電力電子器件及其應(yīng)用技術(shù)

1、3-1 功率二極管功率二極管 3-2 功率晶體管功率晶體管 3-3 功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管 3-4 絕緣柵雙極晶體管絕緣柵雙極晶體管 3-5 開(kāi)關(guān)器件的集成驅(qū)動(dòng)電路開(kāi)關(guān)器件的集成驅(qū)動(dòng)電路 緒論：電力電子器件的研發(fā)主流緒論：電力電子器件的研發(fā)主流sic器件器件 3-6 開(kāi)關(guān)器件應(yīng)力與緩沖電路開(kāi)關(guān)器件應(yīng)力與緩沖電路 分類分類 發(fā)展歷程發(fā)展歷程 電力電子器件的研發(fā)主流電力電子器件的研發(fā)主流sic器件器件 1992年年psrcpsrc（美國(guó)北卡州立大學(xué)功率半導(dǎo)體研究中心）最先報(bào)道；（美國(guó)北卡州立大學(xué)功率半導(dǎo)體研究中心）最先報(bào)道； 2001年年碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管sic

2、-sbdsic-sbd(schottky barrier diode) 投放市場(chǎng)。投放市場(chǎng)。 sic-sbdsic-sbd 研發(fā)水平已達(dá)到研發(fā)水平已達(dá)到: 高壓器件阻斷電壓超過(guò)高壓器件阻斷電壓超過(guò)10kv; 大電流器件通態(tài)電流大電流器件通態(tài)電流130a、阻斷電壓高達(dá)、阻斷電壓高達(dá)5kv 。 突出優(yōu)點(diǎn)突出優(yōu)點(diǎn)：反向漏電流極?。悍聪蚵╇娏鳂O小 + 零反向恢復(fù)時(shí)間零反向恢復(fù)時(shí)間 + 300工作溫度。工作溫度。 碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管sic-sbd sic-sbd 理論上，通態(tài)比電阻同比硅理論上，通態(tài)比電阻同比硅mos分別低分別低1002000倍。倍。sic 功率功率mos與與i

3、gbt研發(fā)進(jìn)展研發(fā)進(jìn)展 199510-1100101102103102103104silicon比電阻 （ cm2）阻斷電壓 (v)1993-19954h-siccreeumos10-1100101102103102103104n-g1997purdue1998cree1997denso1997purdue1996cree1993-1995ncsu1997siemens1999kansaicree2000purdue2001kansaicree2001purdue2002cree2003cree2004阻斷電壓 (v)umosdmossilicon10 kv123 m cm24h-sic200

4、4 gct、scr、gtr、 pn結(jié)二極管、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管、結(jié)二極管、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管、 靜電感應(yīng)晶體管靜電感應(yīng)晶體管、功率模塊均時(shí)有報(bào)道功率模塊均時(shí)有報(bào)道。 0102030405060708090100024681012通態(tài)壓降 (v)電流密度 (a/cm2）p-igbtmosfet10 kv sic功率功率mos與與igbt導(dǎo)通特性比較導(dǎo)通特性比較15 kv sic功率功率mos與與igbt導(dǎo)通特性及高溫穩(wěn)定性比較導(dǎo)通特性及高溫穩(wěn)定性比較01020304050607080901000246810121416voltage (v)current (a/cm27 c225 c225 c27

5、cp-igbtmosfet300 w/cm2mosfet電流密度 (a/cm2）通態(tài)壓降 (v)問(wèn)題與展望：?jiǎn)栴}與展望： 碳化硅不僅能提高器件的耐壓能力，還能大幅度降低器件損碳化硅不僅能提高器件的耐壓能力，還能大幅度降低器件損耗，使電力電子技術(shù)的節(jié)能優(yōu)勢(shì)得以更加充分的發(fā)揮。耗，使電力電子技術(shù)的節(jié)能優(yōu)勢(shì)得以更加充分的發(fā)揮。 與硅相比碳化硅的另一優(yōu)勢(shì)是能夠兼顧器件的功率、頻率以與硅相比碳化硅的另一優(yōu)勢(shì)是能夠兼顧器件的功率、頻率以及耐高溫。正好都是電力電子技術(shù)發(fā)展對(duì)器件的基本要求。及耐高溫。正好都是電力電子技術(shù)發(fā)展對(duì)器件的基本要求。 今后幾年，隨著碳化硅晶體生長(zhǎng)技術(shù)和器件制造技術(shù)的完善，今后幾年，隨

6、著碳化硅晶體生長(zhǎng)技術(shù)和器件制造技術(shù)的完善，其器件在成品率、可靠性和價(jià)格等方面都將有較大改善，從其器件在成品率、可靠性和價(jià)格等方面都將有較大改善，從而進(jìn)入應(yīng)用的階段。而進(jìn)入應(yīng)用的階段。 這極有可能引發(fā)電力電子技術(shù)的一場(chǎng)新的革命這極有可能引發(fā)電力電子技術(shù)的一場(chǎng)新的革命。 因此，碳化硅電力電子器件的誕生和開(kāi)發(fā)是電力電子技術(shù)在因此，碳化硅電力電子器件的誕生和開(kāi)發(fā)是電力電子技術(shù)在世紀(jì)之交的一次革命性進(jìn)展。世紀(jì)之交的一次革命性進(jìn)展。 氮化鎵氮化鎵gangan具有碳化硅的高擊穿電場(chǎng)特性，具有碳化硅的高擊穿電場(chǎng)特性， 更具更具高頻特性高頻特性的開(kāi)發(fā)潛力。的開(kāi)發(fā)潛力。 1靜態(tài)特性靜態(tài)特性 電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)電導(dǎo)調(diào)制效

7、應(yīng)： 電流電流注入載流子數(shù)注入載流子數(shù)電阻率電阻率多子多子保持保持 電中性電中性 ud did d電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)maa 反向阻斷雪崩擊穿0.51.2v 動(dòng)態(tài)特性動(dòng)態(tài)特性 （power diode) pd等效模型等效模型： 3-1 功率二極管功率二極管 2開(kāi)通過(guò)程開(kāi)通過(guò)程： tid dtfrufrp理想id did d實(shí)際理想ud d實(shí)際ud dud d2v正向恢復(fù)時(shí)間 外殼電容體電阻體電感引線電感勢(shì)壘+ 擴(kuò)散 電容pn結(jié)電阻tid dufrp理想ud d理想id dirrpur實(shí)際id dud d實(shí)際urrp25%irrptrr由由ur、線路電感、線路電感、 體電感決定體電感決定 反向充電建立勢(shì)

8、壘反向充電建立勢(shì)壘 反向恢復(fù)時(shí)間 關(guān)斷過(guò)程關(guān)斷過(guò)程： 因正向電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)且電流大：因正向電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)且電流大： tfr trr 普通普通pd trr 100us pd的分類的分類 快恢復(fù)二極管快恢復(fù)二極管 （fast recovery diode trr 0.2us) 軟恢復(fù)二極管軟恢復(fù)二極管 （soft recovery diode trr 0.51us) 勢(shì)壘（肖特基）二極管勢(shì)壘（肖特基）二極管 （schottky barrier diode trr 0無(wú)柵壓反向輸出特性無(wú)柵壓反向輸出特性 m105onr正柵壓反向輸出特性正柵壓反向輸出特性 2 飽和區(qū)的電流轉(zhuǎn)移特性飽和區(qū)的電流轉(zhuǎn)移特性 負(fù)

9、電流溫度系數(shù)負(fù)電流溫度系數(shù) 適于并聯(lián)適于并聯(lián) id dugsgs跨導(dǎo)跨導(dǎo)guigsd開(kāi)啟電壓開(kāi)啟電壓 ut 轉(zhuǎn)移特性轉(zhuǎn)移特性 開(kāi)啟電壓開(kāi)啟電壓 跨導(dǎo)跨導(dǎo) 隨溫升降低隨溫升降低 通態(tài)電阻特性通態(tài)電阻特性 dscdsddsonuuiur 正向電阻區(qū)正向電阻區(qū) 臨界飽和漏壓臨界飽和漏壓 onrbb-dsugsudsijt動(dòng)態(tài)特性動(dòng)態(tài)特性： t1開(kāi)通延遲開(kāi)通延遲 t2上升時(shí)間上升時(shí)間 t3關(guān)斷延遲關(guān)斷延遲 t4下降時(shí)間下降時(shí)間 ton開(kāi)通時(shí)間開(kāi)通時(shí)間 toff關(guān)斷時(shí)間關(guān)斷時(shí)間 器件說(shuō)明器件說(shuō)明 ?輸入電容（輸入電容（ds短接）短接） gdgsisccc gddsosccc gdrscc 輸出電容（輸出

10、電容（gs短接）短接） 反饋（米勒）電容反饋（米勒）電容 極間電容特性極間電容特性 器件說(shuō)明器件說(shuō)明 開(kāi)關(guān)速度開(kāi)關(guān)速度 計(jì)算計(jì)算 驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)電路 設(shè)計(jì)設(shè)計(jì) ? 柵極電荷特性柵極電荷特性 ？密勒效應(yīng)密勒效應(yīng))(gstuconstig)(gsqu開(kāi)通開(kāi)通 電流電流 降落降落 電壓電壓 過(guò)驅(qū)動(dòng)過(guò)驅(qū)動(dòng) dsugsudsi q 柵極電荷特性柵極電荷特性電路運(yùn)行條件的影響電路運(yùn)行條件的影響 s1:開(kāi)通過(guò)程消耗于開(kāi)通過(guò)程消耗于rg的能量的能量s2:關(guān)斷過(guò)程消耗于關(guān)斷過(guò)程消耗于rg的能量的能量 （開(kāi)通過(guò)程貯存于（開(kāi)通過(guò)程貯存于cis）s1s2=開(kāi)關(guān)周期驅(qū)動(dòng)能量開(kāi)關(guān)周期驅(qū)動(dòng)能量 )()(103gsgss21s

11、offon0offononggsssqquufssfpppppdtiutpt 平均驅(qū)動(dòng)功率平均驅(qū)動(dòng)功率 柵極電荷特性柵極電荷特性 應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)功率計(jì)算應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)功率計(jì)算 耐壓耐壓限制限制 脈沖脈沖功率功率限制限制 脈沖脈沖電流電流限制限制 ron損耗損耗限制限制 安全工作區(qū)安全工作區(qū) 電路運(yùn)行條件的影響電路運(yùn)行條件的影響 熱擊穿熱擊穿 電壓擊穿電壓擊穿 dtdudsjctjcrtrzk 結(jié)結(jié)-殼殼穩(wěn)態(tài)熱阻穩(wěn)態(tài)熱阻 結(jié)結(jié)-殼殼瞬態(tài)熱阻瞬態(tài)熱阻 安全工作區(qū)安全工作區(qū) 電路運(yùn)行條件的影響電路運(yùn)行條件的影響 熱歐姆定律：熱歐姆定律： tjcztrtp dd功率功率 耐量耐量 ?1igbt的結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu) i

12、gbt n- -cgepn+n+pn+n+ n+ p+dsgcen+np+ppen區(qū)體電阻 gcernrpgcerngecigbt insulated gate bipolar transistor 3-4 絕緣柵雙極晶體管絕緣柵雙極晶體管 靜態(tài)特性：靜態(tài)特性： igbt的特性的特性 轉(zhuǎn)移特性轉(zhuǎn)移特性 ust 34vugegeic c 輸出特性輸出特性 飽和區(qū) icuceuge23v 飽和電壓特性飽和電壓特性 ucesic c25125負(fù)正2動(dòng)態(tài)特性：動(dòng)態(tài)特性： ictt1 1t2 2t3 3t4 4ustugeugem0.1ugemicm0.9icmtontoff0.1icm0.9ugemu

13、cemosongtronmosoffgtrofft鉗位效應(yīng)鉗位效應(yīng)：與mosfet相似 拖尾電流拖尾電流mos已經(jīng)關(guān)斷，igbt存儲(chǔ)電荷釋放緩慢 igbt的擎?。ǖ那孀。╨atch）效應(yīng)）效應(yīng) gcernrpscr 靜態(tài)擎住靜態(tài)擎住 動(dòng)態(tài)擎住動(dòng)態(tài)擎住 過(guò)熱擎住過(guò)熱擎住 p區(qū)體電阻區(qū)體電阻rp引發(fā)擎住引發(fā)擎住 關(guān)斷過(guò)急關(guān)斷過(guò)急位移電流位移電流 ecejidtduccjpn結(jié)電容結(jié)電容 rg 不能過(guò)小，限制關(guān)斷時(shí)間。不能過(guò)小，限制關(guān)斷時(shí)間。 rp 及及pnp、npn 電流放大倍數(shù)電流放大倍數(shù) 因溫度升高而增大。因溫度升高而增大。 （125時(shí)時(shí)icm降至降至1/2） igbt的通態(tài)特性的通態(tài)特性 o

14、42461088121620vuge/vuce/40a200a100actc25ccesoniur igbt的電流容量的電流容量 最大連續(xù)電流最大連續(xù)電流 ic 506012018030024075100125150ctc/aic/ctjm15025ctaicc125250 最大脈沖電流最大脈沖電流 icm 最大開(kāi)關(guān)電流最大開(kāi)關(guān)電流 ilm ccmonciimstct)(;32125規(guī)定條件下，可重復(fù)開(kāi)關(guān)電流的最大值。規(guī)定條件下，可重復(fù)開(kāi)關(guān)電流的最大值。 clmgeonciivuhlct).(.;51211520125 允許短路電流允許短路電流 isc cscii)(54 igbt短路狀態(tài)的失

15、效機(jī)理短路狀態(tài)的失效機(jī)理 失效原因：失效原因： ttda/50oosci0scigeuttoofirgp40sci0scigeufirgp40ds/2ds/2dv /5 短路保護(hù)短路保護(hù) 延時(shí)搜索延時(shí)搜索 超過(guò)熱極限：超過(guò)熱極限：半導(dǎo)體本征溫度極限半導(dǎo)體本征溫度極限250co, 短路電流過(guò)大使管芯過(guò)熱。短路電流過(guò)大使管芯過(guò)熱。 關(guān)斷過(guò)電壓：關(guān)斷過(guò)電壓：分布和封裝引線電感與短路大電流關(guān)斷變化。分布和封裝引線電感與短路大電流關(guān)斷變化。 電流擎住效應(yīng)電流擎住效應(yīng) 基本要求基本要求： ibp+ibp-s5s2s50.ibhfehfes).(6050hfeiicmb)./().(6050251 ic 較

16、大時(shí)，增較大時(shí)，增 ib 可降可降 uces；深度飽和與快速關(guān)斷相矛盾。深度飽和與快速關(guān)斷相矛盾。bbpii3bpbpiiicuces1vib=0.5aib=1a30a 3過(guò)驅(qū)動(dòng)系數(shù) 增 ibp- 可加速關(guān)斷，但電流變化率增大。一般?。?-5 開(kāi)關(guān)器件的集成驅(qū)動(dòng)電路開(kāi)關(guān)器件的集成驅(qū)動(dòng)電路（drive circuit） 1gtr 基本驅(qū)動(dòng)電路基本驅(qū)動(dòng)電路 d1：ube+ud2+ud3 = ud1+ucest1t2r1r2d1ubd3d2d4e1e2c1gtr貝克鉗位電路 uces = ube+ud2+ud3 ud1 = ube + ud2 （一般取0.73v)使gtr集電結(jié)反偏或零偏準(zhǔn)飽和準(zhǔn)飽和

17、 d1應(yīng)為快恢復(fù)管，d2、d3為普通管集成驅(qū)動(dòng)電路集成驅(qū)動(dòng)電路 exb356：150a/600v；ibp=+3a/-3.4a、 iin= 39maexb356 (富士 日) uaa4002 (湯姆遜 法)m57950 (三菱 日) 69215v312679v9v4exb356驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)原則驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)原則 安全安全+ +低耗低耗+ +快速快速 隔離：隔離：光電耦合、光纖、脈沖變壓器；光電耦合、光纖、脈沖變壓器； 電平適當(dāng)：電平適當(dāng)：+12 16v / -5 10v +ugetonponucespontscisc 邊沿陡直：邊沿陡直：tup、tdn 1s ton/offpon/offdi/

18、dtdu/dt電壓尖峰 動(dòng)態(tài)擎住 驅(qū)動(dòng)回路短、回路阻抗小、驅(qū)動(dòng)功率足驅(qū)動(dòng)回路短、回路阻抗小、驅(qū)動(dòng)功率足 pmosfet & igbt 2ir2110、2235集成驅(qū)動(dòng)電路集成驅(qū)動(dòng)電路 自舉過(guò)程自舉過(guò)程 驅(qū)動(dòng)供電方式驅(qū)動(dòng)供電方式 最短導(dǎo)通時(shí)間限制最短導(dǎo)通時(shí)間限制 電流檢測(cè)方式電流檢測(cè)方式 p4551 exb840/841高速型厚膜驅(qū)動(dòng)電路高速型厚膜驅(qū)動(dòng)電路（富士） exb840：150a/600v、 75a/1200v；40khz、延遲、延遲1s、25ma exb841：400a/600v、300a/1200v；40khz、延遲、延遲1s、47ma 1392amp1514過(guò)流保護(hù)456e

19、xb840/8415v20v10ma3333m1過(guò)流過(guò)流保護(hù)保護(hù)輸出輸出8vc 非濾波，吸收電源線 阻抗變化引起的電壓波動(dòng) 橋臂直通、ic(近似uce)過(guò)大、t過(guò)高 uce允許短路時(shí)間530s 延時(shí)搜索/緩降柵壓 “0”強(qiáng)迫-5v封鎖m57962al厚膜驅(qū)動(dòng)電路厚膜驅(qū)動(dòng)電路（三菱） 短路檢測(cè)時(shí)間：短路檢測(cè)時(shí)間：p2-p4間電容10008000p 對(duì)應(yīng)36s 658m57962al門極封鎖單元定時(shí)復(fù)位電路檢測(cè)鎖存amp1314421 600a/600v、400a/1200v；20khz、延遲、延遲15v過(guò)短路檢測(cè)時(shí)間p8=l報(bào)警軟封鎖柵壓定時(shí)1-2ms到輸入=l？結(jié)束nnyym57962al應(yīng)用

20、電路應(yīng)用電路（雙電源）（雙電源） 30v穩(wěn)壓管在檢測(cè)二極管反向恢復(fù)時(shí)限制穩(wěn)壓管在檢測(cè)二極管反向恢復(fù)時(shí)限制p1電壓電壓 658m57962al門極封鎖單元定時(shí)復(fù)位電路檢測(cè)鎖存amp131442115v10v30v18v15v過(guò)流過(guò)流保護(hù)保護(hù)輸出輸出5v總損耗總損耗p = 導(dǎo)通損耗導(dǎo)通損耗pon + 阻斷損耗阻斷損耗poff + 開(kāi)關(guān)損耗開(kāi)關(guān)損耗 ps （ ps=4080%p)延遲時(shí)間延遲時(shí)間 is小，小， 可略可略上升時(shí)間上升時(shí)間存儲(chǔ)時(shí)間存儲(chǔ)時(shí)間 us小，可略小，可略下降時(shí)間下降時(shí)間 ps上升時(shí)間上升時(shí)間tup下降時(shí)間下降時(shí)間tdo一般 80%ib bic cttt1 1t2 2t3 3t4 4

21、ts stc cibic0.9ib0.1ib0.9ic0.1icid dttt1 1t2 2t3 3t4 4ugsttugsgsucc/rlup pictt1 1t2 2t3 3t4 4ustugeugem0.1ugemicm0.9icmtontoff0.1icm0.9ugemucemosongtronmosoffgtrofftgtrmosfetigbt3-6 開(kāi)關(guān)器件應(yīng)力與緩沖電路開(kāi)關(guān)器件應(yīng)力與緩沖電路 1updottdoupcccsceccecstttuidtuidtuie0061)(每周期損耗每周期損耗 sdoupcccssfttuip)(61開(kāi)關(guān)功率損耗開(kāi)關(guān)功率損耗 ic cucece

22、mnuccccicscs開(kāi)關(guān)軌跡 onttuuttiiupccceupcsc)( 1offttuuttiidocccedocsc)(1電阻負(fù)載電阻負(fù)載 1容性負(fù)載容性負(fù)載開(kāi)通過(guò)程開(kāi)通過(guò)程uceicicponponuceicpoffpoffuceic cucecemn感性負(fù)載感性負(fù)載關(guān)斷過(guò)程關(guān)斷過(guò)程安全安全on ：限制限制di/dt 開(kāi)通開(kāi)通/串聯(lián)緩沖串聯(lián)緩沖；off：限制限制du/dt 關(guān)斷關(guān)斷/并聯(lián)緩沖并聯(lián)緩沖； 降低（降低（轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)移）s損耗，改變開(kāi)關(guān)軌跡損耗，改變開(kāi)關(guān)軌跡。緩沖電路緩沖電路（snubber circuit）有損緩沖電路有損緩沖電路無(wú)損緩沖電路電流、電壓、熱電流、電壓、熱應(yīng)力

23、應(yīng)力 stress（buck例）例）無(wú)緩沖工作波形無(wú)緩沖工作波形uicdtlruoliciditticuceui ioliuuuil2l2il1l1d導(dǎo)通導(dǎo)通d恢復(fù)恢復(fù)存存儲(chǔ)儲(chǔ)ul0ul00d導(dǎo)通導(dǎo)通dlciii開(kāi)、關(guān)過(guò)程損耗均大！開(kāi)、關(guān)過(guò)程損耗均大！2有損緩沖電路有損緩沖電路 il連續(xù)時(shí)的緩沖電路連續(xù)時(shí)的緩沖電路 臨界臨界電容電容cs緩沖緩沖 uicdtlruolididscsrs經(jīng) tdocs大， uce1時(shí)最小最小值應(yīng)在 1 的拋物線上討論討論ic cucece1 開(kāi)關(guān)損耗開(kāi)關(guān)損耗=2/3時(shí)最小ronofftseee11341126123113202020offoffofftseeee)

24、()()(03420)(offtsedde949500/minminssofftscceee.2 .4 .6 .81.2.4.6.8101.21.6es-ts-teon-ron-reoffoff0.35 1 電容參數(shù)在最小導(dǎo)通時(shí)間內(nèi)cs電荷應(yīng)放盡rcd關(guān)斷緩沖電路的另一種接法uicdtlruolidscsrs參數(shù)選取參數(shù)選取1350.idolsssuticcc).().(500601120020 電阻參數(shù)sonsssonctrrct)()(minmin5353頻率越高，電阻越小，開(kāi)通附加電流越大。電阻值與損耗無(wú)關(guān)。uicdtlruolididscsrsrld開(kāi)通緩沖電路開(kāi)通緩沖電路uicdtl

25、ruolididsrslsl恒流源，開(kāi)通初，d導(dǎo)通/恢復(fù)， 經(jīng)上升時(shí)間 tup： uce由ui uls 限制di/dt經(jīng) tupls大， ic il d導(dǎo)通， tup 1ls小， ic il d阻斷， tup tfu ，1設(shè)： uce線性下降uceicilui ituptfuuceicilui ituptfuuceicilui ituprld開(kāi)通緩沖電路開(kāi)通緩沖電路臨界臨界電感緩沖電感緩沖由 對(duì)偶原理：對(duì)偶原理：uceicilui itupceilsuuuiupiceuttuuupsitceisctltudtuuliup2120)(lupciti)(lupisitul20開(kāi)通關(guān)斷并聯(lián)串聯(lián)電壓電

26、流電容電感上升下降 開(kāi)關(guān)損耗開(kāi)關(guān)損耗=2/3時(shí)最小949500/minminssofftslleelupissitull).().(50060112001350.min/)(offsstlr53在最小關(guān)斷時(shí)間內(nèi)ls電流應(yīng)回零電阻值與損耗無(wú)關(guān)；頻率越高，電阻越大，關(guān)斷附加電壓越大。復(fù)合緩沖電路復(fù)合緩沖電路uicdtlruolidids2rs2lsds1rs1csilic crbrsucciddscslsis srllldlcccrsdscslsuicdtlruolidids2rs2lsds1rs1cs無(wú)損緩沖電路無(wú)損緩沖電路有損有損 緩沖電路緩沖電路sisofffucp221slsonfilp221由由s移出移出ui、rls、rs 熱熱？無(wú)損無(wú)損緩沖電路緩沖電路3無(wú)損關(guān)斷緩沖電路無(wú)損關(guān)斷緩沖電路與與rcd并聯(lián)緩沖相似并聯(lián)緩沖相似uidtlruolicid11ci2ci1lid2d3cbuck例例1cu2cuiulcii lccciiii21ondd21/dotoff關(guān)斷過(guò)程關(guān)斷過(guò)程1cu2cuceu0iu0ond doilstuiccc).(/5006021221/sccctt