多晶硅的檢測和生長(大全)

1、多晶硅塊檢測簡介多晶硅塊檢測簡介 周建武周建武 2010.12.1目錄目錄一一. .硅的性質(zhì)硅的性質(zhì)二二. .多晶硅塊的檢測項目多晶硅塊的檢測項目三三. .影響少子壽命的主要因素影響少子壽命的主要因素一、硅的性質(zhì)一、硅的性質(zhì) 1 1、硅的物理性質(zhì)、硅的物理性質(zhì) 2 2、硅的化學(xué)性質(zhì)、硅的化學(xué)性質(zhì) 3 3、硅原料處理流程、硅原料處理流程1 1、硅的物理性質(zhì)、硅的物理性質(zhì)a a. .固體密度：固體密度：2330 kg/m32330 kg/m3b b. .溶體密度：溶體密度：2500 kg/m3 2500 kg/m3 c.c.硬度值：硬度值：6.56.5d.d.晶體結(jié)構(gòu)：面心立方晶體結(jié)構(gòu)：面心立方e

2、.e.熔點熔點: 1414 : 1414 硅的晶體結(jié)構(gòu)硅的晶體結(jié)構(gòu)2 2、硅的化學(xué)性質(zhì)、硅的化學(xué)性質(zhì) 硅在地殼中的含量居第二位約為硅在地殼中的含量居第二位約為2626，僅次，僅次于氧，所以說是遍地皆硅，原子量為于氧，所以說是遍地皆硅，原子量為28.0855 28.0855 價電子排布價電子排布3s2 3p2, 3s2 3p2, 氧化價氧化價4 4。硅是硬脆。硅是硬脆性的，比玻璃要硬。在自然界中硅是以化合性的，比玻璃要硬。在自然界中硅是以化合物形式存在，例如石英石，白崗巖中都含有物形式存在，例如石英石，白崗巖中都含有硅。常溫下，只與堿、氟化氫、氟氣反應(yīng)，硅。常溫下，只與堿、氟化氫、氟氣反應(yīng)，不與

3、硫酸、鹽酸、硝酸等反應(yīng)。不與硫酸、鹽酸、硝酸等反應(yīng)。反應(yīng)方程式反應(yīng)方程式 Si+2NaOH+H2O=Na2SiO3+2H2 Si+2F2=SiF4 3Si+4HNO3+18HF=3H2SiF6+4NO+8H2O3 3、硅原料處理流程、硅原料處理流程硅料打磨硅料打磨分選分選酸洗酸洗堿洗堿洗超聲波清洗超聲波清洗烘干烘干冷卻冷卻包裝硅料包裝硅料二二. .多晶硅塊的檢測項目多晶硅塊的檢測項目 1. 1.導(dǎo)電類型導(dǎo)電類型 2.2.電阻率電阻率 3.3.少子壽命少子壽命 4. 4.紅外探傷紅外探傷 1 1、導(dǎo)電類型測試、導(dǎo)電類型測試導(dǎo)電類型是一個重要的基本電學(xué)參數(shù)導(dǎo)電類型是一個重要的基本電學(xué)參數(shù), ,根據(jù)

4、多根據(jù)多晶鑄錠時所摻雜的元素晶鑄錠時所摻雜的元素, ,可以將多晶劃分為可以將多晶劃分為P P型和型和N N型兩大類型兩大類.P.P型多晶中多數(shù)載流子是空穴型多晶中多數(shù)載流子是空穴, ,它主要是依靠空穴來導(dǎo)電它主要是依靠空穴來導(dǎo)電; ;因此因此P P型半導(dǎo)體又型半導(dǎo)體又可稱為空穴半導(dǎo)體可稱為空穴半導(dǎo)體;N;N型半導(dǎo)體則相反。型半導(dǎo)體則相反。P P型：摻入硼，鎵元素或合金。型：摻入硼，鎵元素或合金。N N型：摻入磷，砷元素或合金。型：摻入磷，砷元素或合金。 在樣品上壓上三個探針在樣品上壓上三個探針, ,針距在針距在0.151.5mm0.151.5mm的范圍內(nèi)在探針的范圍內(nèi)在探針1 1和探針和探針2

5、 2之之間通過限流電阻接上間通過限流電阻接上624V(624V(一般為一般為12V)12V)的交流電源的交流電源, ,在探針在探針2 2和探針和探針3 3之間接檢流之間接檢流計計. .根據(jù)檢流計指示偏轉(zhuǎn)的方向就可以判根據(jù)檢流計指示偏轉(zhuǎn)的方向就可以判定半導(dǎo)體的樣品是定半導(dǎo)體的樣品是P P型還是型還是N N型型. .三探針測導(dǎo)電類型的原理三探針測導(dǎo)電類型的原理: : PN結(jié)結(jié):P型半導(dǎo)體與型半導(dǎo)體與N N型半導(dǎo)體相互接觸時，型半導(dǎo)體相互接觸時，其交界區(qū)域稱為其交界區(qū)域稱為PNPN結(jié)。結(jié)。 P P區(qū)中的自由空穴和區(qū)中的自由空穴和N N區(qū)中的自由電子要向區(qū)中的自由電子要向?qū)Ψ絽^(qū)域擴(kuò)散，造成正負(fù)電荷在對

6、方區(qū)域擴(kuò)散，造成正負(fù)電荷在PNPN結(jié)兩側(cè)結(jié)兩側(cè)的積累，形成電偶極層。電偶極層中的電的積累，形成電偶極層。電偶極層中的電場方向正好阻止擴(kuò)散的進(jìn)行。當(dāng)由于載流場方向正好阻止擴(kuò)散的進(jìn)行。當(dāng)由于載流子數(shù)密度不等引起的擴(kuò)散作用與電偶層中子數(shù)密度不等引起的擴(kuò)散作用與電偶層中電場的作用達(dá)到平衡時，電場的作用達(dá)到平衡時，P P區(qū)和區(qū)和N N區(qū)之間形區(qū)之間形成一定的電勢差，稱為接觸電勢差。成一定的電勢差，稱為接觸電勢差。 由于由于P P區(qū)中的空穴向區(qū)中的空穴向N N區(qū)擴(kuò)散后與區(qū)擴(kuò)散后與N N區(qū)中的區(qū)中的電子復(fù)合，而電子復(fù)合，而N N區(qū)中的電子向區(qū)中的電子向P P區(qū)擴(kuò)散后區(qū)擴(kuò)散后與與P P區(qū)中的空穴復(fù)合，這使電偶

7、極層中自區(qū)中的空穴復(fù)合，這使電偶極層中自由載流子數(shù)減少而形成高阻層，故電偶由載流子數(shù)減少而形成高阻層，故電偶極層也叫阻擋層，阻擋層的電阻值往往極層也叫阻擋層，阻擋層的電阻值往往是組成是組成PNPN結(jié)的半導(dǎo)體的原有阻值的幾十結(jié)的半導(dǎo)體的原有阻值的幾十倍乃至幾百倍。倍乃至幾百倍。 2、電阻率測試、電阻率測試摻硼電阻率為摻硼電阻率為1 133cmcm摻鎵的電阻率摻鎵的電阻率0.50.566cmcm。( (單晶單晶) )摻入硼多，電阻率就低。反之則高?？筛鶕?jù)摻入硼多，電阻率就低。反之則高?？筛鶕?jù)摻雜計算摻雜計算, , 知道加入的硼量知道加入的硼量電阻率測試原理(渦流法): 樣品放置在對中的傳感元件或換

8、能器之中，樣品放置在對中的傳感元件或換能器之中，換能器為施加高頻磁場的高磁導(dǎo)率的磁體。換能器為施加高頻磁場的高磁導(dǎo)率的磁體。硅在高頻磁場中產(chǎn)生感生電流，此電流的硅在高頻磁場中產(chǎn)生感生電流，此電流的流通方向呈閉合漩渦狀，稱渦電流或渦流。流通方向呈閉合漩渦狀，稱渦電流或渦流。樣品中的渦流消耗能量，為保持高頻振蕩樣品中的渦流消耗能量，為保持高頻振蕩器的電壓不變，高頻電流將增加。樣品電器的電壓不變，高頻電流將增加。樣品電阻越低，高頻電流的增量越大，呈反比。阻越低，高頻電流的增量越大，呈反比。測量電流值，可以獲得樣品的方塊電阻或測量電流值，可以獲得樣品的方塊電阻或電阻率。電阻率。電阻率測試原理示意圖電阻

9、率測試原理示意圖控制器控制器渦流傳感器渦流傳感器高頻線圈高頻線圈3、少子壽命、少子壽命 對于對于P P型半導(dǎo)體硅材料而言型半導(dǎo)體硅材料而言, ,產(chǎn)生非平衡載流產(chǎn)生非平衡載流子的外界作用撤除以后子的外界作用撤除以后, ,它們要逐漸衰減致消它們要逐漸衰減致消失失, ,最后載流子濃度恢復(fù)到平衡時的值最后載流子濃度恢復(fù)到平衡時的值, ,非平非平衡少數(shù)載流子的平均生存時間稱為非平衡少衡少數(shù)載流子的平均生存時間稱為非平衡少數(shù)載流子的壽命數(shù)載流子的壽命, ,簡稱少子壽命簡稱少子壽命. . 單位單位 ( (微秒微秒) )。我們公司硅片的少子壽命值。我們公司硅片的少子壽命值為為1.21.2微秒以上，硅塊取值是在

10、微秒以上，硅塊取值是在2 2微秒以上。微秒以上。S少子壽命的測試原理少子壽命的測試原理 微波光電導(dǎo)衰退法微波光電導(dǎo)衰退法(Microwave (Microwave photoconductivity decay)photoconductivity decay)測試少子壽命，測試少子壽命，主要包括激光注入產(chǎn)生電子主要包括激光注入產(chǎn)生電子- -空穴對和微波空穴對和微波探測信號這兩個過程。探測信號這兩個過程。904nm 904nm 的激光注入的激光注入（對于硅，注入深度大約為（對于硅，注入深度大約為30m30m）產(chǎn)生電）產(chǎn)生電子子- -空穴對，導(dǎo)致樣品電導(dǎo)率的增加，當(dāng)撤空穴對，導(dǎo)致樣品電導(dǎo)率的增加，

11、當(dāng)撤去外界光注入時，電導(dǎo)率隨時間指數(shù)衰減，去外界光注入時，電導(dǎo)率隨時間指數(shù)衰減，這一趨勢間接反映少數(shù)載流子的衰減趨勢，這一趨勢間接反映少數(shù)載流子的衰減趨勢，從而通過微波探測電導(dǎo)率隨時間變化的趨勢從而通過微波探測電導(dǎo)率隨時間變化的趨勢就可以得到少數(shù)載流子的壽命。就可以得到少數(shù)載流子的壽命。少子壽命測試圖像少子壽命測試圖像4 4、紅外探傷儀、紅外探傷儀 紅外探傷儀的測試原理紅外探傷儀的測試原理: : 衍射（衍射（DiffractionDiffraction）又稱為繞射，波遇到障礙物）又稱為繞射，波遇到障礙物或小孔后通過散射繼續(xù)傳播的現(xiàn)象。衍射現(xiàn)象是或小孔后通過散射繼續(xù)傳播的現(xiàn)象。衍射現(xiàn)象是波的特有

12、現(xiàn)象，一切波都會發(fā)生衍射現(xiàn)象。波的特有現(xiàn)象，一切波都會發(fā)生衍射現(xiàn)象。 紅外線由紅處光源發(fā)出，透射過硅塊后，由紅外紅外線由紅處光源發(fā)出，透射過硅塊后，由紅外相機(jī)探測透射過來的紅外光線強(qiáng)度。缺陷核心對相機(jī)探測透射過來的紅外光線強(qiáng)度。缺陷核心對紅外射線有吸收、反射、散射作用，導(dǎo)致紅外射紅外射線有吸收、反射、散射作用，導(dǎo)致紅外射線的損失通過圖像上的明暗差異，可以借此確定線的損失通過圖像上的明暗差異，可以借此確定雜質(zhì)的位置。雜質(zhì)的位置。 紅外探傷儀測試的原理平面圖紅外相機(jī)紅外相機(jī)晶晶棒棒紅外紅外光源光源工控機(jī)工控機(jī)光源驅(qū)動光源驅(qū)動三、影響少子壽命的主要因素三、影響少子壽命的主要因素 1、位錯、位錯 2、

13、碳含量過多、碳含量過多 3、氧含量過多、氧含量過多 4、微晶、微晶 5、雜質(zhì)過多、雜質(zhì)過多1、位錯、位錯 在多晶鑄錠過程中在多晶鑄錠過程中, ,由于熱應(yīng)力的作用會導(dǎo)由于熱應(yīng)力的作用會導(dǎo)致位錯的產(chǎn)生致位錯的產(chǎn)生. .另外另外, ,各種沉淀的生成及由各種沉淀的生成及由于晶格尺寸的不匹配也會導(dǎo)致位錯的產(chǎn)生于晶格尺寸的不匹配也會導(dǎo)致位錯的產(chǎn)生. .這些位錯本身就具有懸掛鍵這些位錯本身就具有懸掛鍵, ,存在電學(xué)活性存在電學(xué)活性, ,降低少數(shù)載流子的壽命降低少數(shù)載流子的壽命. .而且金屬在此極易而且金屬在此極易偏聚偏聚, ,對少子壽命的降低就更加嚴(yán)重。對少子壽命的降低就更加嚴(yán)重。2、碳含量、碳含量 太陽電

14、池的碳含量要求是小于太陽電池的碳含量要求是小于1ppm1ppm（5 x 105 x 101616 即即1ug/mL1ug/mL）碳會影響太陽電池的質(zhì)量，碳的分凝系）碳會影響太陽電池的質(zhì)量，碳的分凝系數(shù)為數(shù)為0.070.07，所以硅熔體中絕大部分的碳集中在堝，所以硅熔體中絕大部分的碳集中在堝底。堝底料過多是不好的。多晶硅中的碳作為鑄底。堝底料過多是不好的。多晶硅中的碳作為鑄造多晶硅中的另外一種雜質(zhì)，其熱化學(xué)反應(yīng)：造多晶硅中的另外一種雜質(zhì)，其熱化學(xué)反應(yīng)： SiO2 +2 C =SiO2 +2 C = 2CO + Si 2CO + Si 主要來源于石墨熱場的沾污，處于替代位置上的主要來源于石墨熱場的

15、沾污，處于替代位置上的碳對材料的電學(xué)性能并無影響，但是當(dāng)碳的濃度碳對材料的電學(xué)性能并無影響，但是當(dāng)碳的濃度超過其溶解度很多時，就會有沉淀生成，誘生缺超過其溶解度很多時，就會有沉淀生成，誘生缺陷，導(dǎo)致材料的電學(xué)性能差，在快速熱處理時，陷，導(dǎo)致材料的電學(xué)性能差，在快速熱處理時，就會有沉淀生成，誘生缺陷，導(dǎo)致材料的電學(xué)性就會有沉淀生成，誘生缺陷，導(dǎo)致材料的電學(xué)性能變差。能變差。3、氧含量、氧含量 氧含量應(yīng)氧含量應(yīng)1 x 101 x 101818。氧是多晶硅中的一種非常重氧是多晶硅中的一種非常重要的雜質(zhì)，它主要來源于石英坩堝的沾污。在硅的要的雜質(zhì)，它主要來源于石英坩堝的沾污。在硅的熔點溫度下，硅和二氧

16、化硅發(fā)生如下熱化學(xué)反應(yīng)熔點溫度下，硅和二氧化硅發(fā)生如下熱化學(xué)反應(yīng) SiO2+Si = 2SiO SiO2+Si = 2SiO SiO SiO 被硅熔體中的熱對流帶至坩堝中心的被硅熔體中的熱對流帶至坩堝中心的過程中，過程中，99%99%的的SiOSiO蒸發(fā)了，僅蒸發(fā)了，僅1 1的的SiOSiO進(jìn)入晶體中，進(jìn)入晶體中，形成了硅中的氧含量。這樣在鑄錠多晶硅過程中，形成了硅中的氧含量。這樣在鑄錠多晶硅過程中，從底部到頭部，從邊緣到中心，氧濃度逐漸降低，從底部到頭部，從邊緣到中心，氧濃度逐漸降低，雖然低于溶解度的間隙氧化并不顯電學(xué)活性，但是雖然低于溶解度的間隙氧化并不顯電學(xué)活性，但是當(dāng)間隙氧的濃度高于其

17、溶解度時，就會有氧施主、當(dāng)間隙氧的濃度高于其溶解度時，就會有氧施主、熱施主和氧沉淀生成，進(jìn)一步產(chǎn)生位錯、層錯。從熱施主和氧沉淀生成，進(jìn)一步產(chǎn)生位錯、層錯。從而成為少數(shù)載流子的復(fù)合中心。溫度越高產(chǎn)生的而成為少數(shù)載流子的復(fù)合中心。溫度越高產(chǎn)生的SiOSiO越多，坩堝的熔蝕量就越大。越多，坩堝的熔蝕量就越大。4 4、微晶、微晶 微晶的產(chǎn)生：微晶的產(chǎn)生： 1、由于雜質(zhì)過多引起的、由于雜質(zhì)過多引起的組份過冷。組份過冷。 2、長晶速度過快、長晶速度過快5 5、雜質(zhì)、雜質(zhì) 雜質(zhì)分為貴金屬、重金屬。貴金雜質(zhì)分為貴金屬、重金屬。貴金屬包括金、銀。重金屬如銅、鐵屬包括金、銀。重金屬如銅、鐵等。等。 由于鐵的分凝系

18、數(shù)較小，在結(jié)晶由于鐵的分凝系數(shù)較小，在結(jié)晶的過程中，鐵原子不斷向硅錠頂?shù)倪^程中，鐵原子不斷向硅錠頂部聚集，從而也導(dǎo)致頂部鐵濃度部聚集，從而也導(dǎo)致頂部鐵濃度較高。也由于鐵具有較大的固相較高。也由于鐵具有較大的固相擴(kuò)散和擴(kuò)散速度，所以坩堝以及擴(kuò)散和擴(kuò)散速度，所以坩堝以及氮化硅保護(hù)層中和原材料中所包氮化硅保護(hù)層中和原材料中所包含的金屬雜質(zhì)則成為硅錠底部處含的金屬雜質(zhì)則成為硅錠底部處鐵的主要來源。鐵的主要來源。頂部雜質(zhì)頂部雜質(zhì)附：開方后硅塊檢測項目及標(biāo)準(zhǔn)附：開方后硅塊檢測項目及標(biāo)準(zhǔn)類別類別檢測項目檢測項目檢測標(biāo)準(zhǔn)檢測標(biāo)準(zhǔn)檢測工具檢測工具尺寸尺寸邊長邊長156.3156.30.3mm0.3mm游標(biāo)卡尺游

19、標(biāo)卡尺垂直度垂直度90900.30.3萬能角度尺萬能角度尺外觀外觀崩邊、崩塊、崩邊、崩塊、裂紋（隱裂）、裂紋（隱裂）、線痕線痕硅塊頭部和尾部硅塊頭部和尾部低少子壽命以內(nèi)低少子壽命以內(nèi)的直接劃線去除的直接劃線去除目測目測電學(xué)性質(zhì)電學(xué)性質(zhì)電阻率范圍電阻率范圍1313cmcm電阻率測試儀電阻率測試儀型號型號P P型型P/NP/N型測試儀型測試儀少子壽命少子壽命2US2US少子壽命測試儀少子壽命測試儀謝謝！太陽電池用硅片太陽電池用硅片外觀檢測裝置外觀檢測裝置2010年11月株式會社 安永CE事業(yè)部 営業(yè)部門特征 太陽能電池用硅片外觀檢測綜合提案 硅片表面缺陷檢查（硅片上面/下面） 硅片尺寸形狀測定 不

20、可視內(nèi)部裂痕檢查（0 / 902階段檢查） 硅片4邊edge詳細(xì)缺陷檢查 硅片edge側(cè)面厚度測定 檢測（厚度,TTV,線痕 ,段差,棱線,翹曲） 高速檢查 1.0sec/wafer 對應(yīng)單晶以及多晶硅片 對應(yīng)金剛線加工硅片檢查系統(tǒng)構(gòu)成圖Edge檢查檢查 左左Edge檢查檢查- 右右不可視裂痕檢查不可視裂痕檢查（NVCD） 0上上表面檢查表面檢查Edge檢查檢查 后后Edge檢查檢查 前前不可視裂痕檢查不可視裂痕檢查（NVCD） 90下表面檢查下表面檢查硅片90轉(zhuǎn)向3D 激光檢查激光檢查To 傳送分選部動作錄像基本配置硅片類型硅片類型單晶單晶多晶多晶硅片硅片（ （對應(yīng)金剛線加工硅片對應(yīng)金剛線加

21、工硅片） ）硅片尺寸硅片尺寸125mm156mm硅片角部形狀硅片角部形狀無去角無去角R面面C面（面（Max22.8mm） ）硅片厚度硅片厚度*140um處理能力處理能力3,600片片/hour (1.0sec/片片)上料部上料部標(biāo)準(zhǔn)式樣標(biāo)準(zhǔn)式樣： ：對應(yīng)硅片清洗籮筐對應(yīng)硅片清洗籮筐 （ （上料部數(shù)上料部數(shù)： ：2處處） ） *可對應(yīng)摞片式可對應(yīng)摞片式、 、以及客戶專用式樣以及客戶專用式樣。 。下料下料/分選部分選部標(biāo)準(zhǔn)式樣標(biāo)準(zhǔn)式樣： ：摞片分裝摞片分裝（t200um硅片時，硅片時，130片片/段）段）良品良品可分裝段數(shù)可分裝段數(shù)： ：8（4段段2處處） ）不良品不良品分裝分裝數(shù)數(shù)： ：7（1段

22、段7處處） ）*良品良品最多可分最多可分16段段,不良品不良品最多可分最多可分10段段裝置大小裝置大小4,290(W)1,060（ （D） ）1,800（ （H） ）mm裝置重量裝置重量約約1,500kg電源電源AC3相相 200V 50/60Hz 20A（ （4KVA） ） 空氣空氣0.39MPa 50L/min以上以上 檢查項目一覽檢查項目檢查項目檢查精度檢查精度可測大小可測大小檢查位置檢查位置檢測裝置式樣檢測裝置式樣 外形大小外形大小（全（全長長全全寬寬） ）100um以內(nèi)（以內(nèi)（3） ）上下表面檢查部上下表面檢查部2000pix線掃描攝像頭線掃描攝像頭視野視野:約約170mm檢查分辨率

23、檢查分辨率： ：約約85um/pix 直徑大小直徑大小200um以內(nèi)（以內(nèi)（3） ） 去邊長度去邊長度300um以內(nèi)（以內(nèi)（3） ） 角度角度0.1以內(nèi)（以內(nèi)（3） ） 表面裂痕表面裂痕缺口缺口200um以上以上 表面污垢表面污垢1mm以上以上 針孔針孔(氣孔氣孔)100um以上以上不可視裂痕不可視裂痕NVCD檢查部檢查部（ （0,90） ）4000pix線掃描攝像頭線掃描攝像頭視野視野:約約184mm檢查分辨率檢查分辨率 :約約46um/pix 內(nèi)部裂痕內(nèi)部裂痕100um1mm以上以上 異物異物100um以上以上 崩邊崩邊30um1mm以上以上Edge檢查檢查部部2000pix線掃描攝像頭線

24、掃描攝像頭視野視野:30mm檢查分辨率檢查分辨率(畫素畫素) :約約15um/pix edge側(cè)面缺口側(cè)面缺口100um以上以上 edge側(cè)面厚度側(cè)面厚度10um以內(nèi)（以內(nèi)（3） ） 硅片厚度硅片厚度（ （Max,Min,Ave） ）2um以內(nèi)（以內(nèi)（3） ）3D激光檢查部激光檢查部激光變位器激光變位器6set（上（上3/下下3） ）測定位置測定位置:0.25mm光徑光徑:約約50um分解能分解能:0.2um走查線位走查線位:上下上下3線線 TTV（ （9點點5點）點）3um以內(nèi)（以內(nèi)（3） ） 線痕線痕/段差段差棱線棱線5um以內(nèi)（以內(nèi)（3） ） 翹曲翹曲 上面檢查部下面檢查部上面/下面表面

25、檢查部 表面缺陷檢查 污濁,傷痕,指紋等 n硅片尺寸測定全長/全寬,直徑,去角,角度上面/下面表面檢查部檢測例）污濁不良（單晶）檢測在約W0.4mm范圍內(nèi)存在的微小污濁上面/下面表面檢查部檢測例）污濁不良（多晶）檢測出約.20.6mm的污濁，五其他部位的過度檢測上面/下面表面檢查部不可視裂痕 NVCD檢查部（0,90）與其他公司比較，可以將更小的裂痕用更清晰的方式檢測出來 Crack-Amplifier Technology* *Patent Pending他社方式安永安永TD200不可視裂痕 NVCD檢查部（0,90）檢測例）細(xì)微的內(nèi)部裂痕TD200可以在硅片 0以及 90放置時檢測可對由于

26、方向不同而造成的檢測困難的裂痕做出精確的檢測硅片硅片0檢查時的畫像檢查時的畫像硅片硅片90檢查時的畫像檢查時的畫像不可視裂痕 NVCD檢查部（0,90）Edge檢查部edge檢查部概圖Edge檢查部硅片側(cè)面edge部位容易發(fā)生歸類于重度不良的。TD200擁有對硅片4邊edge部位進(jìn)行集中檢查的機(jī)能。Edge檢查部 edge檢查范圍edge部表/里面崩邊、缺口檢查edge部側(cè)面崩邊、缺口檢查edge側(cè)面厚度測定檢查分辨率15um/pix Edge側(cè)面11.5mm檢查例）檢查edge部缺口缺口大小）從edge開始0.6mm長度2.9mm側(cè)面畫像中也可確認(rèn)到缺口。Edge檢查部edge表面Edge里

27、面?zhèn)让鎮(zhèn)让娈嬒褚部纱_認(rèn)到不良Edge檢查部檢查例）檢查edge部缺口可以從edge側(cè)面畫像中檢查出硅片厚度1/2左右的缺陷Edge檢查部檢查例）檢查edge側(cè)面細(xì)微缺口可在edge檢查中獲取的側(cè)面畫像中測定edge部的厚度（去角部除外）Edge側(cè)面畫像側(cè)面畫像Edge檢查部檢查例）測定edge側(cè)面厚度激光變位器6set（上3/下3） 3D激光檢查部 厚度（Max,Min,Ave） TTV 線痕 段差 棱線 翹曲3D激光檢查部檢查例）厚度小不良上面測定結(jié)果下面測定結(jié)果厚度演算結(jié)果下限規(guī)格在150m以下的作不良判定3D激光檢查部段層不良線痕不良檢查例）段層、線痕不良3D激光檢查部標(biāo)準(zhǔn)式樣對應(yīng)硅片清

28、洗籮筐對應(yīng)硅片清洗籮筐 （2套/自動交換）*可對應(yīng)摞片式可對應(yīng)摞片式、以及客戶專用式樣以及客戶專用式樣上料部（硅片供給部）卸料分選部標(biāo)準(zhǔn)式樣良品分裝段數(shù):8（4段2處）不良品分裝段數(shù):7（1段7處）130片/段（t200um厚硅片）*良品良品最多可分最多可分16段段,不良品最多可分不良品最多可分10段段 全全94or2or1段機(jī)構(gòu)段機(jī)構(gòu)WaferThank you for your participationsBest wishes to all of you歡迎進(jìn)入歡迎進(jìn)入硅片檢驗培訓(xùn)課堂硅片檢驗培訓(xùn)課堂一一公司簡介公司簡介二二公司質(zhì)量方針及質(zhì)量目標(biāo)公司質(zhì)量方針及質(zhì)量目標(biāo)三三5S5S簡介及效

29、益簡介及效益四四硅片（單晶硅片（單晶/ /多晶）檢驗知識基本多晶）檢驗知識基本簡介簡介五五各類檢測工具的簡介各類檢測工具的簡介六六手檢培訓(xùn)流程及內(nèi)容手檢培訓(xùn)流程及內(nèi)容七七機(jī)檢培訓(xùn)流程及內(nèi)容機(jī)檢培訓(xùn)流程及內(nèi)容員工培訓(xùn)課程員工培訓(xùn)課程一、公一、公 司司 簡簡 介介 江蘇格林保爾光伏有限公司是專業(yè)從事太陽江蘇格林保爾光伏有限公司是專業(yè)從事太陽能電池、太陽能電池組件和光伏發(fā)電系統(tǒng)的研能電池、太陽能電池組件和光伏發(fā)電系統(tǒng)的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和服務(wù)的高科技企業(yè)。發(fā)、生產(chǎn)、銷售和服務(wù)的高科技企業(yè)。 為公用電力、住宅、商業(yè)、交通及公共事業(yè)為公用電力、住宅、商業(yè)、交通及公共事業(yè)等諸領(lǐng)域提供綠色、清潔、永續(xù)的太陽能

30、光伏等諸領(lǐng)域提供綠色、清潔、永續(xù)的太陽能光伏電力解決方案。電力解決方案。 全部產(chǎn)品通過全部產(chǎn)品通過CECE、TUVTUV、IECIEC、VDEVDE等國際等國際權(quán)威機(jī)構(gòu)認(rèn)證。權(quán)威機(jī)構(gòu)認(rèn)證。二、公司質(zhì)量方針及目標(biāo)二、公司質(zhì)量方針及目標(biāo)1 1、質(zhì)量方針：通過持續(xù)創(chuàng)新努力降低太陽能電力制、質(zhì)量方針：通過持續(xù)創(chuàng)新努力降低太陽能電力制造成本，始終如一地履行為客戶提供卓越產(chǎn)品造成本，始終如一地履行為客戶提供卓越產(chǎn)品的承諾，優(yōu)質(zhì)服務(wù)，爭創(chuàng)世界品牌，發(fā)展低碳的承諾，優(yōu)質(zhì)服務(wù)，爭創(chuàng)世界品牌，發(fā)展低碳經(jīng)濟(jì)，以先進(jìn)的太陽能技術(shù)為人類發(fā)展提供綠經(jīng)濟(jì)，以先進(jìn)的太陽能技術(shù)為人類發(fā)展提供綠色電力。色電力。2 2、質(zhì)量目標(biāo)：

31、、質(zhì)量目標(biāo)： 太陽能電池組件合格率太陽能電池組件合格率99.8%99.8% 太陽能電池片合格率太陽能電池片合格率94%94% 顧客滿意率顧客滿意率80%80%三、三、5S5S簡介及效益簡介及效益1 1、5S5S概念是指：整理概念是指：整理(SEIRI)(SEIRI)、整頓、整頓(SEITON)(SEITON)、清掃清掃(SEISO)(SEISO)、清潔、清潔(SEIKETSU)(SEIKETSU)、素養(yǎng)、素養(yǎng)(SHITSUKE)(SHITSUKE)五個項目，因日語的拼音均以五個項目，因日語的拼音均以“S”S”開頭開頭, ,簡稱簡稱5S.5S. 備注：加上安全（備注：加上安全（SAFETY) S

32、AFETY) 、節(jié)約、節(jié)約(Save) (Save) 為為7S7S，即即7S=5S+2S7S=5S+2S。2 2、5S5S起源于日本起源于日本, ,通過規(guī)范現(xiàn)場通過規(guī)范現(xiàn)場, ,營造一目了然的營造一目了然的工作環(huán)境工作環(huán)境, ,強(qiáng)調(diào)的是行動，持續(xù)的、有恒的去強(qiáng)調(diào)的是行動，持續(xù)的、有恒的去做，培養(yǎng)員工良好的工作習(xí)慣做，培養(yǎng)員工良好的工作習(xí)慣, ,其最終目的是其最終目的是提升人的品質(zhì)提升人的品質(zhì). . 革除馬虎之心革除馬虎之心, ,養(yǎng)成凡事認(rèn)真的習(xí)慣養(yǎng)成凡事認(rèn)真的習(xí)慣 ( (認(rèn)認(rèn)真真地認(rèn)認(rèn)真真地 對待工作中的每一件對待工作中的每一件 小小事事) ) 遵守規(guī)定的習(xí)慣遵守規(guī)定的習(xí)慣 自覺維護(hù)工作環(huán)境整

33、潔明了的良好習(xí)自覺維護(hù)工作環(huán)境整潔明了的良好習(xí)慣慣 文明禮貌的習(xí)慣文明禮貌的習(xí)慣3 3、具體表現(xiàn)：、具體表現(xiàn)： 降低物料降低物料報廢報廢及及倉庫倉庫呆、呆、廢廢料；料；減減少少不必要的不必要的體體力工作。力工作。( (零浪零浪費費) ) 減減少公少公傷傷及及災(zāi)災(zāi)害。害。( (零零傷傷害害) ) 增加增加機(jī)機(jī)器使用率。器使用率。( (零故障零故障) ) 提高生提高生產(chǎn)產(chǎn)品品質(zhì)質(zhì)。( (零不良零不良) ) 減減少品少品質(zhì)質(zhì)不良。不良。( (零抱怨零抱怨) )4 4、推行、推行5S5S運(yùn)動的效益（運(yùn)動的效益（1 1） 減減少少產(chǎn)產(chǎn)品延品延遲遲交交貨貨。( (零延零延遲遲) ) 擴(kuò)大廠擴(kuò)大廠房的效用。

34、房的效用。 增加增加認(rèn)認(rèn)同感（同感（較較有制度）。有制度）。 外外賓參觀時賓參觀時，覺覺得有面子。得有面子。 走道走道暢暢通，地板不再通，地板不再亂亂放物品，感放物品，感覺覺工作工作場場所所氣氛氣氛比比較較好。好。推行推行5S5S運(yùn)動的效益（運(yùn)動的效益（2 2） 四、硅片檢驗知識基本簡介四、硅片檢驗知識基本簡介1. 1.（單晶）硅片檢驗基礎(chǔ)知識及不良影響（單晶）硅片檢驗基礎(chǔ)知識及不良影響2. 2.（多晶）硅片檢驗基礎(chǔ)知識及不良影響（多晶）硅片檢驗基礎(chǔ)知識及不良影響3. 3.硅片檢驗標(biāo)準(zhǔn)及注意事項硅片檢驗標(biāo)準(zhǔn)及注意事項4. 4.檢驗標(biāo)準(zhǔn)一覽表檢驗標(biāo)準(zhǔn)一覽表5. 5.各類檢測工具各類檢測工具 1

35、1、單晶硅片檢驗基礎(chǔ)知識、單晶硅片檢驗基礎(chǔ)知識及不良影響及不良影響 外觀類定義：在光照度外觀類定義：在光照度700Lux700Lux下，下，外觀全檢，外觀類均目測。外觀全檢，外觀類均目測。 不得有碎片、缺角、裂紋、臟污、孔不得有碎片、缺角、裂紋、臟污、孔洞、未加工好、色差、孿晶等。如下洞、未加工好、色差、孿晶等。如下圖示圖示: :I. I.外觀類外觀類未加未加工好工好圖片寫真圖片寫真不良名稱：未加工好(Defect of slicing)不良描述：不良描述：線切割時造成的表面小崩邊和小缺口可能造成以下不良影響：可能造成以下不良影響：絲網(wǎng)印刷銀漿外流造短路小崩邊和缺角是造成后續(xù)硅片破碎的潛在因素

36、影響電池片外觀和后續(xù)組件制造的外觀，也是組件制造過程中破碎的潛在因素 未加工好未加工好不合格不合格不良名稱：針孔（Hole)不良描述不良描述：針頭大小的出現(xiàn)在硅片表面穿透或未穿透的小孔 。針孔針孔可能造成以下不良影響：可能造成以下不良影響：拉晶材料中混有微小雜質(zhì)，這些雜質(zhì)在拉晶過程中進(jìn)入晶體切片后，在制絨階段雜質(zhì)被腐蝕掉，出現(xiàn)針孔。清洗后發(fā)現(xiàn)針孔，存在絲網(wǎng)印刷時銀漿可能流出，一方面可能造成正負(fù)極短路；另一方面可能造成銀漿流到電池存放臺，造成后續(xù)電池片污染 針孔針孔不合格不合格圖片寫真圖片寫真不良名稱：孿晶（不良名稱：孿晶（crystal twin ）不良描述不良描述：指兩個晶體（或一個晶體的兩

37、部分）沿一個公共晶面（即特定取向關(guān)系）構(gòu)成鏡面對稱的位向關(guān)系 孿晶孿晶圖片寫真圖片寫真可能造成以下不良影響：可能造成以下不良影響：孿晶交界的部位使得內(nèi)部晶體結(jié)構(gòu)上存在差異，后續(xù)制造過程中在電池片轉(zhuǎn)換效率上存在影響由于孿晶不可能做出與正常硅片一樣的轉(zhuǎn)換效率，所以孿晶的存在變相減少了硅片的實際有效面積 孿晶孿晶不合格不合格不良名稱：臟污（不良名稱：臟污（Dirty)不良描述：不良描述：硅片表面上肉眼可見的各種外來異物的統(tǒng)稱。通常由操作或指紋引起的一種密集的局部污跡（脫膠不干凈或水紋印，手指?。??？赡茉斐梢韵虏涣加绊懀嚎赡茉斐梢韵虏涣加绊懀罕砻媾K污如果在清洗中難以去除將導(dǎo)致鍍膜后，外觀缺陷，根據(jù)臟

38、污存在的大小，產(chǎn)生色斑片等外觀缺陷影響后續(xù)生產(chǎn)組件的外觀 臟污臟污不合格不合格臟污臟污圖片寫真圖片寫真不良名稱：色差（不良名稱：色差（Colour aberration)Colour aberration)不良描述：不良描述：同一硅片上，表面顏色存在明顯差異色差色差圖片寫真圖片寫真可能造成以下不良影響：可能造成以下不良影響：表面顏色不一，影響電池片的外觀；影響后續(xù)生產(chǎn)組件的外觀 色差色差不合格不合格不良名稱：裂紋（不良名稱：裂紋（Crack)Crack)不良描述：不良描述：延伸到晶片表面，可能貫穿整個晶片厚度的解理或裂痕；裂紋裂紋圖片寫真圖片寫真可能造成以下不良影響：可能造成以下不良影響：影響

39、后續(xù)各崗位正常生產(chǎn)；對后續(xù)生產(chǎn)造成潛在破碎； 裂紋裂紋不合格不合格不良名稱：缺口不良名稱：缺口/ /缺角（缺角（Chipped Corner)Chipped Corner)不良描述：不良描述：硅片邊沿上缺掉一小塊所形成的空隙,也泛指不完整之處 。缺角缺角可能造成以下不良影響：可能造成以下不良影響：后續(xù)無法生產(chǎn) 缺角缺角不合格不合格圖片寫真圖片寫真不良名稱：碎片不良名稱：碎片(Broken wafer )(Broken wafer )不良描述：不良描述：硅片形成殘缺，破碎較嚴(yán)重可能造成以下不良影響：可能造成以下不良影響：后續(xù)無法生產(chǎn) 碎片碎片不合格不合格碎片碎片圖片寫真圖片寫真不良名稱：翹曲（不

40、良名稱：翹曲（Warp)Warp)不良描述：不良描述：硅片邊緣部分翹起(可能由于硅棒本身內(nèi)應(yīng)力或位錯引起)可能造成以下不良影響：可能造成以下不良影響：硅片清洗甩干會因為內(nèi)部應(yīng)力而造成碎片擴(kuò)散過程中由于高溫作用對硅片應(yīng)力產(chǎn)生影響，由于其原材料本身的原因，造成碎片PECVD鍍膜設(shè)備要求較高的彎曲度要求對于彎曲大于0.05MM的硅片會造成鍍膜不良，后續(xù)生產(chǎn)的鋁膜片，嚴(yán)重影響電池片的電性能絲網(wǎng)印刷時，柵成印刷不良出現(xiàn)，斷柵或者柵線不全絲網(wǎng)印刷刮板通過時可能造成因擠壓造成的碎片硅片邊緣部分翹起硅片邊緣部分翹起圖片寫真圖片寫真測量時，放在測量時，放在水平測試臺水平測試臺（花崗巖平臺花崗巖平臺）上，使用）上

41、，使用工具工具塞尺塞尺測量。測量。如：圖如：圖3 3花崗巖花崗巖平臺平臺塞尺塞尺翹曲翹曲標(biāo)準(zhǔn)范圍：標(biāo)準(zhǔn)范圍：合格:0.05mm， 無讓步， 不合格：0.05mm。圖片寫真圖片寫真不良名稱：彎曲不良名稱：彎曲(Bend )(Bend )不良描述：不良描述：硅片拿在手中輕晃有波動的感覺，放在水平測試臺上不會動可能造成以下不良影響：可能造成以下不良影響： 與翹曲的影響類似標(biāo)準(zhǔn)范圍：標(biāo)準(zhǔn)范圍：合格：0.05mm； 讓步：0.5mm； 不合格：0.5mm。 測量方法與工具同翹曲測量方法與工具同翹曲彎曲彎曲不會不會動動圖片寫真圖片寫真不良名稱：線痕不良名稱：線痕(Saw Mark )(Saw Mark )

42、不良描述：不良描述：線切割后，在硅片表面平行于邊且貫穿整個硅片表面，嚴(yán)重的形成臺階的或有顏色漸變的痕跡。 可能造成以下不良影響：可能造成以下不良影響：清洗制絨時生產(chǎn)亮線，鍍膜無法掩蓋，影響電池片外觀制造過程中硅片的疊加，擠壓，會造成碎片絲網(wǎng)印刷過程中，由于厚薄差異，易造成碎片單面線痕圖片寫真圖片寫真標(biāo)準(zhǔn)范圍：標(biāo)準(zhǔn)范圍：合格：15um； 讓步：30 （180um厚度 及以下無讓步） 不合格：30um。備注備注：檢驗中，若同一位置都有線痕必須相加其測試值。測量時，在水平測試臺上，使用面粗糙度計測量。線痕面粗糙度計數(shù)值顯示不良名稱：臺階不良名稱：臺階(Step patch )(Step patch

43、)不良描述：不良描述：某片硅片從側(cè)面看成階梯段，測量時發(fā)現(xiàn)厚度差異較大可能造成以下不良影響：可能造成以下不良影響： 與線痕的不良影響類似標(biāo)準(zhǔn)范圍：標(biāo)準(zhǔn)范圍：合格： 15um； 無讓步 不合格：15um臺階圖片寫真圖片寫真不良名稱：崩邊不良名稱：崩邊(Edge defect )(Edge defect )不良描述：不良描述：晶體邊緣或表面未貫穿晶片的局部缺損區(qū)域，當(dāng)崩邊在晶片邊緣產(chǎn)生時，其尺寸由向濃度或周邊弦長給出。 可能造成以下不良影響：可能造成以下不良影響：由于已經(jīng)存在缺口，在裂碎部位存在的延伸和應(yīng)力點，在后續(xù)生產(chǎn)會產(chǎn)生較多碎片由于崩邊位置不一致，大小上存在差異，后繼定位各工序均無法正常展開

44、由于崩邊可造成電池片實際可利用面積減小，從而影響電池轉(zhuǎn)換效率崩邊圖片寫真圖片寫真標(biāo)準(zhǔn)范圍：標(biāo)準(zhǔn)范圍：合格：長0.5；深0.3; 每片片子崩邊數(shù)個讓步：長不限；深0.5；每片片子崩邊數(shù)個不合格：深0.5;每片片子崩邊數(shù)2個備注：備注：檢驗時，發(fā)現(xiàn)崩邊要注意，是否存在因小崩邊引起的隱裂存在。不良名稱：硅晶脫落不良名稱：硅晶脫落(Silicon crystal fall off )(Silicon crystal fall off )不良描述：不良描述：未發(fā)生在硅片邊緣處棱邊上的崩邊，即崩點，稱為硅晶脫落 可能造成以下不良影響：可能造成以下不良影響：生產(chǎn)碎片的潛在因素影響電池片和組件的生產(chǎn)外觀標(biāo)準(zhǔn)范

45、圍：標(biāo)準(zhǔn)范圍：合格：無硅晶脫落讓步：面積11，每片片子個數(shù)2個且未穿透；不合格：面積11，每片片子個數(shù)2個；穿透硅晶脫落圖片寫真圖片寫真 邊長、對角線：使用游標(biāo)卡尺測量。邊長、對角線：使用游標(biāo)卡尺測量。標(biāo)準(zhǔn)范圍：標(biāo)準(zhǔn)范圍：合格:標(biāo)稱尺寸0.5mm,讓步：標(biāo)稱尺寸0.6mm不合格：標(biāo)稱尺寸0.6mm，標(biāo)稱尺寸0.6mm邊長尺寸邊長尺寸對角線尺寸對角線尺寸游標(biāo)卡尺游標(biāo)卡尺數(shù)值顯示數(shù)值顯示圖片寫真圖片寫真II.II.尺寸類尺寸類不良名稱：邊長偏大不良名稱：邊長偏大/ /偏小偏小不良描述：不良描述：硅片邊長尺寸出現(xiàn)偏差，經(jīng)測量后數(shù)值超出檢驗要求的范圍可能造成以下不良影響：可能造成以下不良影響：由于尺寸

46、偏差超出標(biāo)準(zhǔn)范圍，將后續(xù)生產(chǎn)無法正常進(jìn)行絲網(wǎng)印刷時銀漿可能流出，一方面可能造成正負(fù)極短路，另一方面可能造成后續(xù)電池片污染如果混入正常尺寸硅片中生產(chǎn)，會導(dǎo)致刻蝕異常，印刷不良邊長偏小圖片寫真圖片寫真 厚度（厚度（TV/TTVTV/TTV）：（）：（Thinkness)Thinkness) a a、TVTV定義：指一片硅片中心點的值。定義：指一片硅片中心點的值。標(biāo)準(zhǔn)范圍：標(biāo)準(zhǔn)范圍： 合格： TV（來料厚度200um）標(biāo)稱厚度20 TV（來料厚度200um）標(biāo)稱厚度15 讓步： TV（來料厚度200um）標(biāo)稱厚度30 TV（來料厚度200um）標(biāo)稱厚度20不合格： TV（來料厚度200um）標(biāo)稱厚度

47、30，標(biāo)稱厚度30 TV（來料厚度200um）標(biāo)稱厚度20，標(biāo)稱厚度20 同一片硅片上最大值同一片硅片上最大值與最小值的差值，差與最小值的差值，差異較大異較大圖片寫真圖片寫真標(biāo)準(zhǔn)范圍：標(biāo)準(zhǔn)范圍： 合格：TTV（來料厚度200um） 15%X硅片標(biāo)稱厚度 TTV（來料厚度200um） 20%X硅片標(biāo)稱厚度 讓步：TTV（來料厚度200um） 25um TTV（來料厚度200um） 30um 不合格： TTV（來料厚度200um） 20%X硅片標(biāo)稱厚度 TTV（來料厚度200um） 30um、可能造成以下不良影響：可能造成以下不良影響：由于各種問題導(dǎo)致，硅棒在線切時因線網(wǎng)抖動而產(chǎn)生的硅片不良后續(xù)生

48、產(chǎn)造成破碎的潛在因素備注：備注：硅片的TTV/TV可使用ATM機(jī)器進(jìn)行測量。外徑千分尺只能對某片硅片的四個角的TTV 進(jìn)行測量。不良名稱：不良名稱：TTVTTV不良不良不良描述：不良描述：指一片硅片上最大值與最小值的差值。TTV不良圖片寫真圖片寫真不良名稱：倒角偏差（不良名稱：倒角偏差（Corner chamfer)Corner chamfer)不良描述：不良描述：硅片倒角有規(guī)則的同時凹進(jìn)或凸出，以凹進(jìn)最大值計算可能造成以下不良影響：可能造成以下不良影響：往往因為滾圓時或切片時，硅棒定位不準(zhǔn)確造成絲網(wǎng)印刷時銀漿可能流出，一方面可能造成正負(fù)極短路，另一方面可能造成后續(xù)電池片污染硅片無法放入PEC

49、VD石墨舟影響電池片外觀和后續(xù)組件制造的外觀如果混入正常尺寸硅片中生產(chǎn)，會導(dǎo)致刻蝕異常，印刷不良內(nèi)凹內(nèi)凹外凸外凸圖片寫真圖片寫真標(biāo)準(zhǔn)范圍：標(biāo)準(zhǔn)范圍： 合格：0.5mm， 讓步： 0.75mm， 不合格：0.75mm同心度模板測量時，使用工具同心度模板測量。不良名稱：外形片不良名稱：外形片不良描述：不良描述：硅片倒角不規(guī)則的凹進(jìn)或凸出可能造成以下不良影響：可能造成以下不良影響：往往因為滾圓時或切片時，硅棒定位不準(zhǔn)確造成絲網(wǎng)印刷時銀漿可能流出，一方面可能造成正負(fù)極短路，另一方面可能造成后續(xù)電池片污染硅片無法放入PECVD石墨舟影響電池片外觀和后續(xù)組件制造的外觀如果混入正常尺寸硅片中生產(chǎn)，會導(dǎo)致刻蝕

50、異常，印刷不良（任一條邊以測量最大值計算）內(nèi)縮和外突倒角不規(guī)則凹倒角不規(guī)則凹進(jìn)或凸出進(jìn)或凸出圖片寫真圖片寫真外形片外形片圖片寫真圖片寫真標(biāo)準(zhǔn)范圍：標(biāo)準(zhǔn)范圍： 合格：0.5mm， 讓步：0.75mm， 不合格：0.75mm測量時，使用工具同心度模板測量。不良名稱：梯形片不良名稱：梯形片不良描述：不良描述：指硅片一組對邊平行而另一組對邊不平行可能造成以下不良影響：可能造成以下不良影響： 與倒角偏差的不良影響類似標(biāo)準(zhǔn)范圍：標(biāo)準(zhǔn)范圍： 合格：0.5mm， 讓步： 0.6mm, 不合格：0.6mm。梯形片圖片寫真圖片寫真測試值：測試值：124.52mm124.52mm測試值：測試值：125.12mm12

51、5.12mm尺寸上存尺寸上存在偏差在偏差不在合格要求不在合格要求的模板范圍內(nèi)的模板范圍內(nèi)不良名稱：菱形片不良名稱：菱形片不良描述：不良描述：指硅片一個平面內(nèi)，一組鄰邊相等的平行四邊形可能造成以下不良影響：可能造成以下不良影響： 與倒角偏差的不良影響類似標(biāo)準(zhǔn)范圍：標(biāo)準(zhǔn)范圍： 合格：0.5mm， 讓步： 0.6mm, 不合格：0.6mm。菱形片圖片寫真圖片寫真硅片四邊不在模板范圍內(nèi)兩邊平行傾斜，邊長尺寸偏差不大倒片時可發(fā)現(xiàn)四邊不齊同心度模板邊緣硅片邊緣圖片寫真圖片寫真倒片時，發(fā)現(xiàn)側(cè)邊傾斜 電阻率：電阻率：用來表示各種物質(zhì)電阻特性的物理量。電阻率 單位為歐姆厘米 （ohm*cm ）圖片寫真圖片寫真I

52、II.III. 電性能類電性能類不良名稱：電阻率不良（不良名稱：電阻率不良（Resisivity Defect)Resisivity Defect)不良描述：不良描述：指硅片一個平面內(nèi)，一組鄰邊相等的平行四邊形可能造成以下不良影響：可能造成以下不良影響： 對后續(xù)電池片生產(chǎn)的轉(zhuǎn)換效率存在嚴(yán)重影響標(biāo)準(zhǔn)范圍：標(biāo)準(zhǔn)范圍：合格：0.5-3，3-6 讓步：0.2-0.5，6-8 不合格：8，0.2電阻率不良圖片寫真圖片寫真 P/NP/N型：型：目前我們執(zhí)行的是P型，N型為不合格；測量儀器ATM機(jī)。 少子壽命：少子壽命：對p型半導(dǎo)體材料則相反，產(chǎn)生非平衡載流子的外界作用撤除以后，它們逐漸衰減以致消失，最后載

53、流子濃度恢復(fù)到平衡少數(shù)載流子的壽命。（Minority carrier lifetime low)。標(biāo)準(zhǔn)范圍：標(biāo)準(zhǔn)范圍：裸片合格1us（微 秒），鈍化后合格10us；測量儀器ATM機(jī)器2 2、多晶硅片檢驗基礎(chǔ)知識、多晶硅片檢驗基礎(chǔ)知識及不良影響及不良影響不良名稱：微晶（不良名稱：微晶（Micro crystall)Micro crystall)不良描述：不良描述：指每顆晶粒只由幾千個或幾萬個晶胞并置而成的晶體，從一個晶軸的方向來說這種晶體只重復(fù)了約幾十個周期可能造成以下不良影響：可能造成以下不良影響：由于微晶不可能做出與正常硅片一樣的轉(zhuǎn)換效率，所以微晶存在是變相的減少硅片實際有效面積由于微晶的

54、存在，使硅片內(nèi)部生產(chǎn)缺陷，對于后續(xù)電池片保證其長時間使用存在影響 標(biāo)準(zhǔn)范圍：標(biāo)準(zhǔn)范圍：合格：無微晶 讓步：1cm長度上晶粒5個 不合格：1長度晶粒5個微晶片圖片寫真圖片寫真不良名稱：分布晶（不良名稱：分布晶（Distrbuting-crystall)Distrbuting-crystall)不良描述：大晶粒分布的具有特定不良描述：大晶粒分布的具有特定“圈點圈點”特征的小晶粒，亦稱特征的小晶粒，亦稱”分散型微晶分散型微晶”?？赡茉斐梢韵虏涣加绊懀嚎赡茉斐梢韵虏涣加绊懀?與微晶的不良影響類似 分布晶分布晶不合格不合格分布晶圖片寫真圖片寫真不良名稱：雪花晶（不良名稱：雪花晶（Snow-crystal

55、l)Snow-crystall)不良描述：大晶粒分布的具有特定不良描述：大晶粒分布的具有特定“圈點圈點”特征的小晶粒，亦稱特征的小晶粒，亦稱”分散型微晶分散型微晶”。可能造成以下不良影響：可能造成以下不良影響： 與微晶的不良影響類似 標(biāo)準(zhǔn)范圍：標(biāo)準(zhǔn)范圍：合格：無雪花晶 讓步：2cm2晶粒50個 不合格：面積2cm250個分布晶圖片寫真圖片寫真 檢驗項目檢驗項目合格要求合格要求讓步接收讓步接收不合格退庫不合格退庫尺寸偏差mm標(biāo)稱尺寸0.5標(biāo)稱尺寸0.6標(biāo)稱尺寸+0.6, 標(biāo)稱尺寸-0.6*倒角偏差mm0.50.750.75*外形片mm0.50.750.75梯形片mm0.50.60.6菱形片mm0

56、.50.60.6線痕片um1530 (180厚度及以下無讓步）30臺階片um15無讓步15翹曲片mm0.05無讓步0.05彎曲片mm0.050.50.53 3、硅片檢驗標(biāo)準(zhǔn)一覽表、硅片檢驗標(biāo)準(zhǔn)一覽表檢驗項目檢驗項目合格要求合格要求讓步接收讓步接收不合格退庫不合格退庫*厚度不均mmTV (來料厚度200）標(biāo)稱厚度20標(biāo)稱厚度30標(biāo)稱厚度+30標(biāo)稱厚度-30TV（來料厚度200）標(biāo)稱厚度15標(biāo)稱厚度20標(biāo)稱厚度+20標(biāo)稱厚度-20TTV (來料厚度200）15%X硅片標(biāo)稱厚度20%X硅片標(biāo)稱厚度20%X硅片標(biāo)稱厚度TTV（來料厚度200）253030 檢驗項目檢驗項目合格要求合格要求讓步接收讓步接

57、收不合格退庫不合格退庫崩邊mm長0.5；深0.3；每片片子崩邊數(shù)2個 長不限；深0.5；每片片子崩邊數(shù)2個深0.5；每片片子崩邊數(shù) 2個缺口mm長0.5；深0.3；每片片子缺口數(shù)2個 長1；深0.5；每片片子缺口數(shù)2個長1；深0.5 ；每片片子缺口數(shù) 2個硅晶脫落mm無硅晶脫落面積1X1，每片片子個數(shù)2個且未穿透面積 1X1，每片片子個數(shù) 2個，穿透*微晶片無微晶1cm長度晶粒5個1cm長度晶粒 5個檢驗項目檢驗項目合格要求合格要求讓步接收讓步接收不合格退庫不合格退庫*雪花晶無雪花晶 面積2cm2 50個面積2cm2 50個*分布晶無分布晶無讓步有分布晶碎片、V缺角、裂紋、孔洞、孿晶、臟污、未

58、加工好、色差無碎片、V缺角、裂紋、孔洞、孿晶、臟污、未加工好、色差無讓步有少子壽命us鈍化后10us，裸片1us無讓步鈍化后 10us，裸片 1us導(dǎo)電類型P型無讓步N型光衰減比例光衰減比例3%無讓步光衰減比例 3%檢驗項目檢驗項目合格要求合格要求讓步接收讓步接收不合格退庫不合格退庫電阻率ohm*cm單晶0.5-3; 3-6 0.2-0.5; 6-8 (對效率有嚴(yán)重影響)8,或0.2多晶0.5-30.2-0.5;3-6; 6-8 (對效率有嚴(yán)重影響)備注備注: :合格要求對應(yīng)正品片,讓步要求對應(yīng)等外品片(包括外加工片)*僅使用于多晶片,*僅使用于單晶片,*硅片TTV的最大和最小要在TV的允許范

59、圍之內(nèi).外加工正品片合格率80%,作為批退處理.等外品片,一盒有多種缺陷類型混裝,作為不良品處理。附表附表1：硅片試檢抽樣：硅片試檢抽樣來料數(shù)量來料數(shù)量抽檢數(shù)量抽檢數(shù)量10000pcs800-100010001-50000pcs1200-300050001-100000pcs6000-7000100000pcs10000-12000附表附表2：硅片試投標(biāo)準(zhǔn)：硅片試投標(biāo)準(zhǔn)一、試投數(shù)量每批不管來料數(shù)量多少，均試投3000片，分別在每箱內(nèi)取一盒達(dá)到試投數(shù)量二、IQC合格率 正品片：94% 等外品：80%三、直通率 單晶：88% 多晶：90%四、碎片率 125S 150 ：1.5% 156S： 3%

60、125S 165： 1.5% 156M：3% 五、平均效率 125S 150 ：17.30% 156S：17.20% 125S 165：17.50% 156M：15.90% 六、光衰減比率 單晶：-3.00% 多晶：-2.00%1. 1.游標(biāo)卡尺游標(biāo)卡尺2. 2.外徑千分尺外徑千分尺3. 3.塞尺塞尺4. 4.同心度模板同心度模板5. 5.四探針?biāo)奶结?. 6.花崗巖平臺花崗巖平臺7. 7.面粗糙度計面粗糙度計五、各類檢測工具的簡介五、各類檢測工具的簡介 游標(biāo)卡尺游標(biāo)卡尺a) a) 圖片圖片開開/ /關(guān)鍵關(guān)鍵歸零鍵歸零鍵堅固螺母堅固螺母公制公制/ /英制英制切換鍵切換鍵數(shù)值顯數(shù)值顯示區(qū)示區(qū)b)