第三章代表性工藝_第1頁(yè)
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第三章第三章 代表性工藝代表性工藝 基本特征基本特征 制造工序制造工序N型埋層外延層生長(zhǎng)隔離擴(kuò)散深N+擴(kuò)散基區(qū)注入發(fā)射區(qū)擴(kuò)散接觸、金屬化、覆蓋保護(hù)層 可用器件可用器件NPN晶體管 可用器件可用器件NPN晶體管襯底PNP晶體管橫向PNP晶體管基區(qū)電阻發(fā)射區(qū)電阻基區(qū)埋層電阻電容上下隔離 工藝擴(kuò)展工藝擴(kuò)展雙層金屬肖特基二極管高值薄層電阻高值薄層注入由淺的輕摻雜P型注入形成 基本特征基本特征 采用多晶硅，實(shí)現(xiàn)自對(duì)準(zhǔn)采用多晶硅，實(shí)現(xiàn)自對(duì)準(zhǔn) 制造工序制造工序外延生長(zhǎng)、N阱擴(kuò)散反型槽溝道終止注入LOCOS工藝閾值調(diào)整多晶硅淀積源漏注入接觸、金屬化、覆蓋保護(hù)層 可用器件可用器件NMOS晶體管PMOS晶體管襯底PNP晶體管多晶硅電阻NSD和PSD電阻電容 工藝擴(kuò)展工藝擴(kuò)展雙層金屬淺槽隔離擴(kuò)展漏區(qū)高壓晶體管 基本特征基本特征 制造工序制造工序N型埋層、外延生長(zhǎng)N阱擴(kuò)散和深N區(qū)基區(qū)注入反型槽溝道終止注入LOCOS閾值調(diào)整多晶硅淀積及光刻源/漏注入金屬化及保護(hù)層 可用器件可用器件NPN晶體管襯底PNP晶體管橫向PNP晶體管基區(qū)電阻 工藝擴(kuò)展工藝擴(kuò)展介質(zhì)隔離DI BiCMOS縱向NPN晶體管DI BiCMOS縱向PNP晶體管高壓DMOS部分低壓部分隔離部分的實(shí)物照片集成電路的例子集成電路的例子功率集成電路的高壓部分的版圖照片器件的照片1器

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