單晶材料制備

1、現(xiàn)代材料制備技術(shù)單晶材料的制備單晶材料的制備現(xiàn)代材料制備技術(shù)一.概述n隨著現(xiàn)代科學(xué)的發(fā)展，在材料科學(xué)研究領(lǐng)域中單晶體材料占著很重要的地位。由于多晶體含有晶粒間界，人們利用多晶體來研究材料性能時在很多情況下得到的不是材料本身的性能而是晶界的性能。有的性能必須用單晶來進(jìn)行研究。其中一個著名的例子是半導(dǎo)體的電導(dǎo)率，這一性質(zhì)特別具有雜質(zhì)敏感性，雜質(zhì)容易偏析在晶界上。為了在半導(dǎo)體中測定與電導(dǎo)率有關(guān)的性質(zhì)，幾乎總是需要單晶體。晶界和所伴隨的空穴常常引起光散射，因此在光學(xué)研究中通常采用單晶體。在金屬物理領(lǐng)域內(nèi)，要研究晶界對性能的影響，人們往往也需要金屬單晶?，F(xiàn)代材料制備技術(shù)n單晶體經(jīng)常表現(xiàn)出電、磁、光、熱等

2、方面的優(yōu)異性能，用單晶做成的電子器件、半導(dǎo)體器件等應(yīng)用于現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)的許多領(lǐng)域。例如單晶體的頻率穩(wěn)定性比多晶體好得多，因此單晶的壓電晶體（如石英）被用來作為頻率控制元件。如果不是提供了優(yōu)質(zhì)半導(dǎo)體單晶，半導(dǎo)體工業(yè)的存在和發(fā)展是很難想象的。上世紀(jì)60年代以后激光技術(shù)的出現(xiàn)，對單晶體的品種和質(zhì)量提出了嶄新的要求。在電子工業(yè)、儀器儀表工業(yè)中大量應(yīng)用單晶做成器件，例如晶體管主要是由硅、鍺或砷化鎵單晶所組成；激光器的關(guān)鍵部分就是紅寶石單晶或者是釔鋁石榴石單晶；諧振器的主要部件則是石英單晶?，F(xiàn)代材料制備技術(shù)1.1單晶體的基本性質(zhì)n均勻性，即同一單晶不同部位的宏觀性質(zhì)相同。n各向異性，即在單晶的不同方向上一般

3、有不同的物理性質(zhì)。n自限性，即單晶在可能的情況下，有自發(fā)地形成一定規(guī)則幾何多面體的趨向。n對稱性，即單晶在某些特定的方向上其外形及物理性質(zhì)是相同的；這些特性為任何其他狀態(tài)的物質(zhì)如液態(tài)或固相非晶態(tài)不具備或不完全具備的。n最小內(nèi)能和最大穩(wěn)定性，即物質(zhì)的非晶態(tài)一般能夠自發(fā)地向晶態(tài)轉(zhuǎn)變。現(xiàn)代材料制備技術(shù)1.2單晶制備方法n（1）固相固相平衡的晶體生長。n主要包括：應(yīng)變退火法燒結(jié)生長同素異構(gòu)轉(zhuǎn)變現(xiàn)代材料制備技術(shù)1.2單晶制備方法n（2）液相固相平衡的晶體生長（單組分）。主要包括：定向凝固法籽晶法引上法區(qū)域熔化法?，F(xiàn)代材料制備技術(shù)1.2單晶制備方法n（3）氣相固相平衡的晶體生長。n主要包括：升華法濺射法現(xiàn)

4、代材料制備技術(shù)固相固平衡-應(yīng)變退火生長n應(yīng)變退火法常用來制備鋁單晶，也就是先產(chǎn)生臨界應(yīng)變量，然后再進(jìn)行退火，使晶粒長大以產(chǎn)生單晶。若初始的晶粒尺寸在0.1mm時，效果特別好。退火期間，有時在試樣表面優(yōu)先成核，這就影響了單晶的生長，通常認(rèn)為鋁晶核是在靠著表面氧化膜的位錯堆積處開始的，在產(chǎn)生臨界應(yīng)變后腐蝕掉約100um厚的表面層，有助于阻止表面成核?，F(xiàn)代材料制備技術(shù)應(yīng)變退火法制備鋁單晶的幾種工藝n（）先在550使純度為99.6的鋁退火，以消除原有應(yīng)變的影響和提供要求的晶粒大小，再使無應(yīng)變的晶粒較細(xì)的鋁變形以產(chǎn)生12的應(yīng)變，然后將溫度從450升至550，按25/天的速度退火。在一些場合，最后再要在6

5、00退火1h?，F(xiàn)代材料制備技術(shù)應(yīng)變退火法制備鋁單晶的幾種工藝n（）在初始退火之后，較低溫度下的所謂回復(fù)退火會減少晶粒數(shù)目，并幫助晶粒在后期退火時更快地長大。在320退火4h以得到回復(fù)，接著加熱試樣至450，并在該溫度下保溫2h，這樣便長出長約15cm、直徑約1mm的絲狀單晶?，F(xiàn)代材料制備技術(shù)應(yīng)變退火法制備鋁單晶的幾種工藝n（）在液氮溫度附近冷滾軋，繼之在640退火10s，并在水中淬火，制備了用于再結(jié)晶的鋁，此時樣品中含有2mm大小的晶粒和強(qiáng)烈的織構(gòu)，再通過一個溫度梯度退火，然后加熱到640，可得到約1m長的晶體?，F(xiàn)代材料制備技術(shù)應(yīng)變退火法制備鋁單晶的幾種工藝n（）采用交替施加應(yīng)變和退火的方法，

6、很容易制取寬25cm的高純單晶鋁帶，使用的應(yīng)變不足以使新晶粒成核，而退火溫度為640。現(xiàn)代材料制備技術(shù)液相-固相平衡之定向凝固法n通過控制過冷度實(shí)現(xiàn)定向凝固以獲得單晶的方法是由布里奇曼（Bridgman）首先使用并為斯托克巴杰（Stockbarger）所發(fā)展的，通常也稱BS法或定向凝固法。現(xiàn)代材料制備技術(shù)定向凝固法原理n本質(zhì)上，定向凝固法是借助在一個溫度梯度內(nèi)進(jìn)行結(jié)晶，從而在單一的固-液界面上成核。n要結(jié)晶的材料通常放在一個圓柱形的坩堝內(nèi)，使該坩堝下降通過一個溫度梯度，或者使加熱器坩堝上升。通常把坩堝固定在一個設(shè)計得能產(chǎn)生近似一線性梯度的溫度的爐子內(nèi)，然后冷爐子現(xiàn)代材料制備技術(shù)定向凝固法辦法n

7、通常，起初整個坩堝是熔融態(tài)的，首先成核的是幾個微晶。使這些微晶之一控制著固液界面。所采用的各種辦法如下：現(xiàn)代材料制備技術(shù)定向凝固法辦法n（）坩堝的端部是圓錐形的因此，一開始只有少量的熔體過冷。這樣只形成一個晶粒（或者最差的情況也只有幾個）。如果一個晶核的取向合適的話，它將統(tǒng)一該生長界面?，F(xiàn)代材料制備技術(shù)n（）坩堝的端部是毛細(xì)管狀的，一開始只有很少的熔體過冷。如果形成幾個微晶，當(dāng)生長界面通過毛細(xì)管時，有較多的機(jī)會使一個微晶一統(tǒng)界面。現(xiàn)代材料制備技術(shù)n（）坩堝端部是圓錐形的，圓錐區(qū)通過一毛細(xì)管和坩堝主體連接起來。這種辦法具有方法（）和（）兩者的優(yōu)點(diǎn)現(xiàn)代材料制備技術(shù)n（）坩堝端部是圓錐形的坩堝張開到

8、一合理的體積成為喇叭狀。喇叭區(qū)通過毛細(xì)管和坩堝主體連接起來，或者它和另一喇叭區(qū)相連，而此喇叭區(qū)再和坩堝主體通過毛細(xì)管連接。顯然，用許多球泡-毛細(xì)管組一級級地串聯(lián)在坩堝主體上，促使在一個很小的體積內(nèi)(圓錐形端部)發(fā)生初始成核，而有利于從小球泡內(nèi)選擇一塊單晶作為在毛細(xì)管內(nèi)生長的籽晶?，F(xiàn)代材料制備技術(shù)n在定向凝固法中常遇到的困難是沿坩堝的溫度梯度太小。很多熔體在成核前必然明顯地過冷。如果熔體足夠過冷，熱梯度又相當(dāng)小，往往在第一顆固體成核前整個試樣均在熔點(diǎn)以下。在這樣的條件下發(fā)生成核時，穿過剩余熔體的生長很快，容易形成多晶。大的熱梯度保證整個試樣尚未處在熔點(diǎn)以下之前即開始初始成核，這樣，當(dāng)熔點(diǎn)等溫線穿

9、過試樣時，單晶生長是在可控的條件下進(jìn)行。現(xiàn)代材料制備技術(shù)定向凝固法生長需要的設(shè)備n（）與要生長的化合物生長氣氛和溫度相適應(yīng)的幾何形狀合適的坩堝（或料舟）。n（）能產(chǎn)生所要求的熱梯度的爐體。n（）溫度測量和控制設(shè)備還需要溫度程序控制裝置或下降坩堝的設(shè)備?，F(xiàn)代材料制備技術(shù)定向凝固法生長的坩堝n派拉克斯玻璃（Pyrex）、外科爾玻璃（Vycor）、石英玻璃、氧化鋁、貴金屬或者石墨等材料做成的。n派拉克斯玻璃（軟點(diǎn)約600）、外科爾玻璃（軟點(diǎn)約1000）和石英玻璃（軟點(diǎn)約1200）僅用于低熔點(diǎn)材料。n把不同黏合劑成形再灼燒的氧化鋁用于鋁的生長。n石墨作為坩堝材料用來生長不易形成碳化物的金屬和某些非金屬

10、，在非氧化氣氛中至少可以用到2500。n對那些不起反應(yīng)的材料有時也采用由金屬和各種陶瓷做成的坩堝。在少數(shù)情況下，使用像碳化物甚至單晶氟化物這樣的坩堝材料。以氧化鈉（Na2O)、氧化硼（B2O3)、二氧化硅（SiO2）為基本成份的一種平板玻璃。該種玻璃成分中硼硅含量較高，分別為硼：12.513.5%，硅：7880%。故稱此類玻璃為高硼硅玻璃。特點(diǎn)是熱膨脹系數(shù)小，擁有良好的熱穩(wěn)定性、化學(xué)穩(wěn)定性和電學(xué)性能，故具有抗化學(xué)侵蝕性、抗熱沖擊性、機(jī)械性能好、使用溫度高、硬度高等特性，因此又稱為耐熱玻璃、耐熱沖擊玻璃、耐高溫玻璃，同時也是一種特種防火玻璃?，F(xiàn)代材料制備技術(shù)現(xiàn)代材料制備技術(shù)液相-固相平衡之提拉法

11、n提拉法又稱邱克拉斯基法。這種方法是熔體法中應(yīng)用最廣泛的方法?，F(xiàn)代材料制備技術(shù)提拉法的原理n（）要生長的結(jié)晶物質(zhì)材料在坩堝中熔化而不分解，不與周圍環(huán)境起反應(yīng)。n（）籽晶預(yù)熱后旋轉(zhuǎn)著下降與熔體液面接觸，同時旋轉(zhuǎn)籽晶，這一方面是為了獲得熱對稱性，另一方面也攪拌了熔體。待籽晶微熔后再緩慢向上提拉。n（）降低坩堝溫度或熔體溫度梯度，不斷提拉，使籽晶直徑變大（即放肩階段），然后保持合適的溫度梯度和提拉速度使晶體直徑不變（即等徑生長階段）。n（）當(dāng)晶體達(dá)到所需長度后，在拉速不變的情況下升高熔體的溫度或在溫度不變的情況下加快拉速使晶體脫離熔體液面。n（）對晶體進(jìn)行退火處理，以提高晶體均勻性和消除可能存在的內(nèi)

12、部應(yīng)力（晶體退火的目的也在于此）?，F(xiàn)代材料制備技術(shù)提拉法的技術(shù)要點(diǎn)n用提拉法生長高質(zhì)量晶體的主要要求是：提拉和旋轉(zhuǎn)的速率要平穩(wěn)，而且熔體的溫度要精確控制。晶體的直徑取決于熔體溫度和拉速。減小功率和降低拉速，所生長的晶體的直徑就增加，反之直徑減小。n實(shí)現(xiàn)成功的提拉必須滿足的準(zhǔn)則是：現(xiàn)代材料制備技術(shù)n（）晶體（或晶體加摻雜）熔化過程中不能分解，否則有可能引起反應(yīng)物和分解產(chǎn)物分別結(jié)晶。這樣一來成了從多組分系統(tǒng)中生長，容易產(chǎn)生與溶液生長相似的困難。如果分解產(chǎn)物是氣體，往往可以使用密閉的設(shè)備，并且可以建立起分解產(chǎn)物的平衡壓力以便抑制分解。n（）晶體不得與坩堝或周圍氣氛反應(yīng)，可在密閉的設(shè)備中充滿惰性、氧化

13、性或還原性氣氛。n（）爐子及加熱元件要保證能加熱到熔點(diǎn)，該熔點(diǎn)要低于沿用的熔點(diǎn)。n（）要能夠建立足以形成單晶材料的提拉速度與熱梯度相匹配的條件。現(xiàn)代材料制備技術(shù)提拉法的特點(diǎn)與應(yīng)用n提拉法能在較短時間內(nèi)生長出大而無位錯的晶體。半導(dǎo)體單晶Si、Ge及大多數(shù)激光晶體等都采用這種方法生長。n提拉法的基本優(yōu)點(diǎn)是能夠在控制得很好的條件下實(shí)現(xiàn)在籽晶上的生長。優(yōu)良的設(shè)備應(yīng)保證能看到籽晶和生長的晶體。實(shí)驗(yàn)者可以觀察生長過程來調(diào)整控制晶體完整性的程序。現(xiàn)代材料制備技術(shù)現(xiàn)代材料制備技術(shù)凱羅泡洛斯法（Kyropoulos）n又稱泡生法。與提拉法相近，也是將籽晶浸入盛放在合適的坩堝內(nèi)的熔體中。但籽晶不從熔體中撤出，而是

14、借助于使相應(yīng)于物質(zhì)熔點(diǎn)的等溫線從籽晶往下移向坩堝的方法獲得生長.n常常通過用籽晶架簡單地冷卻籽晶的辦法來做到這一點(diǎn)。籽晶架把爐內(nèi)大量的熱發(fā)散出去，讓坩堝通過一熱梯度或者降低在籽晶附近具有合適梯度的爐子的溫度?，F(xiàn)代材料制備技術(shù)液相-固相平衡之區(qū)域熔化技術(shù)n區(qū)域熔化技術(shù)是半導(dǎo)體提純的主要技術(shù)。也可以作為一種單晶生長技術(shù)，因?yàn)樵谟盟M(jìn)行提純時的確常常得到單晶?，F(xiàn)代材料制備技術(shù)區(qū)域熔化法的原理n要制備單晶，可將單晶體籽晶放在料舟的左邊。籽晶須部分熔化，以便提供一個清潔的生長表面。然后熔區(qū)向右移動，倘若材料很容易結(jié)晶也可以不要籽晶。熱源可以是熔體、料舟或受感器耦合的射頻加熱。其他熱源包括電阻元件的輻射加

15、熱、電子轟擊以及強(qiáng)燈光或日光的聚焦輻射.n在水平區(qū)熔中容器必須和熔體相適應(yīng)。即使熔體和料舟不起反應(yīng)也可能與之足夠浸潤，這樣，生長出的晶體會吸附在料舟上。由于冷卻時收縮的不同，這可能引起應(yīng)變，并且常使晶體很難從料舟中取出。有時用可以變形的或軟的料舟來克服這些困難。如果使料舟的左端收尖，不需要籽晶的單晶成核往往是可能發(fā)生的?，F(xiàn)代材料制備技術(shù)n圖（）表示懸浮區(qū)熔方法,首先為凱克和戈里(Keck)和(Golay)）所描述。該技術(shù)的第一個應(yīng)用是提純硅。它借助表面張力支持著試樣的熔化液區(qū)，試樣軸是垂直的。這種技術(shù)不需要容器，它是“無坩堝的”，因而與料舟的反應(yīng)不再是個問題?，F(xiàn)代材料制備技術(shù)液相-固相平衡之水

16、平區(qū)熔法n（）將結(jié)晶物質(zhì)在坩堝中制成鑄錠。n（）使坩堝一端移向高溫區(qū)域，形成熔體。n（）坩堝繼續(xù)移動，移出高溫區(qū)的熔體形成晶體，進(jìn)入高溫區(qū)的料錠熔化形成熔體。n（）坩堝的另一端移出高溫區(qū)后生長結(jié)束?，F(xiàn)代材料制備技術(shù)液相-固相平衡之浮區(qū)法n（）將多晶料棒緊靠籽晶。n（）射頻感應(yīng)加熱，使多晶料棒靠近籽晶一端形成一個熔化區(qū)，并使籽晶微熔，熔化區(qū)靠表面張力支持而不流淌。n（）同速向下移動多晶料棒和晶體，相當(dāng)于熔化區(qū)向上移動，單晶逐漸長大，而料棒不斷縮短，直至多晶料棒全部轉(zhuǎn)變?yōu)閱尉w。現(xiàn)代材料制備技術(shù)常溫溶液法-降溫法n降溫法是靠不斷降溫維持溶液過飽和，使晶體不斷生長的方法.現(xiàn)代材料制備技術(shù)常溫溶液法-

17、降溫法配制溶液，必要時進(jìn)行過濾。測定精確飽和溫度，并過熱處理。預(yù)熱籽晶，同時溶液降溫至比飽和溫度略高。種下籽晶，待其微溶時溶液降溫至飽和溫度，按降溫程序降溫，使晶體正常生長。生長結(jié)束，抽取溶液使晶體與溶液分離，將溫度降至室溫，取出晶體?，F(xiàn)代材料制備技術(shù)常溫溶液法-降溫法n由于降溫法設(shè)備簡單，所以是從溶液中培養(yǎng)晶體的一種最常用方法。其中的降溫程序是根據(jù)結(jié)晶物質(zhì)的溶解度曲線、溶液體積和晶體生長習(xí)性等制定的，只有溶解度較大、溶解度溫度系數(shù)也較大的物質(zhì)才適用本方法生長。如壓電和光電晶體NH4H2PO4、熱釋電晶體TGS等可用此法生長。熱釋電晶體就是其中的一類。有些晶體在受熱時，其兩端會產(chǎn)生符號相反的電

18、荷，冷卻時其兩端電荷的符號便逆轉(zhuǎn)。這類晶體稱為熱釋電晶體。在通常情況下，一切發(fā)熱的物體都會輻射出紅外線，人體也不例外。利用熱釋電晶體做成的熱釋電元件，再配以電子、機(jī)械等元件就可以制作紅外夜視儀。 現(xiàn)代材料制備技術(shù)常溫溶液法-流動法n流動法生長設(shè)備由三部分組成，即生長槽、飽和槽和過熱槽，它們之間以泵和管道相通，溶液在其間循環(huán)流動，每個槽都有獨(dú)立的控溫系統(tǒng)，由飽和槽和生長槽的溫差及溶液流速來控制溶液處于過飽和狀態(tài)，晶體不斷生長?，F(xiàn)代材料制備技術(shù)（）同時在三個槽內(nèi)加入一定溫度的飽和溶液，并在飽和槽中加入固態(tài)溶質(zhì)，生長槽和飽和槽均控制在飽和溫度，過熱槽控制在過熱溫度，開泵使溶液循環(huán)流動。（）平衡后，生

19、長槽升溫至比飽和溫度略高，下籽晶（事先預(yù)熱處理），待其微溶，生長槽降溫至飽和溫度（即生長溫度），及飽和槽升溫至既定溫度，恒溫，這樣生長槽的晶體不斷生長，飽和槽的溶質(zhì)不斷減少，在生長過程中，飽和槽還可以隨時補(bǔ)充固態(tài)溶質(zhì)。常溫溶液法-流動法現(xiàn)代材料制備技術(shù)n該方法的優(yōu)點(diǎn)是恒溫生長，晶體均勻性好，并可以生長特大尺寸晶體，適用于溶解度及溫度系數(shù)都較大的物質(zhì)晶體生長，也可以生長溶解度溫度系數(shù)小于零的物質(zhì)晶體。例如用于高功率激光核技術(shù)的非線性光學(xué)晶體磷酸二氫鉀KH2PO4（簡稱KDP），即用此法生長。目前國際上已將該晶體尺寸生長至米級單位。常溫溶液法-流動法現(xiàn)代材料制備技術(shù)常溫溶液法-蒸發(fā)法n對于溶解度較

20、大，溶解度溫度系數(shù)很小的物質(zhì)，不能用降溫法或流動法生長其晶體，可使用蒸發(fā)法。n該方法的原理是將溶劑不斷蒸發(fā)，使體系保持溶液的過飽和狀態(tài)。其關(guān)鍵步驟是控制溶劑的蒸發(fā)速度，使體系處于亞穩(wěn)定區(qū)內(nèi)，以實(shí)現(xiàn)晶體穩(wěn)定生長。例如在水溶液中生長光學(xué)晶體氯化鈉多采用蒸發(fā)法?，F(xiàn)代材料制備技術(shù)常溫溶液法-蒸發(fā)法現(xiàn)代材料制備技術(shù)常溫溶液法-電解溶劑法n對于溶解度較大、溶解度溫度系數(shù)較小的強(qiáng)電解質(zhì)，若對電解穩(wěn)定，可采用電解溶劑法生長其晶體。n該方法的原理是靠電解不斷將溶劑從體系除去，以維持溶液過飽和狀態(tài)，晶體不斷生長。因此，該方法關(guān)鍵是控制電解電流的大小，即溶劑的電解速度，使體系處于亞穩(wěn)區(qū)內(nèi)，以實(shí)現(xiàn)晶體的穩(wěn)定生長。現(xiàn)代

21、材料制備技術(shù)常溫溶液法-電解溶劑法現(xiàn)代材料制備技術(shù)高溫溶液法n對于一些水中難溶，而且又不適合用熔體法生長晶體的物質(zhì)，一般采用高溫（）溶液法生長其晶體。該類方法十分類似于常溫溶液法，主要區(qū)別是高溫溶液生長溫度高，體系中的相關(guān)系更復(fù)雜?，F(xiàn)代材料制備技術(shù)高溫溶液法基本原理n高溫溶液法是結(jié)晶物質(zhì)在高溫條件下溶于適當(dāng)?shù)闹蹌┲行纬扇芤?，在其過飽和的情況下生長為單晶的方法。因此，其基本原理與常溫溶液法相同。但助熔劑的選擇和溶液相關(guān)系的確定是高溫溶液法晶體生長的先決條件。n高溫溶液法中沒有一種助熔劑像常溫溶液中的水似的，能夠溶解多種物質(zhì)并適合其晶體生長。因此，助熔劑的選擇就顯得十分重要。現(xiàn)代材料制備技術(shù)高溫

22、溶液法的助熔劑n（）助熔劑對結(jié)晶物質(zhì)有足夠大的溶解度，并在生長溫度范圍內(nèi)有適當(dāng)?shù)娜芙舛葴囟认禂?shù)；n（）與溶質(zhì)的作用應(yīng)是可逆的，不形成其他穩(wěn)定化合物，所要的晶體是唯一穩(wěn)定的物相；n（）應(yīng)具有盡可能高的沸點(diǎn)和盡可能低的熔點(diǎn)，以便有較寬的生長溫度范圍供選擇；n（）助熔劑盡可能含有與結(jié)晶物質(zhì)相同的離子，避免過多的雜質(zhì)引入晶體；n（）應(yīng)具有較小的黏滯性以利于溶質(zhì)擴(kuò)散和能量托運(yùn)；（）具有很小的揮發(fā)性（揮發(fā)法除外）和毒性；n（）對坩堝材料無腐蝕性；n（）在熔融狀態(tài)時，其密度應(yīng)盡量與結(jié)晶物質(zhì)相近，以利于溶液均勻；n（）有適當(dāng)?shù)娜軇┗蛉芤嚎扇芙?，而不腐蝕晶體；現(xiàn)代材料制備技術(shù)高溫溶液法-緩冷法n首先配制溶液，裝爐后升溫至比預(yù)計飽和溫度高十幾攝氏度，保持一定時間以使體系均勻，然后降溫至比預(yù)計成核溫度略高，再根據(jù)具體情況以.的速度降溫，先慢后快，以防過多成核。當(dāng)溫度降至其他相出現(xiàn)或溶解度溫度系數(shù)近于零時停止生長，并使溫度以較快速度降至室溫。此時晶體周圍的溶液凝為固態(tài)；以適當(dāng)溶劑溶解凝固后的溶液，得到晶體?，F(xiàn)代材料制備技術(shù)高溫溶液法-助熔劑揮發(fā)法n體系內(nèi)有兩個溫度區(qū)域，一個是生長區(qū)域，一個是冷凝區(qū)域