石德珂材料科學(xué)選擇題

1、 材料科學(xué)基礎(chǔ) 選擇題第一章 材料結(jié)構(gòu)的基本知識1、原子結(jié)合健中 B 的鍵的本質(zhì)是相同的 A、金屬鍵與離子鍵 B、氫鍵與范德瓦爾斯鍵 C、離子鍵與共價鍵2、鎢、鉬熔點很高，其結(jié)合鍵是 A 的混合鍵 A、金屬鍵和離子鍵 B、金屬鍵和共價鍵 C、離子鍵和共價鍵3、MgO、Al2O3等的結(jié)合鍵是 C 的混合鍵 A、金屬鍵和離子鍵 B、金屬鍵和共價鍵 C、離子鍵和共價鍵4、工程材料的強度與結(jié)合鍵有一定的聯(lián)系，結(jié)合鍵能高的其強度也 A 些。 A、高 B、低5、激活能反應(yīng)材料結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變 B 的大小； A、動力 B、阻力6、材料處于能量最低狀態(tài)稱為 A ； A、穩(wěn)態(tài)結(jié)構(gòu) B、亞穩(wěn)態(tài)結(jié)構(gòu)7、一般而言，晶態(tài)結(jié)構(gòu)的

2、能量比非晶態(tài)要 B ；A、高 B、低 C、相等第二章 材料的晶體結(jié)構(gòu)1. 氯化銫（CsCl）為有序體心立方結(jié)構(gòu)，它屬于 C A、體心立方 B、面心立方 C、簡單立方點陣；2. 理想密排六方結(jié)構(gòu)金屬的c/a為 B A、1.6 B、2(2/3)1/2 ； C、2/33. 對面心立方晶體而言，表面能最低的晶面是 c A、 (100);B、(110)，C、(111)；D、(121)4. 下列四個六方晶系的晶面指數(shù)中，哪一個是錯誤的： C A、； B、； C、 ； D、5. 面心立方結(jié)構(gòu)的鋁中，每個鋁原子在本層（111）面上的原子配位數(shù)為 B A、12； B、6； C、4； D、3 6. 簡單立方晶體的

3、致密度為 C A、100% B、65% C、52% D、58%7. 立方晶體中（110）和（211）面同屬 D 晶帶 A、110 B、100 C、211 D、8. 立方晶體中（111）和（101）面同屬 D 晶帶 A、111 B、010 C、011 D、9. 原子排列最密的一族晶面其面間距 A、最小 B、最大10. 六方晶系中和晶面等同的晶面是 A A、面；B、面；C、面；D、面11. 配位數(shù)是指晶體結(jié)構(gòu)中： B A、每個原子周圍的原子數(shù)； B、每個原子周圍最鄰近的原子數(shù)；C、每個原子周圍的相同原子數(shù)；D、每個原子周圍最鄰近的和次近鄰的原子數(shù)之和12. 密排六方與面心立方均屬密排結(jié)構(gòu)，他們的不

4、同點是： D A、晶胞選取方式不同； B、原子配位數(shù)不同； C、密排面上，原子排列方式不同； D、原子密排面的堆垛方式不同13. 在立方晶系中，與(101)、(111)同屬一晶帶的晶面是： d A、(110); Bb、(011); C、; D、(010)14. TiC與NaCl具有相同的晶體結(jié)構(gòu)，但它們不屬于同一類中間相，這是因為： D A、TiC是陶瓷，NaCl是鹽；B、NaCl符合正?；蟽r規(guī)律，TiC不符合正?；蟽r規(guī)律；C、TiC中電子濃度高， D、NaCl的致密度高15. 立方晶體中（110）和（310）面同屬 D 晶帶 A、110 B、100 C、310 D、00116. 14種布

5、拉菲點陣： A A、按其對稱性分類，可歸結(jié)為七大晶系；B、按其點陣常數(shù)分類，可歸結(jié)為七大晶系；C、按陣點所在位置分類，可歸結(jié)為七大晶系D；、按其幾何形狀分類，可歸結(jié)為七大晶系17. 與（113）和（112）同屬一晶帶的有： C A、 , B、 C、(110) D、(211)18. 引入空間點陣概念是為了： C A、描述原子在晶胞中的位置，B、描述晶體的對稱性，C、描述晶體結(jié)構(gòu)周期性，D、同時描述晶體結(jié)構(gòu)周期性和對稱性19. 有A、B兩晶體，下面幾種說法中正確的是 C ；A、所屬空間點陣相同，則此兩晶體的結(jié)構(gòu)相同；B、晶體結(jié)構(gòu)相同，它們所屬空間點陣可能不同；C、晶體結(jié)構(gòu)不同，它們所屬空間點陣必然

6、不同；D、所屬空間點陣不同，晶體結(jié)構(gòu)可能相同20. 體心立方晶體中間隙半徑比面心立方中的小，但BCC的致密度卻比FCC低，這是因為： D A、BCC中原子半徑小，B、BCC中的密排方向上原子排列比FCC密排方向上的原子排列松散，C、BCC中的原子密排面110的數(shù)量太少，D、BCC中的原子配位數(shù)比FCC中原子配位數(shù)低21. 組成固溶體的兩組元完全互溶的必要條件是： B A、兩組元的電子濃度相同，B、兩組元的晶體結(jié)構(gòu)相同，C、兩組元的原子半徑相同，D、兩組元的電負(fù)性相同，22. 晶體結(jié)構(gòu)和空間點陣的相互關(guān)系 C A、空間點陣的每一陣點代表晶體中的一個原子；B、每一種空間點陣代表唯一的一種晶體結(jié)構(gòu)；

7、C、晶體結(jié)構(gòu)一定，它所屬的空間點陣也唯一地被確定；D、每一種晶體結(jié)構(gòu)可以用不同的空間點陣表示23. 晶體中配位數(shù)和致密度之間地關(guān)系是 A A、配位數(shù)越大，致密度越大；B、配位數(shù)越小，致密度越大；C、配位數(shù)越大，致密度越小，D、兩者之間無直接聯(lián)系24. 離子晶體和純金屬晶體各有配位數(shù)的概念，兩者的含義： C A、完全相同，B、不同，離子晶體的配位數(shù)是指最近鄰的同號離子數(shù)，而純金屬晶體的配位數(shù)是指最近鄰的原子數(shù)，C、不同，離子晶體的配位數(shù)是指最近鄰的異號離子數(shù)，而純金屬晶體的配位數(shù)是指最近鄰的原子數(shù)，D、不同，離子晶體的配位數(shù)是指最近鄰的異號離子數(shù)，而純金屬晶體的配位數(shù)是指最近臨和次近鄰的原子數(shù)之

8、和25. 在離子晶體中 B A、陽離子半徑大于陰離子半徑；B、陰離子半徑大于陽離子半徑；C、陽離子半徑與陰離子半徑相等；D、陽離子半徑可以大于陰離子半徑；也可以小于陰離子半徑；26. 硅酸根四面體中的氧離子 C A、只屬于一個硅酸根四面體；B、可以被多個硅酸根四面體共用；C、只能被兩個硅酸根四面體共用；D、可以被四個硅酸根四面體共用第三章 高分子材料的結(jié)構(gòu)1.已知聚氯乙烯的平均相對分子質(zhì)量是27500，則其平均聚合度是（A ）。A、4400 B、4800 C、3600 D、50002.高聚物多分散性越大，其多分散系數(shù)d值（ A ） A、 越大于1 B、越小于1 C、越接近1 D、越接近零3.下

9、列高分子可以通過縮聚反應(yīng)合成的是（ B）。A、聚乙烯 B、滌綸 C、聚四氟乙烯 D、聚氯乙烯4.已知某交替共聚物數(shù)均相對分子量為250 000，數(shù)均聚合度為3420，如果一種共聚單體是苯乙烯，則另一種共聚單體是（ B）。A、乙烯 B、丙烯 C、四氟乙烯 D、氯乙烯5.下列主鏈結(jié)構(gòu)中，按內(nèi)旋的難易程度比較柔順性的大小，柔順性最好的是（ B）A、C-O B、Si-O C、C-C D、C=C6.高分子中不利于高分子結(jié)晶的因素有（D ）A、結(jié)構(gòu)簡單 B、規(guī)整度高 C、對稱性好 D、側(cè)基較大7.下列聚合物中一般為非晶態(tài)聚合物的是（C ）。A、聚酰胺 B、聚對苯二甲酸乙二醇酯 C、聚苯乙烯 D、聚碳酸酯8

10、.下列方法中，能提高聚合物模量的是（B ）A、 提高支化程度 B、提高結(jié)晶度 C、加入增塑劑 D、與橡膠共混第四章 晶體缺陷27. 在理想熱力學(xué)平衡狀態(tài)下，下列哪類缺陷是不應(yīng)該存在的： B A、空位、晶界；B、位錯、晶界；C、空位、位錯；D、空位、位錯、晶界28. 螺位錯的位錯線是 A、曲線； B、 直線； C、折線 ； D、環(huán)行線 29. 如下說法哪個是正確的， C A、形成點缺陷所引起的熵的變化使晶體能量增加；B、晶體總是傾向于降低點缺陷的濃度；C、當(dāng)點缺陷濃度達到平衡值時，晶體自由能最低 30. 氮、氧在金屬中一般占據(jù)間隙位置，這是因為 。A.金屬中間隙半徑大于氮、氧原子半徑 B.氮、氧

11、都是氣體 C.氮、氧原子半徑小，能擠入金屬中間隙位置31. 在晶體中形成空位的同時又產(chǎn)生間隙原子，這樣的缺陷為 B A、肖脫基缺陷 B、弗蘭克爾缺陷 C、間隙缺陷 31.肖脫基缺陷是離位原子進入其它空位或遷移至晶界或表面形成的點缺陷A、肖脫基 B、弗蘭克爾32、當(dāng)點缺陷濃度達到平衡值時，晶體自由能最低A、 最大值 B、 最小值 C、平衡值33、攀移是通過原子的擴散而實現(xiàn)的，攀移需要正應(yīng)力，滑移需要切應(yīng)力；A、正 B、負(fù) C、任意34、晶體材料的界面能會促使顯微組織發(fā)生變化，尺寸較小的晶粒一定具有較少的邊界數(shù)，邊界向 A 彎曲；尺寸較大的晶粒邊數(shù)大于6，晶界向 B 彎曲 ；只有6條邊的晶粒晶界才

12、是 C A、外、 B、內(nèi)、 C、直線 D、曲線 第五章 材料的相結(jié)構(gòu)及相圖32. 間隙相和間隙固溶體的區(qū)別之一是 D A、 間隙相結(jié)構(gòu)比間隙固溶體簡單；B、間隙相的間隙原子比間隙固溶體中的間隙原子大；C、間隙相的固溶度比間隙固溶體大；D、間隙相的結(jié)構(gòu)和其組元的結(jié)構(gòu)不同33. 熔點和硬度最高的中間相是 C A、 正常價化合物； B、電子化合物； C、間隙相； D、間隙化合物；34. 二元相圖中，計算兩相相對含量的杠桿法則只能用于 B A、單相區(qū)中 B、兩相區(qū)中 C、三相平衡水平線上35. 根據(jù)二元相圖相區(qū)接觸法則， 。A、兩個單相區(qū)之間必定有一個三相區(qū)隔開 B、兩個兩相區(qū)之間必須以單相區(qū)或三相水

13、平線隔開 C、三相水平線和四個兩相區(qū)相鄰36. 鋼中的珠光體是 。A. 鐵素體和滲碳體的混合物 B.鐵素體和奧氏體的混合物 C.奧氏體和滲碳體的混合物37. A、B二組元形成共晶系，則： A A、 具有共晶成分的合金鑄造工藝性能最好；B、具有亞共晶成分的合金鑄造工藝性能最好；C、具有過共晶成分的合金鑄造工藝性能最好； D、不發(fā)生共晶轉(zhuǎn)變的合金鑄造工藝性能最好38. 鑄鐵與碳鋼的區(qū)別在于有無 A 。A、萊氏體 B、珠光體 C、鐵素體第六章 材料凝固與氣相沉積1. 形成臨界晶核的體積自由能的減少只能補償表面能的 B A、1/3 B、 2/3 C、 3/42. 凝固時在形核階段，只有核胚半徑等于或大

14、于臨界尺寸時才能成為結(jié)晶的核心，當(dāng)形成的核胚半徑等于臨界尺寸時，體系自由能變化 A ；A、 大于零 B、等于零 C、小于零3. 鑄錠凝固時，如大部分結(jié)晶潛熱可通過液相散失時，則固態(tài)顯微組織主要為 A A、樹枝晶 B、柱狀晶 C、等軸晶4. 純金屬均勻形核時，臨界半徑與 C A、 該金屬熔點有關(guān)，熔點越高，越??；B、該金屬表面能有關(guān)，表面能越高，越小；C、過冷度有關(guān)，過冷度越大，越小；D、過冷度有關(guān)，過冷度越大，越大；5. 凝固時在形核階段，只有核胚半徑等于或大于臨界尺寸時才能成為結(jié)晶的核心。當(dāng)形成的核胚其半徑等于臨界尺寸時，體系的自由能變化 。A、大于零 B、等于零 C、小于零6. 鑄錠凝固時

15、如大部分結(jié)晶潛熱可通過液相散失時，則固態(tài)顯微組織主要為 。A、樹枝晶 B、柱狀晶 C、球晶7. 純共晶合金生長時，因為兩相的平均成分和液體成分相同，生長的界面和純金屬一樣，呈 B 生長A、胞狀或樹枝結(jié)構(gòu) B、平面式 第七章 擴散與固態(tài)相變8. 在面心立方晶體結(jié)構(gòu)的置換型固溶體中，原子擴散的方式一般為 C 。A. 原子互換機制 B.間隙機制 C.空位機制9. 在鋼中，C原子擴散方式一般為 C A、 原子互換機制 B、 間隙機制 C、 空位機制10. 在Kirkendall效應(yīng)中，標(biāo)記物漂移的主要原因是擴散偶中 C A、 兩組元的原子尺寸不同 B、僅一組元擴散 C、兩組元擴散速率不同11. Fic

16、k第一定律描述了穩(wěn)態(tài)擴散的特征，即濃度不隨 B 變化A、距離 B、時間 C、溫度12. 擴散的驅(qū)動力是 B A、 組元的濃度梯度 B、組元的化學(xué)勢梯度 C、溫度梯度13. A和A-B組元合金焊接后發(fā)生Kirkendall效應(yīng)，測得界面向A試樣方向移動，則 A A、 A組元擴散速率大于B組元； B、與（A）相反； C、 A、B兩組元擴散速率相同14. 滲碳處理常常在鋼的奧氏體區(qū)域進行，這是因為 。A、碳在奧氏體中的擴散系數(shù)比在鐵素體中的大； B、碳在奧氏體中的濃度梯度比在鐵素體中大；C、碳在奧氏體中的擴散激活能比在鐵素體中小39. 原子越過能壘的激活能為Q，則擴散速率 。A、隨Q增加而減少 B、

17、隨Q增加而增加 C、與Q無關(guān)40. 固態(tài)金屬中原子擴散的最快路徑是 D A、晶內(nèi)擴散； B、晶界擴散； C、位錯擴散； D、表面擴散41. 金屬自擴散激活能應(yīng)等于 A A、 空位形成能和遷移激活能的總和；B、空位形成能；C、空位的遷移激活能42. A和A-B合金焊接后發(fā)生克根達爾效應(yīng)，測得界面向A試樣方向移動，則 A A、 A組元擴散速率大于B組元；B、A組元擴散速率小于B組元；C、A、B組元擴散速率相同43. 影響擴散系數(shù)的因數(shù)有多種，其中 A A、 溶質(zhì)原子的熔點越高，其在固溶體中的擴散系數(shù)越小；B、溶質(zhì)原子在元素周期表中離溶劑原子越近，擴散系數(shù)越大，C、鐵的自擴散系數(shù)大于鐵的自擴散系數(shù)4

18、4. 界面能最低的相界面是 A 。A. 共格界面 B.孿晶面 C.小角度晶界45、固相共格形核時，當(dāng)體積一定，新相為 B 時，體積應(yīng)變能最高， A 最低， C 居中；A、盤狀、 B、球狀、 C、針狀46、金屬材料在發(fā)生相變時具有相變潛熱和體積突變的過程稱為-。A.零級相變 B.一級相變 C.二級相變第八章 材料的變形與斷裂1. fcc、bcc、hcp三種晶體結(jié)構(gòu)的材料中，塑性變形時最容易生成孿晶的是 C A、fcc B、bcc C、hcp 2. 形變后材料再升溫時發(fā)生回復(fù)和再結(jié)晶現(xiàn)象，則點缺陷濃度下降明顯發(fā)生在 A A、回復(fù)階段 B、再結(jié)晶階段 C、晶粒長大階段 3. 加工硬化使一種有用的強化

19、手段，其缺點是-。A、只適用于雙相材料 B.材料在高溫下不適用 C.只適用于單晶體4. 金屬鎂的單晶處于軟取向時塑性變形量可達100%200%，但其多晶體的塑性很差，其主要原因是： C A、其多晶體晶粒通常粗大；B、其多晶體通常存在裂紋；C、其獨立滑移系通常較少；D、因為鎂是BCC結(jié)構(gòu)，所以脆性大5. 經(jīng)過塑性變形和再結(jié)晶過程，在下列何種情況下必定會得到粗大的晶粒組織是 A A、在臨界變形量進行塑性加工；B、 大變形量；C、較長的退火時間；D、較高的退火溫度6. 單晶體的臨界分切應(yīng)力值與 C 有關(guān)A、外力相對滑移系的取向；B、拉伸時的屈服應(yīng)力；C、晶體的類型和純度；D、拉伸時的應(yīng)變大小7. 下

20、列有關(guān)金屬彈性變形的說法中，不對的是 C A、它是可逆的，即去掉外力后變形就消失，B、應(yīng)力和應(yīng)變之間呈線性關(guān)系；C、彈性變形量的數(shù)值一般都較大；D、單晶體的彈性模量是各向異性的8. 再結(jié)晶過程包括形核與長大， A A、形核與長大的驅(qū)動力都來源于形變儲存能；B、形核與長大的驅(qū)動力都來源于晶界能；C、形核的驅(qū)動力來源于形變儲存能，長大的驅(qū)動力來源于晶界能；D、形核與長大的驅(qū)動力都來源于外部加熱所提供的能量9. 經(jīng)冷變形后的金屬在回復(fù)過程中，位錯會發(fā)生 C A、增殖；B、大量消失；C、部分重排；D、無變化10. 面心立方晶體的孿晶面是 C 。A、(112) B、（110） C、（lll）11. 形變后的材料再升溫時發(fā)生回復(fù)和再結(jié)晶現(xiàn)象，則點缺陷