單晶硅準方片技術(shù)規(guī)格_第1頁
單晶硅準方片技術(shù)規(guī)格_第2頁
單晶硅準方片技術(shù)規(guī)格_第3頁
單晶硅準方片技術(shù)規(guī)格_第4頁
單晶硅準方片技術(shù)規(guī)格_第5頁
免費預(yù)覽已結(jié)束，剩余1頁可下載查看

下載本文檔

版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請進行舉報或認領(lǐng)

文檔簡介

1、傳真：(8621)68043332卡姆丹克公司公司地址：上海南匯工業(yè)園區(qū)園迪路16號郵編:201314電話:(8621)68043010E-mail:sales單晶硅準方片技術(shù)規(guī)格編號項目規(guī)格單位NO.ITEMSSPECIFICATIONSUNITS1拉制方式CZGrowingMethod2材料Material單晶硅MonocrystallineSilicon3導(dǎo)電類型&摻雜劑Type&DopantP/BorP/Ga4硅片尺寸125*125+0.5156*1560.5mmWaferSize（見附圖1）(SeeFigure1)5直徑Diameter150+0.5200+0.5mm6垂直度Perp

2、endicularity90+0.37厚度200+20gm8Thickness總厚度變化30gmTTV9電阻率A:0.5p3B:3p10MinorityCarrierLifenS11晶向+2.0Orientation12位錯密度3000pcs/cm2DislocationDensity13氧含量OxygenContent1*1018(ASTMF121-83)atoms/cm314碳含量5*1016(ASTMF123-83)atoms/cm3CarbonContent15崩邊深度Depth0.3mm,長度Length0.5mmEdgeDefect(最多2處)(Max2pieces)16沾污無ContaminationAreaNone17線痕20SawMarkgm18翹曲度50gmWarpage硅片型號WaferType尺寸(mm)DimensionABCDMaxMinMaxMinMaxMinMaxMin125I125.5124.5150.5149.584823129125II125.5124.5165.5164.51091071311156I156.5155.5200.5199.51261

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網(wǎng)僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論