第八章 智能儀器抗干擾技術

1、第八章第八章 智能儀器的抗干擾技術智能儀器的抗干擾技術 8.1 8.1 干擾及干擾的耦合方式干擾及干擾的耦合方式8.2 8.2 智能儀器抗干擾技術智能儀器抗干擾技術8.1 8.1 干擾及干擾的耦合方式干擾及干擾的耦合方式1 1） 干擾的來源干擾的來源(1) 自然因素。例如，宇宙射線、太陽黑子、雷電等導致的干擾。 (2) 周圍設備。例如，動力線路中的火花與電弧，汽車的點火裝置，各種電機、電氣設備的接通與斷開引起的電網(wǎng)沖擊； 高頻設備、可控硅設備引起的電源波形畸變； 電磁場發(fā)射、 靜電干擾等。 (3）元器件物理性質。例如，分布電容、熱噪聲等引起的干擾。 (4）結構設計不合理。例如，印刷板布線不合理

2、，元器件布設位置不當?shù)纫鸬母蓴_。 2 2） 干擾的耦合方式干擾的耦合方式（1） 傳導耦合干擾通過導線進入電路，稱為傳導耦合。電源線、輸入輸出線等都有可能將干擾引入儀器。例如， 由交流電源進線引入的高頻干擾，其頻帶甚寬，這種高頻成分的干擾信號是在電網(wǎng)中大的負載切換時產(chǎn)生的。當電網(wǎng)中有大的感性負荷或可控硅切換時，便會產(chǎn)生瞬時電壓，引起電網(wǎng)電壓波形的畸變， 如圖所示。這一干擾電壓主要將沿著電源引入線變壓器儀器系統(tǒng)大地負載突變處的途徑傳播。 0Ut負 載 突 變 時 的電 壓 波 形（2） 公共阻抗耦合在智能儀器中，電路各部分之間經(jīng)常是共用電源和地線的。 這樣，電源和地線的阻抗就成了各部分之間的公共

3、阻抗。當某部分的電流經(jīng)過公共阻抗時，阻抗的壓降就成了其他部分的干擾信號。圖7-3是公共電源內阻耦合干擾示意圖，儀器的N個電路共用一個電源，因內阻抗和線路阻抗的影響，電路N中電流的任何變化均會影響電路1至N-1的工作。圖是公共地線阻抗耦合干擾信號的示意圖。在圖中（a）、（b）兩種情況下， 兩部分電路的信號變化會互相干擾，（c）中的接地措施則可避免這種干擾。 公共電源內阻耦合干擾 電路1電源電源內阻線路阻抗電路 N公共地線阻抗耦合干擾信號的示意圖 模 擬系 統(tǒng)模 擬 地數(shù) 字系 統(tǒng)數(shù) 字 地(a)模 擬系 統(tǒng)數(shù) 字系 統(tǒng)(b)ZC M模 擬系 統(tǒng)數(shù) 字系 統(tǒng)(c)（3） 靜電耦合在系統(tǒng)內部、元件之

4、間、元件和導線之間等地方，均存在著分布電容。各種干擾信號很容易通過分布電容進行傳遞， 這也稱為靜電耦合。圖是兩根平行導線之間的靜電耦合情況。 U1C1gC12RC2gUnU1C1gRC2gC121號Un2號兩根平行導線之間的靜電耦合 圖中1號導線對2號導線有分布電容C12存在，兩根導線對地分別有C1g和C2g存在。如果1號導線上有干擾源U1存在，則2號導線上出現(xiàn)的干擾電壓為 1g21212n1)(jjUCCRRCU當連至2號導線上的電阻R滿足下述條件 )(j1g212CCR則上式可簡化為 Un=jRC12U1 （4） 電磁耦合電磁耦合是通過電路之間的互感耦合的。對圖所示的兩條平行線而言，它們之

5、間的互感M可以用下式表示： H101log27222ldldddlllM式中，l為導線長度；d為導線間距。 ld兩條平行導線線路 當ld 時 H1012log27dllM通常，當有電磁耦合時，若感應側導線的電流為In，則感應電壓Em可用下式表示： Em=jMIn 另外，智能儀器內部線圈或變壓器的漏磁是對鄰近電路的一種比較嚴重的干擾。MUnIn3 3） 干擾的抑制干擾的抑制要消除干擾，只要能夠去掉形成干擾的三個基本條件之一即可。首先首先是清除或抑制干擾源清除或抑制干擾源，這是最積極、主動的措施。 內部干擾源可以通過合理的電氣設計在一定程度上予以消除；外部干擾源有的可以采取措施給以抑制或消除。例如

6、，各種電接點在通斷時產(chǎn)生的電火花是較強的干擾源，可以采取觸點消弧來抑制干擾，也可以在觸點上并接消弧電容。但是，有些外部干擾源是難以消除甚至是不可能消除的，例如儀表以外的其他用電設備、雷電等造成的干擾。 所以，可以認為干擾源一般總是存在的，只能從其他方面采取措施來解決。其次其次，對于接收干擾的敏感單元，雖然可以在設計時從元器件的選取、 電路的布置、放大器的輸入阻抗的適當改變、負反饋或選頻技術的采取等加以改善，但回旋余地也不大，因為一般不能為了抗干擾而改變系統(tǒng)的工作原理或降低系統(tǒng)的靈敏度。最后最后是破壞干擾的傳輸通道，抗干擾的主要工作是圍繞這一部分展開的抗干擾的主要工作是圍繞這一部分展開的。 8.

7、2 8.2 智能儀器抗干擾技術智能儀器抗干擾技術1 1） 供電系統(tǒng)的抗干擾措施供電系統(tǒng)的抗干擾措施目前，大部分智能儀器采用多使用220V，50Hz的市電，由于我國電網(wǎng)的頻率與電壓波動較大，都會直接對系統(tǒng)產(chǎn)生干擾，因此必須對系統(tǒng)的供電采取一些抗干擾措施。通常，電源干擾有過壓、欠壓、浪涌、 下陷、 尖峰電壓和射頻干擾等。 常用的供電系統(tǒng)抗干擾技術有：常用的供電系統(tǒng)抗干擾技術有：l 采用隔離變壓器l 采用電源低通濾波器l 采用交流穩(wěn)壓器l 系統(tǒng)分別供電l 采用電源模塊單獨供電l 供電系統(tǒng)要合理布線數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)電源電網(wǎng)(1)(1)采用隔離變壓器采用隔離變壓器 一般說來，電網(wǎng)與數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)分別有各自的地

8、線，在應用中，如果直接把數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)與電網(wǎng)相連，兩者的地線之間存在地電位差，如圖所示，由于地電位差的存在而形成環(huán)路電流，造成共模干擾。因此數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)必須與電網(wǎng)隔離，通常采用隔離變壓器進行隔離。考慮到高頻噪聲通過變壓器不是靠初、次級線圈的互感耦合，而是靠初、次級間寄生電容耦合。因此隔離變壓器的初級和次級之間均用屏蔽層隔離，以減少其寄生電容，提高抗共模干擾能力。系統(tǒng)與電網(wǎng)的隔離如圖所示。系統(tǒng)的地接入標準地線后，由于采用了隔離變壓器，使電網(wǎng)地線的干擾不能進入系統(tǒng)，從而保證數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)可靠的工作。數(shù)據(jù)采集數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)電源系統(tǒng)電源電網(wǎng)電網(wǎng)隔離變壓器隔離變壓器 由于電網(wǎng)的干擾大部分是高次諧波，故采用低通

9、濾波器來消除大于50Hz的高次諧波，以改善電源的波形。為避免低通濾波器進入磁飽和狀態(tài)，需要在干擾進入低通濾波器前加以衰減，為此，常在電源低通濾波器前，加設一個分布參數(shù)噪聲衰減器。使用低通濾波器時，應注意以下幾點： 低通濾波器本身應屏蔽，而且屏蔽盒與系統(tǒng)的機殼要保持良好的接觸。 為減少耦合，所有導線要靠近地面進行隔離。 低通濾波器的輸入與輸出端要進行隔離。 低通濾波器的位置應盡量靠近需要濾波的地方，其間的連線也要進行屏蔽。 用來保證交流供電的穩(wěn)定性，防止交流電源的過壓或欠壓。對于系統(tǒng)來說，這是目前最普遍采用的抑制電網(wǎng)電壓波動的方法，在具體使用時，應保證有一定的功率儲備。（4 4）系統(tǒng)分別供電）系

10、統(tǒng)分別供電（3 3）采用交流穩(wěn)壓器）采用交流穩(wěn)壓器 為了阻止從供電系統(tǒng)竄入的干擾，一般采用如圖所示的供電線路，即交流穩(wěn)壓電源串接隔離變壓器、分布參數(shù)噪聲衰減器和低通濾波器，以便獲得較好的抗干擾效果。交流交流穩(wěn)壓器穩(wěn)壓器隔離隔離變壓器變壓器分布參數(shù)分布參數(shù)衰減器衰減器低通低通濾波器濾波器直流直流穩(wěn)壓器穩(wěn)壓器至電路至電路數(shù)據(jù)采集數(shù)據(jù)采集220V220V交流交流穩(wěn)壓器穩(wěn)壓器隔離隔離變壓器變壓器分布參數(shù)分布參數(shù)衰減器衰減器低通低通濾波器濾波器直流直流穩(wěn)壓器穩(wěn)壓器至電路至電路數(shù)據(jù)采集數(shù)據(jù)采集220V220V交流交流穩(wěn)壓器穩(wěn)壓器隔離隔離變壓器變壓器低通低通濾波器濾波器至繼電器至繼電器磁帶機等磁帶機等 當系

11、統(tǒng)中使用繼電器、磁帶機等電感設備時，向采集系統(tǒng)電路供電的線路應與繼電器等供電的線路分開，以避免在供電線路之間出現(xiàn)相互干擾。（5 5）采用電源模塊單獨供電）采用電源模塊單獨供電 在一些數(shù)據(jù)采集板卡系統(tǒng)上，廣泛采用DC-DC電源電路模塊，或三端穩(wěn)壓集成塊組成的穩(wěn)壓電源單獨供電。采用單獨供電方式，與集中供電相比，具有以下一些優(yōu)點： 每個電源模塊單獨對相應板卡進行電壓過載保護，不會因某個穩(wěn)壓器的故障而使全系統(tǒng)癱瘓。 有利于減小公共阻抗的相互耦合及公共電源的相互耦合，大大提高供電系統(tǒng)的可靠性，也有利于電源的散熱。 總線上電壓的變化，不會影響板卡上的電壓，有利于提高系統(tǒng)的工作可靠性。（6 6）供電系統(tǒng)要合

12、理布線）供電系統(tǒng)要合理布線 在數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中，電源的引入線和輸出線以及公共線在布線時，均需采取以下抗干擾措施：A）電源線前面的一段布線，從電源引入口，經(jīng)開關器件至低通濾波器之間的饋線，盡量用粗導線。B）電源后面的一段布線 均應采用扭絞線，扭絞的螺距要小。如果導線較粗，無法扭絞時，應把饋線之間的距離縮到最短。 交流線、直流穩(wěn)壓電源線、邏輯信號線和模擬信號線、繼電器等感性負載驅動線、非穩(wěn)壓的直流線均應分開布線。 C）電路的公共線電路中應盡量避免出現(xiàn)公共線，因為在公共線上，某一負載的變化引起的壓降，都會影響其他負載。若公共線不能避免，則必須把公共線加粗，以降低阻抗。2 2） 過程通道干擾及抗干擾措施

13、過程通道干擾及抗干擾措施過程通道是前向接口、后向接口與主機或主機相互之間進行信息傳輸?shù)穆窂剑?在過程通道中長線傳輸?shù)母蓴_是主要因素。例如，按照經(jīng)驗公式經(jīng)驗公式計算，當計算機主振頻率為1 MHz且傳輸線大于0.5 m， 或主振頻率為4 MHz且傳輸線大于0.3 m時，即作為長線傳輸處理。 微機應用系統(tǒng)中，傳輸線的信息多為脈沖波，它在傳輸線上傳輸時會出現(xiàn)延時、畸變、衰減與通道干擾。為了保證長線傳輸?shù)目煽啃?，主要措施主要措施有光電耦合隔離、雙絞線傳輸、阻抗匹配等。 （1） 光電耦合隔離措施光電耦合器件是以光為媒介傳輸信號的集成化器件。采用光電耦合器可以將主機與前向、后向以及其他主機部分切斷電路的聯(lián)系

14、，以有效地防止干擾從過程通道進入主機。下圖為常用光電耦合器的幾種基本結構形式。1243發(fā)光二極管光敏三極管(a)1265發(fā)光二極管光敏二極管(b)341265發(fā)光二極管光敏三極管(c)34 光電耦合器的基本結構形式 光電耦合的主要優(yōu)點光電耦合的主要優(yōu)點是能有效地抑制尖峰脈沖及各種噪聲干擾，從而使過程通道上的信噪比大大提高。光電耦合具有很強的抗干擾能力，這是因為： 光電耦合器的輸入阻抗很小，一般為100 1 k， 而干擾源內阻一般很大，通常為105108 。根據(jù)分壓原理可知，這時能饋送到光電耦合器輸入端的噪聲自然會很小。 干擾噪聲雖有較大的電壓幅度，但所能提供的能量卻很小，只能形成微弱的電流。而

15、光電耦合器輸入部分的發(fā)光二極管只有在通過一定強度的電流時才能發(fā)光；輸出部分的光敏三極管也只在一定光強下才能工作。因此，既使有很高的電壓幅值的干擾，由于不能提供足夠的電流而不能使二極管發(fā)光， 從而被抑制掉了。 光電耦合器是在密封條件下實現(xiàn)輸入回路與輸出回路的光耦合的，不會受到外界光的干擾。 輸入回路與輸出回路之間的分布電容極小，一般僅為0.52 pF，而且絕緣電阻又非常大，通常為10111013 。 因此，回路一邊的各種干擾噪聲都很難通過光電耦合器饋送到另一邊去。 RLR1UCC(5 V)UiVDUo圖7-11 光電耦合器應用原理 （2） 光耦在數(shù)字量輸入通道中的應用。二極管三極管型光電耦合器作

16、為實施智能儀器的數(shù)字量輸入通道與干擾源之間的電氣隔離的一種具體應用如圖7-11 所示。圖中R1為限流電阻，VD為反向保護二極管，RL是光敏三極管的負載電阻。當代表數(shù)字量輸入的Ui為高電平,并驅動發(fā)光二極管導通,從而使光敏三極管導通時，光電耦合器的輸出Uo為低電平（TTL為邏輯0）；反之，（即Ui為低時），Uo為高電平（TTL為邏輯1）。 下面以GO130光電耦合器為例，說明圖中R1和RL的選取原則。當發(fā)光二極管在導通電流為IF=10 mA 時，正向壓降UF1.3 V， 而光敏三極管導通時的壓降UCE=0.4 V。假設輸入信號的邏輯1電平為Ui=12 V，并取光敏三極管導通電流IC=2 mA，則

17、R1和RL可用下式計算：k3 . 224 . 05k07. 1103 . 112CCECCFFi1IUURIUURL應用中請注意，無論光電耦合器是用在數(shù)字量輸入通道，還是數(shù)字量輸出通道，其輸入部分和輸出部分必須分別采用獨立的電源。 如果兩側共用一個電源，就會形成公共的地線回路， 從而使光電隔離作用失去意義。 （3） 光耦在數(shù)字量輸出通道中的應用。功率場效應管是一種常用的中等功率的開關量輸出驅動器件，為提高此類開關量輸出通道的抗干擾能力，亦可采用光電耦合器來切斷智能儀器與被控開關量之間的電氣聯(lián)系，如圖所示。 它由光電耦合器GD、晶體管V1、V2及有關電阻組成。當從輸入端Ui輸入低電平時，光電耦合

18、器中的發(fā)光二極管發(fā)光，光敏三極管導通，從而使晶體管V1截止，V2亦截止，進而使功率場效應管V3導通；反之功率場效應管V3截止。 R15 VUiGDR2R3V1UDR4R5V2R6R7UDV3R8Uo采用光電耦合器的驅動電路 （4） 雙絞線傳輸雙絞線雙絞線對電場的耦合干擾不起抑制作用，但可對磁場耦合起抑制作用。在微機實時系統(tǒng)的長線傳輸中，雙絞線是較常用的一種傳輸線，與同軸電纜相比， 雖然頻帶較差，但波阻抗高， 抗共模噪聲能力強。雙絞線能使各個小環(huán)路的電磁感應干擾相互抵消，故對電磁場具有一定抑制效果。盡管如此， 但雙絞線并不能完全消除磁場耦合干擾的影響，這是因為生產(chǎn)工藝決定了絞扭所形成的各小塊面積

19、不可能絕對相等，當然方向也就不可能絕對相反，所以要想把磁場干擾全部抑制掉是不可能的。 （5） 長線傳輸?shù)淖杩蛊ヅ溟L線傳輸時，阻抗不匹配的傳輸線會產(chǎn)生反射，使信號失真。為了對傳輸線進行阻抗匹配，必須估算出它的特性阻抗Rp。 利用示波器觀察的方法可以大致測定特性阻抗的大小，其測定方法如圖7-13所示。調節(jié)可變電阻RW，當RW與Rp相等（匹配）時，A門的輸出波形畸變最小，反射波幾乎消失，這時的RW值可認為是該傳輸線的特性阻抗Rp。同軸電纜特性阻抗的計算公式： dDCLZslg138c式中： L單位長度的電感（H）； C單位長度的電容（F）； D外部導體的內徑； d內部導體的外徑； s介質的相對介質電

20、系數(shù)。 傳輸線特性阻抗測試示 波 器 觀 察 點A門RWRp傳輸線的四種阻抗匹配方式 (a) 終端并聯(lián)阻抗匹配； (b) 始端串聯(lián)阻抗匹配(c) 終端并聯(lián)隔直流匹配； (d) 終端接箝位二極管匹配 A門RpR2R1 5 VB門(a)A門B門(b)RA門B門(c)RCA門B門(d)VRpRpRp（a） 終端并聯(lián)阻抗匹配。如圖（a）所示，R1、R2為終端匹配電阻，Rp為雙絞線特性阻抗，Rp的值可按Rp=R1R2/(R1+R2)的要求選取。一般取R1為220330 ，而R2可在270390 范圍內選取。這種匹配方法由于終端阻值低， 相當于加重負載，使高電平有所下降，故高電平的抗干擾能力有所下降。 （

21、b） 始端串聯(lián)阻抗匹配。如圖（b）所示，在長的始端串入電阻， 增大長線的特性阻抗以達到和終端輸入阻抗匹配的目的。匹配電阻R的取值為Rp與A門輸出低電平時的輸出阻抗Rsol（約20 ）之差（即，R=Rp-Rsol）。 這種匹配方法的主要缺點是會使終端的低電平抬高，相當于增加了輸出阻抗，降低了低電平的抗干擾能力。 （3） 終端并聯(lián)隔直流匹配。 如圖 (c)所示，因電容C在較大時只起隔直流作用，并不影響阻抗匹配，所以只要求匹配電阻R與Rp相等即可。它不會引起輸出高電平的降低，故增加了對高電平的抗干擾能力。電容的取值為 p111010RRTRRTC式中: T傳輸脈沖寬度； R1始端阻件低電平輸出阻抗，

22、約20； R匹配阻抗； Rp特性阻抗。 （4） 終端接箝位二極管匹配。如圖(d)所示，利用二極管V把B門輸入端低電平箝位在0.3 V以下，可以減少波的反射、 振蕩以及線間竄擾， 提高動態(tài)抗干擾能力。 4 4） 長線傳輸還應注意的問題長線傳輸還應注意的問題（1） 輸出端帶長線后， 近處不能再帶其他負載（如圖所示）。 A門輸出端不準接負載 A門B門不準接負載（2） 觸發(fā)器輸出需要隔離后才可傳輸（如圖所示）。 隔離后進行傳輸示意圖 B門隔離門AB（3） 用變壓器耦合不共地長線傳輸（如圖所示）。 這種線路不但可用變壓器實現(xiàn)，也可用光電耦合器件實現(xiàn)。 改變單穩(wěn)電路的參數(shù)可以得到不同寬度的傳輸脈沖。它適合

23、于CPU與內存、 外設以及A/D、 D/A等進行單向信息傳輸。 單穩(wěn)YF5 V長線5 VYF輸出不共地 不共地長線傳輸 （4） 用“OC”門（集電極開路門）作雙向總線傳輸。 “OC”門的最大特點是可以把輸出端并聯(lián)在一起，而一般的TTL 電路輸出端不能并聯(lián)在一起。因為當一個處于截止狀態(tài)的與非門和一個處于導通狀態(tài)的與非門并聯(lián)在一起時，將產(chǎn)生很大的導通電流，約50 mA，這可能引起器件損壞； 所以必須用晶體管隔離后才能進行雙向總線傳輸， 而“OC”門可以直接用來為單向、雙向總線傳輸。 由于負脈沖傳輸抗干擾能力較正脈沖強，因此，一般在長線傳輸時，采用負脈沖傳輸，而且在速度要求不高時，在始端用驅動器比用

24、一般的TTL好些。 3 3） 印制電路板及電路的抗干擾設計印制電路板及電路的抗干擾設計（1 1） 地線設計地線設計微機系統(tǒng)中地線結構大致有系統(tǒng)地、機殼地（屏蔽地）、 數(shù)字地（邏輯地）和模擬地等。在微機實時控制系統(tǒng)中， 接地是抑制干擾的重要方法，如能將接地和屏蔽正確結合起來使用,可以解決大部分干擾問題。 （a） 單點接地與多點接地的選擇。在低頻電路中， 信號的工作頻率小于1 MHz時，它的布線和元器件間的電感影響較小，而接地電路形成的環(huán)流對干擾影響較大， 因而屏蔽線采用單點接地。當信號工作頻率大于10 MHz時，地線阻抗變得很大，此時應盡量降低地線阻抗，應采用就近多點接地法。當工作頻率在110

25、MHz之間時，如果用單點接地，其地線長度不應超過波長的1/20，否則宜采用多點接地法。 （b） 數(shù)字、模擬電路分開。電路板上既有高速邏輯電路， 又有線性電路，應使它們盡量分開，而兩者的地線不要相混， 分別與電源端地線相連。要盡量加大線性電路的接地面積。（c） 接地線應盡量加粗。若接地所用線條很細，接地電位則將隨電流的變化而變化，致使微機的定時信號電平不穩(wěn)， 抗噪聲性能變壞，因此應將接地線條加粗。 （d） 接地線構成閉合環(huán)路。只用數(shù)字電路組成的印制電路板接地時，將接地電路做成閉合環(huán)路大多都明顯地提高抗噪聲能力。其原因是：一塊印制電路板上有很多集成電路，尤其遇有耗電多的元件時，因受到線條粗細限制，

26、地線產(chǎn)生電位差， 引起抗噪聲能力下降。 （2 2） 電源線布置電源線布置電源線的布線過程中，除了要根據(jù)電流的大小，盡量加粗導體寬度外，還應采取使電源線、地線的走向與數(shù)據(jù)傳遞的方向一致， 這將有助于增強抗噪聲能力。 （3 3） 去耦電容配置去耦電容配置在印制電路板的各個關鍵部位配置去耦電容應視為印制電路板設計的一項常規(guī)做法。 （a） 電源輸入端跨接10100 F的電解電容器。 如有可能，接100 F以上更好。 （b） 原則上，每個集成電路芯片都應安置一個0.01 F的陶瓷電容器鉭電容器。這種器件的高頻阻抗特別小， 在500 kHz20 MHz范圍內阻抗小于1 ，而且漏電流很?。?.5 A以下）。

27、 （c） 對于抗噪聲能力弱、關斷時電流變化大的器件和ROM、RAM存儲器件，應在芯片的電源線（UCC）和地線（GND）間直接接入去耦電容。 （d）電容引線不能太長，特別是高頻旁路電容不能帶引線。 4 4） 印制電路板的尺寸與器件布置印制電路板的尺寸與器件布置印制電路板大小要適中，過大時，印制線條長，阻抗增加，不僅抗噪聲能力下降，成本也高；過小時，散熱不好， 同時易受鄰近線條干擾。 在器件布置方面，與其他邏輯電路一樣，應把相互相關的器件盡量放得靠近些，能獲得較好的抗噪聲效果。如時鐘發(fā)生器、晶振和CPU的時鐘輸入端都易產(chǎn)生噪聲，要相互靠近些。易產(chǎn)生噪聲的器件、小電流電路、大電流電路等應盡量遠離計算

28、機邏輯電路，如有可能，應另做電路板，這一點十分重要。 另外， 還應考慮電路板在機箱中放置的方向， 將發(fā)熱量大的器件放置在上方。 5） 其他其他微機系統(tǒng)中電路的抗干擾設計與具體電路有密切關系， 并無嚴格規(guī)定，要注意積累經(jīng)驗，例如： （1） 單片機復位端子“RESET”在強干擾現(xiàn)場會出現(xiàn)尖峰電壓干擾，雖不會造成復位干擾，但可能改變部分寄存器狀態(tài)， 因此可以在“RESET”端配以0.01 F去耦電容。 （2） CMOS芯片的輸入阻抗很高，易受感應，故在使用時， 對其不用端要接地或接正電源。 （3） 按鈕、繼電器、接觸器等零部件在操作時均會產(chǎn)生較大火花，必須利用RC電路加以吸收，其方法如圖所示。 一般

29、R取12 k、C取2.24.7 F。 采用RC電路減少干擾 RC繼 電 器RC按 鈕RC接 觸 器4） 空間干擾及抗干擾措施空間干擾及抗干擾措施 （1） 浮地與接地 浮地是指智能儀器全機浮空，即儀器各個部分與大地浮置起來。這種方法簡單，但儀器與大地的絕緣電阻不能小于50 M。這種方法有一定的抗干擾能力，但一旦絕緣下降便會帶來干擾；另外，浮空容易產(chǎn)生靜電，導致干擾。 還有一種方法，就是將儀器的機殼接地，其余部分浮空。 這種方法抗干擾能力強，而且安全可靠，不過制造工藝復雜， 實現(xiàn)起來困難。一般情況下，智能儀器系統(tǒng)還是以接大地為好。 （2） 屏蔽地 這類地是指對電場、磁場的屏蔽。根據(jù)屏蔽目的的不同， 屏蔽接法也不一樣。電場屏蔽解決分布電容問題，一般接大地；電磁場屏蔽主要避免雷達、短波電臺，這種高頻電磁場輻射干擾，可利用低阻金屬材料高導流而制成，可以接大地也可以不接，而以接大地為好