半導(dǎo)體物理學(xué)期末復(fù)習(xí)試習(xí)題及答案一

1、一、 選擇題1. 與絕緣體相比，半導(dǎo)體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需要的能量（ B ）。A. 比絕緣體的大 B. 比絕緣體的小 C. 和絕緣體的相同 2. 受主雜質(zhì)電離后向半導(dǎo)體提供（ B ），施主雜質(zhì)電離后向半導(dǎo)體提供（ C ），本征激發(fā)向半導(dǎo)體提供（ A ）。A. 電子和空穴 B. 空穴 C. 電子 3. 對(duì)于一定的N型半導(dǎo)體材料，在溫度一定時(shí)，減小摻雜濃度，費(fèi)米能級(jí)會(huì)（ B ）。A. 上移 B. 下移 C. 不變 4. 在熱平衡狀態(tài)時(shí)，P型半導(dǎo)體中的電子濃度和空穴濃度的乘積為常數(shù)，它和（ B ）有關(guān)A. 雜質(zhì)濃度和溫度 B. 溫度和禁帶寬度 C. 雜質(zhì)濃度和禁帶寬度 D. 雜質(zhì)類(lèi)型和溫度5.

2、MIS結(jié)構(gòu)發(fā)生多子積累時(shí)，表面的導(dǎo)電類(lèi)型與體材料的類(lèi)型（ B ）。A. 相同 B. 不同 C. 無(wú)關(guān)6. 空穴是( B )。A.帶正電的質(zhì)量為正的粒子 B.帶正電的質(zhì)量為正的準(zhǔn)粒子 C.帶正電的質(zhì)量為負(fù)的準(zhǔn)粒子 D.帶負(fù)電的質(zhì)量為負(fù)的準(zhǔn)粒子7. 砷化稼的能帶結(jié)構(gòu)是（ A ）能隙結(jié)構(gòu)。 A. 直接 B. 間接8. 將Si摻雜入GaAs中，若Si取代Ga則起（ A ）雜質(zhì)作用，若Si取代As則起（ B ）雜質(zhì)作用。 A. 施主 B. 受主 C. 陷阱 D. 復(fù)合中心9. 在熱力學(xué)溫度零度時(shí)，能量比小的量子態(tài)被電子占據(jù)的概率為（ D ），當(dāng)溫度大于熱力學(xué)溫度零度時(shí)，能量比小的量子態(tài)被電子占據(jù)的概率為

3、（ A ）。A. 大于1/2 B. 小于1/2 C. 等于1/2 D. 等于1 E. 等于010. 如圖所示的P型半導(dǎo)體MIS結(jié)構(gòu)的C-V特性圖中，AB段代表（ A ），CD段代表（B ）。A. 多子積累 B. 多子耗盡 C. 少子反型 D. 平帶狀態(tài)11. P型半導(dǎo)體發(fā)生強(qiáng)反型的條件（ B ）。A. B. C. D. 12. 金屬和半導(dǎo)體接觸分為：（ B ）。A. 整流的肖特基接觸和整流的歐姆接觸 B. 整流的肖特基接觸和非整流的歐姆接觸 C. 非整流的肖特基接觸和整流的歐姆接觸 D. 非整流的肖特基接觸和非整流的歐姆接觸13. 一塊半導(dǎo)體材料，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，若光照忽然停止

4、后，其中非平衡載流子將衰減為原來(lái)的（ A ）。A. 1/e B. 1/2 C. 0 D. 2/e 14. 載流子的漂移運(yùn)動(dòng)是由（ A ）引起的，反映擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)強(qiáng)弱的物理量是（ B ）。A. 電場(chǎng) B. 濃度差 C. 熱運(yùn)動(dòng) D. E. F.15. 對(duì)摻雜的硅等原子半導(dǎo)體，主要散射機(jī)構(gòu)是：（ B ）。A. 聲學(xué)波散射和光學(xué)波散射 B. 聲學(xué)波散射和電離雜質(zhì)散射 C. 光學(xué)波散射和電離雜質(zhì)散射 D. 光學(xué)波散射二、 證明題 對(duì)于某n型半導(dǎo)體，試證明其費(fèi)米能級(jí)在其本征半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)之上。即EFn>Ei。三、 計(jì)算畫(huà)圖題1. 三塊半導(dǎo)體Si室溫下電子濃度分布為，,（NC=3*1019cm-3，N

5、V=1*1019cm-3，ni=1010cm-3，ln30008, ln10006.9）則（1）、計(jì)算三塊半導(dǎo)體的空穴濃度（2）、畫(huà)出三塊半導(dǎo)體的能帶圖（3）、計(jì)算出三塊半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)相對(duì)與的位置（要求n型半導(dǎo)體求ECEF，p型半導(dǎo)體求EFEv）（15分）2. 室溫下，本征鍺的電阻率為47，試求本征載流子濃度。若鍺原子的濃度為，摻入施主雜質(zhì)，使每個(gè)鍺原子中有一個(gè)雜質(zhì)原子，計(jì)算室溫下電子濃度和空穴濃度(設(shè)雜質(zhì)全部電離)。試求該摻雜鍺材料的電阻率。設(shè)， 且認(rèn)為不隨摻雜而變化。若流過(guò)樣品的電流密度為，求所加的電場(chǎng)強(qiáng)度。3. 畫(huà)出金屬和N型半導(dǎo)體接觸能帶圖（，且忽略間隙），并分別寫(xiě)出金屬一邊的勢(shì)壘高度和半導(dǎo)體一邊的勢(shì)壘高度表達(dá)式。4. 如圖所示，為P型半導(dǎo)體MIS結(jié)構(gòu)形成的能帶圖，畫(huà)出對(duì)應(yīng)的電荷分布圖。（6分）5.