大物電磁學(xué) 第9章 磁場(chǎng)中磁介質(zhì)_第1頁(yè)
大物電磁學(xué) 第9章 磁場(chǎng)中磁介質(zhì)_第2頁(yè)
大物電磁學(xué) 第9章 磁場(chǎng)中磁介質(zhì)_第3頁(yè)
大物電磁學(xué) 第9章 磁場(chǎng)中磁介質(zhì)_第4頁(yè)
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1、第九章第九章 磁場(chǎng)中的磁介質(zhì)磁場(chǎng)中的磁介質(zhì)順磁質(zhì)順磁質(zhì)orBB 1 r oBB定義定義:如:氧、鋁、鎢、鉑、鉻等。如:氧、鋁、鎢、鉑、鉻等。如:氮、水、銅、銀、金、鉍等。如:氮、水、銅、銀、金、鉍等。如:鐵、鈷、鎳等如:鐵、鈷、鎳等 r不同的磁介質(zhì)在磁場(chǎng)中所表現(xiàn)出的特性不同:不同的磁介質(zhì)在磁場(chǎng)中所表現(xiàn)出的特性不同:抗磁質(zhì)抗磁質(zhì)1 r 鐵磁質(zhì)鐵磁質(zhì)1 r II磁介質(zhì)對(duì)螺線管內(nèi)的場(chǎng)有影響磁介質(zhì)對(duì)螺線管內(nèi)的場(chǎng)有影響 其內(nèi)總磁場(chǎng)是:其內(nèi)總磁場(chǎng)是:0orBBBB 相對(duì)磁導(dǎo)率相對(duì)磁導(dǎo)率分類(lèi)分類(lèi)一、磁介質(zhì)的磁化一、磁介質(zhì)的磁化1. 分子的固有磁矩分子的固有磁矩nmISe 2. 磁化強(qiáng)度矢量磁化強(qiáng)度矢量Mim

2、MV 單位體積內(nèi)分子單位體積內(nèi)分子磁矩的矢量和磁矩的矢量和3. 磁化強(qiáng)度矢量磁化強(qiáng)度矢量與磁場(chǎng)與磁場(chǎng) 的關(guān)系的關(guān)系M B 01rrMB 無(wú)外磁場(chǎng)無(wú)外磁場(chǎng)有外磁場(chǎng)有外磁場(chǎng)njMe 4. 磁化強(qiáng)度矢量磁化強(qiáng)度矢量與磁化面電流密度與磁化面電流密度 j的關(guān)系的關(guān)系M lIMMBM ne 介質(zhì)的體積為:介質(zhì)的體積為:SlV 更一般的證明為:更一般的證明為:mjl SMjVS l n M5. 磁化強(qiáng)度磁化強(qiáng)度M與束縛電流與束縛電流 I 的關(guān)系的關(guān)系j j l I Ll dMlM l L 即磁化電流密度等于即磁化電流密度等于磁化強(qiáng)度沿該表磁化強(qiáng)度沿該表面處的分量面處的分量。 磁化強(qiáng)度磁化強(qiáng)度M M沿閉合回路

3、的線積分等于沿閉合回路的線積分等于該回路包圍的磁化電流代數(shù)和。該回路包圍的磁化電流代數(shù)和。二、二、有介質(zhì)時(shí)的高斯定理有介質(zhì)時(shí)的高斯定理 無(wú)論是什么電流激發(fā)的磁場(chǎng),其磁力線無(wú)論是什么電流激發(fā)的磁場(chǎng),其磁力線均是無(wú)頭無(wú)尾的閉合曲線。均是無(wú)頭無(wú)尾的閉合曲線。介質(zhì)中的磁感應(yīng)強(qiáng)度:介質(zhì)中的磁感應(yīng)強(qiáng)度:0B dS BBB 0 0 通過(guò)磁場(chǎng)中任意閉合曲面的磁通量為零。通過(guò)磁場(chǎng)中任意閉合曲面的磁通量為零。即:即:1. 磁場(chǎng)強(qiáng)度磁場(chǎng)強(qiáng)度H 0BHM 2. 的環(huán)路定理的環(huán)路定理數(shù)學(xué)表達(dá)式數(shù)學(xué)表達(dá)式物理意義物理意義0intLH dlI 三、有介質(zhì)時(shí)的安培環(huán)路定理三、有介質(zhì)時(shí)的安培環(huán)路定理H 沿任一閉合路徑磁場(chǎng)強(qiáng)度的

4、環(huán)流等于該沿任一閉合路徑磁場(chǎng)強(qiáng)度的環(huán)流等于該閉合路徑所包圍的自由電流的代數(shù)和。閉合路徑所包圍的自由電流的代數(shù)和。單位:安培單位:安培/米米(A/m) 理解和應(yīng)用理解和應(yīng)用 用用 的環(huán)路定理求的環(huán)路定理求 與前面所學(xué)的用與前面所學(xué)的用 的環(huán)路定理求的環(huán)路定理求 的方法完全相同。的方法完全相同。 路內(nèi)總自由電流,路上總磁場(chǎng)強(qiáng)度路內(nèi)總自由電流,路上總磁場(chǎng)強(qiáng)度(同樣的應(yīng)用條件;(同樣的應(yīng)用條件; 在相同載流體的情況下在相同載流體的情況下,取同樣的安培環(huán)路),取同樣的安培環(huán)路)三、三、 和和 的相互關(guān)系的相互關(guān)系0rBH H (點(diǎn)點(diǎn)對(duì)應(yīng)關(guān)系)(點(diǎn)點(diǎn)對(duì)應(yīng)關(guān)系)H H B B H B 相對(duì)磁導(dǎo)率相對(duì)磁導(dǎo)率絕

5、對(duì)磁導(dǎo)率絕對(duì)磁導(dǎo)率8電極化現(xiàn)象電極化現(xiàn)象的關(guān)系與EP)(l qpePEPr) 1(0,0PED)(ED磁化現(xiàn)象磁化現(xiàn)象)(S ipmM的關(guān)系與BM,0MBH)(BH DH0.qSdDS0.Il dHS原因原因原因原因BrrM01磁介質(zhì)的磁化規(guī)律可與電介質(zhì)的極化規(guī)律對(duì)比:磁介質(zhì)的磁化規(guī)律可與電介質(zhì)的極化規(guī)律對(duì)比:例例1 1 (5670) 一無(wú)限長(zhǎng)載流圓柱體,其上一無(wú)限長(zhǎng)載流圓柱體,其上 電流強(qiáng)度電流強(qiáng)度 ,方向沿軸線;圓柱體,方向沿軸線;圓柱體 半徑半徑 。此圓柱體外再罩一載流圓。此圓柱體外再罩一載流圓 筒,其上電流強(qiáng)度筒,其上電流強(qiáng)度 ,方向與,方向與 相相 反;圓柱面半徑反;圓柱面半徑 。求

6、此載流系統(tǒng)。求此載流系統(tǒng) 的磁感應(yīng)強(qiáng)度分布。的磁感應(yīng)強(qiáng)度分布。1I1R2R截面圖(俯視)截面圖(俯視)1I1R2I1I2R1I2I如果在圓柱體與圓柱面之間充有兩層介質(zhì),如果在圓柱體與圓柱面之間充有兩層介質(zhì),分界面半徑分界面半徑 。再求此載流系統(tǒng)的磁感應(yīng)。再求此載流系統(tǒng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度分布。(第一層介質(zhì)的強(qiáng)度分布。(第一層介質(zhì)的相對(duì)磁導(dǎo)率相對(duì)磁導(dǎo)率為為 r1第二層介質(zhì)的第二層介質(zhì)的磁導(dǎo)率磁導(dǎo)率為為 2 )R安培環(huán)路形狀:安培環(huán)路形狀:以載流體的軸線為圓心、半以載流體的軸線為圓心、半徑徑 、且所圍平面垂直軸、且所圍平面垂直軸的的圓周圓周。r安培環(huán)路定理左邊安培環(huán)路定理左邊2LH dlHr 圓柱內(nèi)圓柱內(nèi)

7、1Rr 21int21IIrR 2121IrR 根據(jù)根據(jù) 的安培環(huán)路定理的安培環(huán)路定理H intLH dlI 有有21212IHrrR 11212IHrR )(1Rr 第一層介質(zhì)內(nèi)第一層介質(zhì)內(nèi)方向:方向:圓周切線方向,圓周切線方向,且與電流成右手螺旋且與電流成右手螺旋RrR11intII根據(jù)根據(jù) 的安培環(huán)路定理的安培環(huán)路定理H intLH dlI 可得可得rIH212)(1RrR同理可得同理可得rIH213)(2RrRrIIH2)(214)(2Rr 根據(jù)根據(jù)0rBH H 可得可得110BH )(1Rr 2210rBH )(1RrR332BH )(2RrR440BH )(2Rr 方向:方向:圓周

8、切線方向,圓周切線方向,且與電流成右手螺旋且與電流成右手螺旋例例2 2 (5153) 截面為矩形的螺繞環(huán)共截面為矩形的螺繞環(huán)共N匝,匝, 內(nèi)徑為內(nèi)徑為 、外徑為、外徑為 ,環(huán)內(nèi)充有磁導(dǎo),環(huán)內(nèi)充有磁導(dǎo) 率為率為 的磁介質(zhì),求通過(guò)螺繞環(huán)橫截的磁介質(zhì),求通過(guò)螺繞環(huán)橫截 面的磁通量。面的磁通量。ab作以螺繞環(huán)軸線為中心,半徑作以螺繞環(huán)軸線為中心,半徑 的的圓周圓周為安培環(huán)路。為安培環(huán)路。 r解:解:根據(jù)根據(jù) 的安培環(huán)路定理有的安培環(huán)路定理有H int2LH dlHrINI 2NIHr 2NIBr )(bra通過(guò)螺繞環(huán)橫截面的磁通量:通過(guò)螺繞環(huán)橫截面的磁通量:SmdSBcosSodSrNI0cos2hd

9、rdS hdrrNIbam2abNIhln2如果求通過(guò)螺繞環(huán)的如果求通過(guò)螺繞環(huán)的總磁通量總磁通量。則。則abIhNNmmln221.磁化曲線磁化曲線裝置裝置:環(huán)形螺繞環(huán),用鐵磁質(zhì)環(huán)形螺繞環(huán),用鐵磁質(zhì) 充滿環(huán)內(nèi)空間。充滿環(huán)內(nèi)空間。RNIH 2 實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)測(cè)量測(cè)量B:Hr HBBBoor 由由(1) 鐵磁質(zhì)的鐵磁質(zhì)的 r 不是個(gè)常數(shù),它是不是個(gè)常數(shù),它是H 的函數(shù)。的函數(shù)。原理原理:根據(jù)安培定理:根據(jù)安培定理 由通有的傳導(dǎo)電流得:由通有的傳導(dǎo)電流得:結(jié)論結(jié)論RII在螺繞環(huán)磁隙在螺繞環(huán)磁隙處測(cè)量處測(cè)量Hr 得出得出曲線曲線:11四、磁滯效應(yīng)四、磁滯效應(yīng)B的變化落后于的變化落后于H,從而具有,從而具有剩磁剩磁磁滯效應(yīng)磁滯效應(yīng)1) 起始磁化曲線起始磁化曲線2) 剩磁剩磁Br飽和磁感應(yīng)強(qiáng)度飽和磁感應(yīng)強(qiáng)度BS3) 矯頑力矯頑力Hc(2) 磁滯回線磁滯回線BrBcH HsBsB 12作業(yè):作業(yè): 9.6 9.7 9.8 9.9 補(bǔ)

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