MOS集成電路工藝入門(mén)資料課件_第1頁(yè)
MOS集成電路工藝入門(mén)資料課件_第2頁(yè)
MOS集成電路工藝入門(mén)資料課件_第3頁(yè)
MOS集成電路工藝入門(mén)資料課件_第4頁(yè)
MOS集成電路工藝入門(mén)資料課件_第5頁(yè)
已閱讀5頁(yè),還剩26頁(yè)未讀, 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶(hù)提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

1、.1IC常用術(shù)語(yǔ)園片:硅片芯片(Chip, Die):6、8 :硅(園)片直徑:1 25.4mm6150mm; 8200mm; 12300mm; 亞微米1m的設(shè)計(jì)規(guī)范深亞微米 0反型層 溝道源(Source)S漏(Drain)D柵(Gate)G柵氧化層厚度:50埃1000埃(5nm100nm)VT閾值電壓電壓控制N N溝溝MOSMOS(NMOSNMOS) P型襯底,受主雜質(zhì); 柵上加正電壓,表面吸引電子,反型,電子通道; 漏加正電壓,電子從源區(qū)經(jīng)N溝道到達(dá)漏區(qū),器件開(kāi)通。.6N襯底p+p+漏源柵柵氧化層場(chǎng)氧化層溝道P P溝溝MOSMOS(PMOSPMOS)GDSVTVGSID+-VDS 0 N

2、型襯底,施主雜質(zhì),電子導(dǎo)電; 柵上加負(fù)電壓,表面吸引空穴,反型,空穴通道; 漏加負(fù)電壓,空穴從源區(qū)經(jīng)P溝道到達(dá)漏區(qū),器件開(kāi)通。.7CMOS CMOS:Complementary Symmetry Metal Oxide Semiconductor 互補(bǔ)對(duì)稱(chēng)金屬氧化物半導(dǎo)體特點(diǎn):低功耗VSSVDDVoViCMOS倒相器PMOSNMOSI/OI/OVDDVSSCCCMOS傳輸門(mén).8N-SiP+P+n+n+P-阱DDVoVGVSSSSVDDCMOS倒相器截面圖CMOS倒相器版圖.9pwellactivepolyN+ implantP+ implantomicontactmetalA NMOS Exa

3、mple.10pwellPwellActivePolyN+ implantP+ implantOmicontactMetal.11Ntype SiSiO2光刻膠光刻膠光光MASK Pwell.12Ntype SiSiO2光刻膠光刻膠光刻膠光刻膠MASK Pwell.13Ntype SiSiO2光刻膠光刻膠光刻膠光刻膠SiO2.14Ntype SiSiO2SiO2Pwell.15pwellactivePwellActivePolyN+ implantP+ implantOmicontactMetal.16Ntype SiSiO2PwellSiO2光刻膠光刻膠MASK activeMASK Act

4、iveSi3N4.17Ntype SiSiO2PwellSiO2光刻膠光刻膠光刻膠光刻膠MASK activeMASK ActiveSi3N4.18Ntype SiSiO2PwellSiO2光刻膠光刻膠光刻膠光刻膠Si3N4.19Ntype SiSiO2PwellSiO2場(chǎng)氧場(chǎng)氧場(chǎng)氧場(chǎng)氧場(chǎng)氧場(chǎng)氧PwellSi3N4.20Ntype SiSiO2Pwell場(chǎng)氧場(chǎng)氧場(chǎng)氧場(chǎng)氧場(chǎng)氧場(chǎng)氧Pwell.21Ntype SiSiO2PwellSiO2場(chǎng)氧場(chǎng)氧場(chǎng)氧場(chǎng)氧場(chǎng)氧場(chǎng)氧Pwellpoly.22activepwellpolyPwellActivePolyN+ implantP+ implantOmicont

5、actMetal.23Ntype SiSiO2PwellSiO2MASK poly場(chǎng)氧場(chǎng)氧場(chǎng)氧場(chǎng)氧場(chǎng)氧場(chǎng)氧Pwellpoly光刻膠光刻膠.24Ntype SiSiO2PwellSiO2MASK poly場(chǎng)氧場(chǎng)氧場(chǎng)氧場(chǎng)氧場(chǎng)氧場(chǎng)氧Pwell光刻膠光刻膠poly.25Ntype SiSiO2PwellSiO2場(chǎng)氧場(chǎng)氧場(chǎng)氧場(chǎng)氧場(chǎng)氧場(chǎng)氧Pwellpoly.26Ntype SiSiO2PwellSiO2場(chǎng)氧場(chǎng)氧場(chǎng)氧場(chǎng)氧場(chǎng)氧場(chǎng)氧Pwellpoly.27activepwellpolyN+ implantPwellActivePolyN+ implantP+ implantOmicontactMetal.28Ntype SiSiO2PwellSiO2MASK N+場(chǎng)氧場(chǎng)氧場(chǎng)氧場(chǎng)氧場(chǎng)氧場(chǎng)氧Pwellpoly光刻膠光刻膠.29Ntype SiSiO2PwellSiO2場(chǎng)氧場(chǎng)氧場(chǎng)氧場(chǎng)氧場(chǎng)氧場(chǎng)氧Pwell光刻膠光刻膠polyN+ implantS/D.30activepwellpolyP+ implantPwellActivePolyN+ implantP

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶(hù)所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫(kù)網(wǎng)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶(hù)上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶(hù)上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶(hù)因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

最新文檔

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論