L-Edit畫與門和或門簡(jiǎn)明教程

1、L-Edit畫與門和或門簡(jiǎn)明教程西安電子科技大學(xué)上機(jī)教程2013.12.11 小韓基本操作步驟：（1）打開此程序（2）另存新文件：選擇 FileSave As（3）取代設(shè)定：選擇 FileReplace Setup命令，單擊右側(cè)的Browser，選擇F:EDA實(shí)踐Ledit90Semplessprexample1light.tdb文件，然后點(diǎn)擊ok，會(huì)出現(xiàn)警告，按確定鈕。（4）繪制N Well圖層：橫向34格，縱向19格繪制圖層信息在窗口左下角顯示（有圖層類型，寬度，長(zhǎng)度，坐標(biāo)等）繪圖完成后，通過alt+鼠標(biāo)左鍵或者直接用鼠標(biāo)滾輪來調(diào)整圖層大小和位置。Ctrl+鼠標(biāo)滾輪來調(diào)整窗口大小。home

2、鍵將圖層放置到整個(gè)繪圖窗口中心位置。（5）繪制Active圖層：橫向22格，縱向9格（6）繪制P Select圖層：橫向28格，縱向14格（7）繪制Poly 圖層：據(jù)橫向2 格，縱向14格完成后進(jìn)行DRC檢查，單擊工具欄按鈕，或者ToolsDRC，在檢查完畢后會(huì)出現(xiàn)DRC檢查結(jié)果，No DRC errors found 說明沒有設(shè)計(jì)規(guī)則錯(cuò)誤如果有錯(cuò)誤，選中 Display DRC Error Navigator 復(fù)選框，點(diǎn)擊OK，會(huì)出現(xiàn)錯(cuò)誤提示窗口，展開錯(cuò)誤標(biāo)記。雙擊Error3,在版圖中出現(xiàn)錯(cuò)誤提示，這時(shí)可以通過alt+鼠標(biāo)左鍵來調(diào)整圖形大小位置來消除DRC錯(cuò)誤，最后點(diǎn)擊DRC圖標(biāo)，反復(fù)修改

3、，直到錯(cuò)誤消除，這時(shí)繪圖窗口將會(huì)恢復(fù)之前的狀態(tài)。（8）繪制Active Contact 圖層：橫縱2格，然后DRC檢查（9）繪制Metal1 圖層：縱橫4格，DRC檢查（最好每步完成后都馬上進(jìn)行DRC檢查，注意，在此之后將不再提示DRC檢查，但每步之后最好檢查）其中重復(fù)的一些操作可以通過復(fù)制來完成，該操作通過Ground 來完成。鼠標(biāo)拖動(dòng)選中要復(fù)制圖形，選擇 DrawGround（或直接Ctrl+G），完成后所選中區(qū)域?qū)?huì)變成一個(gè)整體，可以對(duì)組件進(jìn)項(xiàng)復(fù)制、移動(dòng)操作。一個(gè)組件不能對(duì)其中的單元操作，要調(diào)整組件中單元大小位置，可通過選中圖形，選擇DrawUnground（或直接Ctrl+U）解除組件

4、來完成。（10）重新命名：將Cell0 的名稱重新命名，可選擇CellRename 命令，打開Rename Cell對(duì)話框，將cell 名稱改成nandpmos（11）新增NMOS 組件：選擇CellNew 命令，打開Create New Cell 對(duì)話框，在其中的New cell name 文本框中輸入“nandnmos”，單擊OK 按鈕（12）編輯與非門的NMOS 組件：依照PMOS 組件的編輯流程，建立出Active 圖層、N Select 圖層、Poly 圖層、Active Contact 圖層與Metal1 圖層。其中，Active 寬為22個(gè)格點(diǎn)，高為9 個(gè)格點(diǎn)；Poly 寬為2

5、個(gè)格點(diǎn)，高為14 個(gè)格點(diǎn)：N Select寬為18 個(gè)格點(diǎn)，高為14個(gè)格點(diǎn)；Active Contact 寬皆為2 個(gè)格點(diǎn)，高皆為2 個(gè)格點(diǎn)：Metal1 寬皆為4 個(gè)格點(diǎn)，高皆為4 個(gè)格點(diǎn)。DRC檢查（13）設(shè)計(jì)導(dǎo)覽：選擇view 按鈕，打開Design Navigator 窗口，可以看到Exl0 文件有nandnmos與nandpmos 兩個(gè)cell （或直接點(diǎn)工具欄中的按鈕），雙擊便可直接進(jìn)入單元。（14）編輯非門的PMOS 組件：新建cell，命名為norpmos，建立出N well圖層、Active 圖層、P Select 圖層、Poly 圖層、Active Contact 圖層與M

6、etal1 圖層。其中，N well 寬為24個(gè)格點(diǎn)，高為19個(gè)格點(diǎn)；Active 寬為14個(gè)格點(diǎn)，高為9 個(gè)格點(diǎn)：Poly 寬為2 個(gè)格點(diǎn)，高為14 個(gè)格點(diǎn)：P Select寬為18 個(gè)格點(diǎn)，高為14個(gè)格點(diǎn)；Active Contact 寬皆為2 個(gè)格點(diǎn)，高皆為2 個(gè)格點(diǎn)：Metal1 寬皆為4 個(gè)格點(diǎn)，高皆為4 個(gè)格點(diǎn)。DRC檢查(15) 編輯非門的NMOS 組件：新建cell，命名為nornmos，建立出Active 圖層、N Select 圖層、Poly 圖層、Active Contact 圖層與Metal1 圖層其中，Active 寬為14個(gè)格點(diǎn)，高為5 個(gè)格點(diǎn)；Poly 寬為2 個(gè)

7、格點(diǎn)，高為9 個(gè)格點(diǎn)：N Select寬為18 個(gè)格點(diǎn)，高為9個(gè)格點(diǎn)；Active Contact 寬皆為2 個(gè)格點(diǎn)，高皆為2 個(gè)格點(diǎn)：Metal1 寬皆為4 個(gè)格點(diǎn)，高皆為4 個(gè)格點(diǎn)。DRC檢查（16）編輯PMOS 保護(hù)環(huán)（well tap）：新建cell，命名為guardpmos，建立出N well圖層、Active 圖層、N Select 圖層、Active Contact 圖層與Metal1 圖層其中，N well寬為13個(gè)格點(diǎn)，高為19 個(gè)格點(diǎn)；Active 寬為6個(gè)格點(diǎn)，高為9 個(gè)格點(diǎn)；N Select寬為10 個(gè)格點(diǎn)，高為13個(gè)格點(diǎn)；Active Contact 寬皆為2 個(gè)格點(diǎn)

8、，高皆為2 個(gè)格點(diǎn)：Metal1 寬皆為4 個(gè)格點(diǎn)，高皆為4 個(gè)格點(diǎn)。DRC檢查（17）編輯NMOS 保護(hù)環(huán)（well tap）：新建cell，命名為guardnmos，建立出Active 圖層、P Select 圖層、Active Contact 圖層與Metal1 圖層其中，Active 寬為6個(gè)格點(diǎn)，高為5 個(gè)格點(diǎn)； P Select寬為10 個(gè)格點(diǎn)，高為9個(gè)格點(diǎn)；Active Contact 寬皆為2 個(gè)格點(diǎn)，高皆為2 個(gè)格點(diǎn)：Metal1 寬皆為4 個(gè)格點(diǎn)，高皆為4 個(gè)格點(diǎn)。DRC檢查（18）編輯與門：在此，所有的cell 都已建立完畢。新建cell 命名為and，在and中選擇Ce

9、llInstance 命令，打開Select Cell to Instance 對(duì)話框，可以看到，在組件列表中有nandpmos，nandnmos , norpmos, nornmos ,guardpmos, guardnmos 這6 組件，選擇nandpmos 組件再單擊OK 按鈕，在編輯畫面多出一個(gè)nandpmos 組件，然后選擇nandnmos 組件再單擊OK 按鈕，在編輯畫面多出一個(gè)與nandpmos 重疊的nandnmos 組件，可利用Alt 鍵加鼠標(biāo)拖曳的方式分開nandpmos與nandnmos，同樣的方法分別添加其余組件。（19）連接?xùn)艠OPoly：將放置的組件在and中按位置放

10、置好，然后根據(jù)邏輯關(guān)系繪制連接?xùn)艠O的多晶層。由于電路的pmos 與nmos 的柵極極是要相連的，故直接以Poly圖層將pmos 與nmos 的Poly 相連接，繪制出Poly 寬兩個(gè)格點(diǎn)，繪制后進(jìn)行DRC檢查。（20）連接源漏極：電路的nmos 漏極與pmos 漏極是相連的，則以Metal1 連接即可，利用Metal1 將圖中的nmos 與pmos 的右邊擴(kuò)散區(qū)有接觸點(diǎn)處相連接，繪制Metal1 寬兩個(gè)格點(diǎn)、高6 個(gè)格點(diǎn)。繪制后進(jìn)行DRC檢查（21）繪制電源線和地線：由于電路需要有Vdd 電源與GND 電源，電源繪制是以Metal1圖層表示，利用Metal1 將圖中pmos 上方與nmos 下

11、方各繪制一個(gè)寬為72 個(gè)格點(diǎn)、高為5 個(gè)格點(diǎn)的電源圖樣，繪制后進(jìn)行DRC檢查（22）加入Vdd 與GND 節(jié)點(diǎn)名：?jiǎn)螕艄ぞ邫谥胁迦牍?jié)點(diǎn)按鈕（），再到編輯窗口中用鼠標(biāo)左鍵拖曳出一個(gè)與上方電源圖樣重疊的寬為72 個(gè)格點(diǎn)、高為5 個(gè)格點(diǎn)的方格后，將出現(xiàn)Edit Object(s)對(duì)話框，如圖所示。在On文本框中選中Metal1層，在Port name 文本框中輸入節(jié)點(diǎn)名稱“Vdd”，在Text Alignment 選項(xiàng)組中選擇文字相對(duì)于框的位置的右邊，單擊“確定”按鈕；同樣的方法變出GND。(23) 連接電源線與地線：根據(jù)邏輯關(guān)系，將電源線與地線和pmos，nmos，guardpmos，guardn

12、mos 連接起來。完成后DRC檢查。（24）連接與非門和反相器：先繪制反相器輸入端口，先在編輯窗口空白處進(jìn)行編輯，先繪制Poly Contact 圖層2*2，再繪制Poly 圖層5*5，接著繪制Metal1 圖層4*4使之重疊于Poly Contact 圖樣上，最后將此輸入端口圖形群組起來，先選中組合區(qū)域部分，再選擇DrawGroup 命令，會(huì)出現(xiàn)Group 對(duì)話框。在Group CellName 文本框中輸入名稱portA，之后單擊OK 按鈕。將portA移至反相器輸入端，連接非門和反相器。最后DRC檢查。（25）加入輸入端口：由于與門有兩個(gè)輸入端口，且輸入信號(hào)是從柵極(Poly)輸入，輸入

13、輸出信號(hào)由Metal2 傳入，故一個(gè)與門輸入端口需要繪制Metal2 圖層、Via 圖層、Metal1 層、Poly ontact 圖層與Poly 圖層，才能將信號(hào)從Metal2 圖層傳至Poly 層。先在編輯窗口空白處進(jìn)行編輯，最后再移至整個(gè)組件的位置。先繪制Poly Contact 圖層2*2，再繪制Poly 圖層5*5，接著繪制Metal1 圖層10*4使之重疊于Poly Contact 圖樣上，接著在Metal1 上要繪制Via 圖層2*2，Via 圖層是用來連接Metal1 圖層與Metal2 圖層的接觸孔，接著繪制Metal2 圖層4*4，它要與圖層Via 與Metal1 重疊。D

14、RC檢查。將此輸入端口圖形群組起來，先選中組合區(qū)域部分，再選擇DrawGroup 命令，會(huì)出現(xiàn)Group 對(duì)話框。在Group CellName 文本框中輸入名稱portB，之后單擊OK 按鈕。將port B 部分移至與非門柵極的位置當(dāng)成輸入端口，結(jié)果如圖所示。注意，在放置時(shí)Metal1 與Metal1 之間要距離3 個(gè)格點(diǎn)以上，并要以設(shè)計(jì)規(guī)則檢查無誤才可，復(fù)制port B 放置到另一個(gè)輸入端口，通過R鍵來旋轉(zhuǎn)portB。最后DRC檢查。（26）在port B 組件上加入節(jié)點(diǎn)名稱作為輸入點(diǎn)，需利用加入節(jié)點(diǎn)按鈕。單擊按鈕，再在Layers 面板的下拉列表中選擇Metal2 選項(xiàng)，使Metal2 圖樣被選取，再到編輯窗口中用鼠標(biāo)左鍵拖曳出一個(gè)與port B 組件的Metal2 圖樣重疊的寬為4 個(gè)格點(diǎn)、高為4 個(gè)格點(diǎn)的方格后，會(huì)出現(xiàn)Edit Object(s)對(duì)話框，在Port name 文本框輸入輸入端口名稱“A”，在Text Alignment 選項(xiàng)組選擇文字相對(duì)于框的位置的左邊，再單擊“確定”按鈕；同樣的方法標(biāo)出B輸入端口。（27）加入輸出端口：與門有一個(gè)輸出端口，先繪制Via 圖層，在反相器的Metal1 圖層上畫出橫向兩格、縱向兩格的方形，接著繪制Metal2 圖層4*4，它要與Via 與Metal1 圖層重疊。進(jìn)行DRC檢查。將繪制的輸出端口