實(shí)驗(yàn)二SRAM-靜態(tài)隨機(jī)存儲器實(shí)驗(yàn)

1、 計(jì)算機(jī)組成原理實(shí) 驗(yàn) 報(bào) 告實(shí)驗(yàn)二：SRAM 靜態(tài)隨機(jī)存儲器實(shí)驗(yàn) 學(xué) 院： 專 業(yè)： 班級學(xué)號： 學(xué)生姓名： 實(shí)驗(yàn)日期： 指導(dǎo)老師： 成績評定： 計(jì)算機(jī)學(xué)院計(jì)算機(jī)組成原理實(shí)驗(yàn)室實(shí) 驗(yàn) 二一、 實(shí)驗(yàn)名稱：SRAM 靜態(tài)隨機(jī)存儲器實(shí)驗(yàn) 二、 實(shí)驗(yàn)?zāi)康模赫莆侦o態(tài)隨機(jī)存儲器RAM工作特性及數(shù)據(jù)的讀寫方法。三、 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容：1、 向存儲器中指定的地址單元輸入數(shù)據(jù),地址先輸入AR寄存器，在地址燈上顯示;再將數(shù)據(jù) 送入總線后，存到指定的存儲單元，數(shù)據(jù)在數(shù)據(jù)顯示燈顯示。2、從存儲器中指定的地址單元讀出數(shù)據(jù), 地址先輸入AR寄存器,在地址燈顯示; 讀出的數(shù)據(jù)送入 總線, 通過數(shù)據(jù)顯示燈顯示。四、 實(shí)驗(yàn)設(shè)備：PC

2、機(jī)一臺，TD-CMA實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)一套。 五、 實(shí)驗(yàn)步驟：1、 關(guān)閉實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)電源，按圖2-4 連接實(shí)驗(yàn)電路，并檢查無誤，圖中將用戶需要連接的信號用圓圈標(biāo)明。2、 將時(shí)序與操作臺單元的開關(guān)KK1、KK3 置為運(yùn)行檔、開關(guān)KK2 置為單步檔。 3、 將CON 單元的IOR 開關(guān)置為1（使IN 單元無輸出），打開電源開關(guān)，如果聽到有嘀報(bào)警聲，說明有總線競爭現(xiàn)象，應(yīng)立即關(guān)閉電源，重新檢查接線，直到錯(cuò)誤排除。圖2-44、 給存儲器的00H、01H、02H、03H、04H 地址單元中分別寫入數(shù)據(jù)11H、12H、13H、14H、15H。由前面的存儲器實(shí)驗(yàn)原理圖（圖2-1-3）可以看出，由于數(shù)據(jù)和地址由同一個(gè)數(shù)據(jù)開

3、關(guān)給出，因此數(shù)據(jù)和地址要分時(shí)寫入，先寫地址，具體操作步驟為：先關(guān)掉存儲器的讀寫（WR=0，RD=0），數(shù)據(jù)開關(guān)輸出地址（IOR=0），然后打開地址寄存器門控信號（LDAR=1），按動ST 產(chǎn)生T3 脈沖，即將地址打入到AR 中。再寫數(shù)據(jù)，具體操作步驟為：先關(guān)掉存儲器的讀寫（WR=0，RD=0）和地址寄存器門控信號（LDAR=0），數(shù)據(jù)開關(guān)輸出要寫入的數(shù)據(jù)，打開輸入三態(tài)門（IOR=0），然后使存儲器處于寫狀態(tài)（WR=1，RD=0，IOM=0），按動ST 產(chǎn)生T3脈沖，即將數(shù)據(jù)打入到存儲器中。寫存儲器的流程如圖2-5 所示（以向00 地址單元寫入11H為例）：圖2-55、 依次讀出第00、01、0

4、2、03、04 號單元中的內(nèi)容，觀察上述各單元中的內(nèi)容是否與前面寫入的一致。同寫操作類似，也要先給出地址，然后進(jìn)行讀，地址的給出和前面一樣，而在進(jìn)行讀操作時(shí)，應(yīng)先關(guān)閉IN 單元的輸出（IOR=1），然后使存儲器處于讀狀態(tài)（WR=0，RD=1，IOM=0），此時(shí)數(shù)據(jù)總線上的數(shù)即為從存儲器當(dāng)前地址中讀出的數(shù)據(jù)內(nèi)容。讀存儲器的流程如圖2-6 所示（以從00 地址單元讀出11H 為例）：圖2-6如果實(shí)驗(yàn)箱和 PC 聯(lián)機(jī)操作，則可通過軟件中的數(shù)據(jù)通路圖來觀測實(shí)驗(yàn)結(jié)果（軟件使用說明請看附錄1），方法是：打開軟件，選擇聯(lián)機(jī)軟件的“【實(shí)驗(yàn)】【存儲器實(shí)驗(yàn)】”，打開存儲器實(shí)驗(yàn)的數(shù)據(jù)通路圖，如圖2-7 所示。進(jìn)行上

5、面的手動操作，每按動一次ST 按鈕，數(shù)據(jù)通路圖會有數(shù)據(jù)的流動，反映當(dāng)前存儲器所做的操作（即使是對存儲器進(jìn)行讀，也應(yīng)按動一次ST 按鈕，數(shù)據(jù)通路圖才會有數(shù)據(jù)流動），或在軟件中選擇“【調(diào)試】【單周期】”，其作用相當(dāng)于將時(shí)序單元的狀態(tài)開關(guān)置為單步檔后按動了一次ST 按鈕，數(shù)據(jù)通路圖也會反映當(dāng)前存儲器所做的操作，借助于數(shù)據(jù)通路圖，仔細(xì)分析SRAM 的讀寫過程。圖2-7六、 實(shí)驗(yàn)結(jié)果整個(gè)實(shí)驗(yàn)記錄的實(shí)驗(yàn)結(jié)果如下：存儲單元地址寫入的二進(jìn)制數(shù)據(jù)十六進(jìn)制讀出的二進(jìn)制數(shù)據(jù)十六進(jìn)制0000000010101010AAH10101010AAH0110011111001100CCH11001100CCH11000110

6、0101010054H0101010054H110101000001100018H0001100018H111100110000001002H0000001002H010100000101001153H0101001153H010100110101000050H0101000050H七、 分析討論1、在讀出數(shù)據(jù)完成時(shí)應(yīng)先關(guān)閉RD按鈕然后再關(guān)閉IOR按鈕，否則就會產(chǎn)生“滴”的聲音。2、在插線的過程中注意不要把兩頭的線插錯(cuò)位或插反了，否則會影響試驗(yàn)結(jié)果。 3、可以不依次序輸出存儲單元的內(nèi)容。4、數(shù)據(jù)通路圖會有數(shù)據(jù)的流動反映當(dāng)前存儲器所做的操作。即使是對存儲器進(jìn)行讀，也應(yīng)按動一 次ST按鈕，數(shù)據(jù)通路圖才會有數(shù)據(jù)的流動。5、將CON單元的IOR開關(guān)置為“1”后再打開電源開關(guān)，如果聽到有“嘀”報(bào)警聲，應(yīng)立即關(guān)閉電源，重新檢查接線，直到錯(cuò)誤排除。八、 心得體會通過這次實(shí)驗(yàn)，較好