孿晶生長方向從向變?yōu)橄颉FM對3C-SiC薄膜的粗糙分析和曲率半徑測量表明結(jié)構(gòu)和平均殘余應(yīng)力與Si襯底取向密切相關(guān)。因而，我們可以通過襯底Si的晶面選擇而得到質(zhì)量更高的3C-SiC晶體。 通過對單晶