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1、Word文檔幺” _- u2nsT3Tn2 - 業(yè)專二化動(dòng)自其及程工氣電 -級(jí)-0X3X1 二院學(xué)-二一工-二本科課程設(shè)計(jì)專用封面設(shè)計(jì)題目:直流變換器的設(shè)計(jì)(升壓)所修課程名稱:電力電子技術(shù)課程設(shè)計(jì)修課程時(shí)間:2015年12月20日至12月30日完成設(shè)計(jì)日期:2成5年12月30日評(píng)閱成績(jī):評(píng)閱意見:幺” _- -_o2UB1ln2 -號(hào)學(xué) 二一 一瑤陳二名姓 業(yè)專一化動(dòng)自其及程工氣電 -級(jí) _CT>al 二院學(xué)-二 _工-二本科課程設(shè)計(jì)專用封面設(shè)計(jì)題目:直流變換器的設(shè)計(jì)(升壓)所修課程名稱:電力電子技術(shù)課程設(shè)計(jì)修課程時(shí)間:2015年12月20日至12月30日完成設(shè)計(jì)日期:2成5年12月3
2、0日評(píng)閱成績(jī):評(píng)閱意見:目錄摘要1.設(shè)計(jì)目的7設(shè)計(jì)任務(wù)7主要技術(shù)參數(shù)8.設(shè)計(jì)內(nèi)容10電路仿真及分析15設(shè)計(jì)小結(jié)17Word文檔Word文檔摘要在現(xiàn)在我們所使用到能源中,電能占了很大的比重,它具有成本 低廉,輸送方便,綠色環(huán)保,控制方便能很容易轉(zhuǎn)換成其他的信號(hào)等 等。我們的日常生活已經(jīng)離不開電了。在如今高能耗社會(huì),合理的利 用電能,提高電能 品質(zhì)和用電效率成為了全球研究的當(dāng)務(wù)之急。 而電力電子技術(shù)正是與這一主題相關(guān)聯(lián)的。MOSFET升壓斬波電路 設(shè)計(jì)是里面的一部分,它開關(guān)電源,與線性電源相比,具有綠色效率 高,控制方便,智能化,易實(shí)現(xiàn)計(jì)算機(jī)控制。直流變換技術(shù)已被廣泛 的應(yīng)用于開關(guān)電源及直流電動(dòng)機(jī)
3、驅(qū)動(dòng)中,如不間斷電源(UPS)、無軌電車、地鐵列車、蓄電池供電的機(jī)動(dòng)車輛的無級(jí)變速及20世紀(jì)80年代興起的電動(dòng)汽車的控制。從而使上述控制獲得加速平穩(wěn)、快速響 應(yīng)的性能,并同時(shí)收到節(jié)約電能的效果。由于變速器的輸入是電網(wǎng)電 壓經(jīng)不可控整流而來的直流電壓,所以直流斬波不僅能起到調(diào)壓的作 用,同時(shí)還能起到有效地抑制網(wǎng)側(cè)諧波電流的作用。直流斬波電路的功能是將直流電變?yōu)榱硪环N固定的或可調(diào)的直 流電,也稱為直流-直流變換器(DC/DC Converter),直流斬波電路一般是指直接將直流變成直流的情況, 不包括直流-交流-直流的情 況;直流斬波電路的種類很多:降壓斬波電路,升壓斬波電路,這兩 種是最基本電路
4、。另外還有升降壓斬波電路,Cuk斬波電路,Sepic斬波電路,Zeta斬波電路。斬波器的工作方式有:脈寬調(diào)制方式(Ts 不變,改變ton)和頻率調(diào)制方式(ton不變,改變Ts)。MOSFET升壓斬波電路又稱為boost變換器,它對(duì)輸入電壓進(jìn)行 升壓變換。通過控制電路的占空比即通過 MOSFET來控制升壓斬波電 路的輸出電壓。直流斬波電路作為將直流電變成另一種固定電壓或可 調(diào)電壓的 DC-DC 變換器,在直流傳動(dòng)系統(tǒng)、充電蓄電電路、開 關(guān)電源、電力電子變換裝置及各種用電設(shè)備中得到普通的應(yīng)用.直流斬波技術(shù)已被廣泛用于開關(guān)電源及直流電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)中,使其控制獲得加速平穩(wěn)、快速響應(yīng)、節(jié)約電能的效果。全控型
5、電力電子器件MOSFET 在牽引電傳動(dòng)電能傳輸與變換、有源濾波等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。MOSFET是金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場(chǎng)效晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶 體管,是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管。 MOSFET依照其“通道”的極性不同,可分為N溝道型與P溝道型的 MOSFET,通常又稱為 NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括 NMOS FET PMOSFET nMOSFET pMOSFET等。金屬氧化物 半導(dǎo)體根源極fi溝道場(chǎng)效應(yīng)管圖1它一般有耗盡型和增強(qiáng)型兩種。本文使用的為增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管,其內(nèi)部結(jié)構(gòu)見圖1。它可分為NPN型PNP型。NPN型通常稱為 N溝道型,P
6、NP型也叫P溝道型。由圖可看出,對(duì)于 N溝道的場(chǎng)效 應(yīng)管其源極和漏極接在N型半導(dǎo)體上,同樣對(duì)于P溝道的場(chǎng)效應(yīng)管 其源極和漏極則接在P型半導(dǎo)體上。我們知道一般三極管是由輸入的 電流控制輸出的電流。但對(duì)于場(chǎng)效應(yīng)管,其輸出電流是由輸入的電壓 (或稱電場(chǎng))控制,可以認(rèn)為輸入電流極小或沒有輸入電流,這使得 該器件有很高的輸入阻抗,同時(shí)這也是我們稱之為場(chǎng)效應(yīng)管的原因。為解釋MOS場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理,我們先了解一下僅含有一個(gè) P N結(jié)的二極管的工作過程。如圖2所示,我們知道在二極管加上 正向電壓(P端接正極,N端接負(fù)極)時(shí),二極管導(dǎo)通,其 PN結(jié)有 電流通過。這是因?yàn)樵赑型半導(dǎo)體端為正電壓時(shí),N型半導(dǎo)體內(nèi)的
7、負(fù) 電子被吸引而涌向加有正電壓的 P型半導(dǎo)體端,而P型半導(dǎo)體端內(nèi)的 正電子則朝N型半導(dǎo)體端運(yùn)動(dòng),從而形成導(dǎo)通電流。同理,當(dāng)二極管加上反向電壓(P端接負(fù)極,N端接正極)時(shí),這時(shí)在P型半導(dǎo)體 端為負(fù)電壓,正電子被聚集在 P型半導(dǎo)體端,負(fù)電子則聚集在 N型 半導(dǎo)體端,電子不移動(dòng),其 PN結(jié)沒有電流通過,二極管截止。圖2在柵極沒有電壓時(shí),在源極與漏極之間不會(huì)有電流流過, 此時(shí)場(chǎng) 效應(yīng)管處與截止?fàn)顟B(tài)(圖3a)。當(dāng)有一個(gè)正電壓加在N溝道的MOS 場(chǎng)效應(yīng)管柵極上時(shí),由于電場(chǎng)的作用,此時(shí) N型半導(dǎo)體的源極和漏 極的負(fù)電子被吸引出來而涌向柵極, 但由于氧化膜的阻擋,使得電子 聚集在兩個(gè)N溝道之間的P型半導(dǎo)體中(
8、見圖3b),從而形成電流, 使源極和漏極之間導(dǎo)通。我們也可以想像為兩個(gè)N型半導(dǎo)體之間為一條溝,柵極電壓的建立相當(dāng)于為它們之間搭了一座橋梁,該橋的大小由柵壓的大小決。Word文檔ab圖3電力MOSFET的基本特性a轉(zhuǎn)移特性b輸出特性a測(cè)試電路b開關(guān)過程波形MOSFET斬波電路是被設(shè)計(jì)的核心部分,而其核心器件又是MOSFET本部分是通過觸發(fā)電路控制 MOSFET的開啟與關(guān)斷,再利 用電感和電容的儲(chǔ)能作用實(shí)現(xiàn)升壓功能的。場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管的比較(1)場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件,而晶體管是電流控制元件。在只 允許從信號(hào)源取較少電流的情況下, 應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管;而在信號(hào)電壓 較低,又允許從信號(hào)源取較多電流的條件
9、下,應(yīng)選用晶體管。(2)場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,所以稱之為單極型器件, 而晶體管是即有多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極 型器件。(3)有些場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用, 柵壓也可正可負(fù), 靈活性比晶體管好。(4)場(chǎng)效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的制造工藝可以很方便地把很多場(chǎng)效應(yīng)管集成在一塊硅片上,因此場(chǎng)效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應(yīng)用關(guān)鍵字:電能、MOSFET升壓斬波電路、 升壓變換、變換器、直 流斬波技術(shù)一、設(shè)計(jì)目的1、把從電力電子技術(shù)及其它先修課程(電工基礎(chǔ)、電子技術(shù)、電 機(jī)學(xué)等)中所學(xué)到的理論和實(shí)踐知識(shí),在課程設(shè)計(jì)實(shí)踐中全面綜合的 加以運(yùn)
10、用,使這些知識(shí)得到鞏固、提高,并使理論知識(shí)與實(shí)踐技能密 切結(jié)合起來。2、初步樹立起正確的設(shè)計(jì)思想,掌握一般電力電子電路設(shè)計(jì)的 基本方法和技能,培養(yǎng)觀察、分析和解決問題及獨(dú)立設(shè)計(jì)的能力,訓(xùn) 練設(shè)計(jì)構(gòu)思和創(chuàng)新能力。3、培養(yǎng)具有查閱參考文獻(xiàn)和技術(shù)資料的能力,能熟悉或較熟悉 地應(yīng)用相關(guān)手冊(cè)、圖表、國(guó)家標(biāo)準(zhǔn),為今后成為一名合格的電氣工程 技術(shù)人員進(jìn)行必須的基本技能和基本素質(zhì)訓(xùn)練。二、設(shè)計(jì)任務(wù)設(shè)計(jì)主電路,主電路為:采用BOOST變換器,主功率管用MOSFET;選擇主電路所有圖列元件,并給出清單;設(shè)計(jì)MOSFET驅(qū)動(dòng)電路及控制電路;繪制裝置總體電路原理圖,繪制: MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓、BOOST 電路中各元
11、件的電壓、電流以及輸出電壓波形;編制設(shè)計(jì)說明書、設(shè)計(jì)小結(jié)。輸入直流電壓24V,輸出電壓V0=48V,輸出電流Io=10A,最大 輸出紋波電壓200mV,工作頻率f=100kHz。三、主要技術(shù)參數(shù)(一)升壓斬波電路的原理及典型應(yīng)用(1)升壓斬波電路及其工作波形(IGBT)目)電路冏 流形圖6、升壓斬波電路及其工作波形圖(2)、工作原理(MOSFET管)L圖7、升壓斬波電路工作原理(MOSFET管)MOSFET根據(jù)電力電子技術(shù)的原理,升壓式變換器的輸出電壓高于輸入電 源電壓,控制開關(guān)與負(fù)載并聯(lián)連接,與負(fù)載并聯(lián)的濾波電容必須足夠 大,以保證輸出電壓恒定,儲(chǔ)能電感也要很大,以保證向負(fù)載提供足 夠的能量
12、。在設(shè)計(jì)中,采用電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管(N溝道)作為開關(guān)管, 它既具有輸入阻抗高,速度快,熱穩(wěn)定性好,驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單,又具有 通態(tài)電壓低,耐壓高,流通大電流等優(yōu)點(diǎn)升壓斬波電路的電路圖:1 .電路原理圖:圖8、升壓斬波電路原理圖(二)、升壓斬波電路典型應(yīng)用1用于直流電動(dòng)機(jī)傳動(dòng)2.用作單相功率因數(shù)校正PFC)電路 3.用于其他交直流電源中四、設(shè)計(jì)內(nèi)容1、框圖:波形分析2、工作原理:(1)、電路原理圖小hifkmoior =EOOfT升壓斬波電路的電路圖如上圖所示,在該電路中假設(shè)電感L1值、 電容C2值很大,當(dāng)可控開關(guān)Z2處于通態(tài)時(shí),電源V1向電感L1充 電,充電電流基本恒定為I1,同時(shí)電容C2上的電壓向負(fù)
13、載R供電。 V通時(shí),E向L充電,充電電流恒為I1,同時(shí)C的電壓向負(fù)載供電, 因?yàn)镃值很大,基本保持輸出電壓 5為恒值,記為 5。設(shè)V處于通 態(tài)的時(shí)間為Ton,此階段電感L積蓄能量為EIITon。當(dāng)V處于斷態(tài)時(shí), V1和L1共同向電容C2充電并向負(fù)載R1提供能量。設(shè)V處于斷態(tài)的時(shí)間Toff,則在此期間電感L1釋放的能量為(Uc-V1) I1Toff0當(dāng)電路工作于穩(wěn)態(tài)時(shí),一個(gè)周期 T中電感L1積蓄的 能量與釋放的能量相等,即:V1I1Ton=(Uc-V1)I1Toff化簡(jiǎn)為:Uc= (Ton+Toff) /Toff)V1= (T/Toff)V1式中:(T/Toff)» 1,輸出電壓高于電
14、源電壓,故稱該電路為升壓斬波電 路。T/Toff表示升壓比,調(diào)節(jié)其大小,即可改變輸出電壓 Uc的大小, 將升壓比的倒數(shù)記做(3,即除Toff/T。則B和占空比丁的關(guān)系為:十斤1。 則:Uc=(1/ B)V1= (1/(1- %)V1【2】升壓斬波電路之所以能使輸出電壓高于電源電壓,關(guān)鍵有兩個(gè) 原因:(1)電感L1儲(chǔ)能之后具有使電壓泵開的作用。(2)電容C可將輸出電壓保持住。3、Z2處于通態(tài)期間因電容C的作用使得輸出電壓Uc不變,但實(shí)際 上C2值不可能無窮大,在此階段其向負(fù)載放電,Uc必然會(huì)有所下降, 故實(shí)際輸出電壓會(huì)略低于 Uc的值,在電容C值足夠大時(shí),誤差很小, 基本可以忽略。如果忽略電路中
15、的損耗,則由電源提供的能量?jī)H由負(fù) 載R消耗,即:V1I1=UcI0輸出電流的平均值I0為:I0=Uc/R=(1/B)(V1/R)電源電流I1為:I1=(Uc/V1)I0=(1/BA2)(V1/R)(2)、元器件選擇和設(shè)計(jì)輸入電壓V1=24V輸出電壓Vo=48V電感 L2=500uH電阻 R1=4.8Q、輸入電感L2的設(shè)計(jì)WL>>R2*pi*f*L>>RL2 取 500uH、輸出濾波電容C5的設(shè)計(jì)1/(WC)>>R1/(2*pi*f*C)>>RC5 取 220uF、器件選擇24V直流電源,500uF電感DIN5823 二極管,IRF540 (MOS
16、 管)驅(qū)動(dòng)電源,電阻(1K,4.8歐姆)電容(10uF, 220uF)(3)保護(hù)電路(3.(1) 保護(hù)電路電力電子電路運(yùn)行不正?;蛘甙l(fā)生故障時(shí),可能會(huì)發(fā)生過電流。過電流分為過載和短路兩種情況。通常采用的保護(hù)措施有:快速熔斷器、 直流快速斷路器和過電流繼電器。一般電力電子裝置均同時(shí)采用集中 過流保護(hù)措施,以提高保護(hù)的可靠性和合理性。綜合本次設(shè)計(jì)電路的特點(diǎn),采用快速熔斷器,即給晶閘管串聯(lián)一個(gè)保 險(xiǎn)絲實(shí)施電流保護(hù)。如圖5電流保護(hù)電路所示。對(duì)于所選的保險(xiǎn)絲, 遵從I八2t值小于晶閘管的允許I八2t值(3.(2) 保護(hù)電路電力電子裝置中可能發(fā)生的過電壓分為外因過電壓和內(nèi)因過電壓兩類。外因過電壓主要來自雷
17、擊和系統(tǒng)中的操作過程等外部原因。本設(shè)計(jì)主要用于室內(nèi),為了使用方便不考慮來自雷擊的威脅。操作過電壓是由分閘、合閘的開關(guān)操作引起的過電壓,電網(wǎng)側(cè)的操 作過電壓會(huì)由供電變壓器磁感應(yīng)耦合,或由變壓器繞組之間存在的分 布電容靜感應(yīng)耦合過來。內(nèi)因過電壓主要來自電力電子裝置內(nèi)部器件 的開關(guān)過程,包括:換相過電壓,關(guān)斷過電壓。根據(jù)以上產(chǎn)生過電壓的的各種原因,設(shè)計(jì)相應(yīng)的保護(hù)電路。如圖 6 過壓保護(hù)電路所示。其中:圖中是利用一個(gè)電阻加電容進(jìn)行電壓抑制, 當(dāng)電壓過高時(shí),保護(hù)電路中的電容會(huì)阻礙其電壓的上升, 從而使得電 力電子器件IGBT管因電壓過高厄爾損壞。圖3中的電阻可以是1KQ 左右的電阻,而電容的值可以為10
18、0 F左右,這樣形成一個(gè)保護(hù)電路6五、電路仿真分析圖9、驅(qū)動(dòng)電壓V1(幅值4v)圖10、V2 (沒有驅(qū)動(dòng)MOSFET管)圖11、V1設(shè)為15V圖13、輸出紋波六、設(shè)計(jì)小結(jié)回顧起此次的電力電子課程之 MOSFET升壓斬波電路設(shè)計(jì),感 慨頗多,它使我有了很多的心得體會(huì),可以說這次MOSFET升壓斬波 電路設(shè)計(jì)是在自己用心努力和在老師的精心指導(dǎo)下共同完成的。在兩個(gè)星期的日子里,可以說自己每天都充滿著壓力與忙碌, 自 己也的確從此次安排的課程設(shè)計(jì)中學(xué)到了很多東西。 設(shè)計(jì)過程中,因 為是第一次做,難免會(huì)遇到各種各樣的問題。在設(shè)計(jì)的過程中發(fā)現(xiàn)了 自己的不足之處,對(duì)以前所學(xué)過的知識(shí)理解得不夠深刻, 掌握得不
19、夠 牢固。通過查閱大量有關(guān)資料,并與同課題同學(xué)互相討論,交流經(jīng)驗(yàn) 和自學(xué),若遇到實(shí)在搞不明白的問題就會(huì)及時(shí)請(qǐng)教老師,使自己經(jīng)歷了不少艱辛,但收獲同樣巨大,學(xué)到了不少知識(shí)。通過本次課程設(shè)計(jì)讓我更加的深刻的理解了斬波器的原理,從而由斬波器這個(gè)小小的器 件體會(huì)到了電力電子這門學(xué)科的重要性。 課程設(shè)計(jì)不僅需要靈活的運(yùn) 用書本上以及課堂上的知識(shí),還需要自己運(yùn)用電腦上網(wǎng)搜索相關(guān)信心 和操作相關(guān)的軟件來更好的達(dá)到設(shè)計(jì)的目的。 這讓我不僅鞏固了老師 所傳授的書本上的知識(shí),而且鍛煉了自己解決實(shí)際問題的能力。通過課程設(shè)計(jì)還拓寬了知識(shí)面,學(xué)到了很多課本上沒有的知識(shí), 報(bào)告只有自己去做能加深對(duì)知識(shí)的理解, 任何困難只有自己
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